温度测量装置、热处理装置和温度测量方法与流程

1.本发明涉及温度测量装置、热处理装置和温度测量方法。


背景技术：

2.专利文献1包括：对基片进行规定的处理的处理部；收纳部，其收纳搭载有温度传感器和存储由该温度传感器测量出的测温数据的存储部的测温用基片，并且收集该测温用基片的存储部中存储的测温数据；在收纳部与处理部之间进行基片的运送的运送机构；和温度控制机构，其基于从经由处理部运送到收纳部的测温用基片收集到的测温数据，控制与规定的处理有关的温度调节机构以使得规定的处理的温度状态成为预先设定的温度状态。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2007-157896号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的技术问题
7.本发明的技术提供能够模拟地测量用高温的热板加热时的基片的温度的温度测量装置、基片处理装置和温度测量方法。
8.用于解决技术问题的技术方案
9.本发明的一个方式为一种温度测量装置，其包括：测量用基片，其搭载有测量温度的传感器；获取上述传感器的检测结果的信息处理部；和将上述传感器与上述信息处理部连接的电缆，上述信息处理部构成为，可拆装地安装在与设置有热板的加热区域隔着冷却区域相对的被安装部，上述电缆构成为，在上述被安装部安装有上述信息处理部的状态下通过使载置有上述测量用基片的冷却板从上述冷却区域移动到上述加热区域来将上述测量用基片载置在上述热板时，能够跟随上述测量用基片的移动。
10.发明效果
11.依照本发明，能够提供可模拟地测量用高温的热板加热时的基片的温度的温度测量装置、基片处理装置和温度测量方法。
附图说明
12.图1是表示设有对晶片进行热处理的热处理装置的晶片处理系统的概要内部结构的说明图。
13.图2是示意地表示晶片处理系统的正面侧的概要内部结构的图。
14.图3是示意地表示晶片处理系统的背面侧的概要内部结构的图。
15.图4是示意地表示热处理装置的概要结构的纵截面图。
16.图5是示意地表示热处理装置的概要结构的横截面图。
17.图6是表示温度测量装置的一例的概要的侧视图。
18.图7是表示温度测量装置的一例的概要的俯视图。
19.图8是表示温度测量方法的一部分步骤中的、温度测量装置的状态的图。
20.图9是表示温度测量方法的一部分步骤中的、温度测量装置的状态的图。
21.图10是表示温度测量方法的一部分步骤中的、温度测量装置的状态的图。
22.图11是表示温度测量装置的另一例的概要的侧视图。
23.图12是表示温度测量装置的另一例的概要的俯视图。
24.图13用于说明图11和图12的例子的温度测量装置的效果的图。
25.图14用于说明图11和图12的例子的温度测量装置的效果的图。
26.图15用于说明图11和图12的例子的温度测量装置的效果的图。
27.图16用于说明图11和图12的例子的温度测量装置的效果的图。
28.附图标记说明
29.40
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热处理装置
30.122
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加热区域
31.123
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冷却区域
32.132
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热板
33.160
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冷却板
34.200、300
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温度测量装置
35.201
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测量用晶片
36.202
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信息处理部
37.204
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电缆
38.211
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温度传感器
39.f
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分隔壁
40.w
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晶片。
具体实施方式
41.在半导体器件等的制造工艺中，为了在半导体晶片(以下，称为“晶片”)上形成抗蚀剂图案而进行规定的处理。上述规定的处理，例如是对晶片上供给抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、对抗蚀剂膜进行曝光的曝光处理、在曝光后进行加热以促进抗蚀剂膜内的化学反应的peb(post exposure bake：后烘烤)处理、对已曝光的抗蚀剂膜进行显影的显影处理等。
42.上述的peb处理等热处理通常由具有能够载置晶片并加热该晶片的热板的热处理装置进行。进行该热处理装置的热处理，例如使得晶片的温度在面内变得均匀。这是为了使抗蚀剂图案的尺寸在面内均匀。
43.如上所述，以通过热处理装置的热处理将晶片的面内均匀地加热等为目的，一直以来，事先模拟地测量用热板加热时的晶片的温度，基于该结果，对热板的加热量进行修正。
44.作为模拟地测量用热板加热时的晶片的温度的技术，例如有使用搭载有多个温度传感器和存储器的温度测量用晶片的技术(参照专利文献1)。在该技术中，与通常的晶片同
样地用热板对温度测量用晶片进行加热，用各温度传感器测量该温度，作为测温数据存储在存储器中。
45.然而，有时将热板加热至例如250℃以上的高温，用该热板对晶片进行加热。在该情况下，当使用如专利文献1公开的温度测量用晶片时，由于存储器暴露在高温环境下而可能会发生故障。当发生故障时无法利用存储于存储器的测温数据，因此，当然也无法测量温度。
46.所以，本发明的技术提供能够模拟地测量用高温的热板加热时的基片的温度的温度测量装置、基片处理装置和温度测量方法。
47.以下，参照附图，对本实施方式的温度测量装置、热处理装置和温度测量方法进行说明。此外，在本说明书中，对实质上具有相同的功能构成的要素，标注相同的附图标记从而省略重复说明。
48.《晶片处理系统》
49.图1是表示设有对晶片进行热处理的热处理装置的晶片处理系统1的概要内部结构的说明图。图2和图3分别是示意地表示晶片处理系统1的正面侧和背面侧的概要内部结构的图。此外，在以下的例子中，晶片处理系统1是对晶片w进行涂敷显影处理的涂敷显影处理系统。
50.如图1所示，基片处理系统1包括：供收纳有多个晶片w的盒c送入送出的盒站10；和处理站11，其具有对晶片w实施规定的处理的多个各种处理装置。而且，晶片处理系统1具有将盒站10、处理站11、与处理站11相邻的在处理站11与曝光装置12之间进行晶片w的交接的接口站13连接为一体的结构。
51.在盒站10设置有盒载置台20。在盒载置台20设置有盒载置板21，该盒载置板21在相对于基片处理系统1的外部送入送出盒c时，载置盒c。
52.在盒站10设置有在沿x方向延伸的运送路径22上可移动的晶片运送装置23。晶片运送装置23能够在上下方向上移动并且绕铅垂轴(θ方向)移动，能够在各载置板21上的盒c与后述的处理站11的第3区块g3的交接装置之间运送晶片w。
53.在处理站11设置有具有各种装置的多个例如4个区块g1、g2、g3、g4。例如在处理站11的正面侧(图1的x方向负方向侧)设置有第1区块g1，在处理站11的背面侧(图1的x方向正方向侧)设置有第2区块g2。此外，在处理站11的盒站10侧(图1的y方向负方向侧)设置有第3区块g3，在处理站11的接口站13侧(图1的y方向正方向侧)设置有第4区块g4。
54.在第1区块g1，如图2所示从下起依次配置多个液处理装置，例如显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33。显影处理装置30是对晶片w进行显影处理的装置，下部防反射膜形成装置31是在晶片w的抗蚀剂膜的下层形成防反射膜(以下称为“下部防反射膜”)的装置。抗蚀剂涂敷装置32是在晶片w涂敷抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的装置，上部防反射膜形成装置33是在晶片w的抗蚀剂膜的上层形成防反射膜(以下称为“上部防反射膜”)的装置。
55.例如显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33各自在水平方向并排配置三个。此外，上述显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33的数量和配置能够任意选择。
56.在上述显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反
射膜形成装置33中，例如通过旋涂法对晶片w上供给规定的处理液。在旋涂法中，例如从释放喷嘴向晶片w上释放处理液，并且使晶片w旋转，使处理液在晶片w的表面扩散。
57.在第2区块g2，如图3所示设置有进行晶片w的加热、冷却之类的热处理的热处理装置40、用于提高抗蚀剂液与晶片w的附着性的附着装置41、对晶片w的外周部进行曝光的周边曝光装置42。上述热处理装置40、附着装置41、周边曝光装置42在上下方向和水平方向并排地设置，其数量和配置能够任意选择。
58.例如在第3区块g3，从下起依次设置有多个交接装置50、51、52、53、54、55。此外，在第4区块g4，从下起依次设置有多个交接装置60、61、62。
59.如图1所示，在第1区块g1～第4区块g4所包围的区域中，形成有作为基片运送区域的晶片运送区域d。在晶片运送区域d，例如配置有作为基片运送装置的晶片运送装置70。
60.晶片运送装置70具有例如在y方向、x方向、θ方向和上下方向上可移动的运送臂70a。晶片运送装置70能够在晶片运送区域d内移动，将晶片w运送到周围的第1区块g1、第2区块g2、第3区块g3和第4区块g4内的规定的装置。晶片运送装置70例如如图3所示，上下地配置有多个，能够将晶片w运送到例如高度与各区块g1～g4相同程度的规定装置。
61.另外，在晶片运送区域d中设置有在第3区块g3与第4区块g4之间直线地运送晶片w的往复运送装置80。
62.往复运送装置80能够在例如图3的y方向上直线地移动。往复运送装置80能够在支承着晶片w的状态下在y方向上移动，在第3区块g3的交接装置52与第4区块g4的交接装置62之间运送晶片w。
63.如图1所示，在第3区块g3的x方向正方向侧的附近设置有晶片运送装置90。晶片运送装置90具有例如在x方向、θ方向和上下方向上可移动的运送臂90a。晶片运送装置90能够在支承着晶片w的状态下上下地移动，以将晶片w运送到第3区块g3内的各交接装置。
64.在接口站13设置有晶片运送装置100和交接装置101。晶片运送装置100具有例如在y方向、θ方向和上下方向上可移动的运送臂。晶片运送装置100例如能够在运送臂100a支承晶片w，在第4区块g4内的各交接装置、交接装置101与曝光装置12之间运送晶片w。
65.以上的晶片处理系统1中，如图1所示设置有控制装置u。控制装置u例如由具有cpu、存储器等的计算机构成，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部保存有控制晶片处理系统1中的晶片处理的程序、基于后述的测量用晶片的温度的测量结果自动调整后述加热器对后述热板的加热量的程序。此外，上述程序也可以存储于计算机可读取的存储介质，从该存储介质安装到控制装置u。程序的一部分或者全部可以由专用硬件(电路板)实现。
66.《热处理装置》
67.下面，对热处理装置40的结构进行说明。图4是示意地表示热处理装置40的概要结构的纵截面图。图5是示意地表示热处理装置40的概要结构的横截面图。
68.热处理装置40如图4和图5所示，具有能够封闭内部的壳体120。在壳体120的晶片运送区域d侧(x方向负侧)的侧面设置有晶片w的送入送出口121。送入送出口121被设置成与形成于作为支承部件的分隔壁f的开口f1相对。分隔壁f包围晶片运送区域d，并且支承热处理装置40、附着装置41等。此外，在送入送出口121设置有开闭件(未图示)。
69.另外，热处理装置40在壳体120内具有对晶片w进行加热处理的加热区域122和对晶片w进行冷却处理的冷却区域123。加热区域122设置在与晶片运送区域d侧相反的一侧(x
方向正侧)，冷却区域123与加热区域122相邻，设置在晶片运送区域d侧(x方向负侧)。
70.在加热区域122，如图4所示，上下可移动的盖体130设置在上侧，与盖体130一起形成处理室s的热板收纳部131设置在下侧。
71.盖体130具有下表面开口的筒形形状，覆盖载置于后述的热板132上的晶片w的上表面。在盖体130的上表面中央部设置有排气部130a。处理室s内的气氛从排气部130a被排气。
72.在热板收纳部131的中央载置晶片w，并设置有对该载置的晶片w进行加热的热板132。热板132具有有一定厚度的圆盘形状，加热器140设置在其内部。加热器140对热板132进行加热，具体而言，对热板132的上表面即晶片w的搭载面进行加热。作为加热器140，例如能够使用电阻加热器。此外，例如，加热器140设置在将热板132的上表面分割成的多个区域中的每个区域，能够按每个区域调整加热器140的加热量，将各区域调整为规定的设定温度。
73.在热板收纳部131设置有在厚度方向上贯通热板132的升降销141。升降销141通过气缸等升降驱动部142而可升降，能够在热板132的上表面伸出而与后述的冷却板160之间进行晶片w的交接。
74.热板收纳部131例如如图4所示，包括：收纳热板132并保持热板132的外周部的环状的保持部件150；和包围该保持部件150的外周的筒状的支承环151。
75.在冷却区域123设置有载置晶片w，并对该载置的晶片w进行冷却的冷却板160。冷却板160例如具有俯视时呈大致方形的平板形状，加热区域122侧(x方向正侧)的端面呈圆弧状弯曲。在冷却板160的内部形成有例如供冷却水等致冷剂流动的致冷剂流路等的冷却机构，能够将冷却板160调节至规定的设定温度。
76.冷却板160例如如图4所示被支承在支承臂161，该支承臂161安装于向加热区域122侧的x方向延伸的轨道162。冷却板160能够借助于安装在支承臂161的驱动机构163来在轨道162上移动。由此，冷却板160能够移动至加热区域122侧的热板132的上方。
77.在冷却板160例如形成有沿冷却板160的移动方向(图5的x方向)的2个隙缝164。隙缝164从冷却板160的加热区域122侧的端面形成至冷却板160的中央部附近。利用该隙缝164，能够防止移动到加热区域122侧的冷却板160与热板132上的升降销141的干扰。如图4所示，在冷却区域123中的冷却板160的下方，设置有升降销165。升降销165能够借助于升降驱动部166来升降。升降销165从冷却板160的下方上升而通过隙缝164，伸出到冷却板160的上方，例如与从送入送出口121进入壳体120的内部的晶片运送装置70之间进行晶片w的交接。
78.另外，在冷却板160的上表面设置有多个使晶片w的背面与冷却板160的上表面隔开间隔地支承该晶片w的支承销167。支承销167形成为杆状，以向上方延伸的方式设置。支承销167的高度例如为2mm。
79.《晶片处理》
80.下面，说明使用晶片处理系统1进行的晶片处理。
81.首先，将收纳有多个晶片w的盒c载置在盒站10的规定的盒载置板21。之后，利用晶片运送装置23依次取出盒c内的各晶片w，并将其运送到处理站11的第3区块g3的例如交接装置52。
82.接着，晶片w由晶片运送装置70送入例如第1区块g1的下部防反射膜形成装置31，在晶片w上形成下部防反射膜。之后，晶片w由晶片运送装置70运送到第2区块g2的热处理装置40，进行加热处理。
83.被运送到热处理装置40的晶片w，首先被载置在冷却板160上。接着，将冷却板160移动到热板132的上方。接着，升降销141上升，将冷却板160上的晶片w交接到升降销141。之后，冷却板160从热板132的上方避让，升降销141下降，将晶片w交接到热板132上。然后，盖体130下降而形成处理室s，开始晶片w的加热处理。
84.当将晶片w的加热处理进行了规定时间后，盖体130上升，并且升降销141上升而晶片w向热板132的上方移动。此外，冷却板160移动至热板132上。然后，升降销141下降，将晶片w交接到冷却板160。之后，将冷却板160移动到冷却区域123。被交接到冷却板160的晶片w例如在冷却区域123中被冷却至室温后，从热处理装置40被送出。
85.热处理装置40中的热处理结束了的晶片w，由晶片运送装置70运送到抗蚀剂涂敷装置32，在晶片w上形成抗蚀剂膜。之后，晶片w由晶片运送装置70运送到热处理装置40进行预烘烤处理。此外，在预烘烤处理中也进行与下部防反射膜形成后的热处理同样的处理，此外，在后述的防反射膜形成后的热处理、peb处理、后烘烤处理中也进行同样的处理。但是，提供各热处理的热处理装置40彼此不同。
86.接着，晶片w由晶片运送装置70运送到上部防反射膜形成装置33，在晶片w上形成上部防反射膜。之后，晶片w被运送到热处理装置40来进行加热处理。之后，晶片w由晶片运送装置70运送到周边曝光装置42，进行周边曝光处理。
87.接着，晶片w由晶片运送装置70运送到交接装置52，由往复运送装置80运送到第4区块g4的交接装置62。之后，晶片w由接口站13的晶片运送装置100运送到曝光装置12，以规定的图案进行曝光处理。接着，晶片w由晶片运送装置100运送到第4区块g4的交接装置60。之后，晶片w由晶片运送装置70运送到热处理装置40，进行peb处理。
88.接着，晶片w由晶片运送装置70运送到显影处理装置30，进行显影处理。在显影处理后，晶片w由晶片运送装置70运送到热处理装置40，进行后烘烤处理。
89.接着，晶片w由晶片运送装置70运送到第3区块g3的交接装置50。之后，晶片w由盒站10的晶片运送装置23运送到规定的盒载置板21的盒c，一连串的光刻步骤结束。然后，对同一盒c内的后续的晶片w也实施该一连串的光刻步骤。
90.《温度测量装置》
91.下面，说明用于模拟地测量热处理装置40的热板132上的温度的温度测量装置的一例。图6是表示温度测量装置的一例的概要的侧视图，表示安装于热处理装置40的状态，对于热处理装置40用纵截面仅表示与温度测量有关的主要部分。图7是表示温度测量装置的一例的概要的俯视图。
92.如图6和图7所示，温度测量装置200包括作为测量用基片的测量用晶片201、信息处理部202、安装部件203和电缆204。
93.测量用晶片201具有由与晶片w相同的材质形成为与晶片w相同形状的主体210。在测量用晶片201的上表面(具体而言，主体210的上表面)搭载有多个温度传感器211。温度传感器211在图7的例子中搭载5个，1个搭载于测量用晶片201的中心，其他4个等间隔地搭载于以测量用晶片201的中心为中心的同一圆周上。温度传感器211例如能够使用热电偶。此
外，温度传感器211的搭载数量可以为一个。
94.测量用晶片201载置在位于冷却区域123的冷却板160，与通常的晶片w同样地，由冷却板160运送到加热区域122，从冷却板160被交接并载置到热板132。
95.信息处理部202至少进行温度传感器211的检测结果的获取。信息处理部202具有外形为长方体形状的壳体220。在壳体220的内部，虽然图示省略，但是设置有例如对温度传感器211的检测结果进行a/d转换的a/d转换器、进行a/d转换后的上述检测结果的校正等的处理器、存储校正后的温度传感器211的检测结果和上述校正中使用的校正值表等的存储器、与控制装置u之间进行通信并进行上述检测结果的发送等的通信单元。此外，上述通信单元的与控制装置u之间的通信可以通过有线进行，也可以通过无线进行。此外，在壳体220的内部还设置有安装上述的a/d转换器、处理器、存储器和通信单元的配线基板(未图示)等。
96.安装部件203是用于将信息处理部202可拆装地安装在分隔壁f的部件，其中，分隔壁f是与加热区域122隔着冷却区域123相对的被安装部。安装部件203具有钩部230和固定部231。
97.钩部230与分隔壁f的下缘卡合。钩部230被设置成从固定部231的上端向热处理装置40侧延伸。固定部231形成为沿分隔壁f延伸的平板状，在与分隔壁f相反的一侧的面固定信息处理部202。
98.通过钩部230与分隔壁f的开口f1的下缘的卡合，信息处理部202经由安装部件203安装在分隔壁f。此外，通过将钩部230与分隔壁f的开口f1的下缘的卡合解除，能够将信息处理部202从分隔壁f卸下。
99.电缆204将测量用晶片201的温度传感器211和信息处理部202电连接，将温度传感器211的检测结果发送到信息处理部202。电缆204包括多个包线240和扁平电缆241。
100.包线240通过用具有绝缘性和耐热性的材料(例如陶瓷)覆盖由镍等金属材料形成的金属丝而得到。各个包线240的一端与对应的温度传感器211连接，另一端与扁平电缆241的一端连接。包线240中的、位于测量用晶片201的上方的部分，例如由耐热性的接合剂固定在该测量用晶片201的主体210的上表面。
101.扁平电缆241例如由以聚酰亚胺为基材的柔性电路(fpc)板构成，在内部具有多个配线图案(未图示)。扁平电缆241的一端与包线240的另一端连接，扁平电缆241的另一端与信息处理部202连接。具体而言，扁平电缆241的上述各配线图案的一端与对应的包线240的另一端连接，上述各配线图案的另一端与信息处理部202连接。
102.电缆204构成为，在分隔壁f安装有信息处理部202的状态下测量用晶片201移动时，能够跟随它的移动。具体而言，电缆204构成为，在分隔壁f安装有信息处理部202的状态下使载置有测量用晶片201的冷却板160从冷却区域123移动到加热区域122后而将测量用晶片201载置在热板132时，能够跟随测量用晶片201的移动。更具体而言，电缆204具有在分隔壁f安装有信息处理部202的状态下能够跟随上述测量用晶片201的移动的程度的、长度和可挠性。
103.另外，电缆204至少在测量用晶片201载置于热板132的状态下位于加热区域122的部分由包线240构成。
104.《温度测量方法》
105.下面，使用图8～图10，说明使用上述的温度测量装置200的温度测量方法。图8～图10表示温度测量方法的一部分步骤中的、温度测量装置200的状态的图。
106.(1.动线确保)
107.首先，与进行温度测量的热处理装置40(以下称为“作为对象的热处理装置40”。)的位置相配合地，操作者进行动线的确保。
108.例如，在作为对象的热处理装置40位于盒站10侧的情况下，由操作者将第3区块g3的交接装置50～55的一部分或者全部卸下，并且利用控制装置u将晶片运送装置70的运送臂70a移动到接口站13侧。由此，操作者能够从盒站10进入晶片运送区域d内，移动到作为对象的热处理装置40前。
109.此外，在作为对象的热处理装置40位于接口站13侧的情况下，由操作者将第4区块g4的交接装置60～62的一部分或者全部卸下，并且利用控制装置u将晶片运送装置70的运送臂70a移动到盒站10侧。由此，操作者能够从接口站13进入晶片运送区域d内，移动到作为对象的热处理装置40前。
110.(2.热板的加热)
111.在动线确保中或者在动线确保前，开始热板132的加热。而且，将热板132加热至250℃以上的较高的设定温度，成为能够进行晶片w的加热处理的状态。此外，也可以在动线确保后开始热板132的加热。
112.(3.信息处理部202的安装)
113.然后，由进入晶片运送区域d的操作员，将温度测量装置200的信息处理部202安装在分隔壁f。具体而言，由进入晶片运送区域d的操作员，在与作为对象的热处理装置40对应的、分隔壁f的开口f1的下缘，钩挂安装部件203的钩部230，通过钩部230与分隔壁f的开口f1的下缘的卡合，经由安装部件203，将信息处理部202安装在分隔壁f。信息处理部202以位于晶片运送区域d的方式安装。
114.(4.测量用晶片201的载置)
115.接着，由操作员在位于冷却区域123的冷却板160载置测量用晶片201。具体而言，由操作员将测量用晶片201经由支承销167，以规定的朝向载置在位于冷却区域123的冷却板160的规定位置。此外，也可以在将测量用晶片201载置在冷却板160后，进行信息处理部202的安装。在安装信息处理部202和载置测量用晶片201后，操作员从晶片处理系统1退出。
116.(5.对热板132的交接)
117.接着，测量用晶片201由冷却板160移动即运送到加热区域122，并被交接到热板132。具体而言，首先，载置有测量用晶片201的冷却板160如图8所示从冷却区域123移动到加热区域122。进行该移动，直至冷却板160移动到热板132的上方。接着，如图9所示，升降销141上升，由此，冷却板160上的测量用晶片201被交接到升降销141而上升，之后，使冷却板160从加热区域122避让到冷却区域123。伴随于此，如图10所示，升降销141下降，将测量用晶片201载置在热板132。
118.(6.温度检测)
119.然后，利用温度传感器211进行温度检测。具体而言，首先，盖体130下降而形成处理室s，开始晶片w的加热处理。从加热处理开始之后经过规定的时间，测量用晶片201的温度稳定时，开始由温度传感器211进行温度检测。在开始温度检测时，利用各温度传感器211
检测测量用晶片201(的主体210)的搭载有该温度传感器211的部分的温度。检测结果经由电缆204发送到信息处理部202，该信息处理部202安装于与加热区域122隔着冷却区域123相对的分隔壁f。此外，检测结果从信息处理部202发送到控制装置u。控制装置u根据上述检测结果，计算即测量测量用晶片201的搭载有温度传感器211的部分的温度。此外，利用控制装置u，基于测量用晶片201的温度的测量结果，自动调整加热器140对热板132的加热量。在该修正后，再次与上述同样地进行温度检测和温度测量，反复进行加热器140对热板132的加热量的自动调整、温度检测和温度测量，直至得到所希望的温度测量结果。当得到所希望的温度测量结果时，温度检测结束。
120.(7.对位于加热区域122的冷却板160的交接)
121.当温度检测结束后，将测量用晶片201送回冷却板160。具体而言，再使冷却板160移动到加热区域122，并且将测量用晶片201载置在位于加热区域122的冷却板160。更具体而言，首先，升降销141上升，热板132上的测量用晶片201被交接到升降销141而上升。之后，使冷却板160移动到加热区域122，并将其插入测量用晶片201与热板132之间。然后，升降销141下降，将测量用晶片201载置在冷却板160。
122.(8.测量用晶片201的冷却)
123.接着，利用冷却板160对测量用晶片201进行冷却。具体而言，使载置有测量用晶片201的冷却板160移动到冷却区域123，在冷却区域123内，利用冷却板160对测量用晶片201进行冷却。测量用晶片201例如被冷却至室温。
124.(9.卸下)
125.在冷却后，由进入晶片运送区域d的操作员，将测量用晶片201从冷却板160除去，并且将信息处理部202与安装部件203一起从分隔壁f卸下。
126.以上的各步骤在每个热处理装置40中依次进行。此外，也可以准备多个温度测量装置200，多个并行地进行热处理装置40中的温度测量。
127.在本实施方式的温度测量方法中，如上述那样使用温度测量装置200。该温度测量装置200具有将搭载于测量用晶片201的温度传感器211和获取该温度传感器211的检测结果的信息处理部202连接的电缆204。而且，电缆204构成为，在分隔壁f可拆装地安装有信息处理部202的状态下使载置有测量用晶片201的冷却板160从冷却区域123移动到加热区域122后而将测量用晶片201载置在热板132时，能够跟随测量用晶片201的移动。
128.通过使用这样的温度测量装置200，能够将信息处理部202安装在分隔壁f，基于搭载在测量用晶片201的温度传感器211的检测结果，来测量由热板132加热了的测量用晶片201的温度。信息处理部202内置有在高温环境下可能发生故障或破损的部件(例如，前述的壳体220内的a/d转换器、处理器、存储器、通信单元、配线基片)，但是安装信息处理部202的分隔壁f与加热区域122隔着冷却区域123相对而与加热区域122隔开间隔，因此即使在热板132为高温的情况下，上述部件也不会发生故障或者破损。
129.所以，即使在热板132为高温的情况下，也能够测量由热板132加热了的测量用晶片201的温度。因此，无论热板132为高温还是为低温，都能够模拟地测量由热板132加热时的晶片w的温度。
130.作为本发明的温度测量方法以外的温度测量方法，操作者考虑打开晶片处理系统1的背面侧的面板，将与测量用晶片201同样的测量用晶片直接载置在热板132进行温度测
量，在测量后，操作者将测量用晶片从热板132直接除去的方法(以下，称为“代替方法”。)。在该代替方法中，在向热板132载置测量用晶片时，若热板132被加热至设定温度，则操作者无法安全地操作。因此，例如在向热板132载置测量用晶片时使热板132为室温，在载置后，进行使热板132从室温至设定温度的升温。该升温需要较长时间，因此，在上述代替方法中无法在短时间内安全地进行温度测量。
131.对此，在本实施方式的温度测量方法中，操作者将测量用晶片201载置在位于冷却区域123的冷却板160，经由该冷却板160向热板132载置测量用晶片201。因此，在将测量用晶片201载置在热板132前，能够将热板132加热至设定温度。所以，依照本实施方式，不需要上述代替方法中所需的、载置测量用晶片201后的热板132的升温，因此，能够在短时间内安全地进行温度测量。
132.另外，在上述代替方法中，在除去测量用晶片时，若热板132和测量用晶片被加热至设定温度，则操作者无法安全地操作。因此，例如在温度测量后，使热板132和测量用晶片降温至室温之后，将测量用晶片从热板132除去。由于该降温需要较长时间，因此在该观点下，利用上述代替方法无法在短时间内安全地进行温度测量。
133.对此，在本实施方式的温度测量方法中，在利用冷却板160对测量用晶片201进行了冷却后，由操作者从位于冷却区域123的冷却板160除去测量用晶片201。因此，不需要在上述代替方法中所需的、温度测量后的热板132的降温，而且能够在短时间内进行测量用晶片201的至室温的降温即冷却。所以，依照本实施方式，能够在短时间内安全地进行温度测量。
134.另外，在上述代替方法中，操作者从晶片处理系统1的背面侧进行操作。在晶片处理系统1的背面侧大多没有足够的空间，从晶片处理系统1的背面侧进行操作的操作性差，而且操作者难以移动至作为对象的热处理装置40的附近。对此，在本实施方式的温度测量方法中，操作者从晶片处理系统1的晶片运送区域d进行操作。在晶片运送区域d确保了足够的空间，因此，从晶片运送区域d进行的操作，与从上述背面侧进行的操作相比操作性好，而且操作者容易移动至作为对象的热处理装置40的附近。
135.另外，依照本实施方式，与上述代替方法相比，能够将温度测量所需要的时间缩短50小时以上。
136.另外，依照本实施方式，能够在短时间内进行温度测量，因此，也能够缩短包含温度测量所需要的时间的、热处理装置40中的热板132的加热量的自动调整所需要的时间。
137.《温度测量装置的另一例》
138.下面，对温度测量装置的另一例进行说明。图11是表示温度测量装置的另一例的概要的侧视图，表示安装于热处理装置40的状态，对于热处理装置40用纵截面仅局部地表示温度测量的主要部分。此外，在图11中，用截面仅表示后述的引导板301的一部分。图12是表示温度测量装置的另一例的概要的俯视图。图13～图16是用于说明图11和图12的例子的温度测量装置的效果的图。
139.图11的温度测量装置300除了具有测量用晶片201、信息处理部202、安装部件203和电缆204之外，还具有作为中间部件的引导板301。
140.引导板301以相对于冷却板160被定位的方式载置。
141.测量用晶片201经由该引导板301载置在冷却板160。换言之，测量用晶片201以与
冷却板160之间隔着引导板301的方式载置在冷却板160。
142.另外，测量用晶片201经由引导板301被冷却板160冷却。具体而言，测量用晶片201由被冷却板160冷却了的引导板301冷却。
143.引导板301的相对于冷却板160的定位，通过形成于冷却板160的缺口(未图示)和形成于引导板301的下表面并向下方突出的定位突起(未图示)的嵌合来进行。上述缺口和上述定位突起的组合可以设置多个。另外，引导板301使用热传导率高的材料(例如不锈钢等金属材料)形成。
144.引导板301如图11和图12所示，具有多个作为将测量用晶片201相对于该引导板301进行定位的引导件的引导销310。因此，在将测量用晶片201经由引导板301载置在冷却板160时，测量用晶片201相对于冷却板160被定位。所以，在利用冷却板160将测量用晶片201运送到热板132的上方时，能够将测量用晶片201运送到所希望的位置。其结果，能够将测量用晶片201可靠地载置在热板132的所希望的位置。即，能够将测量用晶片201相对于热板132进行定位而将其载置在热板132。更具体而言，能够使将测量用晶片201载置于热板132时的、从所希望的位置起的水平方向的偏移量抑制在规定的范围内。
145.但是，有时在热板132设置将晶片w引导到该热板132的所希望的位置引导的引导突起(未图示)。通过在引导板301设置引导销310，在将测量用晶片201载置在热板132时，能够防止测量用晶片201搁浅在上述引导突起上。
146.另外，在引导板301，如图11所示形成有多个在厚度方向上贯通的贯通孔311。在各贯通孔311中，能够插通支承销167。在引导板301载置在冷却板160时，支承销167的顶部经由贯通孔311从引导板301的上表面伸出。像这样，由顶部伸出的多个支承销167支承测量用晶片201。
147.此外，也可以通过贯通孔311与支承销167的卡合，来进行引导板301相对于冷却板160的定位。
148.通过使用具有该贯通孔311的引导板301，能够防止由冷却板160冷却测量用晶片201的冷却效率降低的情况，并且如图13所示能够减少电缆204从支承销167的顶部起的垂下量。如果如图14所示没有设置引导板301而上述垂下量较大，则当使冷却板160移动时，存在电缆204中的从支承销167的顶部起垂下的部分无法去往上方的情况。其结果，从支承销167对电缆204作用较大的力，存在电缆204破损的情况。对此，如果使用引导板301而如上所述上述垂下量较小，则当使冷却板160移动时，电缆204中的从支承销167的顶部起垂下的部分能够去往上方，因此，不会从支承销167对电缆204作用较大的力，电缆204不会破损。
149.另外，在上述垂下量较大时，在利用升降销141支承测量用晶片201的状态下使冷却板160移动以与热板132隔开间隔时，存在电缆204随着冷却板160的移动而移动，测量用晶片201在升降销141上移动的情况。当像这样测量用晶片201移动时，有时无法将测量用晶片201载置在热板132的所希望的位置。对此，在上述垂下量较小时，在由升降销141支承测量用晶片201的状态下使冷却板160同样地移动时，电缆204不会随着冷却板160的移动而移动，因此，测量用晶片201不会在升降销141上移动。
150.另外，引导板301薄至供支承销167贯通的程度，因此，引导板301为低热容量。所以，能够将测量用晶片201经由引导板301由冷却板160高效地冷却。
151.在热容量的观点下，优选引导板301比冷却板160薄。具体而言，优选引导板301的
板状部分比冷却板160的板状部分薄。由此，能够减小引导板301的热容量。该结果，能够将测量用晶片201经由引导板301由冷却板160高效地冷却。
152.另外，如图11所示，也可以在引导板301的上表面形成多个向上方突出的凸部312，利用该多个凸部312支承测量用晶片201。
153.通过像这样利用多个凸部312支承测量用晶片201，或者利用经由贯通孔311从引导板301的上表面伸出的多个支承销167支承测量用晶片201，能够减少引导板301与测量用晶片201的接触面积。因此，能够防止由热板132加热乱的测量用晶片201被引导板301急速冷却而破损。
154.此外，凸部312的高度被设定成，从凸部312的顶部起的电缆204的垂下量比不使用引导板301时的从支承销167起的电缆204的垂下量小。例如，凸部312的高度被设定成，凸部312的顶部与支承销167的顶部大致相同高度。
155.另外，如图11和图12所示，也可以在引导板301的加热区域122侧的端部设置作为防卷入部的返回件314。返回件314具有从引导板301的上表面连续且从引导板301的一端向斜下方延伸的斜面314a。
156.当不使用这样的具有返回件314的引导板301时，如图15所示，在由升降销141支承的测量用晶片201与热板132之间插入冷却板160时，因自重等而垂下的电缆204有时被卷入冷却板160与热板132之间。当像这样被卷入时，电缆204、温度测量装置300这样的其他构成要素破损，或者热处理装置40的壳体120内被污染。
157.对此，如果如图16所示使用具有返回件314的引导板301，则当在测量用晶片201与热板132之间插入冷却板160时，即使电缆204垂下(参照虚线)，随着冷却板160的插入而电缆204沿斜面314a上升(参照实线)。因此，电缆204不会被卷入冷却板160与热板132之间。所以，能够防止产生由电缆204的卷入导致的温度测量装置300的破损、热处理装置40的壳体120内的污染。
158.另外，返回件314如下述方式形成。即，返回件314形成为，当将引导板301载置于冷却板160时，返回件314的下端位于冷却板160的下表面的上方。由此，能够防止当冷却板160向加热区域移动时，返回件314与热板132等碰撞。而且，返回件314形成为，当将引导板301载置于冷却板160时，返回件314的下端位于冷却板160的上表面的下方。由此，能够更可靠地防止电缆204被卷入冷却板160与热板132之间。
159.在使用引导板301的情况下，例如通过将载置有测量用晶片201的状态的引导板301载置在冷却板160，测量用晶片201经由引导板被载置在冷却板160。
160.另外，引导板301例如也可以设置供操作者抓持的抓持部。通过像这样设置抓持部，操作者能够将引导板301从晶片运送区域d经由开口f1和送入送出口121，容易地载置在冷却板160。
161.应当认为，本次公开的实施方式在所有方面均是例示而并非限制性的。上述的实施方式不脱离所附的权利要求及其主旨的情况下，能够以各种方式省略、替换、改变。