显示面板及电子设备的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其是涉及一种显示面板及电子设备。


背景技术：

2.显示技术一直以来是电子设备的重要研究方向之一。现有的显示面板的发光单元的阴极通常为一整面结构，造成驱动电路与发光单元的连接方式受限。


技术实现要素：

3.本技术公开了一种显示面板，其具备更灵活的连接方式。
4.第一方面，本技术提供了一种显示面板，所述显示面板包括驱动电路及发光单元层，所述驱动电路包括多个子驱动电路，所述发光单元层包括多个发光单元，每个发光单元用于在所述子驱动电路的驱动下工作，所述发光单元包括阴极单元及阳极单元，相邻的所述发光单元的所述阴极单元彼此独立，所述发光单元的所述阳极单元和所述发光单元的所述阴极单元分别电连接至所述子驱动电路的不同的节点。
5.相邻的所述发光单元的所述阴极单元彼此独立，所述发光单元的所述阳极单元和所述发光单元的所述阴极单元分别电连接至所述子驱动电路的不同的节点，使得所述子驱动电路与所述发光单元的电连接方式更灵活。第二方面，本技术还提供了一种电子设备，所述电子设备包括本体及如第一方面所述的显示面板，所述本体用于承载所述显示面板。
附图说明
6.为了更清楚的说明本技术实施方式中的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见的，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
7.图1为本技术第一实施方式提供的显示面板俯视示意图。
8.图2为图1中沿i-i线的剖视示意图。
9.图3为本技术一实施例提供的阴极设置方式示意图。
10.图4为本技术一实施例提供的阴极单元电连接方式示意图。
11.图5为本技术一实施例提供的驱动电路结构示意图。
12.图6为本技术一实施例提供的驱动电路示意图。
13.图7为本技术一实施例提供的驱动电路结构示意图。
14.图8为本技术一实施例提供的驱动电路示意图。
15.图9为本技术一实施例提供的驱动电路结构示意图。
16.图10为本技术一实施例提供的电子设备俯视示意图。
具体实施方式
17.下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施方式仅是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。
18.本技术提供了一种显示面板1，请一并参阅图1及2，图1为本技术第一实施方式提供的显示面板俯视示意图；图2为图1中沿i-i线的剖视示意图。所述显示面板1包括驱动电路11及发光单元层12。所述驱动电路11包括多个子驱动电路111，所述发光单元层12包括多个发光单元121，每个发光单元121用于在所述子驱动电路111的驱动下工作。所述发光单元121包括阴极单元1211及阳极单元1212，相邻的所述发光单元121的所述阴极单元1211彼此独立。所述发光单元121的所述阳极单元1212和所述发光单元121的所述阴极单元1211分别电连接至所述子驱动电路111的不同的节点。
19.需要说明的是，所述显示面板中还包括基板a、绝缘层b、塑封体c等结构，由于不是本案所涉及的重点，且为了更清晰的观察到所述发光单元层在图1中的位置关系，所述基板a、所述绝缘层b及所述塑封体c在图1中忽略。
20.具体的，每个所述发光单元121可以是单个的像素，也可以是多个像素。当每个所述发光单元121是单个像素时，阴极单元1211即为单个阴极121a(如图3所示)，相邻的所述发光单元121的所述阴极单元1211彼此独立，是指每个所述发光单元121的所述阴极单元1211与相邻的所述发光单元121的所述阴极单元1211彼此独立。可选地，相邻所述发光单元121的所述阴极单元1211可接收所述子驱动电路111传输的相同或不同的驱动电信号。在其他可能的实施例中，每个所述发光单元121包括多个像素时，每个发光单元121的所述阴极单元1211即为每个发光单元121的多个像素的各阴极121a相互连接所组成的阴极组。相邻的所述发光单元121的所述阴极单元1211彼此独立，是指每个发光单元121的阴极组与相邻发光单元121的阴极组彼此独立。可选地，相邻的发光单元121的阴极组可接收相同或不同的驱动信号。可选地，还可以是部分发光单元121中的每个发光单元121是单个的像素，另外部分发光单元121中的每个发光单元121包括多个像素，即前面两种情况的混合。相应地，相邻的发光单元121的阴极单元1211彼此独立，还可以包括由单个像素组成的发光单元121的阴极121a与相邻的由多个像素组成的发光单元121的阴极组彼此独立的情况。单个像素组成的发光单元121的阴极121a与相邻的由多个像素组成的发光单元121的阴极组可接收相同或不同的驱动信号。在本实施例中，仅仅是以图1及图2所示的所述阴极单元1211的电连接方式为例进行示意，并不代表本技术限制了所述阴极单元1211的设置方式。
21.可以理解的，在本实施例中，相邻的所述发光单元121的所述阴极单元1211彼此独立，所述发光单元121的所述阳极单元1212和所述发光单元121的所述阴极单元1211分别电连接至所述子驱动电路111的不同的节点，使得所述子驱动电路111与所述发光单元121的电连接方式更灵活。
22.在一种可能的实施例中，所述阴极单元1211与子驱动电路111一一对应电连接，且多个所述子驱动电路111彼此独立的驱动对应的所述阴极单元1211。
23.可以理解的，在本实施例中，所述子驱动电路111可向与其对应电连接的所述阴极单元1211发送不同的驱动电信号，以驱动所述发光单元121工作，实现了所述驱动电路11的
对所述发光单元121的局部控制。
24.在一种可能的实施例中，请一并参阅图3，图3为本技术一实施例提供的阴极设置方式示意图。阴极单元1211包括多个相连的阴极121a，彼此相连的所述阴极121a形成单个阴极单元1211。
25.具体的，在本实施例中，可以是通过多个相连的所述阴极121a，形成彼此独立的、图案化的所述阴极单元1211，相连的所述阴极121a形成的所述阴极单元1211所接收的驱动电信号相同。所述阴极单元1211的图案可以为但不限于为三角形、矩形等多边形，可以理解的，本技术对所述阴极单元1211的图案不加以限制。
26.在一种可能的实施例中，请再次参阅图2，所述阴极单元1211通过贯通所述发光单元层12的导电通孔13与所述子驱动电路111电连接。
27.具体的，所述导电通孔13内填充有导电材料，例如金属等，使得所述阴极单元1211与所述子驱动电路111电连接，所述子驱动电路111通过所述导电通孔13向所述阴极单元1211发送驱动电信号，以驱动所述发光单元121工作。
28.在一种可能的实施例中，请一并参阅图4，图4为本技术一实施例提供的阴极单元电连接方式示意图。所述显示面板1内设有导电层14，所述阴极单元1211电连接至所述导电层14。具体的，所述阴极单元1211通过所述导电通孔13与所述导电层14电连接。可选地，导电层14可以为与驱动电路11中的栅极、源漏极、阳极、反射层、遮挡层等金属材料同层绝缘设置的金属层。
29.在一种可能的实施例中，请一并参阅图5，图5为本技术一实施例提供的驱动电路结构示意图。所述子驱动电路111包括第一驱动晶体管t1，所述导电层14为所述第一驱动晶体管t1的电极。
30.通常情况下，所述第一驱动晶体管t1的电极包括栅极g、源极s及漏极d，所述导电层14可以是与所述第一驱动晶体管t1的源极s、栅极g或漏极d中的任意一个同层绝缘设置。可选地，导电层14也可以是第一驱动晶体管t1的栅极g、源极s或漏极d。
31.优选的，所述导电层14为所述第一驱动晶体管t1的漏极d。相对于传统的驱动电路11，所述阴极单元1211电连接所述第一驱动晶体管t1的漏极d，所述发光单元121的电性浮动仅仅影响到所述第一驱动晶体管t1的源漏极vds电压，而不会影响到所述第一驱动晶体管t1的源栅极vgs电压。在所述第一驱动晶体管t1饱和的状态下，将不影响流过所述发光单元121的电流，从而避免了所述发光单元121工作异常。
32.接下来，将对本技术提供的其中一个驱动电路11实施例展开进行说明。在一种可能的实施例中，请一并参阅图6，图6为本技术一实施例提供的驱动电路示意图。所述发光单元121的所述阳极单元1212接收第一电压信号vdd，所述发光单元121的所述阴极单元1211通过所述第一驱动晶体管t1接收第二电压信号vss。所述发光单元121在所述第一电压信号vdd及所述第二电压信号vss的驱动下发光，其中，所述第一电压信号vdd大于所述第二电压信号vss。具体的，所述第一电压信号vdd及所述第二电压信号vss通常由所述驱动电路11以外的电源设备提供。
33.进一步的，所述子驱动电路111还包括第一开关晶体管t2及存储电容c1，所述第一开关晶体管t2的栅极g用于接收第一扫描信号gn，所述第一开关晶体管t2的第一受控极111a用于接收数据信号data，所述第一开关晶体管t2的第二受控极111b电连接所述第一驱
动晶体管t1的栅极g。所述第一驱动晶体管t1的第二受控极111b电连接至所述发光单元121的所述阴极单元1211，所述第一驱动晶体管t1的第一受控极111a用于接收所述第二电压信号vss。所述存储电容c1的一端电连接所述第一驱动晶体管t1的栅极g，且另一端电连接所述第一驱动晶体管t1的第一受控极111a。其中，所述第一受控极111a和所述第二受控极111b可以是所述第一驱动晶体管t1的源极s或栅极g。
34.具体的，所述第一扫描信号gn用于控制所述第一开关晶体管t2的通断，当所述第一扫描信号gn控制所述第一开关晶体管t2导通时，所述第一受控极111a与所述第二受控极111b导通。所述存储电容c1用于存储电压信号，以保存所述数据信号data的电压值。可以理解的，当所述第一受控极111a为源极s时，所述第二受控极111b为漏极d，反之亦然，也就是说，所述第一受控极111a和所述第二受控极111b可以互换。
35.可以理解的，在本实施例中，还可以防止了所述发光单元121的驱动电压的耦合，使得所述发光单元121不会产生电性浮动，进而解决了所述发光单元121工作异常的问题。
36.在一种可能的实施例中，请一并参阅图7，图7为本技术一实施例提供的驱动电路结构示意图。至少两个相邻的所述发光单元121的所述阳极单元1212所接收的所述第一电压信号vdd不同。具体的，在本实施例中，所述阳极单元1212接收到的所述第一电压信号vdd不同，以实现所述发光单元121的局部控制。
37.进一步的，部分相邻的所述发光单元121形成一个电压区域15，不同的所述电压区域15接收的所述第一电压信号vdd不同。可以理解的，所述电压区域15的图案形状可以是三角形、矩形等多边形，本技术对此不加以限制。
38.在一种可能的实施例中，请一并参阅图8，图8为本技术一实施例提供的驱动电路示意图。所述子驱动电路111包括第一驱动晶体管t1、第二驱动晶体管t3及第三驱动晶体管t4。所述发光单元121的所述阳极单元1212通过所述第一驱动晶体管t1接收第一电压信号vdd，所述发光单元121的所述阴极单元1211通过所述第二驱动晶体管t3及所述第三驱动晶体管t4接收第二电压信号vss。所述发光单元121在所述第一电压信号vdd及所述第二电压信号vss的驱动下发光，其中，所述第一电压信号vdd大于所述第二电压信号vss。
39.具体的，所述子驱动电路111还包括第一开关晶体管t2、第二开关晶体管t5、第三开关晶体管t6、第四开关晶体管t7及存储电容c1。所述第一开关晶体管t2的栅极g用于接收第一扫描信号gn，所述第一开关晶体管t2的第一受控极111a用于接收数据信号data，所述第一开关晶体管t2的第二受控极111b电连接所述第二驱动晶体管t3的第一受控极111a及所述第三驱动晶体管t4的第二受控极111b。所述第二开关晶体管t5的栅极g用于接收所述第一扫描信号gn，所述第二开关晶体管t5的第一受控极111a电连接所述发光单元121的所述阴极单元1211，且电连接所述第二驱动晶体管t3的第二受控极111b及所述第三开关晶体管t6的第二受控极111b，所述第二开关晶体管t5的第二受控极111b电连接所述第二驱动晶体管t3的栅极g，且电连接所述第四开关晶体管t7的第一受控极111a。所述第三开关晶体管t6的栅极g用于接收第二扫描信号gn-1，所述第三开关晶体管t6的第一受控极111a电连接所述第四开关晶体管t7的第二受控极111b，且电连接固定电位vint。所述第四开关晶体管t7的栅极g用于接收所述第二扫描信号gn-1。所述存储电容c1的一端用于接收所述第一电压信号vdd，且另一端电连接所述第二驱动晶体管t3的栅极g。所述第一驱动晶体管t1的栅极g电连接所述第三驱动晶体管t4的栅极g，且用于接收使能信号en，所述第一驱动晶体管
t1的第二受控极111b用于接收所述第一电压信号vdd。所述第三驱动晶体管t4的第一受控极111a用于接收第二电压信号vss。所述发光单元121的所述阳极单元1212电连接所述第一驱动晶体管t1的第一受控极111a，所述发光单元121的所述阴极单元1211电连接所述第二驱动晶体管t3的第二受控极111b。
40.具体的，在本实施例中，所述第一扫描信号gn用于控制所述第一开关晶体管t2及所述第二开关晶体管t5的通断。所述第二扫描信号gn-1用于控制所述第三开关晶体管t6及所述第四开关晶体管t7的通断。所述使能信号en用于控制所述第一驱动晶体管t1及所述第三驱动晶体管t4的通断。
41.在一种可能的实施例中，请一并参阅图9，图9为本技术一实施例提供的驱动电路结构示意图。所述驱动电路11包括源漏极层16、栅极层17、遮挡层181，所述导电层14与所述源漏极层16、所述栅极层17或所述遮挡层181中任意一层同层设置。可选地，遮挡层可与栅极层通过绝缘层18隔开。
42.具体的，如图9所示，以所述第一驱动晶体管t1为例进行示意，所述第一驱动晶体管t1的所述第一受控极111a及所述第二受控极111b设置于所述源漏极层16，所述第一驱动晶体管t1的栅极g设置于所述栅极层17。所述遮挡层181遮挡入射至所述第一驱动晶体管t1的沟道的光线，提高所述第一驱动晶体管t1的稳定性。
43.具体的，所述导电层14与同层设置的所述源漏极层16、所述栅极层17或所述遮挡层18相互之间绝缘设置，以防止所述导电层14中的电极与所述源漏极层16、所述栅极层17及所述遮挡层18中的电极发生短路。
44.在一种可能的实施例中，请再次参阅图9，所述导电层14包括信号电极层141，所述信号电极层141设置于所述源漏极层16与所述发光单元121的所述阴极单元1211之间，所述发光单元121的所述阳极单元1212和所述发光单元121的所述阴极单元1211分别与设置于所述信号电极层141中的金属电极电连接。
45.具体的，所述信号电极层141可用于传输所述发光单元121的所述阳极单元1212和所述阴极单元1211的电信号，以用于检测或控制所述发光单元121，进一步加强了所述驱动电路11对所述发光单元121的局部控制。
46.本技术还提供了一种电子设备2，请一并参阅图10，图10为本技术一实施例提供的电子设备俯视示意图。所述电子设备2包括本体21及如上文所述的显示面板1，所述本体21用于承载所述显示面板1。所述显示面板1请参阅上文描述，在此不再赘述。
47.本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。