用于增强图案化的停止蚀刻层沉积的制作方法

技术特征：
1.一种方法，其包括：在衬底的基材(m1)的顶部添加光致抗蚀剂材料(m2)，m2限定用于在m1上方不存在m2的区域中蚀刻m1的图案；在添加m2后，用氧化物材料(m3)保形地覆盖所述衬底；在所述保形地覆盖后，用填充材料m4对所述衬底进行间隙填充；使填充材料m4转变为填充材料m4-2；在所述转变之后，使停止蚀刻材料(m5)选择性地在m3的暴露表面上生长而不在m4-2的表面上生长；在选择性地生长m5之后，从所述衬底上去除m4-2；以及在去除m4-2之后蚀刻所述衬底，以将所述图案转移到m1中。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在去除m4之后蚀刻所述衬底还包括：蚀刻所述衬底中m3的暴露表面；以及继续蚀刻所述衬底以将所述图案转移到m1中。3.根据权利要求1所述的方法，其中，m2是碳基材料。4.根据权利要求1所述的方法，其中，m3是二氧化硅或氧化铝中的一种。5.根据权利要求1所述的方法，其中m4是chx表面，其中m4-2是cfx表面。6.根据权利要求1所述的方法，其中转变所述填充材料m4包括：通过氟化m4使将m4转变为m4-2。7.根据权利要求1所述的方法，其中m5是金属氧化物或氧氮化物。8.根据权利要求1所述的方法，其中，用m3保形地覆盖所述衬底还包括：执行低损伤等离子体增强的原子层沉积。9.根据权利要求1所述的方法，其中，用填充材料m4对所述衬底进行间隙填充还包括：交替沉积m4和蚀刻m4以填充所述衬底中的间隙。10.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地生长m5还包括：利用原子层沉积工艺来沉积m5。11.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述衬底去除m4-2还包括：进行等离子体灰化以去除m4-2。12.一种半导体制造装置，其包括：处理室；和控制器，其用于控制所述处理室内的衬底的处理，其中，所述控制器使所述处理室执行操作，所述操作包括：在衬底的基材(m1)的顶部添加光致抗蚀剂材料(m2)，m2限定用于在m1上方不存在m2的区域中蚀刻m1的图案；在添加m2后，用氧化物材料(m3)保形地覆盖所述衬底；在所述保形地覆盖后，用填充材料m4对所述衬底进行间隙填充；使填充材料m4转变为填充材料m4-2；在所述转变之后，使停止蚀刻材料(m5)选择性地在m3的暴露表面上生长而不在m4-2的表面上生长；在选择性地生长m5之后，从所述衬底上去除m4-2；以及
在去除m4-2之后蚀刻所述衬底，以将所述图案转移到m1中。13.一种方法，包括：在衬底的基材(m1)的顶部添加光致抗蚀剂材料(m2)，m2限定用于在m1上方不存在m2的区域中蚀刻m1的图案；在添加m2后，用氧化物材料(m3)保形地覆盖所述衬底；在所述保形地覆盖所述衬底后，沉积保形材料(m6)的层；在沉积m6之后，用填充材料m4对所述衬底进行间隙填充；在所述间隙填充之后从所述衬底去除m4；在去除m4之后，使停止蚀刻材料(m5)选择性地在m3的暴露表面上生长而不在m4的表面上生长；在选择性地生长m5之后，从所述衬底上去除m4；以及在去除m4之后蚀刻所述衬底，以将所述图案转移到m1中。14.根据权利要求13所述的方法，其中，在去除m4之后蚀刻所述衬底还包括：蚀刻所述衬底中m3的暴露表面；以及继续蚀刻所述衬底以将所述图案转移到m1中。15.根据权利要求13所述的方法，其中沉积m6的所述层包括执行低损伤等离子体增强的原子层沉积(peald)。16.根据权利要求13所述的方法，其中在所述间隙填充之后从所述衬底去除m4包括执行光蚀刻操作以暴露所述氧化物材料的表面。17.根据权利要求13所述的方法，其中通过mocvd(金属有机cvd)执行选择性地生长m5。18.根据权利要求13所述的方法，其中在选择性地生长m5之后，从所述衬底上去除m4包括通过灰化去除。19.根据权利要求13所述的方法，其中用m3保形地覆盖所述衬底包括：执行低损伤等离子体增强的原子层沉积。20.根据权利要求13所述的方法，其中，m2是碳基材料。21.根据权利要求13所述的方法，其中，m3是二氧化硅或氧化铝中的一种。22.根据权利要求13所述的方法，其中m4是chx表面。23.根据权利要求13所述的方法，其中m6是碳氟化合物。24.根据权利要求13所述的方法，其中m5是金属氧化物或氧氮化物。25.一种半导体制造装置，其包括：处理室；和控制器，其用于控制所述处理室内的衬底的处理，其中，所述控制器使所述处理室执行操作，所述操作包括：在衬底的基材(m1)的顶部添加光致抗蚀剂材料(m2)，m2限定用于在m1上方不存在m2的区域中蚀刻m1的图案；在添加m2后，用氧化物材料(m3)保形地覆盖所述衬底；在保形地覆盖所述衬底后，沉积保形材料(m6)的层；在沉积m6之后，用填充材料m4对所述衬底进行间隙填充；在所述间隙填充之后从所述衬底去除m4；
在去除m4之后，使停止蚀刻材料(m5)选择性地在m3的暴露表面上生长而不在m4的表面上生长；在选择性地生长m5之后，从所述衬底上去除m4；以及在去除m4之后蚀刻所述衬底，以将所述图案转移到m1中。

技术总结
提出了用于选择性沉积蚀刻停止层以在半导体制造期间增强图案化的方法、系统和计算机程序。一种方法包括以下操作：在衬底的基材(M1)的顶部添加光致抗蚀剂材料(M2)，M2限定用于在M1上方不存在M2的区域中蚀刻M1的图案。该方法还包括以下操作：在添加M2后，用氧化物材料(M3)保形地覆盖衬底；以及在所述保形地覆盖后，用填充材料M4对所述衬底进行间隙填充。此外，在所述间隙填充之后，使停止蚀刻材料(M5)选择性地在M3的暴露表面上生长而不在M4的表面上生长。另外，该方法还包括以下操作：在选择性地生长M5之后，从所述衬底上去除M4；以及在去除M4之后蚀刻所述衬底，以将所述图案转移到M1中。M5添加了蚀刻保护，从而能够更深地蚀刻到M1中。到M1中。到M1中。


技术研发人员：纳格拉杰
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：2019.05.06
技术公布日：2022/3/8