抛光垫和使用抛光垫制备半导体器件的方法与流程

技术特征：
1.一种抛光垫，其包括抛光层，其中，当使用氢离子浓度(ph)为8至12的第一组合物进行抛光时，所述抛光层的抛光表面具有第一表面zeta电位(pz1)，所述第一表面zeta电位是对于所述第一组合物通过以下关系式1得出的所述抛光表面的表面zeta电位的值；当使用氢离子浓度(ph)为2至6的第二组合物进行抛光时，所述抛光层的抛光表面具有第二表面zeta电位(pz2)，所述第二表面zeta电位是对于所述第二组合物由以下关系式1得出的所述抛光表面的表面zeta电位的值；并且所述第一表面zeta电位(pz1)中的至少一个和所述第二表面zeta电位(pz2)中的至少一个满足以下关系式2：[关系式1]表面zeta电位＝(-)固定层的zeta电位 组合物的zeta电位[关系式2]2.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，当使用氢离子浓度(ph)为7.5至9.5的第三组合物进行抛光时，所述抛光层的抛光表面具有第三表面zeta电位(pz3)，所述第三表面zeta电位是对于所述第三组合物通过以上关系式1得出的所述抛光表面的表面zeta电位的值；并且所述第一表面zeta电位(pz1)中的至少一个和所述第三表面zeta电位(pz3)中的至少一个满足以下关系式3：[关系式3]3.根据权利要求2所述的抛光垫，其中，所述第一表面zeta电位(pz1)中的至少一个、所述第二表面zeta电位(pz2)中的至少一个和所述第三表面zeta电位(pz3)中的至少一个满足以下关系式4：[关系式4]4.根据权利要求2所述的抛光垫，其中，所述第一表面zeta电位(pz1)中的至少一个、所述第二表面zeta电位(pz2)中的至少一个和所述第三表面zeta电位(pz3)中的至少一个满足以下关系式5：[关系式5]5.根据权利要求2所述的抛光垫，其中，所述第一组合物的固定层的zeta电位iz1为 5mv至约 30mv，所述第二组合物的固定层的zeta电位iz2为-5mv至约 15mv，并且所述第三组合物的固定层的zeta电位iz3为-15mv至约 10mv。6.根据权利要求2所述的抛光垫，其中，所述第一组合物包括平均粒径为130nm至160nm
的二氧化硅颗粒，并且具有-50mv至-30mv的zeta电位，所述第二组合物包括平均粒径为30nm至50nm的二氧化硅颗粒，并且具有 10mv至 30mv的zeta电位，并且所述第三组合物包括平均粒径为130nm至170nm的二氧化铈颗粒，并且具有-55mv至-35mv的zeta电位。7.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，所述抛光层包含包括聚氨酯基预聚物、固化剂和发泡剂的固化产品，并且所述抛光层中无机物质的含量为5ppm至500ppm。8.根据权利要求7所述的抛光垫，其中，所述聚氨酯基预聚物具有5重量％至11重量％的异氰酸酯端基含量(nco％)，或所述发泡剂包括平均粒径为5μm至200μm的固相发泡剂、气相发泡剂或其组合，或者基于100重量份的所述聚氨酯基预聚物，所述固化剂的含量为18重量份至27重量份，或者所述抛光层具有多孔结构，所述多孔结构包括平均直径为10μm至40μm的孔。9.根据权利要求2所述的抛光垫，其中，当使用所述第一组合物的氧化物层的抛光层的抛光表面的抛光速率为or1时，当使用所述第二组合物的钨层的抛光层的抛光表面的抛光速率为wr2时，并且当使用所述第三组合物的氧化物层的抛光层的抛光表面的抛光速率为or3时，or1为至小于或wr2为至或or3为至10.一种用于制备半导体器件的工艺，包括：设置包括抛光层的抛光垫；和在所述抛光层的抛光表面与待抛光物体的表面彼此接触的同时使它们相对旋转以抛光所述待抛光物体，其中，所述待抛光物体包括氧化物层、钨层或其复合层，当使用氢离子浓度(ph)为8至12的第一组合物进行抛光时，所述抛光层的抛光表面具有第一表面zeta电位(pz1)，所述第一表面zeta电位是对于所述第一组合物通过以下关系式1得出的所述抛光表面的表面zeta电位的值；当使用氢离子浓度(ph)为2至6的第二组合物进行抛光时，所述抛光层的抛光表面具有第二表面zeta电位(pz2)，所述第二表面zeta电位是对于所述第二组合物由以下关系式1得出的所述抛光表面的表面zeta电位的值；并且所述第一表面zeta电位(pz1)中的至少一个和所述第二表面zeta电位(pz2)中的至少一个满足以下关系式2：[关系式1]表面zeta电位＝(-)固定层的zeta电位 组合物的zeta电位[关系式2]

技术总结
本发明公开了一种抛光垫和使用抛光垫制备半导体器件的方法。具体地，本发明提供了一种抛光垫、用于制备该抛光垫的工艺，以及使用该抛光垫制备半导体器件的工艺。在抛光垫中，根据抛光浆料的类型将抛光表面的表面zeta电位及其比率控制在特定范围内，由此可以改善半导体基板的表面上出现的划痕和表面缺陷的特性，并且进一步提高抛光速率。并且进一步提高抛光速率。并且进一步提高抛光速率。


技术研发人员：尹钟旭 许惠暎 安宰仁 金京焕
受保护的技术使用者：SKC索密思株式会社
技术研发日：2021.08.24
技术公布日：2022/2/24