湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法与流程

1.本发明涉及半导体集成电路制造技术，尤其涉及一种用于晶圆的湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法。


背景技术：

2.湿法刻蚀是用化学方法有选择地从晶圆表面去除不需要材料的制备方法，广泛应用在半导体制造行业中。湿法刻蚀包括批量式湿法刻蚀和单片式湿法刻蚀，批量式湿法刻蚀通常可以对多片晶圆进行刻蚀，单片式湿法刻蚀则一次仅对一片晶圆进行刻蚀，由于批量式湿法刻蚀制备的晶圆无法满足更小线宽的要求，例如22nm级别的要求，正在逐渐退出历史舞台，而单片式湿法刻蚀因可以满足更小线宽的要求，而逐渐成为主流的制造工艺。
3.相关技术中的一种单片式湿法刻蚀机，包括蚀刻室和废液收集系统。晶圆在蚀刻室内被刻蚀剂刻蚀，刻蚀晶圆后的刻蚀剂形成废液，废液通过废液收集系统收集。其中，当废液收集系统泄露废液的时候，单片式湿法刻蚀机会整机停机，防止强腐蚀性的废液一直泄露，提升单片式湿法刻蚀机的使用安全性。
4.然而，当单片式湿法刻蚀机由于废液泄露整机停止时，在晶圆表面上依旧粘附有刻蚀剂，这些刻蚀剂长时间停留在晶圆表面，容易导致晶圆表面的蚀刻深度过大，导致成品的合格率降低。


技术实现要素：

5.鉴于上述问题，本发明提供一种湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法，以解决晶圆的合格率降低的问题。
6.为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：
7.第一方面，本发明实施例提供一种湿法刻蚀控制系统，其包括：液位检测单元、刻蚀剂喷射单元、清洗剂喷射单元、控制单元；
8.液位检测单元，用于检测漏液收集槽中漏液的液位；
9.刻蚀剂喷射单元，用于将刻蚀剂喷射在晶圆表面；
10.清洗剂喷射单元，用于将清洗剂喷射在晶圆表面；
11.控制单元，用于当液位检测单元检测的漏液的液位大于第一预设值时，控制刻蚀剂喷射单元停止向晶圆表面喷射刻蚀剂，并控制清洗剂喷射单元向晶圆表面喷射清洗剂。
12.与现有技术相比，本发明提供的湿法刻蚀控制系统具有如下优点：
13.在本发明实施例提供的湿法刻蚀控制系统中，通过液位检测单元检测漏液收集槽中漏液的液位，并当检测到的漏液的液位高度大于第一预设值时，采用控制单元控制控制刻蚀剂喷射单元停止喷射刻蚀剂，并控制清洗剂喷射单元喷射清洗剂，从而在发现漏液收集槽中的漏液的液位高度大于第一预设值时，先对待刻蚀晶圆的表面进行清洗，有效避免待刻蚀晶圆表面的刻蚀剂滞留在晶圆表面的时间超过设计的刻蚀时间，晶圆表面的刻蚀深度也就不会超过设计深度，晶圆可以在排除故障后继续进行后续工艺流程，从而可以提升
成品的合格率，降低制造成本。
14.在一些可能的实施方式中，湿法刻蚀控制系统还包括：
15.用于向晶圆表面吹风的供风单元；
16.控制单元还用于：当清洗剂喷射单元停止喷射清洗剂时，控制供风单元向晶圆表面吹风。
17.在一些可能的实施方式中，控制单元还用于：当液位检测单元检测的漏液的液位大于第二预设值时，控制湿法刻蚀机整机停机；其中，第二预设值大于第一预设值。
18.在一些可能的实施方式中，湿法刻蚀控制系统还包括：
19.报警单元，用于发出报警信号；
20.控制单元还用于：当液位检测单元检测的漏液的液位大于第一预设值时，控制报警单元发出第一报警信号。
21.在一些可能的实施方式中，控制单元还用于：当液位检测单元检测的漏液的液位大于第二预设值时，控制报警单元发出第二报警信号。
22.在一些可能的实施方式中，报警信号为声音信号、光信号和图像信号中的一种或者多种。
23.在一些可能的实施方式中，湿法刻蚀控制系统还包括：
24.ph值检测单元，用于检测漏液收集槽中漏液的ph值；
25.控制单元还用于：根据ph值检测单元检测到的ph值，控制漏液收集槽中的漏液排放到相适配的废液罐。
26.第二方面，本发明还提供一种湿法刻蚀机，其包括上述任一实施方式中的湿法刻蚀控制系统。
27.第三方面，本发明还提供一种湿法刻蚀控制方法，其包括：
28.检测漏液收集槽中漏液的液位；
29.当漏液的液位大于第一预设值时，控制停止向晶圆喷射刻蚀剂，并控制向晶圆喷射清洗剂。
30.在一些可能的实施方式中，湿法刻蚀控制方法还包括：
31.当停止向晶圆喷射清洗剂时，控制向晶圆吹风。
32.在一些可能的实施方式中，当漏液的液位大于第二预设值时，控制湿法刻蚀机整机停机；其中，第二预设值大于第一预设值。
33.在一些可能的实施方式中，湿法刻蚀控制方法还包括：
34.当漏液的液位大于第一预设值时，控制报警单元发出第一报警信号。
35.在一些可能的实施方式中，湿法刻蚀控制方法还包括：
36.当漏液的液位大于第二预设值时，控制报警单元发出第二报警信号。
37.在一些可能的实施方式中，第一报警信号和/或第二报警信号为声音信号、光信号和图像信号中的一种或者多种。
38.在一些可能的实施方式中，湿法刻蚀控制方法还包括：
39.检测漏液收集槽中漏液的ph值；
40.根据检测到的漏液的ph值，控制漏液收集槽中的漏液排放到相适配的废液罐。
41.除了上面所描述的本发明实施例解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及
由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本发明提供的湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果，将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。
附图说明
42.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
43.图1为本实施例的单片式湿法刻蚀机的局部结构剖视图；
44.图2为本实施例中漏液收集槽的剖视图；
45.图3为本实施例中湿法刻蚀控制系统的结构示意图；
46.图4为本实施例中湿法刻蚀控制方法流程图。
47.附图标记说明：
48.100：湿法刻蚀控制系统；
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101：液位检测单元；
49.102：刻蚀剂喷射单元；
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103：清洗剂喷射单元；
50.104：控制单元；
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105：第一漏液感测器；
51.106：第二漏液感测器；
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107：供风单元；
52.108：报警单元；
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109：ph值检测单元；
53.200：承载台；
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300：收集器；
54.301：排液出口；
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400：废液罐；
55.401：排废管路；
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402：排废支管；
56.403：总管；
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404：开关阀；
57.405：总阀；
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500：漏液收集槽；
58.501：排废孔；
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502：过孔；
59.600：晶圆。
具体实施方式
60.相关技术中的一种单片式湿法刻蚀机，包括蚀刻室和废液收集系统。其中，蚀刻室内设有刻蚀剂喷嘴、收集器以及可转动的承载台，晶圆置于承载台上，刻蚀剂喷嘴将刻蚀剂喷到晶圆上，从而使得刻蚀剂与晶圆表面未被光刻胶保护的部分产生化学反应，在刻蚀的过程中，承载台能够带动晶圆旋转，进而使得喷射到晶圆表面的刻蚀剂在离心力的作用下甩到收集器内，然后通过排废管路排到不同的废液罐中。
61.经本公开的发明人研究发现：在相关技术的一些单片式湿法刻蚀机中，连接湿法刻蚀机的收集器和废液罐的排废管路可能会存在漏液的情况，这些泄露的废液会被收集到环绕排废管路的漏液收集槽中，当漏液收集槽中收集到的漏液达到系统设定的液位高度时，湿法刻蚀机的控制单元将会控制湿法刻蚀机停机，以便对排废管路进行检修。
62.但是，当湿法刻蚀机停机以后，刻蚀剂依然存留在晶圆的表面上，这些刻蚀剂长时间停留在晶圆表面，容易使得晶圆表面的蚀刻深度过大，导致成品的合格率降低，为此，本
发明采用在停机之前增加清洗步骤，以便将晶圆表面的刻蚀剂进行清除，避免晶圆过刻蚀，以便提高成品的合格率。具体而言，是在湿法刻蚀机的漏液收集槽中设置能够检测不同液位高度的液位检测单元，然后通过该液位检测单元检测从湿法刻蚀机的排废管路泄露到漏液收集槽中的漏液的液位高度，当液位高度大于第一预设值时，停止刻蚀并向当前正在刻蚀的晶圆表面喷射清洗剂，从而可以在湿法刻蚀机整机停机进行检修之前，先将晶圆表面上的刻蚀剂清除掉，避免晶圆的蚀刻超过设计时长，使得晶圆表面的蚀刻深度不会超过制备要求，进而在排除故障后，还可以继续对晶圆进行后续工艺操作，提升成品的合格率，降低制造成本。
63.为了使本发明实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发明保护的范围。本说明书中各实施例或实施方式采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。
64.实施例一
65.图1为本实施例提供的一种单片式湿法刻蚀机的局部结构剖视图，图3为本实施例中湿法刻蚀控制系统的结构示意图。如图1所示，本发明实施例提供一种湿法刻蚀机，如图3所示，本发明实施例还提供一种湿法刻蚀系统，其中，湿法刻蚀机包括：湿法刻蚀控制系统100、用于承载待刻蚀晶圆600的承载台200、用于收集刻蚀废液或者清洗废液的收集器300、用于储存刻蚀废液或者清洗废液的多个废液罐400、用于将刻蚀废液从收集器300排入废液罐400的排废管路401，以及套设在排废管路401上的漏液收集槽500。
66.需要指出的是，采用湿法刻蚀的方法刻蚀晶圆600的时候，通常需要经过多次的酸洗或者碱洗才能完成，根据不同的工艺要求，每次酸洗或者碱洗采用的刻蚀剂也会不同，而且在每次酸洗或者碱洗前后需要使用清洗剂对晶圆600进行清洗，故而在整个晶圆600的刻蚀过程中，需要使用到不同的刻蚀剂，这些不同的刻蚀剂由于酸碱度和成分不同，后续处理程序也各有差异，因此，需要将不同刻蚀剂在刻蚀后产生的废液收集到不同的废液罐400中，也即，不同的废液罐400通过不同的排废管路401收集不同的刻蚀剂和清洗剂。
67.如图1所示，承载待刻蚀晶圆600的承载台200可以进行转动，以使刻蚀深度均匀，刻蚀效果更好。在一些实施方式中，收集器300能够沿竖直方向运动，进而使得收集器300上的排液出口301与不同的排废管路401连通，进而将不同刻蚀剂所产生的废液收集到不同的废液灌中。值得说明的是，这种收集器300仅是一种可行的实施方式，收集器300的具体结构可以是现有技术中的任一一种方式，在此不在赘述。收集器300例如可以是回转体形状，其用于收集从晶圆600表面落下的废液。
68.在一些实施方式中，废液罐400可以是常见的圆柱形罐体，或者也可以形成为长方形的盒体形状，或者可以由废液池形成。排废管路401的一端与收集器300连通，排废管路401的另一端与废液罐400连通。
69.如图1和图2所示，漏液收集槽500的底部设置有过孔502，过孔502中插装排废管路401，如此，使得收集器300中的废液进入到废液罐400中。
70.如图1和图3所示，本实施例提供的湿法刻蚀控制系统100包括：液位检测单元101、
刻蚀剂喷射单元102、清洗剂喷射单元103、控制单元104。其中，液位检测单元101用于检测漏液收集槽500中漏液的液位，刻蚀剂喷射单元102用于将刻蚀剂喷射在晶圆600表面，清洗剂喷射单元103用于将清洗剂喷射在晶圆600表面。
71.刻蚀剂喷射单元102和清洗剂喷射单元103设于承载台200上方，其中，刻蚀剂喷射单元102可以向晶圆600表面喷射不同的刻蚀剂，例如氢氟酸、硫酸、硝酸等，清洗剂喷射单元103可以向晶圆600表面喷射清洗剂，以清除晶圆600表面的杂质或者清洗剂等，其中，清洗剂例如可以是去离子水。
72.控制单元104用于当液位检测单元101检测的漏液的液位大于第一预设值时，控制刻蚀剂喷射单元102停止向晶圆600表面喷射刻蚀剂，并控制清洗剂喷射单元103向晶圆600表面喷射清洗剂，以便对留在晶圆600表面的刻蚀剂进行清洗，避免刻蚀剂长时间存留在晶圆600表面所造成的过刻蚀，从而提高成品的合格率，降低制造成本。
73.液位检测单元101例如可以是漏液感测器、液位传感器等。其中，漏液感测器是一种当其接触液体时能够产生电信号，而当其不接触液体时就不产生电信号的传感器，通过将具有不同高度的漏液感测器安装在漏液收集槽500内，或者将具有相同高度的漏液感测器安装在漏液收集槽500的不同高度，从而可以检测漏液收集槽500中漏液的液位的不同高度，以便在漏液收集槽500中收集到漏液的液位到达第一预设值后，且被迫停机前先对晶圆600表面进行清洗，从而避免晶圆600过刻蚀的问题，进而提高成品的合格率，降低制造成本。
74.在一些实施方式中，第一预设值可以设定为略大于零，以便在漏液收集槽500中收集到很少量、甚至是微量漏液的情况下，就停止对晶圆600喷射刻蚀剂，并对晶圆600表面喷射清洗剂以清洗掉晶圆600表面的刻蚀剂，有效降低由于漏液故障所导致的晶圆600过刻蚀风险，提升成品的合格率。当然，在其他示例中，第一预设值可以设定为大于零的合适值，以更合适的执行漏液后的清洗操作。
75.在本发明实施例提供的湿法刻蚀控制系统100中，通过液位检测单元101检测漏液收集槽500中漏液的液位，并当检测到的漏液的液位高度大于第一预设值时，采用控制单元104控制刻蚀剂喷射单元102停止喷射刻蚀剂，并控制清洗剂喷射单元103喷射清洗剂，从而在发现漏液收集槽500中的漏液的液位大于第一预设值时，先对待刻蚀晶圆600的表面进行清洗，有效避免待刻蚀晶圆600表面的刻蚀剂滞留在晶圆600表面的时间超过设计的刻蚀时间，晶圆600表面的刻蚀深度也就不会超过设计深度，晶圆600可以在排除故障后继续进行后续工艺流程，从而可以提升成品的合格率，降低制造成本。
76.应当理解，当液位检测单元101检测的漏液的液位大于第二预设值时，也即，当漏液收集槽500中的液位大于第二预设值时，控制单元104还用于控制湿法刻蚀机整机停机，以便对排废管路401进行检修。其中，第二预设值大于第一预设值。当液位检测单元101检测的漏液的液位大于第二预设值时，控制单元104控制湿法刻蚀机整机停机，可以使得漏液收集槽500中的漏液不会漫过漏液收集槽500的高度而泄露，使得晶圆600刻蚀制备的整个生产过程更加安全。
77.在一些实施方式中，可以采用一个液位检测单元101对漏液的不同液位高度进行检测，例如，可以采用红外液位传感器或者磁性液位传感器。在另一些实施方式中，液位检测单元101为两个，这两个液位检测单元101分别用于检测漏液收集槽500中的两个不同液
位高度。
78.进一步，如图1和图2所示，两个液位检测单元101为第一漏液感测器105和第二漏液感测器106，第一漏液感测器105的安装高度低于第二漏液感测器106的安装高度，第一漏液感测器105感测的液位高度为第一预设值，第二漏液感测器106感测的液位高度为第二预设值。其中，第二预设值与第一预设值的差值可以不大于1.5cm，例如，第二预设值与第一预设值的差值等于0.8cm、1cm、1.2cm等，这个高度差有利于在湿法刻蚀机整机停机之前提供足够的时间进行晶圆600表面刻蚀剂的清洗操作。
79.在一种可选地实现方式中，湿法刻蚀控制系统100还包括有供风单元107，该供风单元107与控制单元104通信连接，供风单元107用于向晶圆600表面吹风，控制单元104还用于：当清洗剂喷射单元103停止喷射清洗剂时，控制供风单元107向晶圆600表面吹风，以风干晶圆600，进而提升晶圆600的合格率。
80.值得说明的是，控制单元104控制供风单元107向晶圆600吹风，是在清洗剂喷射单元103执行完清洗程序后开启，换句话说就是，在液位检测单元101检测到漏液收集槽500中的漏液达到第一预设值，控制单元104控制清洗剂喷射单元103对晶圆600喷射清洗剂后，再控制供风单元107向晶圆600吹风，以风干晶圆600。
81.在一种可选地实现方式中，湿法刻蚀控制系统100还包括报警单元108，报警单元108与控制单元104通信连接，报警单元108用于发出报警信号，具体的，控制单元104用于当液位检测单元101检测的漏液的液位大于第一预设值时，控制报警单元108发出第一报警信号。报警信号能够提醒设备工程师湿法刻蚀机出现了漏液故障，需要及时处理。报警信号可以为声音信号、光信号和图像信号中的一种或者多种。
82.在一些实现方式中，控制单元104还用于：当液位检测单元101检测的漏液的液位大于第二预设值时，控制报警单元108发出第二报警信号。也即，当液位检测单元101检测到漏液收集槽500中的漏液液位达到第一预设值时，报警单元108发出第一警报信号，当液位检测单元101检测到漏液收集槽500中的漏液液位达到第二预设值时，报警单元108发出第二警报信号，以通过不同的报警信号向外发出该湿法刻蚀机当前漏液液位达到第一预设值还是第二预设值，以便使操作人员可以直观地判断出漏液故障的严重程度。
83.可选地，报警单元108在发出第一报警信号一段时间后例如可以自动停止，而当报警单元108发出第二报警信号后，则需要操作人员手动停止，例如，可以是向控制单元104输入相应的停止指令，或者触发相应的停止按键。
84.在一种可选地实现方式中，湿法刻蚀控制系统100还包括：ph值检测单元109，用于检测漏液收集槽500中漏液的ph值；控制单元104还用于：根据ph值检测单元109检测到的ph值，控制漏液收集槽500中的漏液排放到相适配的废液罐400，如此，实现漏液收集槽500中的漏液随相适配的废液灌中的废液一并处理，使得漏液收集槽500中的漏液处理更加方便，也即，无需单独对漏液收集槽500中的漏液进行处理，节省了处理漏液收集槽500中的漏液的工艺步骤。其中，如图1和图2所示，在漏液收集槽500内还设有与控制单元104通信连接的ph值传感器，ph值传感器构成ph值检测单元109。
85.需要指出的是，为了适配不同ph值的废液，可以如图1所示的设置多个废液罐400。下面以图1中示出的三个废液罐400为例，对排废管路401进行示意性地介绍。
86.请参见图1，三个废液罐400与三个排废支管402的一端连接，三个排废支管402的
另一端与总管403的一端连接，总管403的另一端与漏液收集槽500的排废孔501连接，各个排废支管402上均设置有一个开关阀404，总管403上设置有总阀405，总阀405和开关阀404例如可以为气动阀件，如此，通过控制开关阀404和总阀405即可控制漏液收集槽500中的漏液排放到相适配的废液罐400。下面以三个废液罐400分别用于收集强酸性、大致中性和强碱性废液为例，对收集过程进行简单介绍。
87.当ph值传感器检测ph值小于等于6时，启动相应开关阀404，使得漏液收集槽500中的漏液收集到储存酸性废液的废液罐400中；当ph值传感器检测ph值大于6小于8时，启动相应开关阀404，使得漏液收集槽500中的漏液收集到储存中性废液的废液罐400中；当ph值传感器检测ph值大于等于8时，启动相应开关阀404，使得漏液收集槽500中的漏液收集到储存碱性废液的废液罐400中。其中，开关阀404和总阀405可以通过控制单元104进行控制，且在液位检测单元101检测到漏液收集槽500中的漏液液位为第一预设值时，即根据ph值控制相应开关阀404和总阀405开启，以及时将漏液收集槽500中的漏液及时排放到相应的废液罐400中
88.值得说明的是，为了防止废液罐400中的废液倒灌到漏液收集槽500中，开关阀404和总阀405设置为常闭阀门，也即，漏液收集槽500中没有漏液时，开关阀404和总阀405关闭，漏液收集槽500中有漏液且接收到控制单元104的控制信号后，开关阀404和总阀405开启。
89.实施例二
90.本实施例还提供一种湿法刻蚀控制方法，如图4所示，其包括：
91.检测漏液收集槽500中漏液的液位；
92.当漏液的液位大于第一预设值时，控制停止向晶圆600喷射刻蚀剂，并控制向晶圆600喷射清洗剂。
93.其中，漏液收集槽500中漏液的液位高度可以通过前述的液位检测单元101检测得到；第一预设值例如可以为接近零的数值；控制停止向晶圆600喷射刻蚀剂可以通过控制前述的刻蚀剂喷射单元102停止向晶圆600喷射刻蚀剂实现；控制向晶圆600喷射清洗剂，则可以通过控制前述的清洗剂喷射单元103向晶圆600喷射刻蚀剂实现。
94.本实施例的湿法刻蚀控制方法，当漏液的液位大于第一预设值时，控制停止向晶圆600喷射刻蚀剂，能够在发现排废管路401泄露废液的时候，先停止向晶圆600喷射刻蚀剂，之后控制向晶圆600喷射清洗剂，利用清洗剂将当前正在刻蚀的晶圆600表面的刻蚀剂及时的去除，使得在停机排除故障的时候，晶圆600表面上不会长时间附着刻蚀剂，进而有效降低晶圆600因刻蚀时间过长造成的刻蚀深度过大的报废率，此时，晶圆600表面的刻蚀深度小于目标刻蚀深度，在排除完故障后，可以通过继续刻蚀达到满足要求的刻蚀深度，提高晶圆600的合格率。
95.需要说明的是，当液位检测单元101检测到排废管路401刚发生泄露时，湿法刻蚀机的刻蚀剂喷射单元102当前可能正在向晶圆600表面喷射刻蚀剂，也可能已经停止喷射刻蚀剂，此时，无论是出于哪种状态，都可以向刻蚀剂喷射单元102发出关闭信号，以控制该刻蚀剂喷射单元102关闭并保持关闭状态。当然，在一些可选地示例中，也可以对刻蚀剂喷射单元102的状态进行检测，当该刻蚀剂喷射单元102处于开启状态时，再向刻蚀剂喷射单元102下发关闭的信号，当该刻蚀剂喷射单元102处于关闭状态时，向刻蚀剂喷射单元102下发
保持关闭的信号或者也可不发送任何信号。需要指出的是，无论是否向刻蚀剂喷射单元102发送信号以及发送的是何种类型的关闭信号，均属于停止刻蚀。
96.在一些可选地实现方式中，当漏液的液位大于第二预设值时，控制湿法刻蚀机整机停机；其中，第二预设值大于第一预设值。当漏液的液位大于第二预设值时，控制整机停机，可以使得湿法刻蚀的整个制程过程更加安全，换句话说，可以有效防止漏液收集槽500中收集的废液溢出漏液收集槽500。其中，漏液收集槽500中收集的废液的两个液位高度：第一预设值和第二预设值可以采用前述两个漏液感测器检测。进一步，第二预设值与第一预设值的差值不大于1.5cm，例如，第二预设值与第一预设值的差值为0.7cm、1cm、1.1cm。
97.本实施例的湿法刻蚀控制方法还包括，当停止向晶圆600喷射清洗剂时，控制向晶圆600吹风，也即将残存在晶圆600表面的清洗剂风干。对清洗后的晶圆600进行风干可以增加制备的晶圆600的合格率。将残存在晶圆600表面的清洗剂风干，可以采用前述的供风单元107实现给晶圆600表面吹风。其中，停止向晶圆600喷射清洗剂的条件，可以是时间信号，例如清洗一个固定的时间后即停止清洗。同理，停止向晶圆600表面吹风，也可以是时间信号，例如风干一个固定的时间后即停止吹风。
98.在一种可选地实现方式中，湿法刻蚀控制方法还包括：当漏液的液位大于第一预设值时，发出报警信号。报警信号可以通过前述的报警单元108发出。报警信号能够提醒人们排废管路401泄露废液。报警信号为声音信号、光信号和图像信号中的一种或者多种。
99.在一些实现方式中，当漏液的液位高度大于第一预设值时，控制报警单元108发出第一报警信号，当液位高度大于第二预设值时，控制报警单元108发出第二报警信号，并且第一警报信号在发出一段时间后自动停止，而第二警报信号必须手动停止，以有效保证操作人员可以及时排除排废管路401漏液故障。
100.在一种可选地实现方式中，本实施例的湿法刻蚀控制方法还包括：检测漏液收集槽500中漏液的ph值；根据检测到的漏液的ph值，控制漏液收集槽500中的漏液排放到相适配的废液罐400。其中，ph值可以采用前述的ph值传感器检测。根据ph值传感器检测到的ph值控制漏液收集槽500中的漏液排放到相适配的废液罐400，能够使得漏液收集槽500中的漏液随相适配的废液灌中的废液一并处理，使得漏液收集槽500中的漏液处理更加方便，也即，无需单独对漏液收集槽500中的漏液进行处理，节省了处理漏液收集槽500中的漏液的工艺步骤。
101.本实施例的湿法刻蚀控制系统100、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法，当漏液收集槽500中的废液的液位高度大于第一预设值时，停止刻蚀并向当前正在刻蚀的晶圆600喷射清洗剂，使得晶圆600不会由于漏液导致的湿法刻蚀机停机而出现过刻蚀的现象，使得在出现漏液故障时正在进行刻蚀的晶圆600可以在排除漏液故障后继续进行后续工艺过程，从而提升成品的合格率，降低制造成本。
102.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结
合和组合。
103.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。