OPC模型优化方法与流程

opc模型优化方法
技术领域
1.本技术涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光学邻近效应初始模型的确定方法。


背景技术：

2.在半导体集成电路制造领域，随着技术的不断发展，光刻机投影曝光所使用的光源形状也在不断变化，经历了从在轴照明到离轴照明，圆形光源到环形光源的快速发展。当半导体技术节点进入28nm以下后，常规的照明光源形状已经无法满足先进曝光技术的需求，不同的芯片设计规则需要与之密切相关的照明光源形状，基于此国际上主要的opc(optical proximity correction，光学邻近修正)软件供应商开发出了新的技术——smo技术(source mask optimization，光源和掩模版同步优化)，其可以决定光源上每一个像素点是否点亮，从而能够实现照明光源在形状上的完全自由化。
3.在相关技术中，smo技术必需的输入包括：掩模版数据和初始光学邻近修正模型。其中，掩模版数据中包括了密集图形和普通图形，而密集图形相对于普通图形，对光刻系统的工艺窗口要求不同。因此需要兼顾密集图形和普通图形选择最合适的光学模型建立最优初始光学邻近修正模型。
4.但是，相关技术中通常忽略选择最合适的光学模型，建立最优初始光学邻近修正模型光学模型，进而不利于smo技术效率的提高。


技术实现要素：

5.本技术提供了一种opc模型优化方法，可以解决相关技术中忽略选择最合适的光学模型，建立最优初始光学邻近修正模型光学模型，进而不利于smo技术效率提高的问题。
6.为了解决背景技术中所述的技术问题，本技术提供一种opc模型优化方法，所述opc初始模型的优化包括：
7.步骤s1：获取对应半导体器件特定层的掩模板修正数据文件，和覆盖在半导体特定层上光阻层的光阻信息；
8.步骤s2：依据所述光阻信息，生成若干组光学模型，每组光学模型中包括多个光学模型；
9.步骤s3：通过各组光学模型，对所述掩模板修正数据文件中的密集图形，在所述光阻层进行模拟曝光，获得与各组光学模型对应的若干组成像光强分布图；每组成像光强分布图包括多个成像光强分布图；
10.步骤s4：确定各组成像光强分布图中的最佳成像光强分布图；
11.步骤s5：基于每组光学模型中的最佳成像光强分布图，确定各组光学模型中与所述最佳成像光强分布图对应的优选光学模型；
12.步骤s6：基于各个优选光学模型和掩模板修正数据文件，生成opc化模型；
13.步骤s7：分别计算各个所述opc优化模型的评估参数，确定所述评估参数最优的
opc优化模型为最优opc模型。
14.可选地，所述步骤s1：获取对应半导体器件特定层的掩模板修正数据文件的步骤，包括：
15.步骤s11：获取掩模板初始数据文件和初始光学模型；
16.步骤s12：基于初始光学模型和所述掩模板初始数据文件，对所述半导体器件特定层上光阻层进行模拟曝光，获取曝光图形数据；
17.步骤s13：基于所述曝光图形数据，生成opc初始模型；
18.步骤s14：通过所述opc初始模型对所述掩模板初始数据文件进行修正，获取对应半导体器件特定层的掩模板修正数据文件。
19.可选地，所述步骤s11：获取掩模板初始数据文件的步骤，包括：
20.步骤s111：依照设计规则，预先设计所述半导体器件特定层的目标图形；
21.步骤s112：基于所述目标图形生成掩模板初始数据文件。
22.可选地，所述步骤s11：所述获取初始光学模型的步骤包括：
23.步骤s121：依据所述光阻信息，确定离焦范围和投影位置范围；
24.步骤s122：从所述离焦范围中选择初始离焦量，从所述投影位置范围中选择初始投影位置；
25.步骤s123：使得所述初始离焦量与所述初始投影位置作为一对初始光学参数；
26.步骤s124：基于所述初始光学参数，生成初始光学模型。
27.可选地，所述光阻信息包括光阻的深度信息；
28.所述步骤s2：依据所述光阻信息，生成若干组光学模型，每组光学模型中包括多个光学模型的步骤，包括：
29.步骤s21：基于所述光阻信息中的深度信息，确定离焦范围和投影位置范围；所述离焦范围和投影位置范围均位于所述光阻的深度范围中；
30.步骤s22：使得所述离焦范围中任一离焦量与所述投影位置范围的各个投影位置分别组合形成若干对光学参数，对应所述离焦量的若干对光学参数为一组光学参数；
31.步骤s23：遍历所述离焦范围中的所有离焦量，形成多组光学参数；
32.步骤s24：基于一组光学参数的各对光学参数，分别生成与各对光学参数对应的多个光学模型，对应一组光学参数的多个光学模型为一组光学模型；
33.步骤s25：遍历所有组的光学参数，形成与各组光学参数对应的若干组光学模型。
34.可选地，所述离焦范围中包括若干个离焦值，所述投影位置范围中包括若干个投影范围；
35.所述步骤s22：使得所述离焦范围中任一离焦量与所述投影位置范围的各个投影位置分别组合形成若干对光学参数，对应所述离焦量的若干对光学参数为一组光学参数；步骤，包括：
36.获取所述离焦范围中的第一离焦量l1，和所述投影位置范围中各个投影位置d1,d2,d3
…
dn；
37.使得所述第一离焦量l1与所述投影位置范围各个投影位置d1,d2
…
dn分别组合，形成若干对光学参数l1d1,l1d2,l1d3
…
l1dn，对应所述第一离焦量l1的若干对光学参数l1d1,l1d2,l1d3
…
l1dn为第一组光学参数l1d。
38.可选地，所述步骤s24：基于一组光学参数的各对光学参数，分别生成与各对光学参数对应的多个光学模型，对应一组光学参数的多个光学模型为一组光学模型的步骤，包括：
39.获取第一组光学参数l1d的若干对光学参数l1d1,l1d2,l1d3
…
l1dn；
40.基于第一组光学参数l1d的各对光学参数l1d1,l1d2,l1d3
…
l1dn，分别生成与各对光学参数l1d1,l1d2,l1d3
…
l1dn对应的多个光学模型model11,model12,model13
…
model1n，对应第一组光学参数l1d的光学模型model11,model12,model13
…
model1n为第一组光学模型m1。
41.可选地，所述步骤s3：通过各组光学模型，对所述掩模板修正数据文件中的密集图形，在所述光阻层进行模拟曝光，获得与各组光学模型对应的若干组成像光强分布图；每组成像光强分布图包括多个成像光强分布图的步骤，包括：
42.获取第一组光学模型m1中的所有光学模型model11,model12,3model11
…
model1n；
43.使得各个光学模型model11,model12,model13
…
model1n，分别对所述掩模板修正数据文件中的密集图形，在所述光阻层进行模拟曝光，获得与第一组光学模型m1对应的若干个成像光强分布图x11,x12,x13
…
x1n,若干个成像光强分布图x11,x12,x13
…
x1n为第一组光强分布图x[1]；
[0044]
遍历各组光学模型中的所有光学模型，通过各个所述光学模型，对所述掩模板修正数据文件中的密集图形，在所述光阻层进行模拟曝光，获得与各组光学模型对应的若干组成像光强分布图x[1],[2],x[3]
…
x[m]。
[0045]
本技术技术方案，至少包括如下优点：通过建立的若干组光学模型，对掩模板修正数据文件中的密集图形在所述光阻层进行模拟曝光，以选择各组光学模型中能够形成最佳成像光强分布图的光学模型作为优选光学模型，并基于该优选光学模型生成对应的opc优化模型，最后在opc优化模型中选择最优opc模型，该方案能够准确确定最优opc模型，为使得该最优opc模型和进行smo技术(source mask optimization，光源和掩模版同步优化)以提高smo效率打下基础。
附图说明
[0046]
为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0047]
图1示出了本技术一实施例提供的opc模型优化方法流程图；
[0048]
图1a示出了在特定层上形成光阻层的半导体器件剖视结构示意图；
[0049]
图2示出了步骤s2中依据所述光阻信息生成的若干组光学模型示意图；
[0050]
图2a示出了沿光阻层深度方向的投影位置范围示意图；
[0051]
图2b示出了沿光阻层深度方向的离焦范围示意图；
[0052]
图2c示出了基于图2a所示的投影位置范围和图2b所示的离焦范围，确定的多组光学参数的示意图；
[0053]
图2d示出了基于图2c所示的多组光学参数的示意图，确定与各组光学参数对应的若干组光学模型示意图；
[0054]
图3示出了步骤s3生成的与各组光学模型对应的若干组成像光强分布图示意图；
[0055]
图4示出了基于图3所示的若干组成像光强分布图示意图；
[0056]
图5示出了基于图4所示的最佳成像光强分布图，选出各组光学模型中优选光学模型示意图；
[0057]
图6示基于图5所选出的各组光学模型中优选光学模型，生成opc优化模型示意图。
具体实施方式
[0058]
下面将结合附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0059]
在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0060]
在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0061]
此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0062]
图1示出了本技术一实施例提供的opc模型优化方法流程图，参照图1，该opc模型优化方法包括依次进行的以下步骤s1至步骤s7：
[0063]
步骤s1：获取对应半导体器件特定层的掩模板修正数据文件，和覆盖在半导体特定层上光阻层的光阻信息。
[0064]
参照图1a，其示出了在特定层上形成光阻层的半导体器件剖视结构示意图。从图1a中可以看出，该半导体器件100的特定层101上形成光阻层102。可选地，该光阻层102包括光刻胶层，和覆盖在该光刻胶层上的顶部抗反射层。
[0065]
步骤s2：依据所述光阻信息，生成若干组光学模型，每组光学模型中包括多个光学模型。
[0066]
参照图2，其示出了步骤s2中依据所述光阻信息生成的若干组光学模型示意图，从图2中可以看出，依据光阻信息生成包括第一组光学模型m1、第二组光学模型m2、第三组光学模型m3
…
第m组光学模型mm在内的若干组光学模型m1,m2,m3
…
mm，每组光学模型中包括多个光学模型。
[0067]
以第一组光学模型m1和第m组光学模型mm为例，从图2中可以看出，该第一组光学
模型m1包括多个光学模型model11,model12,model13
…
model1n，该第m组光学模型mm包括多个光学模型modelm1,modelm2,modelm3
…
modelmn。
[0068]
步骤s3：通过各组光学模型，对所述掩模板修正数据文件中的密集图形，在所述光阻层进行模拟曝光，获得与各组光学模型对应的若干组成像光强分布图；每组成像光强分布图包括多个成像光强分布图。
[0069]
参照图3，其示出了步骤s3生成的与各组光学模型对应的若干组成像光强分布图示意图，从图3中可以看出，基于第一组光学模型m1能够获得第一组成像光强分布图x[1]，基于第二组光学模型m2能够获得第二组成像光强分布图x[2]，基于第三组光学模型m3能够获得第三组成像光强分布图x[3]
…
基于第m组光学模型mm能够获得第m组成像光强分布图x[m]。每组成像光强分布图包括多个成像光强分布图，一组成像光强分布图中的各个成像光强分布图，与其对应组光学模型中的各个光学模型一一对应。
[0070]
以第一组成像光强分布图x[1]为例，从图3中可以看出，第一组成像光强分布图x[1]包括多个成像光强分布图x11,x12,x13
…
x1n。成像光强分布图x11基于第一组光学模型m1中的光学模型model11形成
…
成像光强分布图x1n基于第一组光学模型m1中的光学模型model1n形成。
[0071]
以第m组成像光强分布图x[m]为例，从图3中可以看出，第m组成像光强分布图x[m]包括多个成像光强分布图xm1,xm2,xm3
…
xmn。成像光强分布图xm1基于第m组光学模型mm中的光学模型modelm1形成
…
成像光强分布图xmn基于第m组光学模型mm中的光学模型modelmn形成。
[0072]
步骤s4：确定各组成像光强分布图中的最佳成像光强分布图。
[0073]
可选地，可以选择满足对称条件的成像光强分布图作为最佳成像光强分布图，需要解释的是若成像光强分布图满足对称条件，则能够使得对密集图形的曝光满足其所需的曝光工艺窗口。
[0074]
参照图4，其示出了基于图3所示的若干组成像光强分布图示意图，完成步骤s4，确定各组成像光强分布图中的最佳成像光强分布图的示意图。
[0075]
从图4中可以看出，第一组成像光强分布图x[1]中的成像光强分布图x12为该第一组成像光强分布图x[1]中的最佳成像光强分布图；第二组成像光强分布图x[2]中的成像光强分布图x23为该第二组成像光强分布图x[2]中的最佳成像光强分布图；第三组成像光强分布图x[3]中的成像光强分布图x33为该第三组成像光强分布图x[3]中的最佳成像光强分布图；第m组成像光强分布图x[m]中的成像光强分布图xmn为该第m组成像光强分布图x[m]中的最佳成像光强分布图。
[0076]
步骤s5基于每组光学模型中的最佳成像光强分布图，确定各组光学模型中与所述最佳成像光强分布图对应的优选光学模型。
[0077]
参照图5，其示出了基于图4所示的最佳成像光强分布图，选出各组光学模型中优选光学模型示意图。
[0078]
从图5中可以看出，光强分布图x12为该第一组成像光强分布图x[1]中的最佳成像光强分布图，光强分布图x12对应第一组光学模型m1中的光学模型model12，因此光学模型model12作为第一组光学模型m1中的优选光学模型。
[0079]
光强分布图x23为该第二组成像光强分布图x[2]中的最佳成像光强分布图，光强
分布图x23对应第二组光学模型m2中的光学模型model23，因此光学模型model23作为第二组光学模型m2中的优选光学模型。
[0080]
光强分布图x33为该第三组成像光强分布图x[3]中的最佳成像光强分布图，光强分布图x33对应第三组光学模型m3中的光学模型model33，因此光学模型model33作为第三组光学模型m3中的优选光学模型。
[0081]
光强分布图xmn为该第m组成像光强分布图x[m]中的最佳成像光强分布图，光强分布图xmn对应第m组光学模型mm中的光学模型modelmn，因此光学模型modelmn作为第m组光学模型mm中的优选光学模型。
[0082]
步骤s6：基于各个优选光学模型和掩模板修正数据文件，生成opc优化模型.
[0083]
参照图6，其示基于图5所选出的各组光学模型中优选光学模型，生成opc优化模型示意图。
[0084]
从图6中可以看出，基于第一组光学模型m1中的优选光学模型model12，能够生成第一opc优化模型opc1；基于第二组光学模型m2中的优选光学模型model23，能够生成第二opc优化模型opc2；基于第三组光学模型m3中的优选光学模型model33，能够生成第三opc优化模型opc3
…
基于第m组光学模型mm中的优选光学模型modelmn，能够生成第m opc优化模型opcm。
[0085]
步骤s7：分别计算各个所述opc优化模型的评估参数，确定所述评估参数最优的opc优化模型为最优opc模型。
[0086]
分别计算图6所示各个opc优化模型的评估参数，确定评估参数最优的opc优化模型为最优opc模型。
[0087]
本实施例通过建立的若干组光学模型，对掩模板修正数据文件中的密集图形在所述光阻层进行模拟曝光，以选择各组光学模型中能够形成最佳成像光强分布图的光学模型作为优选光学模型，并基于该优选光学模型生成对应的opc优化模型，最后在opc优化模型中选择最优opc模型，该方案能够准确确定最优opc模型，为使得该最优opc模型和进行smo技术(source mask optimization，光源和掩模版同步优化)以提高smo效率打下基础。
[0088]
此外，步骤s1中：获取对应半导体器件特定层的掩模板修正数据文件的步骤，可以包括以下依次步骤s11至步骤s14：
[0089]
步骤s11：获取掩模板初始数据文件和初始光学模型；
[0090]
获取掩模板初始数据文件的过程包括：先依照设计规则，预先设计所述半导体器件特定层的目标图形；再基于所述目标图形生成掩模板初始数据文件。
[0091]
步骤s12：基于初始光学模型和所述掩模板初始数据文件，对所述半导体器件特定层上光阻层进行模拟曝光，获取曝光图形数据。
[0092]
步骤s13：基于所述曝光图形数据，生成opc初始模型。
[0093]
步骤s14：通过所述opc初始模型对所述掩模板初始数据文件进行修正，获取对应半导体器件特定层的掩模板修正数据文件。
[0094]
其中，该步骤s11中获取掩模板初始数据文件的步骤，包括以下依次进行的步骤s111和步骤s112：
[0095]
s111依照设计规则，预先设计所述半导体器件特定层的目标图形。
[0096]
该设计规则设计该特定层的需求功能，并使得对该特定层需求功能的设计符合常
规的集成电路规范。
[0097]
s112基于所述目标图形生成掩模板初始数据文件。
[0098]
其中，该步骤s11中获取初始光学模型的步骤，包括以下依次进行的步骤s121至步骤s124：
[0099]
步骤s121：依据所述光阻信息，确定离焦范围和投影位置范围；
[0100]
步骤s122：从所述离焦范围中选择初始离焦量，从所述投影位置范围中选择初始投影位置；
[0101]
步骤s123：使得所述初始离焦量与所述初始投影位置作为一对初始光学参数；
[0102]
步骤s124：基于所述初始光学参数，生成初始光学模型。
[0103]
该掩模板初始数据文件用于在初始掩模版上生成初始掩模图形，该初始掩模图形用于在依照该初始掩模版在对该特定层上光阻层进行光刻曝光时，使得该初始掩模图形转移到该光阻层上。
[0104]
理想状态下，初始掩模图形转移到光阻层后形成的曝光图形与预先设计的目标图形一致。
[0105]
但是由于光刻系统所发出的光线在经过初始掩模版时发生光学邻近效应，从而使得曝光图形和目标图形存在偏差，因此需要通过opc初始模型对该掩模板数据文件进行修正，使得修正后的掩模板修正数据文件能够抵消光学邻近效应，从而使得光刻系统发出的光线，穿过该修正后的掩模板修正数据文件到达该特定层的光阻层上后所形成的曝光图形与目标图形的一致性提高。
[0106]
光学参数包括预先设定有包括光刻机波长、数值孔径、光阻层参数、光学直径等一些可以由厂商提供或光刻前量测得到的光学常量参数。该光刻系统的光学参数还包括光学调整参数，此类光学调整参数需要依据光刻显影后实际量测的数据，进行筛选得到。上述的离焦量和投影位置均为光学调整参数。
[0107]
特定光刻系统、特定半导体节点的光学常量参数通常不变，而光学调整参数(离焦量和投影位置)的选择对最终形成的最优opc模型是否能够更好地兼顾密集图形和初始掩模图形，有着重要的影响。
[0108]
因此对于上述实施例中的若干组光学模型，基于同一离焦量形成一组光学模型，且每一组光学模型中的各个光学模型的投影位置不同，不同组光学模型的离焦量不同。其中，光阻信息包括光阻的深度信息，基于具有特定深度的光阻，若干组光学模型中可以具有不同的离焦范围和投影位置范围，且离焦范围和投影位置范围均位于所述光阻的深度范围中。
[0109]
示例性地，上述步骤s2：依据所述光阻信息，生成若干组光学模型，每组光学模型中包括多个光学模型的步骤，包括以下依次进行的步骤s21至步骤s25：
[0110]
步骤s21：基于所述光阻信息中的深度信息，确定离焦范围和投影位置范围。
[0111]
以图1a中的光阻层上表面为该光阻深度的原点，箭头所指方向为该光阻层深度方向。
[0112]
参照图2a，其示出了沿光阻层深度方向的投影位置范围示意图。示例性地，图2a所示的光阻层总深度为100nm，按照该光阻的深度方向，即0nm至100nm的光阻深度范围内，每间隔5nm步长具有一投影位置。0nm至100nm的光阻深度范围的多个投影位置d1,d2,d3
…
dn
形成投影位置范围d。
[0113]
参照图2b，其示出了沿光阻层深度方向的离焦范围示意图。示例性地，图2b所示的光阻层总深度为100nm，按照该光阻的深度方向，即0nm至100nm的光阻深度范围内，形成多个离焦量l1,l2,l3
…
lm，多个离焦量l1,l2,l3
…
lm形成离焦范围l。
[0114]
步骤s22：使得所述离焦范围中任一离焦量与所述投影位置范围的各个投影位置分别组合形成若干对光学参数，对应所述离焦量的若干对光学参数为一组光学参数。
[0115]
步骤s23：遍历所述离焦范围中的所有离焦量，形成多组光学参数。
[0116]
参照图2c，其示出了基于图2a所示的投影位置范围和图2b所示的离焦范围，确定的多组光学参数的示意图。
[0117]
从图2c中可以看出，光学参数的组数与离焦范围中离焦量的个数对应。一个离焦量对应一组光学参数。
[0118]
参照图2c，以形成第一组光学参数l1d为例。
[0119]
形成第一组光学参数l1d的步骤包括以下依次进行的步骤s221至步骤s222：
[0120]
步骤s221：获取所述离焦范围l中的第一离焦量l1，和所述投影位置范围d中各个投影位置d1,d2,d3
…
dn。
[0121]
步骤s222：使得所述第一离焦量l1与所述投影位置范围d各个投影位置d1,d2
…
dn分别组合，形成若干对光学参数l1d1,l1d2,l1d3
…
l1dn，对应所述第一离焦量l1的若干对光学参数l1d1,l1d2,l1d3
…
l1dn为第一组光学参数l1d。
[0122]
第二组光学参数l2d、第三组光学参数l3d
…
第m组光学参数l1d，分别使用第二离焦量l2、第三离焦量l3
…
第m离焦量lm与投影位置范围d各个投影位置组合形成，与第一组光学参数l1d的形成步骤一致，在此不做赘述。
[0123]
步骤s24：基于一组光学参数的各对光学参数，分别生成与各对光学参数对应的多个光学模型，对应一组光学参数的多个光学模型为一组光学模型。
[0124]
步骤s25：遍历所有组的光学参数，形成与各组光学参数对应的若干组光学模型。
[0125]
参照图2d，其示出了基于图2c所示的多组光学参数的示意图，确定与各组光学参数对应的若干组光学模型示意图。
[0126]
以形成第一组光学模型m1为例，形成该第一组光学模型m1包括以下依次进行的步骤s241至步骤s241：
[0127]
步骤s241：获取第一组光学参数l1d的若干对光学参数l1d1,l1d2,l1d3
…
l1dn。
[0128]
步骤s242：基于第一组光学参数l1d的各对光学参数l1d1,l1d2,l1d3
…
l1dn，分别生成与各对光学参数l1d1,l1d2,l1d3
…
l1dn对应的多个光学模型model11,model12,model13
…
model1n，对应第一组光学参数l1d的光学模型model11,model12,model13
…
model1n为第一组光学模型m1。
[0129]
第二组光学模型m2、第三组光学模型m3
…
第m组光学模型mm，分别使用第二组光学参数l2d、第三组光学参数l3d
…
第m组光学参数l1d对应形成，与第一组光学模型m1的形成步骤一致，在此不做赘述。
[0130]
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或
变动仍处于本技术创造的保护范围之中。