温度补偿型声表面滤波器晶圆级封装结构和制造方法与流程

技术特征：
1.温度补偿型声表面滤波器晶圆级封装结构的制造方法，其特征在于，所述温度补偿型声表面滤波器晶圆级封装结构的制造方法的过程包括：步骤1、获取tc-saw滤波器晶圆（1000），在所述tc-saw滤波器晶圆上制作滤波器idt叉指结构（1100），idt电气连接金属条（1200）和idt反射栅边侧金属条（1300）；步骤2、在所述tc-saw滤波器晶圆（1000）、滤波器idt叉指结构（1100），idt电气连接金属条（1200）和idt反射栅边侧金属条（1300）的上表面淀积覆盖一层温补层sio2（1400）；步骤3、通过刻蚀方式移除所述idt电气连接金属条（1200）上表面的温补层sio2（1400）用以形成接触窗，并对所述接触窗进行busbar金属层设置；同时，对所述温补层sio2（1400）表面进行部分移除处理；步骤4、获取硅盖晶圆（2000），并在所述硅盖晶圆（2000）上沉积sio2层（2010）作为硅盖晶圆（2000）的硅表面保护层；步骤5、在带有硅表面保护层的硅盖晶圆（2000）上进行刻蚀形成凹槽（4000），所述凹槽（4000）的位置与所述滤波器idt叉指结构（1100）和busbar金属层的位置垂直对齐；步骤6、在所述凹槽（4000）内通过刻蚀方式形成硅通孔tsv（3000），所述硅通孔tsv（3000）的位置与所述busbar金属层延展于的位置垂直对应；步骤7、使用氢氟酸溶液剥离所述sio2层（2010）；步骤8、将所述硅盖晶圆（2000）对位键合到所述tc-saw滤波器晶圆（1000）上；步骤9、在所述硅盖晶圆（2000）上形成对外连接电气结构。2.根据权利要求1所述温度补偿型声表面滤波器晶圆级封装结构的制造方法，其特征在于，步骤1所述叉指结构的厚度小于0.8μm。3.根据权利要求1所述温度补偿型声表面滤波器晶圆级封装结构的制造方法，其特征在于，所述滤波器idt叉指结构（1100），idt电气连接金属条（1200）和idt反射栅边侧金属条（1300）的材料和厚度均相同。4.根据权利要求1所述温度补偿型声表面滤波器晶圆级封装结构的制造方法，其特征在于，所述对所述接触窗进行busbar金属层设置；同时，对所述温补层sio2（1400）表面进行部分移除处理，包括：步骤301、在所述接触窗上通过lift-off结构的制造方法方式淀积形成busbar金属层（1500），并且将所述busbar金属层（1500）的一部分层体延展至所述温补层sio2（1400）的上表面；步骤302、对所述tc-saw滤波器晶圆（1000）进行测试获取所述tc-saw滤波器晶圆（1000）的频率参数；步骤303、利用离子束trim调频方式对所述温补层sio2（1400）进行表面部分移除。5.根据权利要求4所述温度补偿型声表面滤波器晶圆级封装结构的制造方法，其特征在于，所述busbar金属层（1500）厚度范围为2-3μm。6.根据权利要求1所述温度补偿型声表面滤波器晶圆级封装结构的制造方法，其特征在于，步骤4所述硅盖晶圆（2000）采用高阻硅制成。7.根据权利要求1所述温度补偿型声表面滤波器晶圆级封装结构的制造方法，其特征在于，步骤5所述凹槽（4000）深度要大于所述busbar金属层的厚度，其中，所述凹槽（4000）深度超过所述busbar金属层的厚度的深度差值不超过1μm。
8.根据权利要求1所述温度补偿型声表面滤波器晶圆级封装结构的制造方法，其特征在于，步骤6所述硅通孔tsv（3000）采用上开口小于下开口的梯形结构；所述梯形结构的小底边两侧的锐角范围为85
°‑
87
°
。9.根据权利要求1所述温度补偿型声表面滤波器晶圆级封装结构的制造方法，其特征在于，步骤9中所述的在所述硅盖晶圆（2000）上形成对外连接电气结构，包括：步骤901、使用研磨工艺减薄硅盖晶圆（2000），减薄后的所述硅盖晶圆（2000）的厚度标准为高于所述硅通孔tsv（3000）底部10~20um的厚度；步骤902、使用深硅刻蚀设备对所述硅盖晶圆（2000）进行si刻蚀以暴露硅通孔tsv（3000）；步骤903、在所述硅盖晶圆（2000）和硅通孔tsv（3000）上淀积电气连接金属层（2100）；步骤904、将所述硅通孔tsv（3000）内部全部填充金属（2200），且所述金属（2200）的高度高出电气连接金属层（2100）表面；步骤905、将所述硅通孔tsv（3000）顶部外围的电气连接金属层（2100）通过刻蚀方式去除掉；步骤906、在所述金属（2200）上形成焊锡球（2300）。10.温度补偿型声表面滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述温度补偿型声表面滤波器晶圆级封装结构为利用权利要求1所述温度补偿型声表面滤波器晶圆级封装结构的制造方法形成的晶圆级封装结构。

技术总结
本发明提出了温度补偿型声表面滤波器晶圆级封装结构和制造方法。所述制造方法包括获取TC-SAW滤波器晶圆，在所述TC-SAW滤波器晶圆上制作滤波器IDT叉指结构，IDT电气连接金属条和IDT反射栅边侧金属条；在所述TC-SAW滤波器晶圆、滤波器IDT叉指结构，IDT电气连接金属条和IDT反射栅边侧金属条的上表面淀积覆盖一层温补层SiO2；通过刻蚀方式移除所述IDT电气连接金属条上表面的温补层SiO2用以形成接触窗，并对所述接触窗进行BusBar金属层设置等工艺流程步骤。流程步骤。流程步骤。


技术研发人员：ꢀ(51)Int.Cl.H03H3/02
受保护的技术使用者：深圳新声半导体有限公司
技术研发日：2022.02.09
技术公布日：2022/3/8