显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年8月10日提交的韩国专利申请第10-2020-0099940号的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的以引用方式并入本文，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
3.本发明的示例性实施方式总体上涉及显示装置，并且更具体地，涉及柔性显示装置。


背景技术：

4.通常，显示装置包括显示器件以及用于控制施加到显示器件的电信号的电子器件。电子器件包括薄膜晶体管(tft)、存储电容器以及多条信号线。
5.最近，显示装置已经用于各种目的。此外，随着显示装置已经变得更薄和更轻，其使用范围已经扩大。随着显示装置的使用范围已经多样化，已经研究了各种方法来设计显示装置的形状。
6.该背景技术部分中公开的上述信息仅用于理解本发明构思的背景，并且因此，其可包含不构成现有技术的信息。
7.申请人发现，在相关技术的包括用于提高柔性的嵌入材料的某些柔性显示装置中，光的外部可见性降低。


技术实现要素：

8.根据本发明的原理和示例性实施方式构造的显示装置具有提高的柔性和提高的外部可见性。例如，显示装置可以包括包含限定多个区并且跨显示区延伸的凹进的无机层、设置在凹进中以增强柔性的有机材料以及与多个区重叠的像素电极。像素电极以提高外部可见性而不会不利地影响由凹进中的有机材料提供的柔性的独特配置而布置在无机层的多个区上。
9.本发明构思的附加特征将在以下描述中阐述，并且部分地将从描述中是显而易见的，或者可以通过本发明构思的实践而获知。
10.根据本发明的一个方面，一种显示装置包括：基板；至少一个无机层，设置在基板上并且包括第一区、第二区以及设置在第一区和第二区之间的狭长凹进，第一区和第二区在第一方向上彼此相邻；有机材料，设置在狭长凹进中；多个第一像素电极，设置在无机层的第一区上；多个第二像素电极，设置在无机层的第二区上。多个第一像素电极的数量和多个第二像素电极的数量彼此不同。
11.狭长凹进可以包括具有网格形状的一个或多个槽。
12.一个或多个槽可以包括具有四个分支的分支点。
13.无机层可以包括无机绝缘层并且有机材料可以包括有机材料层，并且无机绝缘层
的第一区和第二区可以被狭长凹进包围且彼此隔离。
14.显示装置可以进一步包括位于基板和无机层之间的阻挡层，并且狭长凹进可以暴露阻挡层的至少一部分。
15.多个第一像素电极的数量可以是三个，并且多个第二像素电极的数量可以是四个或五个。
16.多个第一像素电极中的至少一个可以在朝向狭长凹进的方向上具有向下的倾斜。
17.多个第二像素电极中的至少一个可以在朝向狭长凹进的方向上具有向下的倾斜。
18.多个第一像素电极中的至少一个可以包括邻近狭长凹进的第一部分、与第一部分相对设置的第二部分以及从第二部分朝向第一部分的向下的倾斜。
19.显示装置可以进一步包括多个第三像素电极和多个第四像素电极。无机层可以进一步包括由狭长凹进划分的第三区和第四区，第三区和第四区布置为在第一方向上与第二区相邻。多个第三像素电极可以布置在无机层的第三区之上，多个第四像素电极可以布置在无机层的第四区之上，并且多个第三像素电极的数量和多个第四像素电极的数量可以彼此不同。
20.多个第三像素电极的数量可以是三个，并且多个第二像素电极的数量可以是四个或五个。
21.多个第三像素电极的数量可以是四个或五个，并且多个第四像素电极的数量可以是三个。
22.在第一方向上顺序地布置的第一区至第四区可以在与第一方向相交的第二方向上在至少一行或多行中被重复，并且第一区至第四区可以包括4
×
4矩阵的重复单元图案。
23.多个第一像素电极、多个第二像素电极、多个第三像素电极和多个第四像素电极可以被包括在重复单元图案的多个像素中，并且包括在第一方向上具有向下的倾斜的像素电极的第一颜色的像素的数量与包括在与第一方向相反的方向上具有向下的倾斜的像素电极的第一颜色的像素的数量的比可以是约1:1。
24.显示装置可以进一步包括多个第三像素电极、多个第四像素电极、多个第五像素电极以及多个第六像素电极。无机层可以进一步包括由狭长凹进划分的第三区至第六区，第三区至第六区布置为在第一方向上与第二区相邻。多个第三像素电极可以布置在无机层的第三区之上，多个第四像素电极可以布置在无机层的第四区之上，多个第五像素电极可以布置在无机层的第五区之上，多个第六像素电极可以布置在无机层的第六区之上，并且多个第三像素电极的数量可以等于多个第四像素电极的数量。
25.多个第五像素电极的数量和多个第六像素电极的数量可以彼此不同。
26.多个第三像素电极的数量、多个第四像素电极的数量以及多个第六像素电极的数量可以各自是三个，并且多个第五像素电极的数量可以是四个或五个。
27.多个第一像素电极和多个第二像素电极可以以蜂窝型图案布置。
28.显示装置可以进一步包括施加信号或电压的线，该线布置在第一方向上或者布置与第一方向相交的第二方向上。该线的至少一部分可以布置为横跨有机材料。
29.根据本发明的另一方面，显示装置包括：电路层，设置在基板上并且包括多个第一像素电路、多个第二像素电路以及至少一个无机层，该至少一个无机层包括设置在多个第一像素电路和多个第二像素电路之间的凹进；有机材料，设置在凹进中；多个第一显示元
件，布置在电路层之上并且电连接到多个第一像素电路；以及多个第二显示元件，与多个第一显示元件相邻并且布置在电路层之上，多个第二显示元件电连接到多个第二像素电路。多个第一显示元件的数量和多个第二显示元件的数量可以彼此不同。
30.根据本发明的又一方面，显示装置包括：基板，包括显示区；无机层，设置在基板上并且包括多个区以及将多个区划分成网格形状的凹进；有机材料，设置在凹进中；以及多个像素电极，发射基本上相同颜色的光，多个像素电极布置在无机层之上并且与多个区重叠。多个像素电极包括在第一方向上具有向下的倾斜的多个第一像素电极以及在与第一方向相反的方向上具有向下的倾斜的多个第二像素电极。
31.多个第一像素电极的数量与多个第二像素电极的数量的比可以是约1:1。
32.在第一方向上邻近凹进的多个第一像素电极以及在与第一方向相反的方向上邻近凹进的多个第二像素电极朝向凹进而具有向下的倾斜。
33.应当理解，前面的总体描述和下面的详细描述两者是示例性的和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
34.被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分的附图示出了本发明的示例性实施例，并且与描述一起用于解释本发明构思。
35.图1是根据本发明的原理构造的显示装置的示例性实施例的平面图。
36.图2是沿着图1的线a-a'截取的截面图。
37.图3a和图3b是图1的像素中的代表性像素的示例性实施例的等效电路图。
38.图4是根据本发明的原理构造的显示区的示例性实施例的一部分的平面图。
39.图5是图4的显示区的一部分的放大平面图。
40.图6是沿着图5的线b-b'截取的示出显示区的示例性实施例的截面图。
41.图7是沿着图5的线b-b'截取的示出显示区的另一示例性实施例的截面图。
42.图8是沿着图5的线b-b'截取的示出显示区的又一示例性实施例的截面图。
43.图9和图10是根据本发明的原理构造的显示区的其它示例性实施例的一部分的平面图。
44.图11是示出测量显示区的反射色差的测试方法的示意图。
45.图12a至图12e是图4的像素单元的示出在图11的测试过程中得出的针对每个旋转角度的像素单元的反射色差的平面图。
46.图13是示意性地示出在图11的测试过程中得出的针对每个旋转角度的像素单元的反射色差的表。
47.图14a和图14b是显示装置的其它示例性实施例的图。
48.图15是显示装置的另一示例性实施例的平面图。
具体实施方式
49.在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多特定细节以便提供对本发明的各种示例性实施例或实施方式的透彻理解。如在本文中使用的，“实施例”和“实施方式”是可互换的词语，它们是采用在本文中公开的本发明构思中的一个或多个发明构思的设备或方法
的非限制性示例。然而，显而易见的是，可以在没有这些特定细节或者具有一个或多个等效布置的情况下实施各种示例性实施例。在其它情况下，众所周知的结构和设备以框图形式示出以避免不必要地混淆各种示例性实施例。进一步，各种示例性实施例可以不同，但不一定是排他性的。例如，在不脱离本发明构思的情况下，示例性实施例的特定形状、配置和特征可以在另一示例性实施例中使用或实施。
50.除非另外指明，否则所示的示例性实施例应被理解为提供了其中可以在实践中实施本发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另外指明，否则在不脱离本发明构思的情况下，各种实施例的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地或者总体被称为“元件”)可以以其它方式组合、分离、互换和/或重新排列。
51.在附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供以阐明相邻元件之间的边界。因此，交叉影线或阴影的存在或者不存在均不表达或表明对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求，除非另外指明。进一步，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，元件的大小以及相对大小可被放大。当示例性实施例可以被不同地实施时，可以以与所描述的顺序不同的顺序执行特定的工艺。例如，两个连续地描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。同样，相同的附图标记表示相同的元件。
52.当元件或层被称为“在”另一个元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一个元件或层时，该元件或层可以直接在另一个元件或层上、直接连接到或联接到另一个元件或层，或者可以存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一个元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一个元件或层时，则不存在居间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。进一步，d1轴、d2轴和d3轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)，并且可以在更广泛的意义上进行解释。例如，d1轴、d2轴和d3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“x、y和z中的至少一个”以及“从由x、y和z组成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅x、仅y、仅z或者x、y和z中的两个或更多个的任意组合，例如，xyz、xyy、yz和zz。如在本文中使用的，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多个的任何和所有组合。
53.虽然在本文中术语“第一”、“第二”等可以用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被叫做第二元件。
54.在本文中，诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”、“之上”、“较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间上相对的术语可以用于描述性目的，并且从而用于描述如附图中所示一个元件与另一个(一些)元件的关系。除了附图中描绘的定向之外，空间上相对的术语旨在包含使用、操作和/或制造中装置的不同定向。例如，如果附图中的装置被翻转，那么被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向为在其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包括上方和下方两种定向。进一步，装置可以以其它方式定向(例如，旋转90度或者以其它定向)，并且因此，在本文中使用的空间上相对的描述符将被相应地解释。
55.在本文中使用的术语是出于描述特定实施例的目的，并且不旨在是限制性的。如在本文中使用的，单数形式“一”和“该(所述)”也旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚
地指出。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包含”、“含有”和/或“具有”指明所述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在，但是不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组。还要注意的是，如在本文中使用的，术语“基本上”、“约”以及其它类似术语被用作近似术语而不是程度术语，并且同样地，被用来说明本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
56.在本文中参考截面图和/或分解图来描述各种示例性实施例，这些图是理想化的示例性实施例和/或中间结构的示意图。同样地，可以预期由于例如制造技术和/或公差而引起的图示形状的变化。因此，在本文中公开的示例性实施例不一定被解释为限于特定示出的区域形状，而是将包括由于例如制造而引起的形状偏差。以这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映设备的区域的实际形状，并且同样地，不一定是限制性的。
57.除非另外定义，否则在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。诸如在常用词典中定义的那些术语的术语应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的意义被解释，除非在本文中明确如此定义。
58.图1是根据本发明的原理构造的显示装置的示例性实施例的平面图。
59.参考图1，显示装置1可以包括显示区da以及在显示区da外侧的外围区nda。包括显示元件的多个像素p可以布置在显示区da中，并且显示装置1可以通过使用从二维地布置在显示区da中的多个像素p的阵列发射的光来提供图像。外围区nda可以是其中没有布置显示元件的一种类型的非显示区，并且显示区da可以被外围区nda完全围绕。
60.虽然图1示出了具有基本上平坦的显示表面的显示装置1，但是示例性实施例不限于此。在其它示例性实施例中，显示装置1可以包括三维显示表面或曲面显示表面。
61.当显示装置1包括三维显示表面时，显示装置1可以包括指示和/或面对不同方向的多个显示区，并且可以包括例如多边形柱状显示表面。在其它示例性实施例中，当显示装置1包括曲面显示表面时，显示装置1可以以各种形式实施，诸如柔性、可折叠和可卷曲的显示装置。
62.此外，作为示例性实施例，图1示出了可以采取移动电话终端的形式或者被实施为移动电话终端的显示装置1。可以通过将安装在主板上的电子模块、相机模块和电源模块等与显示装置1一起布置在支架/外壳等中来构造移动电话终端。显示装置1也可以采取大型电子装置(诸如电视或监视器)和中小型电子装置(诸如平板计算机、汽车导航、游戏机或智能手表)的形式，或者被实施为大型电子装置(诸如电视或监视器)和中小型电子装置(诸如平板计算机、汽车导航、游戏机或智能手表)。
63.图1示出了其中显示装置1的显示区da具有带有倒圆拐角的总体上四边形形状的情况；然而，在其它示例性实施例中，显示区da的形状也可以是圆形、椭圆形或者诸如三角形或五边形的多边形。
64.在下文中，有机发光显示装置被描述为显示装置1的示例。然而，示例性实施例不限于此。在其它示例性实施例中，显示装置1可以是无机发光显示装置(无机发光显示器或者无机el显示装置)或者诸如量子点发光显示装置的显示装置。例如，在显示装置1中包括的显示元件的发射层可以包括有机材料，可以包括无机材料，可以包括量子点，可以包括有
机材料和量子点，或者可以包括无机材料和量子点。
65.图2是沿着图1的线a-a'截取的截面图。
66.参考图2，显示装置1可以包括基板100、显示层200、薄膜封装层300、输入感测层400、抗反射层500以及窗口层600。布置在基板100之上的显示层200、输入感测层400、抗反射层500和窗口层600当中的至少一些部件可以通过连续的工艺形成，或者它们中的至少一些部件可以通过粘合构件彼此联接。在图2中，光学透明粘合构件oca被示出为粘合构件的示例。下面描述的粘合构件可以包括普通粘合剂或可移除粘合剂。在示例性实施例中，抗反射层500和窗口层600可以用其它部件代替或者可以被省略。
67.显示层200可以包括上面参考图1描述的多个像素p。薄膜封装层300可以布置为封装在多个像素p中的每一个中包括的显示元件，例如有机发光二极管oled(参见图3)。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和/或至少一个有机封装层。
68.显示层200可以产生图像，并且输入感测层400可以获取外部输入(例如，触摸事件)的坐标信息。显示装置1可以进一步包括布置在基板100的后表面处的保护构件(未示出)。保护构件和基板100可以通过粘合构件联接。
69.在示例性实施例中，输入感测层400可以直接布置在薄膜封装层300上。在本文中，“部件b直接布置在部件a上”可以表示在部件a和部件b之间不布置单独的粘合层/粘合构件。可以在部件a形成之后在由部件a提供的基底表面上通过连续的工艺形成部件b。然而，在其它示例性实施例中，输入感测层400可以不直接布置在薄膜封装层300上，而是可以通过单独的工艺形成并且然后通过上述粘合构件布置在薄膜封装层300之上。
70.布置在基板100之上的显示层200和薄膜封装层300以及直接布置在薄膜封装层300上的输入感测层400和抗反射层500可以总体被定义为显示面板dp。
71.抗反射层500可以减少从窗口层600上方入射的外部光的反射。在示例性实施例中，抗反射层500可以包括如图8中所示的黑矩阵510和滤色器520。滤色器520可以布置为对应于每个像素p的发射区，并且黑矩阵510可以布置为对应于像素p之间的非发射区。在示例性实施例中，粘合构件可以不布置在输入感测层400和抗反射层500之间，并且抗反射层500可以直接布置在输入感测层400上。
72.此外，图2示出了抗反射层500布置在输入感测层400之上；然而，在其它示例性实施例中，抗反射层500可以布置在薄膜封装层300之上，并且输入感测层400可以布置在抗反射层500之上。
73.图3a和图3b是图1的像素中的代表性像素的示例性实施例的等效电路图。
74.参考图3a，每个像素p可以包括连接到扫描线sl和数据线dl的像素电路pc以及作为连接到像素电路pc的显示器件的有机发光二极管oled。
75.像素电路pc可以包括驱动薄膜晶体管td、开关薄膜晶体管ts以及存储电容器cst。开关薄膜晶体管ts可以连接到扫描线sl和数据线dl并且可以被配置为根据通过扫描线sl输入的扫描信号sn而将通过数据线dl输入的数据信号dm传输到驱动薄膜晶体管td。
76.存储电容器cst可以连接到开关薄膜晶体管ts和驱动电压线pl，并且可以存储与从开关薄膜晶体管ts接收的电压和供应到驱动电压线pl的驱动电压elvdd之间的差相对应的电压。
77.驱动薄膜晶体管td可以连接到驱动电压线pl和存储电容器cst，并且可以响应于
在存储电容器cst中存储的电压的值来控制从驱动电压线pl流过有机发光二极管oled的驱动电流id。有机发光二极管oled可以根据驱动电流id发射具有一定亮度的光。
78.虽然图3a示出了像素电路pc包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是示例性实施例不限于此。在其它示例性实施例中，像素电路pc可以如下面描述的图3b中那样包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。在其它示例性实施例中，像素电路pc可以包括两个或更多个存储电容器。
79.参考图3b，像素电路pc可以包括驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2、补偿薄膜晶体管t3、第一初始化薄膜晶体管t4、操作控制薄膜晶体管t5、发射控制薄膜晶体管t6以及第二初始化薄膜晶体管t7。
80.虽然图3b示出了每个像素电路pc包括信号线sl、sl-1、sl 1、el和dl、初始化电压线vl以及驱动电压线pl，但是示例性实施例不限于此。在其它示例性实施例中，信号线sl、sl-1、sl 1、el和dl中的至少一条和/或初始化电压线vl可以由相邻的像素电路pc共享。
81.驱动薄膜晶体管t1的漏电极可以经由发射控制薄膜晶体管t6电连接到有机发光二极管oled。驱动薄膜晶体管t1可以根据开关薄膜晶体管t2的开关操作接收数据信号dm，并且将驱动电流供应到有机发光二极管oled。
82.开关薄膜晶体管t2的栅电极可以连接到扫描线sl，并且开关薄膜晶体管t2的源电极可以连接到数据线dl。开关薄膜晶体管t2的漏电极可以经由操作控制薄膜晶体管t5连接到驱动电压线pl，同时连接到驱动薄膜晶体管t1的源电极。
83.开关薄膜晶体管t2可以根据通过扫描线sl接收的扫描信号sn而被导通，以执行将传输到数据线dl的数据信号dm传输到驱动薄膜晶体管t1的源电极的开关操作。
84.补偿薄膜晶体管t3的栅电极可以连接到扫描线sl。补偿薄膜晶体管t3的源电极可以经由发射控制薄膜晶体管t6连接到有机发光二极管oled的像素电极，同时连接到驱动薄膜晶体管t1的漏电极。补偿薄膜晶体管t3的漏电极可以连接到存储电容器cst的任意一个电极、第一初始化薄膜晶体管t4的源电极以及驱动薄膜晶体管t1的栅电极。补偿薄膜晶体管t3可以根据通过扫描线sl接收的扫描信号sn而被导通，以将驱动薄膜晶体管t1的栅电极和漏电极彼此连接，从而二极管连接驱动薄膜晶体管t1。
85.第一初始化薄膜晶体管t4的栅电极可以连接到前一扫描线sl-1。第一初始化薄膜晶体管t4的漏电极可以连接到初始化电压线vl。第一初始化薄膜晶体管t4的源电极可以连接到存储电容器cst的任意一个电极、补偿薄膜晶体管t3的漏电极以及驱动薄膜晶体管t1的栅电极。第一初始化薄膜晶体管t4可以根据通过前一扫描线sl-1接收的前一扫描信号sn-1而被导通，以通过将初始化电压vint传输到驱动薄膜晶体管t1的栅电极来执行初始化驱动薄膜晶体管t1的栅电极的电压的初始化操作。
86.操作控制薄膜晶体管t5的栅电极可以连接到发射控制线el。操作控制薄膜晶体管t5的源电极可以连接到驱动电压线pl。操作控制薄膜晶体管t5的漏电极可以连接到驱动薄膜晶体管t1的源电极以及开关薄膜晶体管t2的漏电极。
87.发射控制薄膜晶体管t6的栅电极可以连接到发射控制线el。发射控制薄膜晶体管t6的源电极可以连接到驱动薄膜晶体管t1的漏电极以及补偿薄膜晶体管t3的源电极。发射控制薄膜晶体管t6的漏电极可以电连接到有机发光二极管oled的像素电极。操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6可以根据通过发射控制线el接收的发射控制信号en而
同时被导通，使得驱动电压elvdd可以被传输到有机发光二极管oled，并且驱动电流可以流过有机发光二极管oled。
88.第二初始化薄膜晶体管t7的栅电极可以连接到下一扫描线sl 1。第二初始化薄膜晶体管t7的源电极可以连接到有机发光二极管oled的像素电极。第二初始化薄膜晶体管t7的漏电极可以连接到初始化电压线vl。第二初始化薄膜晶体管t7可以通过根据通过下一扫描线sl 1接收的下一扫描信号sn 1而被导通来初始化有机发光二极管oled的像素电极的电压。
89.虽然图3b示出了其中第一初始化薄膜晶体管t4和第二初始化薄膜晶体管t7分别连接到前一扫描线sl-1和下一扫描信号sl 1的情况，但是示例性实施例不限于此。在其它示例性实施例中，第一初始化薄膜晶体管t4和第二初始化薄膜晶体管t7两者可以连接到前一扫描线sl-1以根据前一扫描信号sn-1而被驱动。
90.存储电容器cst的另一个电极可以连接到驱动电压线pl。存储电容器cst的任意一个电极可以连接到驱动薄膜晶体管t1的栅电极、补偿薄膜晶体管t3的漏电极以及第一初始化薄膜晶体管t4的源电极。
91.有机发光二极管oled的对电极(例如，阴极)可以被提供有公共电压elvss。有机发光二极管oled可以通过从驱动薄膜晶体管t1接收驱动电流来发光。
92.像素电路pc不限于参考图3a和图3b描述的薄膜晶体管和存储电容器的数量和电路设计，并且薄膜晶体管和存储电容器的数量和电路设计可以进行各种修改。
93.图4是根据本发明的原理构造的显示区的示例性实施例的一部分的平面图。图5是图4的显示区的一部分的放大平面图。
94.参考图4，多个像素p可以二维地布置在显示区da中。多个像素p可以包括红色像素pr、绿色像素pg和蓝色像素pb。在示例性实施例中，如图4中所示，红色像素pr、绿色像素pg和蓝色像素pb可以以蜂窝(pentile)矩阵配置(或蜂窝型图案)而布置。在其它示例性实施例中，红色像素pr、绿色像素pg和蓝色像素pb可以以狭长带或狭长条的形状布置。
95.红色像素pr、绿色像素pg和蓝色像素pb可以具有不同的尺寸(或形状)。例如，蓝色像素pb可以大于或等于红色像素pr，并且红色像素pr和蓝色像素pb可以大于绿色像素pg。在示例性实施例中，绿色像素pg可以具有总体上矩形的形状，并且相邻的绿色像素pg可以在不同方向上延伸。
96.在示例性实施例中，在平面图中，多个像素p可以布置在由在无机绝缘层il中形成的狭长凹进所限定的多个区a1至a4中或者之上，该狭长凹进可以是跨显示区da延伸的开口或凹槽gr的形式，例如沟槽、狭缝或沟渠。这样，显示装置1可以包括可以是包括多个区a1至a4以及限定多个区a1至a4的开口或凹槽gr的无机绝缘层il的形式的至少一个无机层。在这种情况下，布置在多个区a1至a4之上的多个像素p可以指外部可见的发射区。例如，像素p的显示元件(诸如图3a和图3b的有机发光二极管oled)可以布置在一个区中，但是像素p的像素电路(诸如图3a和图3b的像素电路pc)可以位于与该一个区相邻的另一个区中。因为多个区a1至a4通过开口或凹槽gr划分，所以像素p的像素电路和显示元件可以根据像素布置和/或开口或凹槽gr的设计规则而位于不同的区中。
97.在平面图中，开口或凹槽gr可以具有例如总体上网格或矩阵配置。开口或凹槽gr可以具有“网格配置或形状”使得开口或凹槽gr在基板100上的正投影图像可以具有总体上
网格形状，并且无机绝缘层il可以具有总体上四边形形状的图案。例如，开口或凹槽gr的网格形状可以是包括具有四个分支的分支点的形状。
98.由开口或凹槽gr划分和围绕的无机绝缘层il的各个部分可以对应于多个区a1至a4。多个区a1至a4中的每一个可以具有由围绕它们的开口或凹槽gr限定的岛图案或隔离图案。采用有机材料层ol形式的有机材料可以设置在无机绝缘层il的开口或凹槽gr中。有机材料层ol可以具有比无机绝缘层il的柔性大的柔性。这样，由于无机绝缘层il具有通过无机绝缘层il的开口或凹槽gr隔离的多个区a1至a4，并且有机材料层ol设置在开口或凹槽gr中，因此可以最小化由于外部冲击对显示装置1的影响，并且可以增强柔性。
99.由开口或凹槽gr划分的多个区a1至a4可以包括在第一方向(例如， x方向)上彼此相邻布置的第一区a1、第二区a2、第三区a3和第四区a4。多个区a1至a4可以在显示区da中在第一方向(例如， x方向)和第二方向(例如， y方向)上重复。
100.包括多个区a1至a4的像素单元pu可以在显示区da中被重复地布置。虽然图4示出了像素单元pu包括以4
×
4矩阵布置的多个区a1至a4，但是示例性实施例不限于此。像素单元pu可以具有n
×
m矩阵结构(“n”和“m”是整数)，其中“n”和“m”可以是相同的整数或不同的整数。即，在像素单元pu中包括的多个区不限于特定的形状或设计。例如，像素单元pu可以具有诸如2
×
2、3
×
3、5
×
5或6
×
6矩阵的结构。
101.参考图5，多个像素p可以包括布置在第一区a1之上的多个第一像素电极211、布置在第二区a2之上的多个第二像素电极212、布置在第三区a3之上的多个第三像素电极213以及布置在第四区a4之上的多个第四像素电极214。第一像素电极至第四像素电极211、212、213和214中的一些可以与开口或凹槽gr重叠。第一像素电极至第四像素电极211、212、213和214的与开口或凹槽gr重叠的部分可以是与不是发射区的非发射区相对应的部分，并且第一像素电极至第四像素电极211、212、213和214的与发射区相对应的部分可以考虑到其下层的平坦度而不与开口或凹槽gr重叠。
102.布置在区a1至a4中的至少两个区中的每一个之上的像素的数量可以不相等。换句话说，布置在区a1至a4中的至少两个区中的每一个之上的像素电极的数量可以不相等。例如，布置于在第一方向(例如， x方向)上彼此相邻布置的区之上的像素电极(或显示元件)的数量可以彼此不同。
103.在示例性实施例中，分别布置在彼此相邻的第一区a1和第二区a2之上的多个第一像素电极211和多个第二像素电极212的数量可以彼此不同。此外，分别布置在彼此相邻的第二区a2和第三区a3之上的多个第二像素电极212和多个第三像素电极213的数量可以彼此不同。此外，分别布置在彼此相邻的第三区a3和第四区a4之上的多个第三像素电极213和多个第四像素电极214的数量可以彼此不同。在图5中，第一像素电极211包括红色第一像素电极211r、绿色第一像素电极211g以及蓝色第一像素电极211b，第二像素电极212包括两个红色第二像素电极211r、绿色第二像素电极212g以及两个蓝色第二像素电极212b，第三像素电极213包括红色第三像素电极213r、绿色第三像素电极213g以及蓝色第三像素电极213b，并且第四像素电极214包括红色第四像素电极214r、两个绿色第四像素电极214g以及蓝色第四像素电极214b。
104.在示例性实施例中，第一区a1至第四区a4可以具有3-5-3-4或3-4-3-5的像素布置。例如，3-5-3-4的像素布置可以表示三个第一像素电极211布置在第一区a1之上，五个第
二像素电极212布置在第二区a2之上，三个第三像素电极213布置在第三区a3之上，并且四个第四像素电极214布置在第四区a4之上。在这种情况下，“3-5-3-4”和“3-4-3-5”可以对应于相同的实施例。参考上述图4，像素单元pu的第一行中的像素布置可以是3-5-3-4，像素单元pu的第二行中的像素布置可以是3-4-3-5，并且这种像素布置可以在第二方向(例如， y方向)上重复。
105.在其它示例性实施例中，如下面描述的图9中那样，第一区a1至第四区a4可以具有3-5-4-3或3-4-5-3的像素布置。这将参考图9进行详细地描述。
106.多个第一像素电极至第四像素电极211、212、213和214中的一些可以布置为邻近开口或凹槽gr。更具体地，在第一区a1中，开口或凹槽gr可以布置在红色第一像素电极211r和蓝色第一像素电极211b的左侧(例如，-x方向)，并且开口或凹槽gr可以布置在绿色第一像素电极211g的右侧(例如， x方向)。
107.相应地，多个第一像素电极至第四像素电极211、212、213和214中的一些可以在接近(或朝向)开口或凹槽gr的方向上具有向下倾斜的倾斜。这可能是因为布置在开口或凹槽gr周围的一些绝缘层在形成开口或凹槽gr的同一工艺中被蚀刻，并且多个第一像素电极至第四像素电极211、212、213和214位于被蚀刻的绝缘层之上。
108.在根据本发明的原理和示例性实施例构造的显示装置1中，多个第一像素电极至第四像素电极211、212、213和214可以分别不对称地布置在第一区a1至第四区a4之上，并且因此可以防止或最小化可能是由多个第一像素电极至第四像素电极211、212、213和214中的具有例如如图6中所示的向下的倾斜的一些像素电极引起的显示区的颜色偏差和/或反射色差。
109.图6是沿着图5的线b-b'截取的示出显示区的示例性实施例的截面图。图7是沿着图5的线b-b'截取的示出显示区的另一示例性实施例的截面图。
110.参考图6，多个像素p可以布置在显示装置1的显示区da中。图6示出了具有相同颜色并且分别布置在通过开口或凹槽gr划分的第一区a1、第二区a2和第三区a3之上的第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3。例如，第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3可以分别指绿色第一像素电极211g、绿色第二像素电极212g和绿色第三像素电极213g。在各个像素p1、p2和p3中包括的像素电路pc和有机发光二极管oled1、oled2和oled3的配置可以基本上相同，并且因此将基于第一像素p1进行以下描述以避免冗余。
111.第一像素p1可以被实施为包括像素电路pc以及连接到像素电路pc的显示元件(诸如第一有机发光二极管oled1)。第一有机发光二极管oled1可以包括第一像素电极211、第一发射层221以及对电极230。
112.在所示的实施例中，有机发光二极管被用作显示元件的示例；然而，在其它示例性实施例中，诸如无机发光器件或量子点发光器件的任何显示元件可以用作显示元件的示例。
113.在下文中，将描述其中在显示装置1中包括的部件被堆叠的结构。显示装置1可以包括基板100、阻挡层101、缓冲层111、电路层pcl和显示元件层edl的堆叠结构。
114.基板100可以包括诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料。在一些示例性实施例中，基板100可以包括交替地布置的无机绝缘层和有机绝缘层。基板100可以包括能够弯曲、折叠或卷曲等的柔性基板。
115.缓冲层111可以位于基板100之上以减少或阻挡外来物质、水分或外部空气从基板100的底部渗透，并且可以在基板100之上提供平坦的表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物无机材料、有机材料或者有机/无机复合物，并且可以包括无机材料和/或有机材料的单层结构或多层结构。在示例性实施例中，缓冲层111可以包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和/或氮氧化硅(sio
x
ny)。
116.阻挡层101可以布置在基板100和缓冲层111之间，并且可以起到阻挡外部空气渗透的作用。阻挡层101可以包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和/或氮氧化硅(sio
x
ny)。
117.电路层pcl可以布置在缓冲层111之上并且可以包括像素电路pc、第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113、层间绝缘层115、第一绝缘层117以及第二绝缘层118。像素电路pc可以包括薄膜晶体管tft以及存储电容器cst。
118.薄膜晶体管tft可以布置在缓冲层111之上。薄膜晶体管tft可以包括半导体层a、栅电极g、源电极s和漏电极d。薄膜晶体管tft可以连接到第一像素p1的第一有机发光二极管oled1，以驱动第一有机发光二极管oled1。
119.半导体层a可以布置在缓冲层111之上，并且可以包括多晶硅。在其它示例性实施例中，半导体层a可以包括非晶硅。在其它示例性实施例中，半导体层a可以包括铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)和锌(zn)中的至少一种的氧化物。半导体层a可以包括沟道区以及掺杂有杂质的源区和漏区。
120.第一栅绝缘层112可以被提供为覆盖半导体层a。第一栅绝缘层112可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno2)。第一栅绝缘层112可以包括包含上面的无机绝缘材料的单层或多层。
121.栅电极g可以布置在第一栅绝缘层112之上以与半导体层a重叠。栅电极g可以包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)等，并且可以包括单层或多层。例如，栅电极g可以包括mo的单层。
122.第二栅绝缘层113可以被提供为覆盖栅电极g。第二栅绝缘层113可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno2)。第二栅绝缘层113可以包括包含上面的无机绝缘材料的单层或多层。
123.存储电容器cst的上电极ce2可以布置在第二栅绝缘层113之上。上电极ce2可以与在其之下的栅电极g重叠。彼此重叠的栅电极g和上电极ce2(其中第二栅绝缘层113位于栅电极g和上电极ce2之间)可以构成存储电容器cst。栅电极g可以是存储电容器cst的下电极ce1。
124.上电极ce2可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)，并且可以包括上面的材料的单层或多层。在示例性实施例中，上电极ce2可以包括mo的单层。
125.线wl可以位于上电极ce2的一侧。线wl可以布置在第二栅绝缘层113之上并且与上电极ce2位于同一层中。在其它示例性实施例中，线wl可以布置在无机绝缘层中的另一无机绝缘层之上而不是第二栅绝缘层113之上。线wl可以是上面参考图3a或图3b描述的信号线sl、sl-1、sl 1、el和dl以及电压线vl和pl中的至少一种。例如，线wl可以是扫描线sl。
126.层间绝缘层115可以形成为覆盖上电极ce2。层间绝缘层115可以包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno2)。层间绝缘层115可以包括包含上面的无机绝缘材料的单层或多层。
127.图4和图5的无机绝缘层il可以包括电路层pcl的一个或多个无机绝缘层，诸如缓冲层111、第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层115。
128.在其它示例性实施例中，层间绝缘层115可以包括有机绝缘材料。层间绝缘层115可以包括诸如苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(hmdso)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物或乙烯醇类聚合物。
129.当层间绝缘层115包括有机绝缘材料时，层间绝缘层115的一部分可以如图7中那样设置在开口或凹槽gr中。在这种情况下，开口或凹槽gr可以包括在布置在层间绝缘层115之下的缓冲层111、第一栅绝缘层112和第二栅绝缘层113中形成的开口111a、112a和113a。
130.数据线dl、源电极s和漏电极d可以布置在层间绝缘层115之上。数据线dl、源电极s和漏电极d可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)等的导电材料，并且可以包括包含上面的材料的单层或多层。例如，数据线dl、源电极s和漏电极d可以包括ti/al/ti的多层结构。
131.第一绝缘层117可以布置为覆盖数据线dl、源电极s和漏电极d。第一绝缘层117可以具有平坦的上表面，使得可以平坦地形成布置在其之上的部件。
132.第一绝缘层117可以包括有机材料或无机材料，并且可以具有单层结构或多层结构。第一绝缘层117可以包括诸如苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(hmdso)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物或乙烯醇类聚合物。此外，第一绝缘层117可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno2)。当形成第一绝缘层117时，在形成层之后，可以对该层的上表面执行化学机械抛光，以提供平坦的上表面。
133.连接电极cm可以布置在第一绝缘层117之上。连接电极cm可以被配置为将像素电路pc电连接到第一有机发光二极管oled1。即，第一绝缘层117可以具有暴露源电极s和漏电极d中的任何一个的通孔，并且连接电极cm可以通过经由通孔接触源电极s或漏电极而电连接到薄膜晶体管tft。此外，第一有机发光二极管oled1的第一像素电极211可以连接到连接电极cm。
134.第二绝缘层118可以布置在第一绝缘层117之上。第二绝缘层118可以布置为覆盖布置在第一绝缘层117之上的连接电极cm。第二绝缘层118可以起到提供平坦的表面的作用，使得第一像素电极211可以布置在第二绝缘层118上。
135.暴露连接电极cm的接触孔cnt可以被提供在第二绝缘层118中。第一有机发光二极管oled1可以通过接触孔cnt连接到像素电路pc。在堆叠第二绝缘层118之后，可以通过光致抗蚀剂图案化和蚀刻工艺形成接触孔cnt。
136.显示元件层edl可以布置在第二绝缘层118之上。显示元件层edl可以包括第一有机发光二极管oled1以及像素限定层119。
137.第一像素电极211可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)或氧化铝锌(azo)。第一像素电极211可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或者它们的任意化合物的反射层。例如，第一像素电极211可以具有包括在反射层之上/之下由ito、izo、zno或in2o3形成的层的结构。在这种情况下，第一像素电极211可以具有ito/ag/ito的堆叠结构。
138.第一像素电极211可以通过在第二绝缘层118中限定的接触孔cnt连接到连接电极cm。
139.像素限定层119可以覆盖位于第二绝缘层118之上的第一像素电极211的边缘，并且可以包括暴露第一像素电极211的中心部分的开口op。第一有机发光二极管oled1的发射区可以由开口op限定。
140.像素限定层119可以增大第一像素电极211的边缘和第一像素电极211之上的对电极230之间的距离，以防止在第一像素电极211的边缘处出现电弧等。像素限定层119可以通过旋涂等由有机绝缘材料(诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯(bcb)、六甲基二硅氧烷(hmdso)或酚醛树脂)形成。
141.形成为对应于第一像素电极211的第一发射层221可以布置在像素限定层119的开口op中。第一发射层221可以包括高分子量材料或低分子量材料，并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
142.有机功能层(未示出)可以布置在第一发射层221之上和/或之下。有机功能层可以是包含有机材料的单层或多层。有机功能层可以包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。有机功能层可以一体地形成以公共地对应于布置在显示区da中的有机发光二极管oled1、oled2和oled3。
143.对电极230可以布置在第一发射层221之上。对电极230可以包括具有低功函数的导电材料。例如，对电极230可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或者它们的任意合金的(半)透明层。可替代地，对电极230可以在包括上面的材料的(半)透明层之上进一步包括诸如ito、izo、zno或in2o3的层。对电极230可以一体地形成以公共地对应于布置在显示区da中的有机发光二极管oled1、oled2和oled3。
144.包括有机材料的封盖层(未示出)可以形成在对电极230之上。封盖层可以被提供为保护对电极230并且提高光提取效率。封盖层可以包括具有比对电极230的折射率高的折射率的有机材料。
145.此外，薄膜封装层300可以如图8中那样布置为在显示元件层edl之上的封装构件。即，有机发光二极管oled1、oled2和oled3可以通过薄膜封装层300而被封装。薄膜封装层300可以防止外部水分或外来物质渗透到有机发光二极管oled1、oled2和oled3中。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层310、至少一个无机封装层330以及至少一个有机封装层320。在示例性实施例中，薄膜封装层300可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330的堆叠结构。
146.第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括一种或多种无机绝缘材料(诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno2))，并且可以通过化学气相沉积(cvd)等形成。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括硅类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺或聚乙烯等。
147.此外，在所示的显示装置1的示例性实施例中，无机绝缘层il可以包括位于多个像素电路pc之间的区中的开口或凹槽gr。有机材料层ol可以设置在开口或凹槽gr中。此外，连接线cl可以布置在有机材料层ol之上。
148.在示例性实施例中，布置在连接线cl之下并且包括无机材料的缓冲层111、第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层115可以总体被称为无机绝缘层il。无机绝缘层il可以在相邻的像素电路pc之间的区中包括开口或凹槽gr。
149.图6示出了无机绝缘层il包括开口或凹槽gr。以这种方式，阻挡层101的在开口或凹槽gr之下的至少一部分可以通过在无机绝缘层il中形成的开口gr而被暴露。开口gr可以包括分别在缓冲层111、第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层115中限定的开口111a、112a、113a和115a。
150.此外，当无机绝缘层il被限定为包括阻挡层101时，无机绝缘层il可以被理解为在相邻的像素p之间的区中包括凹槽gr。凹槽gr可以指在无机绝缘层il中形成的沟槽。
151.然而，无机绝缘层il可以包括各种其它类型的开口或凹槽。例如，阻挡层101的上表面的一部分可以被去除，或者各种修改可以是可能的；例如，缓冲层111的下表面可以保持而不被去除。
152.无机绝缘层il的开口或凹槽gr的宽度可以是数μm。例如，无机绝缘层il的开口或凹槽gr的宽度grw可以具有在约5μm和约10μm之间的值。
153.为了形成开口或凹槽gr，可以在形成层间绝缘层115之后执行单独的掩模工艺和蚀刻工艺。可以通过蚀刻工艺形成缓冲层111、第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层115的开口111a、112a、113a和115a。例如，蚀刻工艺可以是干法蚀刻工艺。
154.无机绝缘层il的开口或凹槽gr可以用有机材料层ol填充。连接线cl可以在其中存在有机材料层ol的区中位于有机材料层ol之上或者布置为横跨有机材料层ol。有机材料层ol以及无机绝缘层il的开口或凹槽gr可以至少部分地存在于多个像素电路pc之间。
155.有机材料层ol和无机绝缘层il的开口或凹槽gr可以被引入以最小化由于外部冲击对显示装置1的影响。因为无机绝缘层il在多个像素电路pc之间的区中包括开口或凹槽gr，并且有机材料层ol填充开口或凹槽gr，所以即使当存在外部冲击时，裂纹扩展的可能性也极低。此外，因为有机材料层ol具有比无机绝缘层il的硬度低的硬度，所以有机材料层ol可以吸收由外部冲击引起的应力，并且因此可以有效地分散位于有机材料层ol之上的连接线cl的应力的集中。
156.有机材料层ol可以布置在像素电路pc之间以填充无机绝缘层il的开口或凹槽gr的至少一部分。有机材料层ol可以不完全填充开口或凹槽gr。然而，为了吸收外部冲击，有机材料层ol可以完全填充开口或凹槽gr。在示例性实施例中，有机材料层ol可以形成为延伸到无机绝缘层il的上表面。在这种情况下，由于有机材料层ol的特性，有机材料层ol的上表面可以具有总体上凸起的形状。即，有机材料层ol的最大高度h可以大于开口或凹槽gr的
深度d。
157.有机材料层ol可以包括丙烯酸、甲基丙烯酸、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中的至少一种。
158.连接线cl可以布置在有机材料层ol之上，以将多个像素电路pc彼此连接。连接线cl可以在其中不存在有机材料层ol的地方位于无机绝缘层il之上。连接线cl可以用作用于将电信号传输到多个像素电路pc的线。
159.连接线cl可以包括具有高拉伸性的材料，使得在连接线cl中不会出现诸如裂纹或断开的缺陷。在示例性实施例中，连接线cl可以包括ti/al/ti的堆叠结构。此外，连接线cl的拉伸性可以高于布置在连接线cl之下的导电层的拉伸性。
160.此外，由于无机绝缘层il的在开口或凹槽gr周围的部分在形成开口或凹槽gr的工艺中部分地被蚀刻和/或去除，因此无机绝缘层il的在开口或凹槽gr周围的上表面可以具有朝向开口或凹槽gr而向下倾斜的倾斜表面。此外，布置在无机绝缘层il之上的第一绝缘层117和第二绝缘层118可以具有沿着无机绝缘层il的上表面的倾斜表面形成的倾斜表面。
161.由于第二绝缘层118具有倾斜表面，因此设置在第二绝缘层118上的第一像素电极211也可以具有沿着第二绝缘层118的倾斜表面形成的倾斜表面。参照图5和图6，因为第一像素电极211邻近在其右侧(例如，第一方向或 x方向)的开口或凹槽gr，所以第一像素电极211可以朝向其右侧而具有向下的倾斜。类似地，因为第三像素电极213邻近在其左侧(例如，与第一方向相反的方向或-x方向)的开口或凹槽gr，所以第三像素电极213可以朝向其左侧而具有向下的倾斜。因为第二像素电极212布置在第二区a2的中心部分处，并且相对远离开口或凹槽gr，所以第二像素电极212可以布置在平坦的第二绝缘层118之上而不受开口或凹槽gr的影响。
162.在示例性实施例中，第一像素电极211可以具有相对于平面(即，基板100的上表面)约0.5
°
至约1
°
的倾斜。例如，在第一像素电极211的邻近开口或凹槽gr的第一部分和第一像素电极211的相对远离开口或凹槽gr的第二部分之间可以具有约100nm至约200nm的高度差。在第三像素电极213中也是如此。显示装置1可以具有例如约500ppi或更高的高分辨率，并且在这种情况下，其中不出现颜色偏差的第一像素电极211的高度差可以是约50nm或更小，例如约20nm或更小。
163.作为比较示例，如果具有相同颜色的第一像素电极和第三像素电极在相同方向(例如，右方向或左方向)上倾斜，则可能出现亮度偏差和颜色偏差，因为当第一像素电极和第三像素电极反射从特定位置入射的光时，一部分光可被位于第一像素电极和第三像素电极之上的抗反射层的黑矩阵损失。
164.根据示例性实施例，像素单元pu可以包括具有相同颜色并且朝向相反侧倾斜的像素电极，并且在特定方向(例如，第一方向或 x方向)上具有倾斜的像素电极(例如，第一像素电极211)和在相反方向(例如，与第一方向相反的方向或-x方向)具有倾斜的像素电极(例如，第三像素电极213)可以以1:1的比而被提供为相同的数量，使得朝向彼此相反的侧而具有倾斜的像素电极可以在颜色偏差和/或亮度偏差方面彼此互补和偏移，以防止或最小化显示区da的亮度偏差、颜色偏差和/或反射色差的出现。为了具有朝向彼此相反的侧而具有倾斜的相同数量的像素电极，在显示装置1中，多个第一像素电极至第四像素电极211、
212、213和214可以分别不对称地布置在第一区a1至第四区a4之上。
165.图8是沿着图5的线b-b'截取的示出显示区的又一示例性实施例的截面图。
166.图8的结构可以进一步包括位于图6的结构之上的薄膜封装层300、输入感测层400和抗反射层500。电路层pcl以及包括有机发光二极管oled的显示元件层edl可以被薄膜封装层300覆盖。电路层pcl和显示元件层edl的结构可以与上面参考图6和图7描述的电路层pcl和显示元件层edl的结构相同，并且下面将描述薄膜封装层300之上的结构。
167.薄膜封装层300可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以各自包括一种或多种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。可以通过化学气相沉积来形成第一无机封装层310和第二无机封装层330。
168.有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺或聚乙烯等。例如，有机封装层320可以包括丙烯酸类树脂，诸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚丙烯酸。可以通过固化单体或应用聚合物来形成有机封装层320。
169.输入感测层400可以包括包含感测电极和/或迹线的第一导电层和第二导电层。在示例性实施例中，第一绝缘层可以布置在薄膜封装层300和第一导电层之间，并且第二绝缘层可以布置在第一导电层和第二导电层之间。
170.第一导电层和第二导电层可以包括导电材料。导电材料可以包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)等，并且可以包括包含上面的材料的单层或多层。例如，第一导电层和第二导电层可以具有其中钛层、铝层和钛层顺序地堆叠(ti/al/ti)的结构。
171.第一绝缘层和第二绝缘层可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化硅、氮氧化硅或氮化硅等。有机绝缘材料可以包括丙烯酸类有机材料或酰亚胺类有机材料。
172.抗反射层500可以布置在输入感测层400之上。抗反射层500可以包括黑矩阵510和滤色器520。滤色器520可以布置在有机发光二极管oled的由像素限定层119的开口op限定的发射区之上。滤色器520可以根据从有机发光二极管oled发射的光的颜色而具有红色、绿色或蓝色颜料或染料。
173.黑矩阵510可以位于非发射区中并且可以围绕发射区。在示例性实施例中，黑矩阵510可以钝化输入感测层400的触摸电极。例如，黑矩阵510可以与输入感测层400的包括触摸电极的第二导电层重叠，并且第二导电层可以被黑矩阵510覆盖。黑矩阵510可以包括包含黑色颜料或染料的绝缘材料(例如，有机绝缘材料)。
174.如上面参考图6所述，像素p1、p2和p3的像素电极211、212和213中的一些(例如，第一像素电极211和第三像素电极213)可以在第一方向(例如， x方向)或者与第一方向相反的方向(例如，-x方向)上具有向下的倾斜，并且因此在第一像素p1和第三像素p3之间反射光相对于入射光的角度可以不同。
175.在图8中，入射在不具有倾斜的第二像素电极212上的光可以沿着“b”路径传播。例如，当第二像素电极212的入射光以约30
°
的角度入射时，第二像素电极212的反射光也可以以约30
°
的角度而被反射。
176.在第一像素电极211在第一方向(例如， x方向)上具有向下的倾斜的情况下，入射
在第一像素电极211上的光可以沿着“a”路径传播。例如，当第一像素电极211的入射光以约30
°
的角度入射时，第一像素电极211的反射光可以以小于约30
°
的角度而被反射。这样，当光从倾斜侧入射时，反射光可不到达黑矩阵510，并且因此，像素的光量可能没有变化。
177.另一方面，在第三像素电极213在与第一方向相反的方向(例如，-x方向)上具有向下的倾斜的情况下，入射在第三像素电极213上的光可以沿着“c”路径传播。例如，当第三像素电极213的入射光以约30
°
的角度入射时，第三像素电极213的反射光可以以大于约30
°
的角度而被反射，并且在这种情况下，反射光的量可以通过位于第三像素电极213之上的黑矩阵510而部分地减少。这样，当光从与倾斜侧相反的一侧入射时，像素的光量可减少。这样，从显示装置1反射的光的颜色可以根据光的入射角和方向而变化。
178.根据本发明的原理和示例性实施例，可以以相同的数量提供在像素单元pu中朝向相反侧倾斜的第一像素电极211和第三像素电极213，使得可以防止或最小化可由发射特定颜色的像素的光量的减少而引起的颜色偏差和/或反射色差的出现。虽然已经基于绿色像素pg的像素电极211、212和213进行了前述描述，但是在红色像素pr和蓝色像素pb中也是如此。在像素单元pu中，朝向相反侧倾斜的红色像素pr的数量可以彼此相等，朝向相反侧倾斜的绿色像素pg的数量可以彼此相等，并且朝向相反侧倾斜的蓝色像素pb的数量可以彼此相等。这样，由于发射相同颜色的像素中的朝向相反侧倾斜的像素的数量彼此相等，所以针对每种颜色减少光量的比率可以基本上相同，从而防止或最小化显示区da中颜色偏差和/或反射色差的出现。因此，显示装置1可以具有提高的外部可见性。
179.图9和图10是根据本发明的原理构造的显示区的其它示例性实施例的一部分的平面图。
180.图9和图10中相同的附图标记可以表示与上面描述的图4至图8中的部件相同的部件。因此，在下文中，将主要描述它们之间的区别以避免冗余。
181.参考图9，多个像素p可以二维地布置在显示区da中。多个像素p可以包括红色像素pr、绿色像素pg和蓝色像素pb。在平面图中，多个像素p可以布置在通过在无机绝缘层il中形成的开口或凹槽gr划分的多个区a1至a4之上。
182.在平面图中，开口或凹槽gr可以具有例如总体上网格形状。由开口或凹槽gr划分和围绕的无机绝缘层il的各个部分可以对应于多个区a1至a4。多个区a1至a4中的每一个可以具有由围绕它们的开口或凹槽gr限定的岛图案或隔离图案。有机材料层ol可以设置在无机绝缘层il的开口或凹槽gr中。
183.由开口或凹槽gr划分的多个区a1至a4可以包括在第一方向(例如， x方向)上彼此相邻布置的第一区a1、第二区a2、第三区a3和第四区a4。多个区a1至a4可以在至少一行或多行中重复以形成像素单元pu'。虽然图9示出了像素单元pu'具有4
×
4矩阵，但是示例性实施例不限于此。在其它示例性实施例中，像素单元pu'可以具有如图10中那样的6
×
6矩阵。
184.布置在区a1至a4中的每一个之上的像素的数量可以不相等。即，布置于在第一方向(例如， x方向)上彼此相邻布置的区之上的像素(即，显示元件)的数量可以彼此不同。
185.在示例性实施例中，分别布置在彼此相邻的第一区a1和第二区a2之上的多个第一像素p1和多个第二像素p2的数量可以彼此不同。此外，分别布置在彼此相邻的第二区a2和第三区a3之上的多个第二像素p2和多个第三像素p3的数量可以彼此不同。此外，分别布置在彼此相邻的第三区a3和第四区a4之上的多个第三像素p3和多个第四像素p4的数量可以
彼此不同。
186.在示例性实施例中，如图9中所示，第一区a1至第四区a4可以具有3-5-4-3或3-4-5-3的像素布置。例如，3-5-4-3的像素布置可以表示三个第一像素p1布置在第一区a1之上，五个第二像素p2布置在第二区a2之上，四个第三像素p3布置在第三区a3之上，并且三个第四像素p4布置在第四区a4之上。在这种情况下，“3-5-4-3”和“3-4-5-3”可以对应于相同的实施例。如图9中所示，布置在像素单元pu'的第一行中的像素的像素布置可以是3-5-4-3，并且布置在第二行中的像素的像素布置可以是3-4-5-3。
187.参考图10，在平面图中，多个像素p可以布置在通过在无机绝缘层il中形成的开口或凹槽gr划分的多个区a1至a6之上。即，在图10中，像素单元pu”可以与上面的像素单元pu和pu'的不同之处在于，像素单元pu”的一行包括第一区a1至第六区a6。因此，图10的像素单元pu”可以具有6
×
6矩阵形式，并且像素单元pu”的这种结构可以在显示区da中重复。
188.被开口或凹槽gr划分和围绕的无机绝缘层il的各个部分可以对应于多个区a1至a6。多个区a1至a6中的每一个可以具有由围绕它们的开口或凹槽gr限定的岛图案或隔离图案。
189.由开口或凹槽gr划分的多个区a1至a6可以包括在第一方向(例如， x方向)上彼此相邻布置的第一区a1、第二区a2、第三区a3、第四区a4、第五区a5和第六区a6。
190.布置在区a1至a6中的每一个之上的像素的数量在至少一些区中可以不相等。在示例性实施例中，布置于在第一方向(例如， x方向)上彼此相邻布置的第一区a1至第六区a6之上的像素(即，显示元件)的数量在至少一些区中可以彼此不同。
191.例如，分别布置在彼此相邻的第一区a1和第二区a2之上的多个第一像素p1和多个第二像素p2的数量可以彼此不同。此外，分别布置在彼此相邻的第二区a2和第三区a3之上的多个第二像素p2和多个第三像素p3的数量可以彼此不同。此外，分别布置在彼此相邻的第四区a4和第五区a5之上的多个第四像素p4和多个第五像素p5的数量可以彼此不同。此外，分别布置在彼此相邻的第五区a5和第六区a6之上的多个第五像素p5和多个第六像素p6的数量可以彼此不同。
192.在示例性实施例中，如图10中所示，第一区a1至第六区a6可以具有3-5-3-3-4-3或3-4-3-3-5-3的像素布置。3-5-3-3-4-3的像素布置可以表示三个第一像素p1布置在第一区a1之上，五个第二像素p2布置在第二区a2之上，三个第三像素p3布置在第三区a3之上，三个第四像素p4布置在第四区a4之上，四个第五像素p5布置在第五区a5之上，并且三个第六像素p6布置在第六区a6之上。在这种情况下，“3-5-3-3-4-3”和“3-4-3-3-5-3”可以对应于相同的实施例。
193.在上述图9和图10(包括上述图4)的所示实施例中，因为开口或凹槽gr在外部是不可见的，所以跨显示区da的像素p的布置可以基本上相同，而像素单元pu、pu'和pu”中的每一个中的像素p的布置彼此不同。可以由开口或凹槽gr的位置确定像素单元pu、pu'和pu”中的每一个中的像素布置，使得像素单元的一些区可以具有不同数量的像素。通过像素布置，最终可以在像素单元中以相同的数量提供对于每种颜色的朝向相反侧倾斜的像素，以防止或最小化发射特定颜色的像素的光量的相对减少或增加。
194.图11是用于示出测量显示区的反射色差的测试方法的示意图。图12a至12e是图4的像素单元的示出在图11的测试过程中得出的针对每个旋转角度的像素单元的反射色差
的平面图。图13是示意性地示出在图11的测试过程中得出的针对每个旋转角度的像素单元的反射色差的表。
195.参考图11，外部光入射在跨显示装置1的显示区da定位的像素单元pu上。光源l可以以约30
°
的角度入射在显示区da上，并且从显示区da反射的光可以由检测器dt接收。例如，在像素像上述图6中的第二像素电极212一样在一个方向上不具有倾斜的情况下，反射光可以像入射光一样以约30
°
的角度被反射。
196.在下文中，在图12a至图12e中，显示区da在二维视图中以0
°
、45
°
、90
°
、135
°
和180
°
旋转，并且然后针对每个角度测量像素单元pu的反射色差。在这种情况下，光源l和检测器dt的位置可以是固定的。在图12a至图12e中，可以理解，在每个像素中表示的箭头(
→
)指示倾斜传播方向(“高
”→“
低”)，如图6中的第一像素p1和第三像素p3，并且点(
·
)指示不具有倾斜的像素，如图6中的第二像素p2。
197.此外，在图12a至图12e中，基于上述图4的像素单元pu执行测试；然而，下面描述的测试结果对于图9和图10的像素单元pu'和pu”也是相同的。
198.参考图12a和图13，像素单元pu可以以参考角度(即0
°
)而定位。像素单元pu的第一行r1可以包括在第一方向(例如， x方向)上连续地(或顺序地)布置的红色第一像素pr1、蓝色第二像素pb2、红色第二像素pr2、蓝色第三像素pb3和红色第四像素pr4。关于上述像素，相对于图11的光源l，红色第一像素pr1和蓝色第二像素pb2可以在向左方向(例如，与第一方向相反的方向或-x方向)上具有倾斜，红色第二像素pr2和蓝色第三像素pb3可以在向右方向(例如，第一方向或 x方向)上具有倾斜，并且红色第四像素pr4可以被中立地布置。因此，可以看出，布置在第一行r1中的像素的倾斜偏差趋近于零。
199.此外，像素单元pu的第二行r2可以包括在第一方向(例如， x方向)上连续地布置的绿色第一像素pg1、绿色第二像素pg2、绿色第三像素pg3以及绿色第4-1像素pg4-1和绿色第4-2像素pg4-2。关于上述像素，相对于图11的光源l，绿色第一像素pg1可以在向右方向上具有倾斜，绿色第二像素pg2可以是中立的，绿色第三像素pg3和绿色第4-1像素pg4-1可以在向左方向上具有倾斜，并且绿色第4-2像素pg4-2可以在向右方向上具有倾斜。因此，可以看出，布置在第二行r2中的像素的倾斜偏差趋近于零。
200.像素单元pu的第三行r3可以包括在第一方向(例如， x方向)上连续地布置的蓝色第一像素pb1、红色第二像素pr2、蓝色第二像素pb2、红色第三像素pr3和蓝色第四像素pb4。关于上述像素，相对于图11的光源l，蓝色第一像素pb1和红色第二像素pr2可以在向左方向上具有倾斜，蓝色第二像素pb2和红色第三像素pr3可以在向右方向上具有倾斜，并且蓝色第四像素pb4可以被中立地布置。因此，可以看出，布置在第三行r3中的像素的倾斜偏差趋近于零。
201.此外，像素单元pu的第四行r4的像素可以具有与上述第二行r2的像素的倾斜偏差相同的倾斜偏差。
202.虽然已经基于第一行r1至第四行r4进行了以上描述，但是下面的行可以与被重复地布置的上述行相同。
203.这样，通过在像素单元pu中将在向左方向上具有倾斜的像素的数量和在向右方向上具有倾斜的像素的数量匹配，像素之间的倾斜偏差可以趋近于零，以有效地最小化显示区da中的颜色偏差的出现。
204.参考图12b和图13，像素单元pu可以从参考角度旋转45
°
。旋转45
°
的像素单元pu仍然可以指示相对于图11的光源l向左或向右倾斜的趋势。在图12b中，在像素单元pu中，可以提供在向右方向上具有倾斜的五个红色像素pr以及在向左方向上具有倾斜的五个红色像素pr，可以提供在向右方向上具有倾斜的五个蓝色像素pb以及在向左方向上具有倾斜的五个蓝色像素pb，并且可以提供在向右方向上具有倾斜的十个绿色像素pg以及在向左方向上具有倾斜的十个绿色像素pg。因此，可以看出，像素单元pu中的像素的倾斜偏差趋近于零。
205.参考图12c和图13，像素单元pu可以从参考角度旋转90
°
。在图12c中，像素单元pu的第一行r1可以包括在第一方向(例如， x方向)上连续地布置的蓝色第一像素pb1、红色第二像素pr2、蓝色第二像素pb2、红色第三像素pr3、蓝色第四像素pb4和红色第四像素pr4。关于上述像素，相对于图11的光源l，红色第二像素pr2和蓝色第四像素pb4可以在向左方向上具有倾斜，蓝色第二像素pb2和红色第四像素pr4可以在向右方向上具有倾斜，并且蓝色第一像素pb1和红色第三像素pr3可以被中立地布置。因此，布置在第一行r1中的像素的倾斜偏差可以趋近于零。
206.此外，像素单元pu的第二行r2可以包括在第一方向(例如， x方向)上连续地布置的绿色第1-1像素pg1-1和绿色第1-2像素pg1-2、绿色第二像素pg2、绿色第3-1像素pg3-1和绿色第3-2像素pg3-2以及绿色第四像素pg4。关于上述像素，相对于图11的光源l，在向右方向上具有倾斜的像素的数量和在向左方向上具有倾斜的像素的数量可以彼此相等。因此，布置在第二行r2中的像素的倾斜偏差可以趋近于零。
207.这种布置结构也可以类似地应用于像素单元pu的第三行r3和第四行r4。
208.参考图12d和图13，像素单元pu可以从参考角度旋转135
°
。旋转135
°
的像素单元pu仍然可以指示相对于图11的光源l向左或向右倾斜的趋势。在图12d中，在像素单元pu中，可以提供在向右方向上具有倾斜的五个红色像素pr以及在向左方向上具有倾斜的五个红色像素pr，可以提供在向右方向上具有倾斜的五个蓝色像素pb以及在向左方向上具有倾斜的五个蓝色像素pb，并且可以提供在向右方向上具有倾斜的十个绿色像素pg以及在向左方向上具有倾斜的十个绿色像素pg。因此，可以看出，像素单元pu中的像素的倾斜偏差趋近于零。
209.参考图12e和图13，像素单元pu可以从参考角度旋转180
°
。在图12e中，像素单元pu的第一行r1可以包括在第一方向(例如， x方向)上连续地布置的绿色第1-1像素pg1-1和绿色第1-2像素pg1-2、绿色第二像素pg2、绿色第三像素pg3以及绿色第四像素pg4。关于上述像素，相对于图11的光源l，在向右方向上具有倾斜的像素的数量和在向左方向上具有倾斜的像素的数量可以彼此相等。因此，布置在第一行r1中的像素的倾斜偏差可以趋近于零。
210.这种配置也可以类似地应用于像素单元pu的第二行r2、第三行r3和第四行r4。
211.如上所述，根据本发明的原理和示例性实施例构造的显示装置1即使在高分辨率下也可以显示高质量的图像，因为它在所有角度下都具有基本上相同的倾斜偏差，并且因此防止或者至少减少特定角度下的颜色偏差和/或反射色差。
212.图14a和图14b是显示装置的其它示例性实施例的图。图14a示出了显示区被折叠，并且图14b示出了显示区被卷曲。
213.因为显示装置1对于外部冲击是坚固的，所以显示区da可以是可折叠的或可卷曲的，如图14a和图14b中所示。即，由于无机绝缘层il具有开口或凹槽gr，因此填充开口或凹
槽gr的由有机材料形成的层间绝缘层115或者有机材料层ol可以吸收由弯曲引起的拉伸应力。图14a和图14b示出了其中显示区da朝向外表面而被折叠或卷曲的结构；然而，在其它示例性实施例中，显示区da可以朝向内表面而被折叠或卷曲，使得显示区da的一部分和另一部分可以彼此面对。
214.图15是显示装置的另一示例性实施例的平面图。
215.因为显示装置对于外部冲击是坚固的，所以它也可以用作具有如图15中所示的可对半折叠的结构的显示装置1'。显示装置1'可以类似于上述图1的显示装置1，但是可以在第一方向(例如， x方向)上进一步延伸。当用户使用图15的显示装置1'时，显示装置1'可以沿着与显示装置1'的短边和第二方向(例如， y方向)平行的短轴在弯曲区ba上折叠。
216.虽然上面已经仅主要描述了显示装置，但是示例性实施例不限于此。例如，制造显示装置的方法也将在本发明的范围内。
217.如上所述，根据所示的实施例，可以实施具有提高的柔性和提高的外部可见性的显示装置。然而，示例性实施例不限于这些效果。
218.尽管在本文中已经描述了特定示例性实施例和实施方式，但是根据该描述，其它实施例和修改将是显而易见的。因此，本发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求以及对本领域普通技术人员将是显而易见的各种明显修改和等效布置的更宽范围。