半导体结构的制作方法

半导体结构
1.本发明主张2020年8月11日申请的美国正式申请案第16/990,654号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本发明中。
技术领域
2.本公开涉及一种半导体结构。尤其涉及一种具有一测试结构的半导体结构。


背景技术：

3.在存储器元件的制造过程中，需通过多次的制造步骤以形成所期望的元件。例如，形成一个dram的制造过程中，形成电容器与晶体管需经过许多的步骤。为确保元件结构通过多次的制造步骤而完整的形成在晶片上，通常会在晶片上形成一个测试结构，以在元件制造过程中进行元件功能的测试。
4.上文的“现有技术”说明仅提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本发明的任一部分。


技术实现要素：

5.本公开提供一种半导体结构，其具有一半导体基底、一存储器元件以及一测试结构。该存储器元件经设置在该半导体基底上，且具有一元件区域以及一边缘区域。该边缘区域包围该元件区域。该测试结构经设置在该半导体基底上，且包括一虚设区域、一测试边缘区域以及多个单元胞。该测试边缘区域包围该虚拟区域。该多个单元胞包括一第一组单元胞，配置在该虚设区域中，以及一第二组单元胞，配置在该测试边缘区域中。该第二组单元胞包括该多个单元胞中最外面的单元胞。该边缘区域在一俯视图中包围的一边缘区域形状与该测试边缘区域在该俯视图中所围的一测试边缘区域形状不同。
6.在一些实施例中，该测试边缘区域在该俯视图中的一测试边缘区域边线与该边缘区域在该俯视图中的一边缘区域边线平行。该测试边缘区域边线的一测试边缘区域边线尺寸大于该边缘区域边线的一边缘区域边线尺寸。
7.在一些实施例中，该测试边缘区域边线包括该第二组单元胞的一部分。
8.在一些实施例中，该测试边缘区域在该俯视图中的一测试边缘区域边线与该边缘区域在该俯视图中的一边缘区域边线平行。该测试边缘区域边线的一测试边缘区域边线尺寸小于该边缘区域边线的一边缘区域边线尺寸。
9.在一些实施例中，该测试边缘区域边线包括该第二组单元胞的一部分。
10.在一些实施例中，该测试结构在一俯视图中的一测试结构尺寸与该存储器元件在该俯视图中的一存储器元件尺寸不同。
11.在一些实施例中，该存储器元件在该俯视图中的该存储器元件尺寸大于该测试结构在该俯视图中的该测试结构尺寸
12.在一些实施例中，该存储器元件在该俯视图中的该存储器元件尺寸小于该测试结
构在该俯视图中的该测试结构尺寸
13.本公开另提供一种半导体结构，其具有一半导体基底，一存储器元件以及一测试结构。该存储器元件经设置在该半导体基底上，且具有一元件区域以及一边缘区域。该边缘区域包围该元件区域。该测试结构经设置在该半导体基底上，且包括一虚设区域、一测试边缘区域以及多个单元胞。该测试边缘区域包围该虚拟区域。该多个单元胞经设置在该测试边缘区域中，且该虚设区域中不设置该单元胞。该边缘区域在一俯视图中包围的一边缘区域尺寸与该测试边缘区域在一俯视图中包围的一测试边缘区域尺寸不同。
14.在一些实施例中，该测试边缘区域在该俯视图中的一测试边缘区域边线与该边缘区域在该俯视图中的一边缘区域边线平行。该测试边缘区域边线的一测试边缘区域边线尺寸大于该边缘区域边线的一边缘区域边线尺寸。
15.在一些实施例中，该测试边缘区域边线包括该多个单元胞的一部分。
16.在一些实施例中，该测试边缘区域在该俯视图中的一测试边缘区域边线与该边缘区域在该俯视图中的一边缘区域边线平行。该测试边缘区域边线的一测试边缘区域边线尺寸小于该边缘区域边线的一边缘区域边线尺寸。
17.在一些实施例中，该测试边缘区域边线包括该多个单元胞的一部分。
18.在一些实施例中，该边缘区域在一俯视图中的一边缘区域尺寸大于该测试边缘区域在该俯视图中的一测试边缘区域尺寸。
19.在一些实施例中，该边缘区域在该俯视图中的该边缘区域尺寸小于该测试边缘区域在该俯视图中的该测试边缘区域尺寸。
20.本公开另提供一种具有一半导体基底，一存储器元件以及一测试结构的半导体结构。该存储器元件经设置在该半导体基底上，且具有多个第一单元胞。该测试结构经设置在该半导体基底上，且具有多个第二单元胞。该第一单元胞在一俯视图中的一第一单元胞排列与该第二单元胞在该俯视图中的一第二单元胞排列不同。
21.在一些实施例中，其中该第一单元胞在该俯视图中的一第一单元胞排列边线与该第二单元胞在该俯视图中的一第二单元胞排列边线平行。该第一单元胞的一第一单元胞排列边线尺寸大于该第二单元胞的一第二单元胞排列边线尺寸。
22.在一些实施例中，其中该第一单元胞在该俯视图中的一第一单元胞排列边线与该第二单元胞在该俯视图中的一第二单元胞排列边线平行。该第一单元胞的该第一单元胞排列边线尺寸小于该第二单元胞的该第二单元胞排列边线尺寸。
23.在一些实施例中，该第一单元胞在该俯视图中的该第一单元胞排列边线尺寸大于该第二单元胞在该俯视图中的该第二单元胞排列边线尺寸。
24.在一些实施例中，该第一单元胞在该俯视图中的该第一单元胞排列边线尺寸小于该第二单元胞在该俯视图中的该第二单元胞排列边线尺寸。
25.上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，以使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离随附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
附图说明
26.参阅实施方式与权利要求合并考虑附图时，可得以更全面了解本发明的公开内容，附图中相同的元件符号指相同的元件。
27.图1例示本公开实施例的一种半导体结构的俯视示意图。
28.图2为沿着图1中的线a-a的该半导体结构的剖视示意图。
29.图3例示本公开实施例的一种半导体结构的俯视示意图。
30.图4例示本公开实施例的一种半导体结构的俯视示意图。
31.图5例示本公开实施例的一种半导体结构的俯视示意图。
32.图6例示本公开实施例的一种半导体结构的俯视示意图。
33.图7例示本公开实施例的一种半导体结构的俯视示意图。
34.图8例示本公开实施例的一种半导体结构的俯视示意图。
35.附图标记如下：
36.10:半导体结构
37.12:半导体基底
38.14:存储器元件
39.16:测试结构
40.30:半导体结构
41.32:半导体基底
42.34:存储器元件
43.36:测试结构
44.40:半导体结构
45.42:半导体基底
46.44:存储器元件
47.46:测试结构
48.50:半导体结构
49.52:半导体基底
50.54:存储器元件
51.56:测试结构
52.60:半导体结构
53.62:半导体基底
54.64:存储器元件
55.66:测试结构
56.70:半导体结构
57.72:半导体基底
58.74:存储器元件
59.76:测试结构
60.80:半导体结构
61.82:半导体基底
62.84:存储器元件
63.86:测试结构
64.121:划线区域
65.141:元件区域
66.142:单元胞
67.143:边缘区域
68.161:虚设区域
69.162:测试边缘区域
70.163:单元胞
71.341:元件区域
72.342:单元胞
73.343:边缘区域
74.361:虚设区域
75.362:测试边缘区域
76.363:单元胞
77.441:元件区域
78.442:单元胞
79.443:边缘区域
80.461:虚设区域
81.462:测试边缘区域
82.463:单元胞
83.541:元件区域
84.542:单元胞
85.543:边缘区域
86.561:虚设区域
87.562:测试边缘区域
88.563:单元胞
89.641:元件区域
90.642:单元胞
91.643:边缘区域
92.661:虚设区域
93.662:测试边缘区域
94.663:单元胞
95.741:元件区域
96.742:单元胞
97.743:边缘区域
98.761:虚设区域
99.762:测试边缘区域
100.763:单元胞
101.841:元件区域
102.842:单元胞
103.843:边缘区域
104.861:虚设区域
105.862:测试边缘区域
106.863:单元胞
107.142a:电容器
108.142b:金属层
109.142c:金属层
110.143a:边线
111.143b:边线
112.162a:边线
113.162b:边线
114.162c:电容器
115.163a:第一组
116.163b:第二组
117.342a:电容器
118.343a:边线
119.343b:边线
120.362a:边线
121.362b:边线
122.362c:电容器
123.363a:第一组
124.363b:第二组
125.442a:电容器
126.443a:边线
127.443b:边线
128.462a:边线
129.462b:边线
130.462c:电容器
131.463a:第一组
132.463b:第二组
133.542a:电容器
134.543a:边线
135.543b:边线
136.562a:边线
137.562b:边线
138.562c:电容器
139.563a:第一组
140.563b:第二组
141.642a:电容器
142.643a:边线
143.643b:边线
144.662a:边线
145.662b:边线
146.662c:电容器
147.663a:第一组
148.663b:第二组
149.742a:电容器
150.743a:边线
151.743b:边线
152.762a:边线
153.762b:边线
154.762c:电容器
155.763a:第一组
156.763b:第二组
157.842a:电容器
158.843a:边线
159.843b:边线
160.862a:边线
161.862b:边线
162.862c:电容器
163.863a:第一组
164.863b:第二组
165.a-a:线
166.x:方向
167.y:方向
具体实施方式
168.本公开的以下说明伴随并入且组成说明书的一部分的附图，说明本公开的实施例，然而本公开并不受限于该实施例。此外，以下的实施例可适当整合以下实施例以完成另一实施例。
[0169]“一实施例”、“实施例”、“例示实施例”、“其他实施例”、“另一实施例”等指本公开所描述的实施例可包含特定特征、结构或是特性，然而并非每一实施例必须包含该特定特征、结构或是特性。再者，重复使用“在实施例中”一语并非必须指相同实施例，然而可为相同实施例。
[0170]
为了使得本公开可被完全理解，以下说明提供详细的步骤与结构。显然，本公开的实施不会限制本领域技术人员已知的特定细节。此外，已知的结构与步骤不再详述，以免不必要地限制本公开。本公开的较佳实施例详述如下。然而，除了详细说明之外，本公开亦可
广泛实施于其他实施例中。本公开的范围不限于详细说明的内容，而是由权利要求定义。
[0171]
应当理解，以下公开内容提供用于实作本发明的不同特征的诸多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列形式的具体实施例或实例以简化本公开内容。当然，多个仅为实例且不旨在进行限制。举例而言，元件的尺寸并非仅限于所公开范围或值，而是可相依于工艺条件及/或装置的所期望性质。此外，以下说明中将第一特征形成于第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例，且亦可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。为简洁及清晰起见，可按不同比例任意绘制各种特征。在附图中，为简化起见，可省略一些层/特征。
[0172]
此外，为易于说明，本发明中可能使用例如“之下(beneath)”、”下面(below)”、“下部的(lower)”、“上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对关系用语来阐述图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对关系用语旨在除图中所示出的取向外亦囊括元件在使用或操作中的不同取向。所述装置可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)且本发明中所用的空间相对关系描述语可同样相应地进行解释。
[0173]
应当理解，为了清楚与简单起见，图3到图8中的相似特征用相同的符号表示。此外，在图3到图8中类似的元件也可包括类似的材料，因此为了简洁起见，省略了对这些细节的描述。
[0174]
图1例示本公开实施例的一种半导体结构10的俯视示意图，图2为沿着图1中的线a-a的该半导体结构的剖视示意图。参考图1及图2，在一些实施例中，一半导体结构10包括一半导体基底12、一存储器元件14以及一测试结构16。
[0175]
在一些实施例中，半导体基底12可由下列半导体材料制成，例如但不限于：一体硅(bulk silicon)、一半导体晶片、一绝缘体上硅(soi)基底或一硅锗基底。半导体基底12亦可通过包括iii族、iv族以及v族元素的其他半导体材料形成。
[0176]
在一些实施例中，该存储器元件14经设置在该半导体基底12上。在一些实施例中，存储器元件14是一动态随机存取存储器(dram)。该存储器元件14包括多个单元胞142。在一些实施例中，每一个单元胞142包括一晶体管及一电容器142。该多个单元胞142分别具有一位元线及一字元线。为清楚起见，未在图中示出该晶体管、该位元线以及该字线。在一些实施例中，电容器142a经设置在两个金属层142b、142c之间(如在图2中所示)。
[0177]
在一些实施例中，单元胞142设置以一阵列排列设置。任何两个存储器元件142之间的间隙可相同。间隙的大小没有限制。该存储器元件14可包括一元件区域141及一边缘区域143。边缘区域143包围一元件区域141。元件区域141及边缘区域143由存储器元件142的功能所定义。换句话说，元件区域141中的存储器元件142作为存储器元件14的记忆胞，且边缘区域143中的存储器元件142作为存储器元件14的虚设胞。在一些实施例中，边缘区域143包括存储器元件14的最外面的单元胞142。
[0178]
测试结构16设置在半导体基底12上。在一些实施例中，测试结构16设置在半导体基底12的划线区域121中。测试结构16包括一虚设区域161、一测试边缘区域162以及多个存储器元件163。测试边缘区域162包围虚设区域161。在一些实施例中，每一个存储器元件163包括一晶体管与一电容器162c。为清楚起见，未在图中示出该晶体管。在一些实施例中，虚设区域161中的存储器元件163以一阵列排列设置。在一些实施例中，存储器元件14的存储
器元件142在俯视图中的排列与存储器元件163在俯视图中的排列不同。
[0179]
在一些实施例中，单元胞163具有一第一组单元胞163a及一第二组单元胞163b。存储器元件163的第一组单元胞163a设置在虚设区域161中。单元胞163的第二组单元胞163b设置在测试边缘区域162中。第一组单元胞163a与第二组单元胞163b可具有相同的结构或不同的结构。虚设区域161中的单元胞163的第一组单元胞163a可作为模拟存储器元件14的元件区域141中的单元胞142。单元胞163的第二组单元胞163b可作为模拟存储器元件14的边缘区域143的单元胞142。在一些实施例中，第二组单元胞163b中的单元胞163包括测试结构16的最外面的单元胞163。
[0180]
在一些实施例中，边缘区域143在一俯视图中包围的形状与测试边缘区域162在俯视图中包围的形状不同。边缘区域143在该俯视图中包围的形状与元件区域141在该俯视图中的形状相同。测试边缘区域162在俯视图中包围的形状与虚设区域161在该俯视图中的形状相同。在一些实施例中，边缘区域143在该俯视图中包围的形状或元件区域141的形状是由单元胞142共同形成的形状。在一些实施例中，测试边缘区域162在该俯视图中包围的形状或虚拟区域161的形状是由单元胞163共同形成的形状。在一些实施例中，测试结构16在该俯视图中的尺寸与在存储器元件14在俯视图中的尺寸不同。在一些实施例中，存储器元件14在俯视图中的尺寸大于测试结构16在俯视图中的尺寸。应当理解，存储器元件14或测试结构16的尺寸是存储器元件14或测试结构16所占据的尺寸。
[0181]
在一些实施例中，被边缘区域143包围的形状可一正方形、一矩形或其他适合的形状。被测试边缘区域142包围的形状可一正方形、一矩形或其他适合的形状。本公开中，由边缘区域143包围的形状与测试边缘区域162包围的形状是不同的矩形，多个仅为实例且不旨在进行限制。
[0182]
测试边缘区域162的边线162a、162b分别平行于边缘区域143的边线143a、143b。边缘区域143的边线143a、143b由单元胞142的一部分组成。测试边缘区域162的边线162a、162b由单元胞163的第二组单元胞163a的一部分组成。在一些实施例中，测试边缘区域162的边线162a的尺寸(在y方向上延伸)大于边缘区域143的边线143a的尺寸(在y方向上延伸)。在一些实施例中，测试边缘区域162的边线162b的尺寸(在x方向上延伸)小于边缘区域143的边线143b的尺寸(在x方向上延伸)。换句话说，边线162a的长度大于边线143a的长度，且边线162b的长度小于边线143b的长度。
[0183]
通常，边缘区域143中的电容器142a不能作为元件区域141中的电容器。换句话说，存储器元件14的边缘区域143中的电容器142a是不起作用的，因此被作为虚设电容器。在本公开的一些实施例中，可通过测试结构16以测试存储器元件14的边缘区域143中的电容器142a的能力。
[0184]
总而言之，可将测试结构16的测试边缘区域162设计成存储器元件14的边缘区域143的一测试样本。举例来说，测试边缘区域162的边线162a、162b的尺寸可大于或小于边缘区域143的边线143a、143b的尺寸。当测试边缘区域162的边线162a的尺寸大于边缘区域143的边线143a的尺寸时，测试边缘区域162的测试结果(例如，电容器162c的品质)可优于/或劣于存储器元件14的边缘区域143的测试结果。因此，可基于测试边缘区域162而重新设计存储器元件14的边缘区域143的结构。当测试边缘区域162的边线162b的尺寸大于边缘区域143的边线143b的尺寸时，亦可获得相同的结果。
[0185]
此外，基于测试边缘区域162的测试结果，可将存储器元件14的边缘区域143中的电容器142a重新设计作为其他目的(例如，作为去耦合电容器)。换句话说，当测试边缘区域162中的电容器162c的容量大于一预定参数时，存储器元件14的边缘区域143中的电容器142a可具有不同功能的能力。
[0186]
图3例示本公开实施例的一种半导体结构30的俯视示意图。参考图3，在一些实施例中，半导体结构30包括一半导体基底32、一存储器元件34以及一测试结构36。在一些实施例中，该存储器元件34包括多个单元胞342。每一个存储器元件342包括一晶体管与一电容器342a。在一些实施例中，该存储器元件34可包括一元件区域341及一边缘区域343。存储器元件34类似于图1及图2中的存储器元件14，为简洁起见，省略其重复的细节。
[0187]
测试结构36包括一虚设区域361、一测试边缘区域362以及多个存储器元件363。在一些实施例中，单元胞363具有一第一组363a及一第二组363b。测试结构36与图1中的测试结构16之间的差异在于：测试边缘区域362的两边线362a、362b的尺寸大于边缘区域343的两条边线343a、343b的尺寸。换句话说，两边线362a、362b的长度皆大于两边线343a、343b的长度。在一些实施例中，测试结构36在一俯视图中的尺寸大于存储器元件14在一俯视图中的尺寸。
[0188]
简而言之，测试边缘区域362的边线362a、362b的尺寸均大于边缘区域343的边线343a、343b的尺寸。测试边缘区域362的测试结果(例如，电容器362c的品质)可优于/或劣于存储器元件34的边缘区域343的测试结果。例如，与边线362b的电容器362c(在x方向上延伸)相比，边线362a的电容器362c(在y方向上延伸)，可具有不同的测试结果。因此，可基于测试边缘区域362而重新设计存储器元件34的边缘区域343的结构。此外，基于测试边缘区域362的测试结果，可将存储器元件34的边缘区域343中的电容器342a重新设计作为其他目的(例如，作为去耦合电容器)。换句话说，当测试边缘区域362中的电容器362c的容量大于一预定参数时，存储器元件34的边缘区域343中的电容器342a可具有不同功能的能力。
[0189]
图4例示本公开实施例的一种半导体结构40的俯视示意图。参考图4，在一些实施例中，半导体结构40包括一半导体基底42、一存储器元件44以及一测试结构46。在一些实施例中，该存储器元件44包括多个单元胞442。每一个存储器元件442包括一晶体管与一电容器442a。在一些实施例中，该存储器元件44可包括一元件区域441及一边缘区域443。存储器元件44类似于图1及图2中的存储器元件14，为简洁起见，省略其重复的细节。
[0190]
测试结构46包括一虚设区域461、一测试边缘区域462以及多个存储器元件463。在一些实施例中，单元胞463具有一第一组单元胞463a及一第二组单元胞463b。测试结构46与图1中的测试结构16之间的差异在于：测试边缘区域462的边线462a的尺寸(沿y方向延伸)小于边缘区域443的边线443a的尺寸(沿y方向延伸)，且测试边缘区域462的边线462b(沿x方向延伸)大于边缘区域443的边线443b(沿x方向延伸)的尺寸。换句话说，边线462a的长度小于边线443a的长度，且边线462b的长度小于边线443b的长度。
[0191]
简而言之，测试边缘区域462的边线462a的长度(在y方向上延伸)小于边缘区域443的边线443a的长度(在y方向上延伸)，以及测试边缘区域462的边线462b(在x方向上延伸)大于边缘区域443的边线443b的长度(在x方向上延伸)。测试边缘区域462的测试结果(例如，电容器462c的品质)可优于/或劣于存储器元件44的边缘区域443的测试结果。例如，与边线462b的电容器462c(在x方向上延伸)相比，边线462a的电容器462c(在y方向上延
伸)，可具有不同的测试结果。因此，可基于测试边缘区域462而重新设计存储器元件44的边缘区域443的结构。此外，基于测试边缘区域462的测试结果，可将存储器元件44的边缘区域443中的电容器442a重新设计作为其他目的(例如，作为去耦合电容器)。换句话说，当测试边缘区域462中的电容器462c的容量大于一预定参数时，存储器元件44的边缘区域443中的电容器442a可具有不同功能的能力。
[0192]
图5例示本公开实施例的一种半导体结构50的俯视示意图。参考图5，在一些实施例中，半导体结构50包括一半导体基底52、一存储器元件54以及一测试结构56。在一些实施例中，该存储器元件54包括多个单元胞542。每一个存储器元件542包括一晶体管与一电容器542a。在一些实施例中，该存储器元件54可包括一元件区域541及一边缘区域543。存储器元件54类似于图1及图2中的存储器元件14，为简洁起见，省略其重复的细节。
[0193]
测试结构56包括一虚设区域561、一测试边缘区域562以及多个存储器元件563。测试结构56与图1中的测试结构16之间的差异在于：多个存储器元件563设置在测试边缘区域562中，且一虚设区域561中不设置存储器元件563。换句话说，存储器元件563不设置在虚设区域561中。在一些实施例中，测试边缘区域562的边线562a的尺寸(在y方向上延伸)大于边缘区域543的边线543a的尺寸(在y方向上延伸)，以及测试边缘区域562的边线562b的宽度(在x方向上延伸)的尺寸小于边缘区域543的边线543b的尺寸(在x方向上延伸))。换句话说，边线562a的长度大于边线543a的长度，且边线562b的长度小于边线543b的长度。
[0194]
简而言之，测试边缘区域562的边线562a的长度(在y方向上延伸)大于边缘区域543的边线543a的长度(在y方向上延伸)，以及测试边缘区域562的边线562b(在x方向上延伸)小于边缘区域543的边线543b的长度(在x方向上延伸)。测试边缘区域562的测试结果(例如，电容器562c的品质)可优于/或劣于存储器元件54的边缘区域543的测试结果。例如，与边线562b的电容器562c(在x方向上延伸)相比，边线562a的电容器562c(在y方向上延伸)，可具有不同的测试结果。因此，可基于测试边缘区域562而重新设计存储器元件54的边缘区域543的结构。此外，基于测试边缘区域562的测试结果，可将存储器元件54的边缘区域543中的电容器542a重新设计作为其他目的(例如，作为去耦合电容器)。换句话说，当测试边缘区域562中的电容器562c的容量大于一预定参数时，存储器元件54的边缘区域543中的电容器542a可具有不同功能的能力。
[0195]
此外，虚设区域561可不设置存储器元件563，且测试边缘区域562的测试结果可不受虚设区域561的结构的影响。
[0196]
图6例示本公开实施例的一种半导体结构60的俯视示意图。参考图6，在一些实施例中，半导体结构5包括一半导体基底52、一存储器元件54以及一测试结构56。在一些实施例中，该存储器元件64包括多个单元胞642。每一个存储器元件642包括一晶体管与一电容器642a。在一些实施例中，该存储器元件64可包括一元件区域641及一边缘区域643。存储器元件64类似于图1及图2中的存储器元件14，为简洁起见，省略其重复的细节。
[0197]
测试结构66包括一虚设区域661、一测试边缘区域662以及多个存储器元件663。测试结构66与图5中的测试结构56之间的差异在于：测试边缘区域662的边线662a(在y方向上延伸)、边线662b(在x方向上延伸)的尺寸都大于边缘区域643的边线643a(在y方向上延伸)、边线643b(在x方向上延伸)的尺寸。换句话说，两边线662a、662b的长度皆大于两边线643a、643b的长度。
[0198]
简而言之，测试边缘区域662的边线662a(在y方向上延伸)、边线662b(在x方向上延伸)的长度皆大于测试边缘区域662的边线643a(在y方向上延伸)、边线643b(在x方向延伸上)的长度。测试边缘区域662的测试结果(例如，电容器662c的品质)可优于/或劣于存储器元件64的边缘区域643的测试结果。例如，与边线662b的电容器662c(在x方向上延伸)相比，边线662a的电容器662c(在y方向上延伸)，可具有不同的测试结果。因此，可基于测试边缘区域662而重新设计存储器元件64的边缘区域643的结构。此外，基于测试边缘区域662的测试结果，可将存储器元件64的边缘区域643中的电容器642a重新设计作为其他目的(例如，作为去耦合电容器)。换句话说，当测试边缘区域662中的电容器662c的容量大于一预定参数时，存储器元件64的边缘区域643中的电容器642a可具有不同功能的能力。
[0199]
此外，虚设区域661可不设置存储器元件663，且测试边缘区域662的测试结果可不受虚设区域661的结构的影响。
[0200]
图7例示本公开实施例的一种半导体结构70的俯视示意图。参考图7，在一些实施例中，半导体结构70包括一半导体基底72、一存储器元件74以及一测试结构76。在一些实施例中，该存储器元件74包括多个单元胞742。每一个存储器元件742包括一晶体管与一电容器742a。在一些实施例中，存储器元件74可包括一元件区域741及一边缘区域743。存储器元件74类似于图1及图2中的存储器元件14，为简洁起见，省略其重复的细节。
[0201]
测试结构76包括一虚设区域761、一测试边缘区域762以及多个存储器元件763。测试结构76与图5中的测试结构56之间的差异在于：测试边缘区域762的边线762a的尺寸(在y方向上延伸)小于边缘区域743的边线743a的尺寸(在y方向上延伸)，且测试边缘区域762的边线762b(在x方向上延伸)大于边缘区域743的边线743b的尺寸(在x方向上延伸)。换句话说，边线762a的长度小于边线743a的长度，且边线762b的长度大于边线743b的长度。
[0202]
简而言之，测试边缘区域762的边线762a的长度(在y方向上延伸)小于边缘区域743的边线743a的长度(在y方向上延伸)，且测试边缘区域762的边线762b(在x方向上延伸)大于边缘区域743的边线743b的长度(在x方向上延伸)。测试边缘区域762的测试结果(例如，电容器762c的品质)可优于/或劣于存储器元件74的边缘区域743的测试结果。例如，与边线762b的电容器762c(在x方向上延伸)相比，边线762a的电容器762c(在y方向上延伸)，可具有不同的测试结果。因此，可基于测试边缘区域762而重新设计存储器元件74的边缘区域743的结构。此外，基于测试边缘区域762的测试结果，可将存储器元件74的边缘区域743中的电容器742a重新设计作为其他目的(例如，作为去耦合电容器)。换句话说，当测试边缘区域762中的电容器762c的容量大于一预定参数时，存储器元件74的边缘区域743中的电容器742a可具有不同功能的能力。
[0203]
此外，虚设区域761可不设置存储器元件763，且测试边缘区域762的测试结果可不受虚设区域761的结构的影响。
[0204]
图8例示本公开实施例的一种半导体结构80的俯视示意图。参考图8，在一些实施例中，半导体结构80包括一半导体基底82、一存储器元件84以及一测试结构86。在一些实施例中，该存储器元件84包括多个单元胞842。每一个存储器元件842包括一晶体管与一电容器842a。在一些实施例中，该存储器元件84可包括一元件区域841及一边缘区域843。存储器元件84类似于图1及图2中的存储器元件14，为简洁起见，省略其重复的细节。
[0205]
测试结构86包括一虚设区域861、一测试边缘区域862以及多个存储器元件863。测
试结构86与图5中的测试结构56之间的差异在于，测试边缘区域862的边线862a(沿y方向延伸)、边线862b(沿x方向延伸)的尺寸均大于边缘区域843的边线843a(沿y方向延伸)、边线843b(沿x方向延伸)的尺寸。换句话说，两边线862a、862b的长度皆大于两边线843a、843b的长度。此外，测试结构86中的存储器元件863设置以一阵列排列。
[0206]
简而言之，测试边缘区域862的测试结果(例如，电容器862c的品质)可优于/或劣于存储器元件84的边缘区域843的测试结果。例如，与边线862b的电容器862c(在x方向上延伸)相比，边线862a的电容器862c(在y方向上延伸)，可具有不同的测试结果。因此，可基于测试边缘区域862而重新设计存储器元件84的边缘区域843的结构。此外，基于测试边缘区域862的测试结果，可将存储器元件84的边缘区域843中的电容器842a重新设计作为其他目的(例如，作为去耦合电容器)。换句话说，当测试边缘区域862中的电容器862c的容量大于一预定参数时，存储器元件84的边缘区域843中的电容器842a可具有不同功能的能力。
[0207]
此外，虚设区域861可不设置存储器元件863，且测试边缘区域862的测试结果可不受虚设区域861的结构的影响。此外，测试结构86的存储器元件863设置成一阵列排列，亦可考虑存储器元件863与虚设区域861的距离的因子。
[0208]
虽然已详述本公开及其优点，然而应理解可进行各种变化、取代与替代而不脱离权利要求所定义的本公开的精神与范围。例如，可用不同的方法实施上述的许多工艺，并且以其他工艺或其组合替代上述的许多工艺。
[0209]
再者，本发明的范围并不受限于说明书中所述的工艺、机械、制造、物质组成物、手段、方法与步骤的特定实施例。本领域技术人员可自本公开的公开内容理解可根据本公开而使用与本发明所述的对应实施例具有相同功能或是达到实质上相同结果的现存或是未来发展的工艺、机械、制造、物质组成物、手段、方法、或步骤。据此，此等工艺、机械、制造、物质组成物、手段、方法、或步骤包含于本发明的权利要求内。