存储器装置和该存储器装置的操作方法与流程

1.本公开总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储器装置和该存储器装置的操作方法。


背景技术：

2.存储装置是在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置可包括用于存储数据的存储器装置和用于控制存储器装置的存储控制器。存储器装置被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。
3.易失性存储器装置是仅在供电时才存储数据的存储器装置，并且当供电中断时所存储的数据消失。易失性存储器装置可包括静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)等。
4.非易失性存储器装置是即使当供电中断时数据也不消失的存储器装置。非易失性存储器装置可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除rom(eerom)、闪存等。


技术实现要素：

5.根据本公开的一方面，可提供一种存储器装置，该存储器装置包括：外围电路，其被配置为执行与从存储控制器输入的多个内部操作命令对应的多个内部操作；温度信息控制器，其被配置为生成与在执行与所述多个内部操作命令当中的第一内部操作命令对应的内部操作时的内部温度对应的第一温度代码以及表示在设定时段期间已生成第一温度代码的信息的温度代码生成信息；以及操作控制器，其被配置为响应于在所述多个内部操作命令当中的第一内部操作命令输入之后输入的第二内部操作命令来基于第一温度代码和温度代码生成信息控制外围电路执行与第二内部操作命令对应的内部操作。
6.根据本公开的另一方面，可提供一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：接收从存储控制器输入的第一内部操作命令；响应于第一内部操作命令而生成与在执行与第一内部操作命令对应的内部操作时的内部温度对应的第一温度代码；生成表示在设定时段期间已生成第一温度代码的信息的温度代码生成信息；接收从存储控制器输入的第二内部操作命令；以及响应于第二内部操作命令基于第一温度代码和温度代码生成信息执行与第二内部操作命令对应的内部操作。
7.根据本公开的另一方面，可提供一种存储器装置，该存储器装置包括：第一存储器芯片，其被配置为接收从存储控制器输入的第一内部操作命令，并且存储根据第一内部操作命令生成的温度代码以及表示在设定时段期间已生成温度代码的信息的温度代码生成信息；以及第二存储器芯片，其被配置为接收在第一内部操作命令被输入到第一存储器芯片之后从存储控制器输入的第二内部操作命令，并且响应于第二内部操作命令基于存储在第一存储器芯片上的温度代码和温度代码生成信息来执行与第二内部操作命令对应的内部操作。
附图说明
8.现在将在下文参照附图更充分地描述实施方式的示例；然而，其可按照不同的形式来具体实现，不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。
9.在附图中，为了例示清晰，尺寸可能被夸大。将理解，当元件被称为在两个元件“之间”时，其可以是这两个元件之间的仅有元件，或者也可存在一个或更多个中间元件。相似的标号始终表示相似的元件。
10.图1是示出根据本公开的实施方式的存储装置的图。
11.图2是示出图1所示的存储器装置的结构的图。
12.图3是示出图2所示的存储器单元阵列的实施方式的图。
13.图4是示出图3所示的存储块当中的任一个存储块的电路图。
14.图5是示出图3所示的存储块当中的一个存储块的另一实施方式的电路图。
15.图6是示出例如图1所示的存储控制器与多个存储器装置之间的连接关系的图。
16.图7是示出存储器装置的内部操作的图。
17.图8是示出根据本公开的实施方式的存储器装置的示例的图。
18.图9是示出根据本公开的实施方式的执行内部操作的示例的图。
19.图10是示出根据本公开的实施方式的存储器装置的另一示例的图。
20.图11是示出根据本公开的实施方式的存储器装置的操作方法的流程图。
21.图12是示出根据本公开的实施方式的生成温度代码的方法的流程图。
22.图13是示出根据本公开的实施方式的改变温度代码生成信息的方法的流程图。
23.图14是示出图1所示的存储控制器的图。
24.图15是示出根据本公开的实施方式的应用存储装置的存储卡系统的框图。
25.图16是示出根据本公开的实施方式的应用存储装置的例如固态驱动器(ssd)系统的框图。
26.图17是示出根据本公开的实施方式的应用存储装置的用户系统的框图。
具体实施方式
27.为了描述根据本公开的概念的实施方式，本文所公开的具体结构或功能描述仅是例示性的。根据本公开的概念的实施方式可按照各种形式实现，不能被解释为限于本文中所阐述的实施方式。
28.实施方式可提供一种具有改进的操作速度的存储器装置和该存储器装置的操作方法。
29.图1是示出根据本公开的实施方式的存储装置的图。
30.参照图1，存储装置50可包括存储器装置100以及用于控制存储器装置100的操作的存储控制器200。存储装置50可以是在诸如移动电话、智能电话、mp3播放器、膝上型计算机、台式计算机、游戏机、tv、平板pc或车载信息娱乐系统的主机300的控制下存储数据的装置。
31.根据作为与主机300的通信方案的主机接口，存储装置50可被制造为各种类型的存储装置中的任一种。例如，存储装置50可利用例如固态驱动器(ssd)、多媒体卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、尺寸减小mmc(rs-mmc)、微型mmc(micro-mmc)、安全数字(sd)卡、迷你sd卡、
微型sd卡、通用串行总线(usb)存储装置、通用闪存(ufs)装置、紧凑闪存(cf)卡、智能媒体卡(smc)、记忆棒等的各种类型的存储装置中的任一种来实现。
32.存储装置50可被制造为各种类型的封装类型中的任一种。例如，存储装置50可被制造成诸如堆叠式封装(pop)、系统封装(sip)、系统芯片(soc)、多芯片封装(mcp)、板载芯片(cob)、晶圆级制造封装(wfp)和晶圆级层叠封装(wsp)的各种类型的封装类型中的任一种。
33.存储器装置100可存储数据。存储器装置100可在存储控制器200的控制下操作。存储器装置100可包括存储器单元阵列(未示出)，存储器单元阵列包括用于存储数据的多个存储器单元。
34.各个存储器单元可作为存储一个数据比特的单级单元(slc)、存储两个数据比特的多级单元(mlc)、存储三个数据比特的三级单元(tlc)和存储四个数据比特的四级单元(qlc)中的任一个操作。
35.存储器单元阵列(未示出)可包括多个存储块。各个存储块可包括多个存储器单元。一个存储块可包括多个页。在实施方式中，页可以是用于在存储器装置100中存储数据或读取存储在存储器装置100中的数据的单元。存储块可以是用于擦除数据的单元。
36.在实施方式中，存储器装置100可以是双倍数据速率同步动态随机存取存储器(ddr sdram)、低功率双倍数据速率4(lpddr4)sdram、图形双倍数据速率(gddr)sram、低功率ddr(lpddr)、rambus动态随机存取存储器(rdram)、nand闪存、垂直nand闪存、nor闪存、电阻随机存取存储器(rram)、相变随机存取存储器(pram)、磁阻随机存取存储器(mram)、铁电随机存取存储器(fram)、自旋转移矩随机存取存储器(stt-ram)等。在本说明书中，为了描述方便，假设并描述存储器装置100是nand闪存的情况。
37.存储器装置100可从存储控制器200接收命令cmd和地址addr并访问存储器单元阵列中的通过地址addr选择的区域。存储器装置100可对通过地址addr选择的区域执行命令cmd所指示的操作。例如，存储器装置100可执行写操作(编程操作)、读操作和擦除操作。在编程操作中，存储器装置100可将数据编程在通过地址addr选择的区域中。在读操作中，存储器装置100可从通过地址addr选择的区域读取数据。在擦除操作中，存储器装置100可擦除存储在通过地址addr选择的区域中的数据。
38.在实施方式中，存储器装置100可包括操作控制器131和温度信息控制器140。
39.操作控制器131可根据从存储控制器200输入的内部操作命令来控制存储器装置100执行内部操作。内部操作可包括读操作、编程操作和擦除操作。
40.在实施方式中，操作控制器131可基于温度信息控制器140所生成的温度代码来控制存储器装置100执行内部操作。例如，操作控制器131可基于温度信息控制器140所生成的温度代码来控制存储器装置100生成用于执行内部操作的内部电压。另外，操作控制器131可控制存储器装置100使用根据温度代码补偿的内部电压来执行内部操作。
41.温度信息控制器140可测量存储器装置100的内部温度。
42.温度信息控制器140可生成与所测量的内部温度对应的温度代码。在实施方式中，温度信息控制器140可包括数字温度感测电路。例如，温度信息控制器140可将所测量的内部温度转换为作为数字信号的温度代码并输出温度代码。
43.例如，温度信息控制器140可响应于从存储器装置100或存储控制器200发送的命
令(例如，温度测量命令)而感测存储器装置100的温度，并且输出与所感测的温度对应的代码。另外，每当执行内部操作时，温度信息控制器140可执行感测存储器装置100的温度并输出代码的操作，而与从存储器装置100或存储控制器200发送的命令无关。
44.当存储器装置100执行编程操作、读操作或擦除操作时，存储器装置100的内部温度可能改变。内部温度可对应于存储器装置100的温度。另选地，内部温度可对应于存储器单元阵列的温度。存储器装置100的内部温度可随着存储器装置100频繁地执行编程操作、读操作或擦除操作而增加。当存储器装置100的内部温度变得过高时，编程操作、读操作或擦除操作将失败的概率可能增加。即，当存储器装置100的内部温度变得过高时，存储器装置100的性能可能劣化。因此，每当执行存储器装置100的内部操作时，存储控制器200可控制温度信息控制器140测量温度。
45.然而，当多个内部操作之间的间隔较短时，由于每当执行各个内部操作时均测量温度，所以执行这多个内部操作所需的时间延长。因此，根据本公开的实施方式，存储器装置100针对在设定时段期间输入的内部操作命令省略测量内部温度的操作，并且基于预先生成的温度代码来执行与内部操作命令对应的内部操作，以使得存储器装置100的操作速度可改进。
46.在实施方式中，存储器装置可生成表示在设定时段期间已生成温度代码的温度代码生成信息。
47.另外，存储器装置100可响应于从存储控制器200输入的内部操作命令来根据温度代码生成信息确定是否要测量内部温度。例如，存储器装置100可根据是否要测量内部温度的确定而省略测量内部温度的操作。存储器装置100可基于预先生成的温度代码来执行与内部操作命令对应的内部操作。另外，存储器装置100可根据是否要测量内部温度的确定来测量内部温度。存储器装置100可基于与所测量的内部温度对应的温度代码来执行与内部操作命令对应的内部操作。
48.存储控制器200可控制存储装置50的总体操作。
49.当电力被施加到存储装置50时，存储控制器200可执行固件(fw)。当存储器装置100是闪存装置时，fw可包括用于控制与主机300的通信的主机接口层(hil)、用于控制主机与存储器装置100之间的通信的闪存转换层(ftl)以及用于控制与存储器装置100的通信的闪存接口层(fil)。
50.在实施方式中，存储控制器200可从主机300接收数据和逻辑块地址(lba)，并将lba转换为表示存储器装置100中所包括的要存储数据的存储器单元的地址的物理块地址(pba)。在本说明书中，lba和“逻辑地址”可按相同的含义使用。在本说明书中，pba和“物理地址”可按相同的含义使用。
51.存储控制器200可响应于来自主机300的请求而控制存储器装置100执行编程操作、读操作、擦除操作等。在编程操作中，存储控制器200可将编程命令、pba和数据提供给存储器装置100。在读操作中，存储控制器200可将读命令和pba提供给存储器装置100。在擦除操作中，存储控制器200可将擦除命令和pba提供给存储器装置100。
52.在实施方式中，存储控制器200可自主地生成命令、地址和数据而不管来自主机300的任何请求，并将命令、地址和数据发送到存储器装置100。例如，存储控制器200可向存储器装置100提供用于执行读操作和编程操作(其伴随着执行耗损平衡、读回收、垃圾收集
等)的命令、地址和数据。
53.在实施方式中，存储控制器200可控制至少两个存储器装置100。存储控制器200可根据交织技术来控制存储器装置以改进操作性能。交织技术可以是用于控制对至少两个存储器装置100的操作彼此交叠的方法。
54.主机300可使用诸如通用串行总线(usb)、串行at附件(sata)、高速芯片间(hsic)、小型计算机系统接口(scsi)、火线、外围组件互连(pci)、高速pci(pcie)、高速非易失性存储器(nvme)、通用闪存(ufs)、安全数字(sd)、多媒体卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、双列直插存储器模块(dimm)、寄存dimm(rdimm)和负载减小dimm(lrdimm)的各种通信方式中的至少一种来与存储装置50通信。
55.图2是示出图1所示的存储器装置100的结构的图。
56.参照图2，存储器装置100可包括存储器单元阵列110、外围电路120、控制逻辑130和温度信息控制器140。控制逻辑130可被实现为硬件、软件或硬件和软件的组合。例如，控制逻辑130可以是根据算法操作的控制逻辑电路和/或执行控制逻辑代码的处理器。
57.存储器单元阵列110包括多个存储块blk1至blkz。多个存储块blk1至blkz通过行线rl连接到行解码器121。多个存储块blk1至blkz通过位线bl1至blm连接到页缓冲器组123。多个存储块blk1至blkz中的每一个包括多个存储器单元。在实施方式中，多个存储器单元可以是非易失性存储器单元。连接到同一字线的存储器单元可被定义为一个页。因此，一个存储块可包括多个页。
58.行线rl可包括至少一条源极选择线、多条字线和至少一条漏极选择线。
59.包括在存储器单元阵列110中的各个存储器单元可被配置为存储一个数据比特的单级单元(slc)、存储两个数据比特的多级单元(mlc)、存储三个数据比特的三级单元(tlc)或存储四个数据比特的四级单元(qlc)。
60.外围电路120可在控制逻辑130的控制下对存储器单元阵列110的所选区域执行编程操作、读操作或擦除操作。外围电路120可驱动存储器单元阵列110。例如，外围电路120可在控制逻辑130的控制下对行线rl和位线bl1至blm施加各种操作电压或者将所施加的电压放电。
61.在实施方式中，外围电路120可执行与从存储控制器200输入的多个内部操作命令对应的多个内部操作。
62.外围电路120可包括行解码器121、电压发生器122、页缓冲器组123、列解码器124、输入/输出电路125和感测电路126。
63.行解码器121通过行线rl连接到存储器单元阵列110。行线rl可包括至少一条源极选择线、多条字线和至少一条漏极选择线。在实施方式中，字线可包括正常字线和虚设字线。在实施方式中，行线rl还可包括管选择线。
64.行解码器121在控制逻辑的控制下操作。行解码器121从控制逻辑130接收行地址radd。
65.行解码器121将行地址radd解码。行解码器121根据解码的地址选择存储块blk1至blkz当中的至少一个存储块。另外，行解码器121可根据解码的地址选择所选存储块的至少一条字线以将电压发生器122所生成的电压施加到所述至少一条字线wl。
66.例如，在编程操作中，行解码器121可将编程电压施加到所选字线，并且将电平低
于编程电压的电平的编程通过电压施加到未选字线。在编程验证操作中，行解码器121可将验证电压施加到所选字线，并且将电平高于验证电压的电平的验证通过电压施加到未选字线。
67.在读操作中，行解码器121可将读电压施加到所选字线，并且将电平高于读电压的电平的读通过电压施加到未选字线。
68.在实施方式中，以存储块为单位执行存储器装置100的擦除操作。在擦除操作中，行解码器121可根据解码的地址选择一个存储块。在擦除操作中，行解码器121可将接地电压施加到连接到所选存储块的字线。
69.电压发生器122在控制逻辑130的控制下操作。电压发生器122使用供应给存储器装置100的外部电源电压来生成多个电压。例如，电压发生器可响应于操作信号opsig而生成在编程操作、读操作和擦除操作中使用的各种操作电压vop。例如，电压发生器122可在控制逻辑130的控制下生成编程电压、验证电压、通过电压、读电压、擦除电压等。
70.在实施方式中，电压发生器122可通过调节外部电源电压来生成内部电源电压。由电压发生器122生成的内部电源电压用作存储器装置100的操作电压。
71.在实施方式中，电压发生器122可使用外部电源电压或内部电源电压来生成多个电压。
72.例如，电压发生器122可包括用于接收内部电源电压的多个泵浦电容器，并且通过在控制逻辑130的控制下选择性地启用多个泵浦电容器来生成多个电压。
73.多个生成的电压可通过行解码器121被供应给存储器单元阵列110。
74.页缓冲器组123包括第一页缓冲器pb1至第m页缓冲器pbm。第一页缓冲器pb1至第m页缓冲器pbm分别通过第一位线bl1至第m位线blm连接到存储器单元阵列110。第一位线bl1至第m位线blm在控制逻辑130的控制下操作。例如，第一位线bl1至第m位线blm可响应于页缓冲器控制信号pbsignals而操作。例如，第一页缓冲器pb1至第m页缓冲器pbm可暂时存储通过第一位线bl1至第m位线blm接收的数据，或者在读操作或验证操作中感测位线bl1至blm的电压或电流。
75.例如，在编程操作中，当编程电压被施加到所选字线时，第一页缓冲器pb1至第m页缓冲器pbm可将通过输入/输出电路125接收的数据data通过第一位线bl1至第m位线blm传送至所选存储器单元。根据传送的数据data对所选页的存储器单元进行编程。连接到施加有编程允许电压(例如，接地电压)的位线的存储器单元可具有增加的阈值电压。可维持连接到施加有编程禁止电压(例如，电源电压)的位线的存储器单元的阈值电压。在编程验证操作中，第一页缓冲器pb1至第m页缓冲器pbm通过第一位线bl1至第m位线blm从所选存储器单元读取页数据。
76.在读操作中，第一页缓冲器pb1至第m页缓冲器pbm通过第一位线bl1至第m位线blm从所选页的存储器单元读取数据data，并且在列解码器124的控制下将读取的数据data输出到输入/输出电路125。
77.在擦除操作中，第一页缓冲器pb1至第m页缓冲器pbm可将第一位线bl1至第m位线blm浮置。
78.列解码器124可响应于列地址cadd在输入/输出电路125和页缓冲器组123之间通信数据。例如，列解码器124可通过数据线dl与第一页缓冲器pb1至第m页缓冲器pbm通信数
据，或者通过列线cl与输入/输出电路125通信数据。
79.输入/输出电路125可将从参照图1描述的存储控制器200接收的命令cmd和地址addr传送到控制逻辑130或者与列解码器124交换数据data。
80.在读操作或验证操作中，感测电路125可响应于允许比特vrybit信号生成基准电流，并且通过对从页缓冲器组123接收的感测电压vpb与通过基准电流生成的基准电压进行比较来输出通过信号或失败信号pass/fail。
81.控制逻辑130可通过响应于命令cmd和地址addr输出操作信号opsig、行地址radd、页缓冲器控制信号pbsignals和允许比特vrybit来控制外围电路120。另外，控制逻辑130可响应于通过信号pass或失败信号fail来确定验证操作通过还是失败。
82.在实施方式中，控制逻辑130可包括操作控制器131。
83.操作控制器131可根据从存储控制器200输入的内部操作命令来控制外围电路120执行内部操作。
84.在实施方式中，操作控制器131可基于温度信息控制器140所生成的温度代码temp code来控制外围电路120执行内部操作。例如，操作控制器131可基于温度信息控制器140所生成的温度代码temp code来控制电压发生器122生成用于执行内部操作的内部电压。另外，操作控制器131可控制外围电路120使用根据温度代码temp code补偿的内部电压来执行内部操作。
85.温度信息控制器140可测量存储器装置100的温度。温度信息控制器140可根据所测量的温度向控制逻辑130提供具有不同电压电平的温度代码temp code。
86.图3是示出图2所示的存储器单元阵列的实施方式的图。
87.参照图3，存储器单元阵列110可包括多个存储块blk1至blkz。各个存储块可具有三维结构。各个存储块可包括层叠在基板(未示出)上的多个存储器单元。所述多个存储器单元可沿着 x、 y和 z方向布置。各个存储块的结构将参照图4和图5更详细地描述。
88.图4是示出图3所示的存储块blk1至blkz当中的任一个存储块blka的电路图。
89.参照图4，存储块blka可包括多个单元串cs11至cs1m和cs21至cs2m。在实施方式中，多个单元串cs11至cs1m和cs21至cs2m中的每一个可按照“u”形状形成。在存储块blka中，在行方向(即， x方向)上布置m个单元串。图4示出在列方向(即， y方向)上布置两个单元串。然而，这是为了描述方便，将理解，可在列方向上布置三个单元串。
90.多个单元串cs11至cs1m和cs21至cs2m中的每一个可包括至少一个源极选择晶体管sst、第一存储器单元mc1至第n存储器单元mcn、管式晶体管pt以及至少一个漏极选择晶体管dst。
91.选择晶体管sst和dst与存储器单元mc1至mcn可具有彼此相似的结构。在实施方式中，选择晶体管sst和dst和存储器单元mc1至mcn中的每一个可包括沟道层、隧穿绝缘层、电荷存储层和阻挡绝缘层。在实施方式中，可在各个单元串中设置用于提供沟道层的柱。在实施方式中，可在各个单元串中设置用于提供沟道层、隧穿绝缘层、电荷存储层和阻挡绝缘层中的至少一个的柱。
92.各个单元串的源极选择晶体管sst连接在公共源极线csl与存储器单元mc1至mcp之间。
93.在实施方式中，布置在同一行上的单元串的源极选择晶体管连接到在行方向上延
伸的源极选择线，并且布置在不同行上的单元串的源极选择晶体管连接到不同的源极选择线。在图4中，第一行上的单元串cs11至cs1m的源极选择晶体管连接到第一源极选择线ssl1。第二行上的单元串cs21至cs2m的源极选择晶体管连接到第二源极选择线ssl2。
94.在另一实施方式中，单元串cs11至cs1m和cs21至cs2m的源极选择晶体管可共同连接到一条源极选择线。
95.各个单元串的第一存储器单元mc1至第n存储器单元mcn连接在源极选择晶体管sst与漏极选择晶体管dst之间。
96.第一存储器单元mc1至第n存储器单元mcn可被分成第一存储器单元mc1至第p存储器单元mcp和第(p 1)存储器单元mcp 1至第n存储器单元mcn。第一存储器单元mc1至第p存储器单元mcp依次布置在 z方向的相反方向上，并且串联连接在源极选择晶体管sst和管式晶体管pt之间。第(p 1)存储器单元mcp 1至第n存储器单元mcn依次布置在 z方向上，并且串联连接在管式晶体管pt和漏极选择晶体管dst之间。第一存储器单元mc1至第p存储器单元mcp和第(p 1)存储器单元mcp 1至第n存储器单元mcn通过管式晶体管pt联接。各个单元串的第一存储器单元mc1至第n存储器单元mcn的栅电极分别连接到第一字线wl1至第n字线wln。
97.各个单元串的管式晶体管pt的栅极连接到管线pl。
98.各个单元串的漏极选择晶体管dst连接在对应位线与存储器单元mcp 1至mcn之间。布置在行方向上的单元串连接到在行方向上延伸的漏极选择线。第一行上的单元串cs11至cs1m的漏极选择晶体管连接到第一漏极选择线dsl1。第二行上的单元串cs21至cs2m的漏极选择晶体管连接到第二漏极选择线dsl2。
99.布置在列方向上的单元串连接到在列方向上延伸的位线。在图4中，第一列上的单元串cs11和cs21连接到第一位线bl1。第m列上的单元串cs1m和cs2m连接到第m位线blm。
100.布置在行方向上的单元串中的连接到同一字线的存储器单元构成一页。例如，第一行上的单元串cs11至cs1m中的连接到第一字线wl1的存储器单元构成一页。第二行上的单元串cs21至cs2m中的连接到第一字线wl1的存储器单元构成另一页。当漏极选择线dsl1和dsl2中的任一条被选择时，可选择布置在一个行方向上的单元串。当字线wl1至wln中的任一条被选择时，可在所选单元串中选择一页。
101.在另一实施方式中，代替第一位线bl1至第m位线blm，可设置偶数位线和奇数位线。另外，布置在行方向上的单元串cs11至cs1m或cs21至cs2m当中的偶数编号单元串可分别连接到偶数位线，布置在行方向上的单元串cs11至cs1m或cs21至cs2m当中的奇数编号单元串可分别连接到奇数位线。
102.在实施方式中，第一存储器单元mc1至第n存储器单元mcn中的至少一个可用作虚设存储器单元。例如，可设置至少一个虚设存储器单元以减小源极选择晶体管sst与存储器单元mc1至mcp之间的电场。另选地，可设置至少一个虚设存储器单元以减小漏极选择晶体管dst与存储器单元mcp 1至mcn之间的电场。当虚设存储器单元的数量增加时，存储块blka的操作的可靠性改进。另一方面，存储块blka的尺寸增大。当虚设存储器单元的数量减少时，存储块blka的尺寸减小。另一方面，存储块blka的操作的可靠性可能劣化。
103.为了有效地控制至少一个虚设存储器单元，虚设存储器单元可具有所需阈值电压。在存储块blka的擦除操作之前或之后，可对所有或一些虚设存储器单元执行编程操作。
当在执行编程操作之后执行擦除操作时，虚设存储器单元的阈值电压控制施加到连接到各个虚设存储器单元的虚设字线的电压，以使得虚设存储器单元可具有所需阈值电压。
104.图5是示出图3所示的存储块blk1至blkz当中的一个存储块的另一实施方式blkb的电路图。
105.参照图5，存储块blkb可包括多个单元串cs11’至cs1m’和cs21’至cs2m’。多个单元串cs11’至cs1m’和cs21’至cs2m’中的每一个沿着 z方向延伸。多个单元串cs11’至cs1m’和cs21’至cs2m’中的每一个包括在存储块blkb下方层叠在基板(未示出)上的至少一个源极选择晶体管sst、第一存储器单元mc1至第n存储器单元mcn以及至少一个漏极选择晶体管dst。
106.各个单元串的源极选择晶体管sst连接在公共源极线csl与存储器单元mc1至mcn之间。布置在同一行上的单元串的源极选择晶体管连接到同一源极选择线。布置在第一行上的单元串cs11’至cs1m’的源极选择晶体管连接到第一源极选择线ssl1。布置在第二行上的单元串cs21’至cs2m’的源极选择晶体管连接到第二源极选择线ssl2。在另一实施方式中，单元串cs11’至cs1m’和cs21’至cs2m’的源极选择晶体管可共同连接到一条源极选择线。
107.各个单元串的第一存储器单元mc1至第n存储器单元mcn串联连接在源极选择晶体管sst和漏极选择晶体管dst之间。第一存储器单元mc1至第n存储器单元mcn的栅电极分别连接到第一字线wl1至第n字线wln。
108.各个单元串的漏极选择晶体管dst连接在对应位线与存储器单元mc1至mcn之间。布置在行方向上的单元串的漏极选择晶体管连接到在行方向上延伸的漏极选择线。第一行上的单元串cs11’至cs1m’的漏极选择晶体管连接到第一漏极选择线dsl1。第二行上的单元串cs21’至cs2m’的漏极选择晶体管连接到第二漏极选择线dsl2。
109.因此，除了从图5的各个单元串排除管式晶体管pt之外，图5的存储块blkb具有与图4的存储块blka相似的电路。
110.在另一实施方式中，代替第一位线bl1至第m位线blm，可设置偶数位线和奇数位线。另外，布置在行方向上的单元串cs11’至cs1m’或cs21’至cs2m’当中的偶数编号单元串可分别连接到偶数位线，布置在行方向上的单元串cs11'至cs1m’或cs21’至cs2m’当中的奇数编号单元串可分别连接到奇数位线。
111.在实施方式中，第一存储器单元mc1至第n存储器单元mcn中的至少一个可用作虚设存储器单元。例如，可设置至少一个虚设存储器单元以减小源极选择晶体管sst与存储器单元mc1至mcp之间的电场。另选地，可设置至少一个虚设存储器单元以减小漏极选择晶体管dst与存储器单元mcp 1至mcn之间的电场。当虚设存储器单元的数量增加时，存储块blkb的操作的可靠性改进。另一方面，存储块blkb的尺寸增大。当虚设存储器单元的数量减少时，存储块blkb的尺寸减小。另一方面，存储块blkb的操作的可靠性可能劣化。
112.为了有效地控制至少一个虚设存储器单元，虚设存储器单元可具有所需阈值电压。在存储块blkb的擦除操作之前或之后，可对所有或一些虚设存储器单元执行编程操作。当在执行编程操作之后执行擦除操作时，虚设存储器单元的阈值电压控制施加到连接到各个虚设存储器单元的虚设字线的电压，以使得虚设存储器单元可具有所需阈值电压。
113.图6是示出例如图1所示的存储控制器与多个存储器装置之间的连接关系的图。
114.参照图6，存储控制器200可通过多个通道ch1和ch2连接到多个存储器装置(存储器装置_11至存储器装置_24)。在实施方式中，将理解，通道的数量或者连接到各个通道的存储器装置的数量可不同地修改。然而，在本说明书中，假设存储控制器200通过两个通道连接到存储器装置并且四个存储器装置连接到各个通道。
115.为了描述方便，将描述连接到第一通道ch1的存储器装置_11、存储器装置_12、存储器装置_13和存储器装置_14的操作。将理解，连接到另一通道ch2的存储器装置(存储器装置_21至存储器装置_24)也类似存储器装置_11、存储器装置_12、存储器装置_13和存储器装置_14操作。
116.存储器装置_11至存储器装置_14可共同连接到第一通道ch1。存储器装置_11至存储器装置_14可通过第一通道ch1与存储控制器200通信。由于存储器装置_11至存储器装置_14通过第一通道ch1共同连接到存储控制器200，所以一次仅一个存储器装置可与存储控制器200通信。然而，分别由存储器装置_11至存储器装置_14内部执行的操作可同时执行。本文中针对发生使用的词语“同时”和“同时地”意指发生在交叠的时间间隔上进行。例如，如果第一发生在第一时间间隔内进行并且第二发生同时在第二时间间隔内进行，则第一间隔和第二间隔彼此至少部分地交叠，使得存在第一发生和第二发生均进行的时间。
117.使用多个存储器装置的存储装置可使用图1中描述的交织技术来改进性能。出于交织技术的目的，存储器装置可以通道和路径为单位管理。为了使连接到各个通道的存储器装置的并行化最大化，存储控制器200可以通道和路径为单位分布和分配连续的逻辑存储器区域。
118.例如，存储控制器200可通过第一通道ch1向存储器装置_11发送命令、包括地址的控制信号和数据。在存储器装置_11将所接收的数据编程在包括在其中的存储器单元中时，存储控制器可向存储器装置_12发送命令、包括地址的控制信号和数据。
119.在图6中，多个存储器装置可构成四个路径way1至way2。第一路径way1可包括存储器装置_11和存储器装置_21。第二路径way2可包括存储器装置_12和存储器装置_22。第三路径way3可包括存储器装置_13和存储器装置_23。第四路径way4可包括存储器装置_14和存储器装置_24。
120.通道ch1和ch2中的每一个可以是共享并使用连接到对应通道的存储器装置的信号总线。
121.尽管图6中描述了2通道/4路径结构的交织，但是随着通道的数量增加并且随着路径的数量增加，交织可变得更高效。
122.图7是示出存储器装置的内部操作的图。
123.参照图7，存储器装置100可执行与从存储控制器200输入的内部操作命令对应的内部操作。内部操作可包括读操作、编程操作和擦除操作。此外，为了描述方便，图7中示出了在读操作中测量存储器装置100的内部操作的操作。然而，即使在编程操作或擦除操作中也可执行测量存储器装置100的内部操作的操作。
124.在实施方式中，存储器装置100的读操作可包括页缓冲器设置操作pb setup、存储块预充电操作blk precharge、温度测量操作dst、字线上升操作wl rise、感测操作sensing和放电操作discharge。然而，包括在读操作中的操作的上述集合仅是示例，在一些实施方式中可添加另一操作。
125.例如，在读操作开始时，存储器装置100可与页缓冲器设置操作pb setup或存储块预充电操作blk precharge一起执行温度测量操作dts。存储器装置100可在温度测量操作dts完成之后执行字线上升操作wl rise。因此，在温度测量操作dts完成之前不执行字线上升操作wl rise，因此，在读操作中可发生开销。
126.由于每当读操作执行时，存储器装置100执行温度测量操作，所以当多个读操作之间的间隔较短时，执行多个读操作所需的时间延长。
127.因此，根据本公开的实施方式，存储器装置100针对在设定时段期间输入的内部操作命令省略温度测量操作，并且基于预先生成的温度代码执行与内部操作命令对应的内部操作，以使得存储器装置100的操作速度可改进。
128.以下，将参照图8描述根据本公开的实施方式的存储器装置100。
129.图8是示出根据本公开的实施方式的存储器装置的示例的图。
130.参照图8，存储器装置100可包括外围电路120、操作控制器131和温度信息控制器800。
131.在图8中，外围电路120和操作控制器131可分别与参照图2描述的外围电路120和操作控制器131相同地配置和操作。温度信息控制器800可表示图2所示的温度信息控制器140。
132.温度信息控制器800可包括温度传感器810、温度代码发生器820、温度信息存储部830、温度测量控制器840和时段计数器850。
133.温度传感器810可根据从存储控制器200输入的内部操作命令来测量内部温度。例如，在与内部操作命令对应的内部操作开始时，温度传感器810可测量内部温度。在实施方式中，在执行与从存储控制器200输入的多个内部操作命令当中的第一内部操作命令对应的内部操作时，温度传感器810可测量内部温度。第一内部操作命令可在没有生成任何温度代码的状态下输入。
134.另外，温度传感器810可在温度测量控制器840的控制下针对与内部操作命令对应的内部操作省略温度测量操作。即，在温度测量控制器840的控制下，温度传感器810可能不测量用于内部操作的内部温度。
135.温度代码发生器820可生成与所测量的内部温度对应的温度代码。例如，温度代码发生器820可根据第一内部操作命令来生成与所测量的内部温度对应的第一温度代码。
136.温度信息存储部830可存储温度代码以及表示在设定时段期间已生成温度代码的信息的温度代码生成信息。设定时段可以是由用户设定的时段或者在制造存储器装置100的过程中设定的时段。
137.在实施方式中，温度代码生成信息可具有表示已生成温度代码的信息的第一状态值。另外，在实施方式中，温度代码生成信息可具有表示还未生成温度代码的信息的第二状态值。第一状态值可为“1”(或“0”)，第二状态值可为“0”(或“1”)。
138.在实施方式中，温度信息存储部830可存储根据第一内部操作命令生成的第一温度代码以及表示已生成第一温度代码的信息的温度代码生成信息。
139.温度测量控制器840可基于温度代码生成信息来确定是否要测量内部温度。例如，温度测量控制器840可基于温度代码生成信息来确定是否要测量执行多个内部操作命令当中的与在输入第一内部操作命令之后输入的第二内部操作命令对应的内部操作时的内部
温度。
140.在实施方式中，温度测量控制器840可根据是否要测量内部温度的确定来控制温度传感器810省略测量内部操作的操作。操作控制器131可基于根据第一内部操作命令生成的第一温度代码和温度代码生成信息来控制外围电路120执行与第二内部操作命令对应的内部操作。例如，当在执行与第二内部操作命令对应的内部操作时温度代码生成信息具有第一状态值时，操作控制器131可基于根据第一内部操作命令生成的第一温度代码来控制外围电路120执行与第二内部操作命令对应的内部操作。
141.在实施方式中，温度测量控制器840可根据是否要测量内部操作的确定来控制温度传感器810测量内部温度。例如，当在执行与第二内部操作命令对应的内部操作时温度代码生成信息具有第二状态值时，温度测量控制器840可在执行与第二内部操作命令对应的内部操作时控制温度传感器810测量内部温度。温度代码发生器820可生成与在执行与第二内部操作命令对应的内部操作时测量的内部温度对应的第二温度代码。操作控制器131可基于根据第二内部操作命令生成的第二温度代码来控制外围电路120执行与第二内部操作命令对应的内部操作。
142.在实施方式中，温度测量控制器840可改变温度代码生成信息的状态值。例如，当根据第一内部操作命令生成第一温度代码时，温度测量控制器840可将温度代码生成信息的状态值改变为第一状态值。另外，当根据第二内部操作命令生成第二温度代码时，温度测量控制器840可将温度代码生成信息的状态值改变为第一状态值。可在设定时段期间维持温度代码生成信息的第一状态值。
143.另外，当设定时段逝去时，温度测量控制器840可将温度代码生成信息的状态值改变为第二状态值。例如，当确定时段计数器850所设定的时段已逝去时，温度测量控制器840可将温度代码生成信息的状态值从第一状态值改变为第二状态值。
144.时段计数器850可生成从测量内部温度的时间开始每设定时段减少的时段计数值。例如，当根据第一内部操作命令生成第一温度代码时，时段计数器850可生成时段计数值。另外，当根据第二内部操作命令生成第二温度代码时，时段计数器850可生成时段计数值。
145.在实施方式中，时段计数器850可根据减少的时段计数值是否与目标计数值一致来确定设定时段是否已逝去。目标计数值可为“0”。例如，当对于每设定时段减少时段计数值时减少的时段计数值变为0时，时段计数器850可确定设定时段已逝去，使得温度代码生成信息具有第一状态值。时段计数器850可向温度测量控制器840提供设定时段已逝去的信息，并且温度测量控制器840可响应于从时段计数器850提供的信息将温度代码生成信息的状态值改变为第二状态值。
146.图9是示出执行根据本公开的实施方式的内部操作的示例的图。
147.在图9中，假设存储器装置100包括多个平面plane1至plane4。尽管描述了存储器装置100包括四个平面的情况，但这是为了描述方便，包括在一个存储器装置中的平面的数量不限于图9所示的实施方式。在实施方式中，平面可以是用于对平面内的一组存储块独立地执行编程操作、读操作或擦除操作的单元。另外，图1中描述的交织技术可被应用于多个平面plane1至plane4。
148.当存储器装置100从存储控制器200接收到对第一平面plane1的读命令a(read1_
a)时，存储器装置100可执行与对第一平面plane1的读命令a(read1_a)对应的读操作。存储器装置100可生成温度代码dts_code。例如，存储器装置100可通过测量内部温度来生成温度代码a(temp code a)以执行与对第一平面plane1的读命令a(read1_a)对应的读操作。另外，存储器装置100可将表示已生成温度代码的信息的温度代码生成信息dts_flag的状态值改变为第一状态值。可在设定时段dts_interval期间维持温度代码生成信息dts_flag的第一状态值。存储器装置100可在设定时段dts_interval期间存储温度代码a(temp code a)。
149.随后，存储器装置100可从存储控制器200接收对第二平面plane2的读命令a(read2_a)、对第三平面plane3的读命令a(read3_a)和对第四平面plane4的读命令a(read4_a)。在执行分别与对第二平面plane2的读命令a(read2_a)、对第三平面plane3的读命令a(read3_a)和对第四平面plane4的读命令a(read4_a)对应的读操作时，温度代码生成信息dts_flag具有第一状态值。存储器装置100可省略测量内部温度的操作。因此，存储器装置100可基于温度代码a(temp code a)来执行分别与对第二平面plane2的读命令a(read2_a)、对第三平面plane3的读命令a(read3_a)和对第四平面plane4的读命令a(read4_a)对应的读操作。
150.另外，在生成温度代码a(temp code a)时，存储器装置100可生成时段计数值dts_cnt。在实施方式中，时段计数值dts_cnt可包括开始值ffh和结束值00h。存储器装置100可每设定时段减少时段计数值dts_cnt。当减少的时段计数值dts_cnt对应于“0”(00h)时，存储器装置100可将温度代码生成信息dts_flag的状态值改变为第二状态值。在一些实施方式中，存储器装置100可去除温度代码a(temp code a)。
151.随后，存储器装置100可从存储控制器200接收对第二平面plane2的读命令b(read2_b)。存储器装置100可重新生成温度代码dts_code。例如，由于温度代码生成信息dts_flag的状态值处于状态值改变为第二状态值的状态，所以存储器装置100可通过测量内部温度来生成温度代码b(temp code b)以执行与对第二平面plane2的读命令b(read2_b)对应的读操作。另外，存储器装置100可将温度代码生成信息dts_flag的状态值改变为第一状态值。可在设定时段dts_interval期间维持温度代码生成信息dts_flag的第一状态值。存储器装置100可在设定时段dts_interval期间存储温度代码b(temp code b)。
152.随后，存储器装置100可从存储控制器200接收对第三平面plane3的读命令b(read3_b)和对第二平面plane2的读命令c(read2_c)。在执行分别与对第三平面plane3的读命令b(read3_b)和对第二平面plane2的读命令c(read2_c)对应的读操作时，温度代码生成信息dst_flag具有第一状态值。存储器装置100可省略测量内部温度的操作。因此，存储器装置100可基于温度代码b(temp code b)来执行分别与对第三平面plane3的读命令b(read3_b)和对第二平面plane2的读命令c(read2_c)对应的读操作。
153.另外，在生成温度代码b(temp code b)时，存储器装置100可生成时段计数值dst_cnt。在实施方式中，时段计数值dts_cnt可包括开始值ffh和结束值00h。存储器装置100可每设定时段减少时段计数值dts_cnt。当减少的时段计数值dts_cnt对应于“0”(00h)时，存储器装置100可将温度代码生成信息dts_flag的状态值改变为第二状态值。在一些实施方式中，存储器装置100可去除温度代码b(temp code b)。
154.因此，根据本公开的实施方式，由于分别与对第一平面plane1的读命令a(read1_
a)和对第二平面plane2的读命令b(read2_b)对应的各个读操作执行测量内部操作的操作，所以执行读操作所需的时间(tdts1)较长。另一方面，由于分别与除了对第一平面plane1的读命令a(read1_a)和对第二平面plane2的读命令b(read2_b)之外的其它读命令对应的各个读操作不执行测量内部温度的操作，所以执行读操作所需的时间(tdts2)减少。
155.图10是示出根据本公开的实施方式的存储器装置的另一示例的图。
156.在图10中，存储器装置100可以是包括多个存储器芯片100_1和100_2的存储器封装。尽管描述了存储器装置100包括两个存储器芯片的情况，但这是为了描述方便，包括在一个存储器装置中的存储器芯片的数量不限于图10所示的实施方式。另外，图1中描述的交织技术可被应用于多个存储器芯片100_1和100_2。
157.在实施方式中，第一存储器芯片100_1和第二存储器芯片100_2中的每一个可包括图8所示的温度信息控制器800。然而，本公开未必限于此。在一些实施方式中，一个温度信息控制器可生成关于第一存储器芯片100_1和第二存储器芯片100_2中的每一个的温度代码和温度代码生成信息。
158.第一存储器芯片100_1可从存储控制器200接收第一内部操作命令。另外，第一存储器芯片100_1可存储根据第一内部操作命令生成的温度代码以及表示在设定时段期间已生成温度代码的信息的温度代码生成信息。温度代码生成信息的状态值可具有第一状态值。
159.在第一内部操作命令被输入到第一存储器芯片100_1之后，第二存储器芯片100_2可从存储控制器200接收第二内部操作命令。另外，第二存储器芯片100_2可响应于第二内部操作命令来基于存储在第一存储器芯片100_1中的温度代码执行与第二内部操作命令对应的内部操作。
160.例如，假设在第二存储器芯片100_2中未生成任何温度代码，并且存储在第二存储器芯片100_2中的温度代码生成信息具有第二状态值。例如，第二存储器芯片100_2可首先检查存储在第二存储器芯片100_2中的温度代码生成信息。由于第二存储器芯片100_2的温度代码生成信息具有第二状态值，所以可检查第一存储器芯片100_1的温度代码生成信息。例如，第二存储器芯片100_2可向第一存储器芯片100_1请求存储在第一存储器芯片100_1中的温度代码生成信息。由于存储在第一存储器芯片100_1中的温度代码生成信息具有第一状态值，所以第二存储器芯片100_2可基于存储在第一存储器芯片100_1中的温度代码执行与第二内部操作命令对应的内部操作。
161.此外，第一存储器芯片100_1和第二存储器芯片100_2还可包括用于控制存储器芯片之间的通信以执行共享上述温度代码的操作的接口。
162.另外，尽管图10中描述了在多个存储器芯片之间共享温度代码的情况，但是本公开未必限于此。在一些实施方式中，可在多个存储器装置之间共享温度代码。
163.图11是示出根据本公开的实施方式的存储器装置的操作方法的流程图。
164.图11所示的操作方法可由例如图2或图8所示的存储器装置100执行。
165.在步骤s1101中，存储器装置100可从存储控制器200接收第一内部操作命令。
166.在步骤s1103中，存储器装置100可响应于第一内部操作命令生成与在执行与第一内部操作命令对应的内部操作时的内部温度对应的第一温度代码。
167.在步骤s1105中，存储器装置100可生成表示在设定时段期间已生成第一温度代码
的信息的温度代码生成信息。例如，存储器装置100可根据第一内部操作命令生成具有表示已生成第一温度代码的信息的第一状态值的温度代码生成信息。
168.在步骤s1107中，存储器装置100可从存储控制器200接收第二内部操作命令。例如，在存储器装置100接收第一内部操作命令之后，存储器装置100可接收第二内部操作命令。
169.在步骤s1109中，存储器装置100可响应于第二内部操作命令来基于根据第一内部操作命令生成的第一温度代码和温度代码生成信息执行与第二内部操作命令对应的内部操作。
170.图12是示出根据本公开的实施方式的生成温度代码的方法的流程图。
171.图12所示的方法可由例如图2或图8所示的存储器装置100执行。
172.在步骤s1201中，存储器装置100可从存储控制器200接收第二内部操作命令。
173.在步骤s1203中，存储器装置100可响应于第二内部操作命令而确定温度代码生成信息是否具有第一状态值。例如，存储器装置100可响应于第二内部操作命令来基于温度代码生成信息确定是否要测量内部温度。
174.当基于步骤s1203中的确定结果，温度代码生成信息具有第一状态值时，存储器装置100可能不测量内部温度。存储器装置100可基于根据第一内部操作命令生成的第一温度代码来执行与第二内部操作命令对应的内部操作。
175.另选地，当基于步骤s1203中的确定结果，温度代码生成信息不具有第一状态值时，在步骤s1205中，存储器装置100可生成从测量内部温度的时间开始每设定时段减少的时段计数值。例如，当温度代码生成信息具有第二状态值而非第一状态值时，存储器装置100可生成时段计数值。
176.在步骤s1207中，存储器装置100可响应于具有第二状态值的温度代码生成信息而生成与在执行与第二内部操作命令对应的内部操作时的内部温度对应的第二温度代码。存储器装置100可基于根据第二内部操作命令生成的第二温度代码来执行与第二内部操作命令对应的内部操作。
177.图13是示出根据本公开的实施方式的改变温度代码生成信息的方法的流程图。
178.图13所示的方法可由例如图2或图8所示的存储器装置100执行。
179.在步骤s1301中，存储器装置100可生成时段计数值。例如，时段计数值可在测量内部温度时生成。
180.在步骤s1303中，存储器装置100可减少时段计数值。例如，存储器装置可将时段计数值从时段计数值反向计数到“0”。时段计数值从时段计数值反向计数到“0”的时段可对应于温度代码生成信息维持第一状态值的时段。
181.在步骤s1305中，存储器装置100可确定时段计数值是否等于目标计数值。例如，目标计数值可为“0”。
182.当基于步骤s1305中的确定结果，时段计数值不等于目标计数值时，存储器装置100可进行到步骤s1303以减少时段计数值。即，存储器装置100执行步骤s1303和s1305，直至时段计数值变为“0”。当时段计数值变为“0”时，存储器装置100可确定设定时段已逝去。设定时段可以是温度代码生成信息维持第一状态值的时段。因此，存储器装置100可通过步骤s1303和s1305来管理温度代码生成信息维持第一状态值的时段。
183.当基于步骤s1305中的确定结果，时段计数值等于目标计数值时，在步骤s1307中，存储器装置100可在设定时段逝去时将温度代码生成信息的状态值改变为第二状态值。
184.图14是示出图1所示的存储控制器的图。
185.参照图1和图14，存储控制器200可包括处理器220、ram 230、纠错电路240、rom 250、主机接口270和闪存接口280。
186.处理器220可控制存储控制器200的总体操作。ram 230可用作存储控制器200的缓冲存储器、高速缓存存储器、工作存储器等。
187.纠错电路240可执行纠错。纠错电路240可对要通过闪存接口280写到存储器装置的数据执行纠错码(ecc)编码。ecc解码的数据可通过闪存接口280被传送至存储器装置。纠错电路240可对通过闪存接口280从存储器装置接收的数据执行ecc解码。例如，纠错电路240可作为闪存接口280的组件包括在闪存接口280中。
188.rom 260可将存储控制器200的操作中所需的各种信息以固件的形式存储。
189.存储控制器200可通过主机接口270与外部装置(例如，主机300、应用处理器等)通信。
190.存储控制器200可通过闪存接口280与存储器装置100通信。存储控制器200可通过闪存接口280向存储器装置100发送命令cmd、地址addr、控制信号ctrl等，并且接收数据data。例如，闪存接口280可包括nand接口。
191.图15是示出根据本公开的实施方式的应用存储装置的存储卡系统的框图。
192.参照图15，存储卡系统2000包括存储控制器2100、存储器装置2200和连接器2300。
193.存储控制器2100连接到存储器装置2200。存储控制器2100可访问存储器装置2200。例如，存储控制器2100可控制存储器装置2200的读操作、写操作、擦除操作和后台操作。存储控制器2100在存储器装置2200和主机host之间提供接口。存储控制器2100驱动用于控制存储器装置2200的固件。存储控制器2100可与参照图1描述的存储控制器200相同地实现。存储器装置2200可与参照图2描述的存储器装置100相同地实现。
194.例如，存储控制器2100可包括诸如随机存取存储器(ram)、处理单元、主机接口、存储器接口和ecc电路的组件。
195.存储控制器2100可通过连接器2300与外部装置通信。存储控制器2100可根据特定通信协议与外部装置(例如，主机)通信。例如，存储控制器2100可通过诸如通用串行总线(usb)、多媒体卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、外围组件互连(pci)、高速pci(pcie)、高级技术附件(ata)、串行ata(sata)、并行ata(pata)、小型计算机系统接口(scsi)、增强小型磁盘接口(esdi)、集成驱动电子设备(ide)、火线、通用闪存(ufs)、wi-fi、蓝牙和nvme的各种通信协议中的至少一种来与外部装置通信。
196.例如，存储器装置2200可利用诸如电可擦除可编程rom(eeprom)、nand闪存、nor闪存、相变ram(pram)、电阻ram(reram)、铁电ram(fram)和自旋转移矩磁性ram(stt-mram)的各种非易失性存储器装置来实现。
197.存储控制器2100和存储器装置2200可被集成到单个半导体装置中以构成存储卡。例如，存储控制器2100和存储器装置2200可构成诸如pc卡(个人计算机存储卡国际协会(pcmcia))、紧凑闪存(cf)卡、智能媒体卡(sm和smc)、记忆棒、多媒体卡(mmc、rs-mmc、mmcmicro和emmc)、sd卡(sd、minisd、microsd和sdhc)和通用闪存(ufs)的存储卡。
198.图16是示出根据本公开的实施方式的应用存储装置的例如固态驱动器(ssd)系统的框图。
199.参照图16，ssd系统3000包括主机3100和ssd 3200。ssd 3200通过信号连接器3001与主机3100交换信号sig，并且通过电源连接器3002接收电力pwr。ssd3200包括ssd控制器3210、多个闪存3221至322n、辅助电源3230和缓冲存储器3240。
200.在实施方式中，ssd控制器3210可用作参照图1描述的存储控制器200。
201.ssd控制器3210可响应于从主机3100接收的信号sig而控制多个闪存3221至322n。例如，信号sig可以是基于主机3100和ssd 3200之间的接口的信号。例如，信号sig可以是由诸如通用串行总线(usb)、多媒体卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、外围组件互连(pci)、高速pci(pcie)、高级技术附件(ata)、串行ata(sata)、并行ata(pata)、小型计算机系统接口(scsi)、增强小型磁盘接口(esdi)、集成驱动电子设备(ide)、火线、通用闪存(ufs)、wi-fi、蓝牙和nvme的接口中的至少一个定义的信号。
202.辅助电源3230通过电源连接器3002连接到主机3100。当来自主机3100的电力供应不顺畅时，辅助电源3230可提供ssd 3200的电力。例如，辅助电源3230可位于ssd 3200中或者位于ssd 3200的外部。例如，辅助电源3230可位于主板上并且向ssd 3200提供辅助电力。
203.缓冲存储器3240作为ssd 3200的缓冲存储器操作。例如，缓冲存储器3240可暂时地存储从主机3100接收的数据或者从多个闪存3221至322n接收的数据，或者暂时地存储闪存3221至322n的元数据(例如，映射表)。缓冲存储器3240可包括诸如dram、sdram、ddr sdram、lpddr sdram和gram的易失性存储器或者诸如fram、reram、stt-mram和pram的非易失性存储器。
204.图17是示出根据本公开的实施方式的应用存储装置的用户系统的框图。
205.参照图17，用户系统4000包括应用处理器4100、存储器模块4200、网络模块4300、存储模块4400和用户接口4500。
206.应用处理器4100可驱动包括在用户系统4000中的组件、操作系统(os)、用户程序等。例如，应用处理器4100可包括用于控制包括在用户系统4000中的组件的控制器、接口、图形引擎等。应用处理器4100可作为系统芯片(soc)来提供。
207.存储器模块4200可作为用户系统4000的主存储器、工作存储器、缓冲存储器或高速缓存存储器操作。存储器模块4200可包括诸如dram、sdram、ddr sdram、ddr2 sdram、ddr3 sdram、lpddr sdram、lpddr2 sdram和lpddr3sdram的易失性随机存取存储器或者诸如pram、reram、mram和fram的非易失性随机存取存储器。例如，应用处理器4100和存储器模块4200可通过基于叠层封装(pop)封装来作为一个半导体封装提供。
208.网络模块4300可与外部装置通信。例如，网络模块4300可支持诸如码分多址(cdma)、全球移动通信系统(gsm)、宽带cdma(wcdma)、cdma-2000、时分多址(tdma)、长期演进(lte)、wimax、wlan、uwb、蓝牙和wi-fi的无线通信。例如，网络模块4300可被包括在应用处理器4100中。
209.存储模块4400可存储数据。例如，存储模块4400可存储从应用处理器4100接收的数据。另选地，存储模块4400可将存储在其中的数据发送到应用处理器4100。例如，存储模块4400可利用诸如相变ram(pram)、磁性ram(mram)、电阻ram(rram)、nand闪存、nor闪存或具有三维结构的nand闪存的非易失性半导体存储器装置来实现。例如，存储模块4400可作
为例如用户系统4000的存储卡的可移除驱动器或外部驱动器来提供。
210.例如，存储模块4400可包括多个非易失性存储器装置，并且这多个非易失性存储器装置可与参照图1描述的存储器装置100相同地操作。存储模块4400可与参照图1描述的存储装置50相同地操作。
211.用户接口4500可包括用于向应用处理器4100输入数据或命令或者向外部装置输出数据的接口。例如，用户接口4500可包括诸如键盘、键区、按钮、触摸面板、触摸屏、触摸板、触摸球、相机、麦克风、陀螺仪传感器、振动传感器和压电元件的用户输入接口。用户接口4500可包括诸如液晶显示器(lcd)、有机发光二极管(oled)显示装置、有源矩阵oled(amoled)显示装置、led、扬声器和监视器的用户输出接口。
212.根据本公开，可提供一种具有改进的操作速度的存储器装置和该存储器装置的操作方法。
213.尽管参照其实施方式的特定示例示出和描述了本公开，但是本领域技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求及其等同物限定的本公开的精神和范围的情况下，可对其进行形式和细节上的各种改变。因此，本公开的范围不应限于上述示例性实施方式，而是应该不仅由所附权利要求，而且还由其等同物确定。
214.在上述实施方式中，可选择性地执行所有步骤，或者可省略部分步骤。在各个实施方式中，步骤未必根据所描述的顺序执行，而是可重新布置。本说明书和附图中所公开的实施方式仅是方便理解本公开的示例，本公开不限于此。即，对于本领域技术人员而言应该显而易见的是，可基于本公开的技术范围进行各种修改。
215.此外，已在附图和说明书中描述了本公开的实施方式的示例。尽管这里使用了特定术语，但那些术语仅用于说明本公开的实施方式。因此，本公开不限于上述实施方式，在本公开的精神和范围内可进行许多变化。对于本领域技术人员而言应该显而易见，除了本文所公开的实施方式之外，还可基于本公开的技术范围进行各种修改。
216.相关申请的交叉引用
217.本技术要求2020年8月21日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请号10-2020-0105550的优先权，其完整公开通过引用并入本文。