等离子体处理装置以及供电方法与流程

1.本发明涉及等离子体处理装置以及供电方法。


背景技术：

2.例如,专利文献1提出了以设置规定的相位差的方式对载置台施加等离子体生成用的高频电力的脉冲波、以及偏移电压用的高频电力的脉冲波。在专利文献1中,以等离子体生成用的高频电力的占空比成为偏移电压用的高频电力的占空比以上的方式进行控制。
3.《现有技术文献》
4.《专利文献》
5.专利文献1:日本国特开2016-157735号公报


技术实现要素：

6.《本发明要解决的问题》
7.本发明提供一种能够使等离子体稳定的等离子体处理装置以及供电方法。
8.《用于解决问题的手段》
9.根据本发明的一个方式,提供一种等离子体处理装置,包括:处理腔室；载置台,气配置于上述处理腔室内；第一电极,其配置于上述载置台；第二电极,其与上述第一电极相对配置；第一高频电源,其与上述第一电极连接；以及第二高频电源,其与上述第一电极或上述第二电极连接,上述第一高频电源以如下方式构成:在连续的第一期间、第二期间以及上述第一期间与上述第二期间之间转变期间中的、上述第一期间中供给第一高频电力的具有高电平和低电平的第一脉冲波或者上述第一高频电力的连续波中的一个波形,在上述第二期间中供给上述第一脉冲波以及上述第一高频电力的连续波中的另一波形,在上述转变期间中阶段性地或者连续地变更上述第一脉冲波的低电平,上述第二高频电源以如下方式构成:在上述第一期间中供给第二高频电力的具有高电平和低电平的第二脉冲波或者上述第二高频电力的连续波中的一个波形,在上述第二期间中供给上述第二脉冲波以及上述第二高频电力的连续波中的另一波形,在上述转变期间中阶段性地或者连续地变更上述第二脉冲波的低电平。
10.《发明的效果》
11.根据一个侧面,提供一种能够使等离子体稳定的等离子体处理装置以及供电方法。
附图说明
12.图1是示出一个实施方式的等离子体处理装置的一个例子的剖视示意图。
13.图2是用于说明连续波以及脉冲波的图。
14.图3是示出参考例1的自连续波向脉冲波的转变的一个例子的图。
15.图4是示出参考例2的自连续波向脉冲波的转变的一个例子的图。
16.图5是示出一个实施方式的自连续波向脉冲波的转变的一个例子的图。
17.图6是示出实施例的供电方法的一个例子的图。
18.图7是用于说明实施例的供电方法的图。
具体实施方式
19.以下,参照附图对用于实施本发明的方式进行说明。在各附图中,对相同的构成部分付与相同附图标记,有时省略重复的说明。
20.[等离子体处理装置]
[0021]
使用图1对一个实施方式的等离子体处理装置10进行说明。图1是示出一个实施方式的等离子体处理装置10的一个例子的剖视示意图。等离子体处理装置10具有由铝等构成且内部能够密闭的筒状的处理腔室11。处理腔室11与接地电位连接。在处理腔室11的内部,设有例如由铝等构成的载置台12。载置台12是用于载置以晶圆为一个例子的基板w的圆柱状的工作台,其作为下部电极起作用。
[0022]
在处理腔室11的侧壁和载置台12的侧面之间,形成有成为将载置台12的上方的气体向处理腔室11外进行排出的路径的排气路13。在排气路13的途中配置排气板14。排气板14是具有许多孔的板状部件,其作为将处理腔室11分隔成上部和下部的分隔板起作用。被排气板14分隔的处理腔室11的上部是用于执行等离子体处理的反应室17。排气装置38经由用于将处理腔室11内的气体排出的排气管15以及apc(adaptive pressure control:自动圧力控制)阀16与处理腔室11的下部的排气室(歧管)18连接。排气板14用于捕捉或反射在反应室17生成的等离子体从而防止其向排气室18的泄露。排气装置38通过apc阀16的调整对处理腔室11内进行减圧,从而维持期望的真空状态。
[0023]
第一高频电源30经由匹配器31与载置台12连接,其用于将例如约400khz～13.56mhz的频率的偏移用的第一高频电力(以下,也表述为“lf”(low frequency)。)供给至载置台12。匹配器31抑制高频电力的反射,提高偏移电压用的第一高频电力lf的供给效率。
[0024]
第二高频电源19经由匹配器20与载置台12连接,其用于将例如约40mhz的频率的等离子体激发用的第二高频电力(以下,也表述为“hf”(high frequency)。)供给至喷头29。第二高频电力的频率比第一高频电力的频率高。匹配器20抑制高频电力的反射,提高等离子体激发用的第二高频电力hf的供给效率。
[0025]
载置台12具有静电卡盘22以及下部板件12a。在板件12a的上部配置有静电卡盘22。板件12a由例如铝等的导电性部件形成。静电卡盘22具有大致圆盘形状,并且具有由陶瓷等绝缘体形成的层。静电卡盘22作为由绝缘体形成的层的内层而进一步具有卡盘电极21。在载置台12上载置基板w时,基板w置于静电卡盘22之上。
[0026]
卡盘电极21与直流电源23连接。若向卡盘电极21施加直流电圧,则在由此产生的库仑力或约翰森-拉别克(johnson-rahbek)力的作用下,基板w被静电卡盘22静电吸附,从而被保持。
[0027]
在载置台12上,在形成于静电卡盘22的外周的台阶部处,以包围基板w的周缘部的方式载置有环状的边缘环24(也称为聚焦环。)。边缘环24例如由硅形成。
[0028]
在载置台12的内部,例如设有在圆周方向延伸的环状的制冷剂室25。在该制冷剂室25中,自冷却单元经由制冷剂用配管26循环供给低温的制冷剂、例如冷却水和/或galden
(注册商标)。被该低温的制冷剂冷却的载置台12通过静电卡盘22对基板w以及边缘环24进行冷却。
[0029]
在静电卡盘22中开口有多个导热气体供给孔27。氦(he)气等的导热气体经由导热气体供给线路28被供给至导热气体供给孔27。导热气体经由导热气体供给孔27被供给至静电卡盘22与基板w的间隙内,从而提高基板w与静电卡盘22之间的导热效率。
[0030]
在处理腔室11的顶部,与载置台12相对地配置有喷头29。喷头29作为气体供给机构以及上部电极起作用。喷头29具有:电极板33,其具有许多气孔32；冷却板件34,其以可装卸的方式支承电极板33；以及盖体35,其覆盖冷却板件34。在冷却板件34的内部设有缓冲室36。缓冲室36与气体导入管37连接。气体自气体供给源8经由气体导入管37被供给至喷头29,并且通过缓冲室36以及许多气孔32向反应室17进行供给。
[0031]
在反应室17内,自由喷头29供给的气体产生等离子体,通过该等离子体对基板w施加蚀刻等的等离子体处理。等离子体处理装置10的各要素由控制部50进行控制。
[0032]
控制部50具有cpu51、rom(read only memory)52、ram(random access memory)53,根据在ram53等中储存的方案中设定的顺序,对蚀刻处理等的期望的处理进行控制。
[0033]
在该构成的等离子体处理装置10中进行蚀刻处理时,首先,基板w通过门阀9的开闭而被搬入处理腔室11内,并且被载置于载置台12之上。自直流电源23向卡盘电极21施加直流电圧,由此,基板w被静电吸附于静电卡盘22。自气体供给源8输出的期望的气体自喷头29以淋浴状导入反应室17内。等离子体激发用的第二高频电力hf自第二高频电源19被施加于载置台12。偏移电压用的第一高频电力lf自第一高频电源30施加于载置台12。在高频电力作用下由气体生成等离子体,从而对基板w施加等离子体处理。
[0034]
需要说明的是,下部板件12a是配置于载置台12的第一电极的一个例子。喷头29是与第一电极相对配置的第二电极的一个例子。第一高频电源与第一电极连接。同样地,第二高频电源与第一电极连接。但是,第二高频电源也可以与第二电极连接。
[0035]
[高频电力的连续波/脉冲波]
[0036]
对于高频电力的脉冲波的定义,参照图2进行简单说明。图2是用于说明连续波以及脉冲波的图。图2将第一高频电力lf以及第二高频电力hf统称为“高频电力rf”。
[0037]
图2的(a)示出了高频电力rf连续施加的状态。也就是说,图2的(a)示出了高频电力rf的连续波。图2的(b)和(c)示出了高频电力rf以脉冲状施加的状态。也就是说,图2的(b)和(c)示出了高频电力rf的脉冲波。
[0038]
在图2的(b)中,在每个周期t内重复将高频电力rf控制为接通的区间(接通区间)以及将高频电力rf控制为断开的区间(断开区间)。在图2的(c)中,在每个周期t内重复将高频电力rf控制为高电平h的区间(高区间)以及将高频电力rf控制为低电平l的区间(低区间)。
[0039]
接通区间的高频电力rf的功率电平可以与高区间的功率电平相同,可以比高区间的功率电平高,也可以比高区间的功率电平低。断开区间的高频电力rf的功率电平为0。低区间的高频电力rf的功率电平比接通区间的功率电平低,并且包括0(断开)。
[0040]
高区间的高频电力rf的功率电平可以为与连续波的高频电力rf的功率电平相同大小,可以比连续波的高频电力rf的功率电平高,也可以比连续波的高频电力rf的功率电平低。施加于低区间的低电平l的高频电力rf比连续波的高频电力rf的功率电平低。
[0041]
在本实施方式中,高区间的高电平h的高频电力rf中包括接通区间的功率电平的高频电力rf,低区间的低电平l的高频电力rf中包括断开区间的功率电平(0)的高频电力rf。在脉冲波的高频电力rf中,将施加高电平h的高频电力rf的高区间(包括接通区间)的时间设定为th,将施加低电平l的高频电力rf的低区间(包括断开区间)的时间设定为tl。占空比(duty比)是高区间的时间th与每个周期t的高区间的时间th和低区间的时间tl的总和的比率,即,由th/(th tl)表示。
[0042]
[高频电力的连续波/脉冲波的转变]
[0043]
接下来,参照图3和图4的参考例,对使第一高频电力以及第二高频电力自连续波向脉冲波转变或自脉冲波向连续波转变时的供电方法进行说明,之后,对本实施方式的供电方法进行说明。
[0044]
(参考例1)
[0045]
最初,参照图3对参考例1的自连续波向脉冲波转变的方法进行说明。图3是示出参考例1的自连续波向脉冲波的转变的一个例子的图。在参考例1中,将使第一高频电力以及第二高频电力自连续波向脉冲波转变的情况以(a)连续波(第一期间)
→
(b)脉冲波(转变期间)
→
(c)脉冲波(第二期间)示出。但是,对于使第一高频电力以及第二高频电力自脉冲波向连续波转变的情况,通过按照(c)脉冲波(第一期间)
→
(b)脉冲波(转变期间)
→
(a)连续波(第二期间)的顺序进行控制,也能够同样地进行控制。
[0046]
在以后的说明以及图中,也将第一高频电力表述为“lf”,也将第二高频电力表述为“hf”。在参考例1中,lf和hf同步进行控制。lf和hf在每个周期t内重复进行相同控制。第一期间、第二期间以及第一期间与第二期间之间的转变期间是以第一期间、转变期间、第二期间的顺序连续的期间。
[0047]
在参考例1中,在施加lf和hf的脉冲波时,将接通区间的时刻以及duty比控制为相同。具体而言,第一高频电源30在第一期间中供给lf的具有高电平和低电平的脉冲波(以下,称为“第一脉冲波”)或者lf的连续波中的一个波形。在图3的(a)的例子中,在第一期间中施加有lf的连续波。
[0048]
同样地,第二高频电源19在第一期间中供给hf的具有高电平和低电平的脉冲波(以下,称为“第二脉冲波”)或者hf的连续波中的一个波形。在图3的(a)的例子中,在第一期间中施加有hf的连续波。
[0049]
接下来,第一高频电源30在转变期间中供给lf的具有高电平和低电平的规定的duty比的第一脉冲波。在图3的(b)的例子中,在转变期间中施加duty1的第一脉冲波(lf的脉冲波)。第一脉冲波的duty1以在转变期间中逐渐变小的方式进行控制,lf的接通区间逐渐变短。
[0050]
同样地,第二高频电源19在转变期间中供给hf的具有高电平和低电平的规定的duty比的第二脉冲波。在图3的(b)的例子中,在转变期间中施加duty1的第二脉冲波(hf的脉冲波)。第二脉冲波的duty1以在转变期间中逐渐变小的方式进行控制,hf的接通区间逐渐变短。
[0051]
在转变期间中,lf的duty比和hf的duty比被控制为相同,lf的接通区间和hf的接通区间同步。lf的duty比和hf的duty比以在转变期间中逐渐变小直至成为duty比的目标值的方式进行控制。duty比的目标值事先设定,其为图3的(c)所示duty2。
[0052]
第一高频电源30在第二期间中以成为目标值的duty比的方式供给lf的第一脉冲波。在图3的(c)的例子中,在第二期间中施加具有目标值的duty2的接通时间的lf的第一脉冲波。
[0053]
同样地,第二高频电源19在第二期间中以成为目标值的duty比的方式供给hf的第二脉冲波。在图3的(c)的例子中,在第二期间中施加具有目标值的duty2的接通时间的hf的第二脉冲波。
[0054]
(参考例2)
[0055]
在参考例1中示出的供电方法中,使lf和hf同步。在接下来说明的参考例2中,不使lf和hf同步,而以规定时间偏移(参照图4的(b)的offset)的方式进行控制。图4是示出参考例2的自连续波向脉冲波的转变的一个例子的图。
[0056]
在参考例2中,以使lf的hf的脉冲的接通的时刻错开,并且使duty比各自独立的方式进行控制。具体而言,在图4的(a)所示第一期间中,第一高频电源30施加lf的连续波,第二高频电源19在第一期间中施加hf的连续波。
[0057]
接下来,第一高频电源30在图4的(b)所示转变期间中供给duty1的第一脉冲波。同样地,第二高频电源19在转变期间中供给duty1的第二脉冲波。
[0058]
在转变期间中以lf的duty比和hf的duty比相同的方式进行控制,并且不使lf的接通区间和hf的接通区间同步,而是错开偏移(offset)量。在转变期间中,使duty1阶段性地或者连续变化。在图4的(b)的例子中,在转变期间中以使duty1阶段性地或者连续变小,从而成为duty比的目标值的方式进行控制。duty比的目标值事先设定,其为图4的(c)所示duty2。
[0059]
第一高频电源30在第二期间中供给目标值的duty2的lf的第一脉冲波。同样地,第二高频电源19在第二期间中供给目标值的duty2的hf的第二脉冲波。
[0060]
在参考例2中,在lf以及hf的自连续波向脉冲波转变的期间中,使duty比阶段性地或者连续变化,直至成为目标值。由此,使施加于载置台12的lf以及hf的有效电力缓慢变化,降低了等离子体的变动,使其稳定化。
[0061]
但是,在参考例2中,与参考例1相比,lf的on区间与hf的on区间重叠的重复期间伴随时间变化。因此,由于作为负载的等离子体变动,不能稳定进行阻抗的匹配,hf以及lf的电力、vpp(峰峰电圧)变得暂时不稳定。其结果,等离子体变为不稳定的状态。
[0062]
与此相对,在接下来说明的一个实施方式的供电方法中,在lf的低区间和hf的低区间使lf和hf的功率电平阶段性地或者连续变化。由此,降低了等离子体负载的变动,能够使等离子体稳定。
[0063]
(实施方式)
[0064]
参照图5对一个实施方式的自连续波向脉冲波的转变进行说明。图5是示出一个实施方式的自连续波向脉冲波的转变的一个例子的图。在本实施方式中,将使第一高频电力以及第二高频电力自连续波向脉冲波转变的情况以(a)连续波(第一期间)
→
(b)脉冲波(转变期间)
→
(c)脉冲波(第二期间)示出。但是,对于使第一高频电力以及第二高频电力自脉冲波向连续波转变的情况,通过以(c)脉冲波(第一期间)
→
(b)脉冲波(转变期间)
→
(a)连续波(第二期间)的顺序进行控制,也能够同样地进行控制。
[0065]
lf和hf在每个周期t重复进行相同控制。第一期间、第二期间以及第一期间与第二
期间之间的转变期间是连续的期间。lf的接通区间与hf的接通区间不同步,其错开偏移(offset)量。
[0066]
在本实施方式中,第一高频电源30在第一期间中供给lf的具有高电平和低电平的第一脉冲波或者lf的连续波中的一个波形。在图5的(a)的例子中,在第一期间中施加lf的连续波。
[0067]
第一高频电源30在第二期间中供给第一脉冲波以及lf的连续波中的另一波形。在图5的(c)的例子中,在第二期间中施加第一脉冲波(lf的脉冲波)。在图5的(b)和(c)中,第一脉冲波被控制为期望的duty比,不使其变动。
[0068]
第一高频电源30在转变期间中使第一脉冲波的低电平阶段性地或者连续地变更。在图5的(b)的例子中,在转变期间中使由“lf low duty”示出的第一脉冲波的低电平阶段性地或者连续地降低。此时,使第一脉冲波的低电平阶段性地或者连续地降低,直至成为图5的(c)所示“断开(0)”。在转变期间以及第二期间中不使由“lf high duty”所示第一脉冲波的高电平变动。由“lf high duty”所示第一脉冲波的高电平可以为与图5的(a)的lf的连续波的高频电力为相同的功率电平,也可以为不同的功率电平。
[0069]
同样地,第二高频电源19在第一期间中供给hf的具有高电平和低电平的第二脉冲波或者hf的连续波中的一个波形。在图5的(a)的例子中,在第一期间中施加hf的连续波。
[0070]
第二高频电源19在第二期间中供给第二脉冲波以及hf的连续波中的另一波形。在图5的(c)的例子中,在第二期间中施加第二脉冲波(hf的脉冲波)。在图5的(b)和(c)中,第二脉冲波被控制为期望的duty比,不使其变动。
[0071]
第二高频电源19在转变期间中使第二脉冲波的低电平阶段性地或者连续地变更。在图5的(b)的例子中,在转变期间中使由“hf low duty”所示第二脉冲波的低电平阶段性地或者连续地降低。此时,使第二脉冲波的低电平阶段性地或者连续地降低,直至成为图5的(c)所示“断开(0)”。在转变期间以及第二期间中不使由“hf high duty”所示第二脉冲波的高电平变动。由“hf high duty”所示第一脉冲波的高电平可以为与图5的(a)的hf的连续波的高频电力相同的功率电平,也可以为不同的功率电平。
[0072]
在本实施方式的供电方法中,在使lf和hf自连续波向脉冲波或者自脉冲波向连续波转变时,不改变hf以及lf的duty比,而是使图5的(b)中由虚线所示框b内的低区间的hf以及lf的低电平的电力阶段性地或者连续地改变。由此,通过阶段性地或者连续地改变给予等离子体负载的lf以及hf的有效电力,能够以不损害等离子体负载的稳定性的方式使自连续波向脉冲波或者自脉冲波向连续波的转变成为可能。
[0073]
特别是在本实施方式中,第一脉冲波和第二脉冲波以规定的相位差偏移,以hf的高电平区间(hf high duty)与lf的高电平区间(lf high duty)不重叠的方式进行控制,并且不使duty比变化。由此,能够一边维持等离子体的稳定性,一边使自连续波向脉冲波或者自脉冲波向连续波的转变成为可能。在本实施方式中,虽然以hf的高电平区间与lf的高电平区间不重叠的方式进行控制,但是hf的高电平区间与lf的高电平区间可以一部分重叠。另外,可以不设置偏移。在不设置偏移的情况下,通过阶段性地或者连续地改变hf以及lf的低电平的电力,能够一边维持等离子体的稳定性,一边使自连续波向脉冲波或者自脉冲波向连续波的转变成为可能。
[0074]
需要说明的是,阶段性地变更是指,在每个周期t中将lf的低电平区间以及hf的低
电平区间设定为不同的值而使其逐渐变化。连续地变更是指,在lf的低电平区间以及hf的低电平区间中,在同一周期t内使lf以及hf的低电平的电力连续地变化,并且在相邻的周期t的低电平区间中使lf以及hf的低电平的电力连续地变化。
[0075]
作为使第一脉冲波的低电平阶段性地或者连续地变更的例子,在第一期间的lf为连续波,第二期间的lf为脉冲波的情况下,第一高频电源30可以使第一脉冲波的低电平下降至事先决定的目标值(包括断开)。另一方面,在第一期间的lf为脉冲波,第二期间的lf为连续波的情况下,第一高频电源30可以在转变期间中使第一脉冲波的低电平提高至第一脉冲波的高电平或者lf的连续波的电平。在该情况下,第一脉冲波的高电平或者lf的连续波的电平为事先决定的目标值。
[0076]
同样地,在第一期间的hf为连续波,第二期间的hf为脉冲波的情况下,第二高频电源19可以在转变期间中使第二脉冲波的低电平降低至事先决定的目标值(包括断开)。另一方面,在第一期间的hf为脉冲波,第二期间的hf为连续波的情况下,第二高频电源19可以在转变期间中使第二脉冲波的低电平提高至第二脉冲波的高电平或者第二高频电力的连续波的电平。
[0077]
另外,虽然对于lf以及hf示出了对高电平或低电平的两个功率电平进行控制的例子,但是不限于此。例如,也可以适用于具有三个电平以上的功率电平的脉冲波。
[0078]
而且,在图5中,虽然lf和hf的duty比相同,但是也可以不同。另外,虽然对于自连续波向脉冲波的转变期间、以及自脉冲波向连续波的转变期间中的供电方法进行了说明,但是不限于此。例如本实施方式的供电方法也可以适用于自一个脉冲波向与一个脉冲波不同的另一脉冲波的转变。
[0079]
[实施例]
[0080]
最后参照图6和图7对实施例的供电方法的一个例子进行说明。图6是示出实施例的供电方法的一个例子的图。图7是用于说明实施例的供电方法的图。图6的处理由控制部50进行控制。
[0081]
图6所示处理开始后,控制部50在第一期间中将hf和lf控制为连续波(步骤s1)。由此,如图7(a:第一期间)所示,在第一期间中hf以及lf被控制为连续波(cw)。例如,hf的连续波被控制为500w,lf的连续波被控制为200w。需要说明的是,在本实施例中,连续波的功率电平与脉冲波的高电平区间的功率电平被控制为相同。
[0082]
接下来,控制部50对是否为转变期间进行判定(步骤s2)。控制部50在成为转变期间时,以规定的duty比以及偏移量开始lf的脉冲波(第一脉冲波)以及hf的脉冲波(第二脉冲波)的输出(步骤s3)。接下来,控制部50一边使lf的第一脉冲波的低电平以及hf的第二脉冲波的低电平阶段性地变更至事先决定的目标值,一边输出hf的脉冲波以及lf的脉冲波(步骤s4),从而结束本处理。在转变期间中可以使第一脉冲波的低电平以及第二脉冲波的低电平以1秒以下的时间阶段性地变更。例如,在图7(b:转变期间)的例子中,在转变期间中使第一脉冲波的低电平以及第二脉冲波的低电平以每0.1秒的周期进行阶段性地变更。
[0083]
由此,如图7的(b)的框c所示,在转变期间中,以每恒定时间阶段性地降低直至成为图7(c:第二期间)的目标值的方式,对hf的脉冲波的低电平进行控制。由此,能够使hf的脉冲波的低电平(包括断开)的变动缓和地变化。
[0084]
同样地,如图7的(b)的框d所示,在转变期间中,以每恒定时间阶段性地降低直至
成为图7的(c)的目标值的方式,对lf的脉冲波的低电平进行控制。由此,能够使lf的脉冲波的低电平(包括断开)的变动缓和地变化。
[0085]
如上所述,根据本实施方式的供电方法以及等离子体处理装置10,在自连续波向脉冲波或者自脉冲波向连续波的转变中,使lf以及hf的低电平阶段性地或者连续地变更。由此,抑制了等离子体负载的变动,能够维持等离子体的稳定性。
[0086]
此次发明的实施方式的供电方法以及等离子体处理装置10中,应认为全部的点均为例示而非限制。实施方式不超过附上的权利要求书以及主旨而能够以各种形态进行变形以及改良。上述多个实施方式中记载的事项在不矛盾的范围内能够采用其他构成,另外,在不矛盾的范围内能够进行组合。
[0087]
本发明的等离子体处理装置能够应用于atomic layer deposition(ald)装置、capacitively coupled plasma(ccp)、inductively coupled plasma(icp)、radial line slot antenna(rlsa)、electron cyclotron resonance plasma(ecr)、helicon wave plasma(hwp)中的任一类型的装置。
[0088]
本发明的等离子体处理装置可以具有三个以上的高频电源,本发明的供电方法可以应用于对于三个以上的高频电源的转变期间的供电方法。另外,本发明的等离子体处理装置可以具有高频电源和微波源,本发明的供电方法可以应用于对于高频电源和微波源的转变期间的供电方法。
[0089]
等离子体处理装置只要是使用等离子体对基板实施规定的处理(例如,成膜、蚀刻、灰化等)的装置即可,不限于蚀刻装置,也可以为成膜装置、灰化装置、掺杂装置等。