具有金属屏蔽件的电感器的制作方法

技术特征：
1.一种装置，包括：电感器，其被嵌入在铁氧体结构内；电连接器，其与所述电感器电耦合；以及包围其内具有所述电感器的所述铁氧体结构的屏蔽件，其用于阻挡由所述电感器辐射的电磁能量。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置用于被设置在印刷电路板(pcb)的衬底的表面的位置处。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述衬底包括多个非信号路由层和多个信号路由层，所述多个非信号路由层和所述多个信号路由层位于所述衬底的设置有所述装置的位置下方。4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述信号路由层中的至少一个位于所述衬底的设置有所述装置的所述位置下方三层以内。5.根据权利要求1-4中任一项所述的装置，其中，所述电感器是电压调节器电路的一部分。6.根据权利要求1-4中任一项所述的装置，其中，所述屏蔽件由金属材料形成。7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述金属材料是铜或铜合金。8.根据权利要求6所述的装置，其中，所述屏蔽件的厚度至少为100μm。9.一种方法，包括：将电感器嵌入铁氧体结构内，所述电感器包括与所述电感器电耦合的电连接器；以及形成包围其内具有所述电感器的所述铁氧体结构的屏蔽件，以通过阻挡由所述电感器辐射的电磁能量来减少对接近所述电感器的信号路由的干扰。10.根据权利要求9所述的方法，还包括：将屏蔽式电感器设置在pcb的衬底的表面的位置。11.根据权利要求10所述的方法，其中，将所述屏蔽式电感器设置在所述衬底的所述表面还包括：将所述屏蔽式电感器设置为接近微带，其中，所述微带与所述屏蔽式电感器相隔120密耳或更少。12.根据权利要求10所述的方法，其中，将所述屏蔽式电感器设置在所述衬底的所述表面还包括：将所述屏蔽式电感器设置为接近所述pcb内的带状线，其中，所述带状线与所述屏蔽式电感器相隔100密耳或更少。13.根据权利要求10所述的方法，其中，设置包括：设置具有所述屏蔽式电感器的电压调节器或场效应变压器。14.根据权利要求9-13中任一项所述的方法，其中，形成所述屏蔽件包括：形成铜或铜合金的厚度至少为100μm的屏蔽件。15.一种系统，包括：印刷电路板(pcb)，其包括具有多个非信号路由层和多个信号路由层的衬底，其中，所述信号路由层中的至少一个距离所述pcb的表面不超过三层深；屏蔽式电感器，其与所述pcb的所述衬底的表面电耦合且物理耦合，所述屏蔽式电感器包括：电感器，其被嵌入在金属结构内；
电连接器，其与所述电感器电耦合；以及包围其内具有所述电感器的所述金属结构的屏蔽件，其中，所述屏蔽件用于阻挡由所述电感器辐射而干扰在一个信号路由层中的信号路由的电磁能量。16.根据权利要求15所述的系统，其中，所述屏蔽式电感器被设置在所述pcb的所述表面上的位置中，所述位置位于所述pcb的所述非信号路由层和所述信号路由层上方。17.根据权利要求15所述的系统，其中，所述衬底的所述表面包括微带，并且其中，所述微带与所述屏蔽式电感器相隔120密耳或更少。18.根据权利要求15所述的系统，其中，所述pcb的所述一个信号路由层包括带状线，并且其中，所述带状线与所述屏蔽式电感器相隔100密耳或更少。19.根据权利要求15所述的系统，其中，所述系统还包括：电压调节器或场效应变压器，其耦合到所述衬底的接近所述屏蔽式电感器的所述表面。20.根据权利要求15-19中任一项所述的系统，其中，所述屏蔽式电感器是电压调节器电路的一部分。21.一种装置，包括：用于将电感器嵌入铁氧体结构内的单元，所述电感器包括与所述电感器电耦合的电连接器；以及用于形成包围其内具有所述电感器的所述铁氧体结构的屏蔽件，以通过阻挡由所述电感器辐射的电磁能量来减少对接近所述电感器的信号路由的干扰的单元。22.根据权利要求21所述的装置，还包括：用于将屏蔽式电感器设置在pcb的衬底的表面的位置的单元。23.根据权利要求22所述的装置，其中，用于将所述屏蔽式电感器设置在所述衬底的所述表面的单元还包括：用于将所述屏蔽式电感器设置为接近微带的单元，其中，所述微带与所述屏蔽式电感器相隔120密耳或更少。24.根据权利要求22所述的装置，其中，用于将所述屏蔽式电感器设置在所述衬底的所述表面的单元还包括：用于将所述屏蔽式电感器设置为接近所述pcb内的带状线的单元，其中，所述带状线与所述屏蔽式电感器相隔100密耳或更少。25.根据权利要求22所述的装置，其中，用于设置的单元包括：用于设置具有所述屏蔽式电感器的电压调节器或场效应变压器的单元。

技术总结
本公开的实施例可以涉及在模制铁氧体电感器周围形成金属屏蔽件以减少在操作期间由电感器辐射的电磁能量。金属屏蔽件允许将电感器放置在PCB上，该PCB具有在电感器下方且靠近电感器的多个信号路由层，以及在PCB的靠近电感器的表面上的微带，以在操作期间可靠地对信号进行路由。可以描述和/或要求保护其他实施例。例。例。


技术研发人员：R
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2021.07.09
技术公布日：2022/2/23