用于生产超结器件的方法与流程

技术特征：
1.一种方法，包括：以一个在另一个上方的方式形成多个半导体装置，其中，形成所述多个半导体装置中的每一个包括：形成半导体层(100
i
、100
i 1
)；在所述半导体层(100
i
、100
i 1
)的第一表面(11
i
、11
i 1
)中形成多个沟槽(12
i
、12
i 1
)；以及将第一类型和第二类型中的至少一种的掺杂剂原子注入到所述多个沟槽(12
i
、12
i 1
)中的每一个的第一侧壁(14
i
、14
i 1
)和第二侧壁(15
i
、15
i 1
)中的至少一个中，并且其中：形成所述多个半导体装置中的至少一个还包括：形成保护层(16
i
、16
i 1
)，所述保护层(16
i
、16
i 1
)覆盖相应半导体层(100
i
、100
i 1
)的所述多个沟槽(12
i
、12
i 1
)之间的台面区域(13
i
)，并且覆盖形成在所述相应半导体层(100
i
、100
i 1
)中的所述多个沟槽(12
i
、12
i 1
)中的每一个的底部、所述第一侧壁(14
i
、14
i 1
)和所述第二侧壁(15
i
、15
i 1
)。2.根据权利要求1所述的方法，其中：所述保护层(16
i
、16
i 1
)具有的厚度(d
16
)在25nm和200nm之间，在50nm和200nm之间，或在100nm和200nm之间。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，形成所述保护层(16
i
、16
i 1
)包括在650℃和1000℃之间、或在800℃和950℃之间的温度下外延生长所述保护层(16
i
、16
i 1
)。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，形成所述半导体层(100
i
、100
i 1
)包括在1000℃或更高的温度下、或在1100℃或更高的温度下外延生长所述半导体层(100
i
、100
i 1
)。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述多个半导体装置包括至少一个半导体装置对，所述至少一个半导体装置对具有底部半导体装置和邻接所述底部半导体装置的顶部半导体装置，并且其中，形成所述顶部半导体装置的所述半导体层(100
i 1
)包括在所述底部半导体装置的所述半导体层(100
i
)的所述多个沟槽(12
i
)中和在所述多个沟槽(12
i
)之间的台面区域(13
i
)的顶部上形成所述半导体层(100
i 1
)。6.根据权利要求5所述的方法，其中：形成所述底部半导体装置包括形成保护层(16
i
)，并且形成所述顶部半导体装置的所述半导体层(100
i 1
)包括形成所述半导体层(100
i 1
)，使得所述保护层(16
i
)布置在所述底部半导体装置和所述顶部半导体装置的所述半导体层(100
i 1
)之间。7.根据权利要求5或6所述的方法，还包括：在形成所述底部半导体装置之后并且在形成所述顶部半导体装置之前执行预调节步骤，其中，所述预调节步骤包括去除形成在所述底部半导体装置上的污染物、原生氧化物或化学形成的氧化物。8.根据权利要求7所述的方法，其中，去除形成在所述底部半导体装置上的污染物、原生氧化物或化学形成的氧化物包括在等离子体室(800)中执行蚀刻或去除步骤。9.根据权利要求7或8所述的方法，其中，在15℃和600℃之间的温度下执行所述预调节
步骤。10.根据权利要求8或9所述的方法，其中，形成所述保护层(16
i
)包括在直接邻接所述等离子体室(800)的外延室(802)中形成所述保护层(16
i
)，使得在所述预调节步骤和形成所述保护层(16
i
)之间，预调节的底部半导体装置不与氧接触。11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述多个半导体装置包括至少四个半导体装置，并且其中，所述半导体装置中的至少一个、但并非全部的形成包括形成保护层(16
i
、16
i 1
)。12.根据权利要求11所述的方法，其中：所述多个沟槽(12
i
、12
i 1
)中的每一个布置在至少两个部分中的一个中，并且当形成没有保护层(16
i
、16
i 1
)的半导体装置时，所述至少两个部分中的每一个的所述第一类型掺杂剂原子和所述第二类型掺杂剂原子中的至少一个的注入剂量不同于所述至少两个部分中的至少另一个部分的对应类型的掺杂剂原子的注入剂量。13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，注入所述掺杂剂原子包括：将所述第一类型的掺杂剂原子注入到所述第一侧壁(14
i
、14
i 1
)中，并且将所述第二类型的掺杂剂原子注入到所述第二侧壁(15
i
、15
i 1
)中。14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中，注入所述掺杂剂原子包括：将所述第一类型和所述第二类型两者的掺杂剂原子注入到所述第一侧壁(14
i
、14
i 1
)和所述第二侧壁(15
i
、15
i 1
)中的至少一个中。15.根据前述权利要求中的一项所述的方法，还包括：对所述半导体主体(10)进行退火以使所述掺杂剂原子扩散。

技术总结
公开了一种生产半导体器件的方法，该方法包括：以一个在另一个上方的方式形成多个半导体装置，其中形成多个半导体装置中的每一个包括：形成半导体层(100


技术研发人员：D
受保护的技术使用者：英飞凌科技奥地利有限公司
技术研发日：2021.08.11
技术公布日：2022/2/23