制造半导体器件和结构的方法以及半导体结构与流程

技术特征：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：接收包括像素区和接合焊盘区的器件衬底；在所述器件衬底的正面中在所述像素区中形成辐射传感器；在所述器件衬底的所述正面上形成互连结构，所述互连结构耦合到所述辐射传感器；将凹槽蚀刻到所述器件衬底的背面中，以去除所述器件衬底的所述接合焊盘区，直到暴露所述互连结构的部分为止，其中，所述凹槽具有凹槽深度，并且所述凹槽的边缘由所述器件衬底的侧壁限定；在所述凹槽中形成导电接合焊盘，所述导电接合焊盘耦合到所述互连结构中的导电部件；形成第一多个层，所述第一多个层覆盖所述导电接合焊盘，对应于所述凹槽的所述边缘而沿着所述器件衬底的所述侧壁延伸，并覆盖所述器件衬底的所述背面，其中，所述第一多个层中的每个基本上是共形的，并且其中，所述第一多个层共同具有小于所述凹槽深度的第一总厚度；以及执行第一cmp(化学机械平坦化)以从所述像素区去除所述第一多个层的部分，以使得所述第一多个层的剩余部分覆盖所述导电接合焊盘。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一多个层引起所述器件衬底的第一衬底弓度，并且执行所述第一cmp以从所述像素区去除所述第一多个层的部分减小所述第一衬底弓度。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一cmp从所述像素区去除所述第一多个层中的第一层，并且在所述第一多个层中的覆盖所述像素区的第二层上停止，其中，所述第一层具有第一结构完整性，并且第二层具有大于所述第一结构完整性的第二结构完整性。4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述第一cmp之后，在所述第一多个层的所述剩余部分上方形成第二多个层，所述第二多个层覆盖所述导电接合焊盘并覆盖所述像素区；以及执行第二cmp以平坦化所述第二多个层，从而在所述接合焊盘区和所述像素区上方提供平坦化表面。5.根据权利要求4所述的方法，其中，执行所述第二cmp直到所述第二cmp到达覆盖所述器件衬底的所述正面的第一掩模为止，使得所述第二多个层的所述平坦化表面与所述第一掩模的表面平面。6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一多个层包括：形成基底氧化物层，所述基底氧化物层覆盖所述导电接合焊盘，沿着所述器件衬底的所述侧壁延伸并覆盖所述器件衬底的所述背面，所述基底氧化物层具有基底氧化物层厚度；在所述基底氧化物层上方形成氮化物层，所述氮化物层具有氮化物层厚度；以及在所述氮化物层上方形成第一覆盖氧化物层，所述第一覆盖氧化物层具有第一覆盖氧化物层厚度，其中，所述基底氧化物层厚度加上所述氮化物层厚度加上所述第一覆盖氧化物层厚度小于凹槽深度。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一cmp在覆盖所述像素区的所述氮化物层上停止，使得所述基底氧化物层、所述氮化物层和所述第一覆盖氧化物层的在所述导电接
合焊盘上方的部分保持完整，并且通过所述第一cmp切割所述第一覆盖氧化物层的竖直部分以具有与所述氮化物层的最上表面平坦化的上表面。8.根据权利要求7所述的方法，还包括：在所述第一cmp之后，在所述导电接合焊盘上方、在所述第一多个层的所述剩余部分、在所述第一覆盖氧化物层的所述竖直部分上方以及在所述氮化物层的所述最上表面上方形成第二多个层；以及执行第二cmp以平坦化所述第二多个层。9.一种半导体结构，包括：半导体衬底，具有下侧和上侧；互连结构，布置在所述半导体衬底的所述下侧下方；载体衬底，接合到所述互连结构，使得所述互连结构夹置在所述载体衬底与所述半导体衬底的所述下侧之间；辐射传感器，布置在所述半导体衬底的所述下侧中；导电接合焊盘，通过所述互连结构中的导电部件耦合到所述辐射传感器；基底氧化物结构，包括：在所述导电接合焊盘上方延伸的基部以及所述基底氧化物结构的所述基部的外边缘处的套环部，所述基底氧化物结构的所述套环部沿着所述半导体衬底的内侧壁向上延伸；氮化物结构，包括沿着所述基底氧化物结构的基部的上表面延伸的基部，并且包括在所述氮化物结构的所述基部的外边缘处的套环部，所述氮化物结构的所述套环部加衬所述基底氧化物结构的所述套环部的内侧壁；以及覆盖氧化物结构，布置在所述氮化物结构的所述基部的上表面上方并且加衬所述氮化物结构的所述套环部的内侧壁，其中，所述基底氧化物结构的所述套环部的上表面、所述氮化物结构的所述套环部的上表面和所述覆盖氧化物结构的上表面中的每个彼此平面。10.一种制造半导体结构的方法，包括：接收器件衬底；在所述器件衬底的正面上形成互连结构；将凹槽蚀刻到所述器件衬底的背面中，直到暴露所述互连结构的部分为止，其中，所述凹槽具有凹槽深度，并且所述凹槽的边缘由所述器件衬底的内侧壁限定；在所述凹槽中形成导电接合焊盘；形成覆盖所述导电接合焊盘的第一多个层，所述第一多个层沿着所述器件衬底的所述内侧壁延伸，并覆盖所述器件衬底的所述背面，其中，所述第一多个层共同具有小于所述凹槽深度的第一总厚度；以及执行第一cmp(化学机械平坦化)以去除所述第一多个层中的一些的最上部分，从而使所述第一多个层中的一些在所述凹槽的边缘上方具有最上平坦化表面，并使所述第一多个层的在所述导电接合焊盘上方的其他部分保持完好，其中，将所述最上平坦化表面切割成与所述第一多个层中的另一个的上表面平齐。

技术总结
一种半导体器件的制造方法包括：接收器件衬底；在该器件衬底的正面上形成互连结构；以及将凹槽蚀刻到该器件衬底的背面中，直到互连结构的部分暴露为止。该凹槽具有凹槽深度，并且凹槽的边缘由器件衬底的侧壁限定。在凹槽中形成导电接合焊盘，并且第一多个层覆盖导电接合焊盘，沿着器件衬底的侧壁延伸，并且覆盖器件衬底的背面。第一多个层共同具有小于凹槽深度的第一总厚度。执行第一化学机械平坦化以去除第一多个层的部分，以使得第一多个层的剩余部分覆盖导电接合焊盘。本发明的实施例还涉及制造半导体结构的方法以及半导体结构。制造半导体结构的方法以及半导体结构。制造半导体结构的方法以及半导体结构。


技术研发人员：梁晋玮 陈昇照 匡训冲 李昇展
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.02.05
技术公布日：2022/2/28