用于改进的IMAX和电源完整性的模制电力输送互连模块的制作方法

技术特征：
1.一种半导体芯片封装，包括：半导体芯片，其包括芯片输入电压端子和芯片参考电压端子；封装基板，其包括一个或多个封装输入电压端子和一个或多个封装参考电压端子，其中，所述一个或多个封装输入电压端子被配置为接收第一电压，其中，所述一个或多个封装参考电压端子被配置为接收第二电压；和模制电力输送模块，其布置在封装基板和半导体芯片之间并且包括多个输入导电结构和多个参考导电结构，其中，所述多个输入导电结构在所述多个参考导电结构之间交替，其中，所述多个输入导电结构耦合到芯片输入电压端子和封装输入电压端子，其中，所述多个参考导电结构耦合到芯片参考电压端子和封装参考电压端子。2.根据权利要求1所述的半导体芯片封装，其中，所述多个参考导电结构耦合到接地参考电压（vss）并且所述多个输入导电结构耦合到电源电压（vcc）。3.根据权利要求1或2中任一项所述的半导体芯片封装，其中，所述多个输入导电结构之一是s形的。4.根据权利要求1或2中任一项所述的半导体芯片封装，其中，所述多个输入导电结构之一是i形的。5.根据权利要求1或2中任一项所述的半导体芯片封装，其中，所述多个参考导电结构之一是t形的。6.根据权利要求1或2中任一项所述的半导体芯片封装，其中，所述多个输入导电结构和所述多个参考导电结构被包裹在模制材料中。7.根据权利要求6所述的半导体芯片封装，其中，所述多个输入导电结构、所述多个参考导电结构和模制材料具有相同的高度。8.根据权利要求6所述的半导体芯片封装，其中，所述多个输入导电结构沿着模制材料的宽度定位在多个参考导电结构中的一对之间。9.根据权利要求6所述的半导体芯片封装，其中，所述多个输入导电结构和所述多个参考导电结构具有小于模制材料长度的结构长度。10.根据权利要求1或2中任一项所述的半导体芯片封装，其中，输入导电结构的宽度在150μm和500μm之间。11.根据权利要求1或2中任一项所述的半导体芯片封装，其中，参考导电结构的宽度在10μm和100μm之间。12.根据权利要求1或2中任一项所述的半导体芯片封装，其中，半导体芯片包括环绕所述模制电力输送模块的至少一部分的多个垂直互连。13.根据权利要求12所述的半导体芯片封装，其中，所述多个垂直互连包括在10μm和50μm之间的高度。14.根据权利要求1或2中任一项所述的半导体芯片封装，其中，电力输送模块被集成到半导体芯片。15.一种半导体芯片封装，包括：半导体芯片，其包括被配置为接收输入电压的芯片输入电压端子和被配置为接收参考电压的芯片参考电压端子；封装基板，其包括一个或多个封装输入电压端子和一个或多个封装参考电压端子，
其中，所述一个或多个输入电压端子与输入电压电气耦合，其中，所述一个或多个参考电压端子被配置为接收参考电压；和模制电力输送模块，其布置在封装基板和半导体芯片之间并且包括输入导电结构和一对参考导电结构，其中，输入导电结构定位在该对参考导电结构之间，其中，输入导电结构耦合到芯片输入电压端子和封装输入电压端子，其中，该对参考导电结构中的每一个与芯片参考端子和封装参考端子耦合。16.根据权利要求15所述的半导体芯片封装，其中，参考导电结构比输入导电结构窄。17.根据权利要求15或16中任一项所述的半导体芯片封装，其中，输入导电结构是s形的。18.根据权利要求15或16中任一项所述的半导体芯片封装，其中，输入导电结构是i形的。19.一种形成电力输送模块的方法，包括：在芯片表面之上沉积钝化层，其中，钝化层包括对芯片表面的多个互连暴露和对芯片表面的多个导电暴露；在所述多个互连暴露中形成多个垂直互连通路；在导电暴露中形成多个导电结构；和在导电结构周围沉积模制材料。20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述多个导电结构包括多个输入导电结构和多个参考导电结构，其中，所述多个输入导电结构中的每一个电气耦合到芯片输入电压端子，其中，所述多个参考导电结构中的每一个与芯片参考端子耦合。

技术总结
本发明公开了用于改进的IMAX和电源完整性的模制电力输送互连模块。一种半导体封装，包括模制电力输送模块，其布置在封装基板和半导体芯片之间并包括多个输入导电结构和多个参考导电结构，其中输入导电结构在多个参考导电结构之间交替，其中输入导电结构与芯片输入电压端子和封装输入电压端子电气耦合，其中多个参考导电结构中的每一个与半导体芯片参考端子和封装参考端子电气耦合。端子和封装参考端子电气耦合。端子和封装参考端子电气耦合。


技术研发人员：林涑玲 谢目荣 汪晓莹 康忠斌
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2021.08.04
技术公布日：2022/3/3