半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区域和环绕所述第一区域的第二区域，所述第一区域的所述基底中具有导通孔；在所述导通孔的底面和侧壁，以及所述基底的顶面形成第一金属层；形成所述第一金属层后，形成覆盖所述第二区域且露出所述第一区域的刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层之间的所述第一金属层上形成第二金属层；去除所述刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层之间且高于所述第一金属层的所述第二金属层。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：去除所述刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层之间且高于所述第一金属层的所述第二金属层后，对所述第一金属层和第二金属层进行平坦化处理。3.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料包括无定形硅、氮化硅、硅酸乙酯、氮氧化硅、氮碳化硅和氧化硅中的一种或多种。4.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述刻蚀停止层的步骤中，所述刻蚀停止层的厚度为10纳米至12纳米。5.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述刻蚀停止层的步骤包括：形成覆盖所述导通孔和基底的刻蚀停止材料层；形成所述刻蚀停止材料层后，形成覆盖所述第二区域且露出所述第一区域的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述刻蚀停止材料层，剩余的所述刻蚀停止材料层作为所述刻蚀停止层；所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述刻蚀停止层后，去除所述掩膜层。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述掩膜层为掩膜采用干法刻蚀工艺刻蚀所述刻蚀停止材料层，形成所述刻蚀停止层。7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述刻蚀停止材料层。8.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一金属层的步骤中，所述第一金属层的厚度为8纳米至12纳米。9.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺或电镀工艺形成所述第一金属层。10.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层之间且高于所述第一金属层的第二金属层的过程中，所述刻蚀停止层与所述第二金属层的刻蚀选择比为0.7至1.2。11.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺去除所述刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层之间且高于所述第一金属层的第二金属层。12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层之间且高于所述第一金属层的第二金属层的工艺参数包括：工艺时间为8秒至12秒；研磨溶液为碱性，氧化剂的体积百分比为0.5％至2％。13.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一金属层和第
二金属层进行平坦化处理的步骤中，所述第一金属层的顶面与第二金属层的顶面的高度差为小于3纳米。14.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一金属层和第二金属层进行平坦化处理的工艺参数包括：研磨溶液为酸性，氧化剂的体积百分比为0.5％至3％，工艺时间小于5秒。15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述刻蚀停止层之间的所述第一金属层上形成第二金属层的步骤包括：在所述刻蚀停止层和所述刻蚀停止层露出的所述第一金属层上形成金属材料膜；以所述刻蚀停止层的顶部为去除停止位置，去除高于所述刻蚀停止层的所述金属材料膜，剩余的所述金属材料膜作为第二金属层。16.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺去除高于所述刻蚀停止层的所述金属材料膜。17.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括第一区域和环绕所述第一区域的第二区域，所述第一区域的所述基底中具有导通孔；第一金属层，位于所述基底表面和所述导通孔的底面和侧壁；第二金属层，位于所述第一区域的所述第一金属层上，且所述第二金属层的顶面高于所述第一金属层的顶面；刻蚀停止层，位于所述第二金属层侧部的所述第一金属层上。18.如权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料包括无定形硅、氮化硅、硅酸乙酯、氮氧化硅、氮碳化硅和氧化硅中的一种或多种。19.如权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，所述刻蚀停止层的厚度为10纳米至12纳米。20.如权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属层的厚度为8纳米至12纳米。

技术总结
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一区域和环绕第一区域的第二区域，第一区域的基底中具有导通孔；在导通孔的底面和侧壁，以及基底的顶面形成第一金属层；形成第一金属层后，形成覆盖第二区域且露出第一区域的刻蚀停止层；在刻蚀停止层之间的第一金属层上形成第二金属层；去除刻蚀停止层和位于刻蚀停止层之间的第二金属层。本发明实施例中，刻蚀停止层能够保护基底上的第一金属层不易受损伤，且在去除刻蚀停止层之间的第二金属层的同时，使得第一金属层之间的第二金属层不易被刻蚀，也就是说刻蚀停止层能够精确控制第一金属层和第二金属层的厚度。精确控制第一金属层和第二金属层的厚度。精确控制第一金属层和第二金属层的厚度。


技术研发人员：李德涛
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2020.08.21
技术公布日：2022/2/23