半导体零部件、复合涂层形成方法和等离子体反应装置与流程

技术特征：
1.一种耐等离子体腐蚀的半导体零部件，其特征在于，包括：零部件本体，所述零部件本体表面具有复合涂层，所述复合涂层包括：耐等离子体腐蚀涂层，设置于所述零部件本体表面；以及防水牺牲层，设置于所述耐等离子体腐蚀涂层表面。2.根据权利要求1所述的一种耐等离子体腐蚀的半导体零部件，其特征在于，所述防水牺牲层的材料包括si、sio2、sic和sin中的至少一种。3.根据权利要求1所述的一种耐等离子体腐蚀的半导体零部件，其特征在于，所述防水牺牲层的厚度在0.1nm-100nm之间。4.根据权利要求1所述的一种耐等离子体腐蚀的半导体零部件，其特征在于，所述耐等离子体腐蚀涂层材料包括稀土元素y、sc、la、ce、pr、nd、eu、gd、tb、dy、ho、er、tm、yb和lu中的至少一种。5.权利要求4所述的一种耐等离子体腐蚀的半导体零部件，其特征在于，所述耐等离子体腐蚀涂层包括稀土元素的氧化物、氟化物或氟氧化物中的至少一种。6.一种如权利要求1-5任一所述的复合涂层的形成方法，其特征在于，包括：提供零部件本体；在所述零部件本体表面形成耐等离子体腐蚀涂层；在所述耐等离子体腐蚀涂层表面形成防水牺牲层。7.根据权利要求6所述的一种复合涂层形成方法，其特征在于，形成所述耐等离子体腐蚀涂层之后，直接形成所述防水牺牲层。8.根据权利要求6所述的一种复合涂层形成方法，其特征在于，所述耐等离子体腐蚀涂层和防水牺牲层在真空环境中或者保护性气氛中形成。9.根据权利要求6所述的一种复合涂层形成方法，其特征在于，所述耐等离子体腐蚀涂层的涂覆方法包括物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积中的至少一种。10.根据权利要求9所述的一种复合涂层形成方法，其特征在于，所述涂覆方法的辅助增强源包括等离子体源、离子束源、微波源、射频源中的至少一种。11.根据权利要求6所述的一种复合涂层形成方法，其特征在于，所述防水牺牲层的致密度大于等于99％。12.根据权利要求6所述的一种复合涂层形成方法，其特征在于，所述防水牺牲层的厚度在0.1nm-100nm之间。13.一种等离子体反应装置，其特征在于，包括：反应腔，所述反应腔内为等离子体环境；如权利要求1至5任一项所述的耐等离子体腐蚀的半导体零部件，所述半导体零部件暴露于所述等离子体环境中。14.根据权利要求13所述的一种等离子体反应装置，其特征在于，所述等离子体反应装置为等离子体刻蚀装置或者等离子体清洗装置。15.根据权利要求14所述的一种等离子体反应装置，其特征在于，所述等离子体刻蚀装置为电感耦合等离子体刻蚀装置，所述半导体零部件包括陶瓷盖板、内衬套、气体喷嘴、静电卡盘、覆盖环、聚焦环、绝缘环、等离子体约束环中的一种或多种。16.根据权利要求14所述的一种等离子体反应装置，其特征在于，所述等离子体刻蚀装
置为电容耦合等离子体刻蚀装置，所述半导体零部件包括气体喷淋头、上接地环、下接地环、覆盖环、聚焦环、绝缘环、等离子体约束环中的一种或多种。

技术总结
本发明涉及等离子体刻蚀的技术领域，公开了一种半导体零部件、复合涂层形成方法和等离子体反应装置，包括零部件本体，所述零部件本体表面具有复合涂层，所述复合涂层包括耐等离子体腐蚀涂层和防水牺牲层，所述耐等离子体腐蚀涂层设置于所述零部件本体表面；所述防水牺牲层设置于所述耐等离子体腐蚀涂层表面。在耐等离子体腐蚀涂层的表面涂覆一层防水牺牲层，避免耐等离子体腐蚀涂层与水接触，大大降低耐腐蚀涂层因水解失效的风险，可缩减清洗、运输、储存或投入使用的时间，大大提高等离子体刻蚀生产的效率，降低刻蚀成本。降低刻蚀成本。降低刻蚀成本。


技术研发人员：段蛟 孙祥 杨桂林 陈星建
受保护的技术使用者：中微半导体设备（上海）股份有限公司
技术研发日：2020.08.14
技术公布日：2022/2/23