1.本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，特别涉及一种集成电路掩膜版版图，图形修正方法及其掩膜版。
背景技术：
2.半导体集成电路制造过程中需要对设计版图进行光学临近效应修正(optical proximity correct，简称opc)，以提高图形的可制造性能。opc是为了改善光学临近效应对曝光的影响，所以基本工作就是对版图做逐线段的切割移动，然后不断的迭代，最后与实际结果进行验证。
3.在鳍式场效晶体管(finfet)的制造过程中包括一种掩膜版的版图，如图1所示，其芯轴(mandrel)结构的有源区(caa)与45度密封环(seal ring)保持一固定距离，使有源区(caa)与对准标记aa的悬空(overhang)都不一样，导致不能获得理想的工艺窗口。
技术实现要素：
4.为了解决上述技术问题，能获得理想的工艺窗口，本发明提供一种集成电路掩膜版版图，
5.所述掩膜版版图中包扩多条有源区图形和多条密封环图形；
6.所述有源区图形与掩膜版版图的水平方向平行；
7.所述密封环图形与掩膜版版图的水平方向呈一夹角。
8.若干条有源区图形构成一组，共形成多组有源区图形；
9.每组有源区图形与临近的对准标记对应，并且同一组有源区图形中每条有源区图形靠近密封环图形一侧的边缘沿掩膜版版图的竖直方向齐平。
10.优选地，多条所述有源区图形相互平行。
11.优选地，多条所述密封环图形相互平行。
12.优选地，所述夹角为45度或135度。
13.优选地，同一组有源区图形中每条有源区图形与临近的对准标记对应的悬空距离相同。多条所述有源区图形间的间距相同，所述间距为一预设阈值。多条所述密封环图形间的间距相同，所述间距为一预设阈值。
14.优选地，所述集成电路掩膜版版图用于制造鳍式场效晶体管。
15.本发明还提供一种集成电路掩膜版版图的图形修正方法，采用光学临近效应修正方式对所述集成电路掩膜版版图的原始图形进行修正，将同一组有源区图形中每条有源区图形靠近密封环图形一侧的边缘沿掩膜版版图的竖直方向齐平。
16.本发明还提供一种集成电路掩膜版，包括前述的任一集成电路掩膜版版图。
17.本发明还提供一种集成电路掩膜版，采用前述集成电路掩膜版版图的图形修正方法制成。
18.与现有技术相比，通过本发明提供的掩膜版版图及采用该版图制成的掩膜版，在
集成电路制造过程中，能够获得更好的工艺窗口。
附图说明
19.图1为现有技术的集成电路掩膜版版图中图形的局部示意图
20.图2为实施例1和实施例2的集成电路掩膜版版图中图形的局部示意图。
具体实施方式
21.本发明的目的是进一步改善集成电路掩膜版版图，在集成电路制造过程中获得更理想的工艺窗口。
22.为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
23.需要说明的是，附图均采用简化的形式，使用非精准的比例，且仅用以方便、清晰地达到辅助说明实施例的目的。
24.实施例1
25.本实施例提供一种集成电路掩膜版版图，版图包含各类光刻过程中所需的图形，本发明的改进在于有源区图形、密封环图形以及两者图形间的关系，其他图形都为现有技术因此在实施例中不再赘述。
26.如图2所示，本实施例的集成电路掩膜版版图中包扩多条有源区图形1和多条密封环图形2；
27.有源区图形1与掩膜版版图的水平方向平行；
28.密封环图形2与掩膜版版图的水平方向呈一夹角。
29.若干条有源区图形1构成一组，共形成多组有源区图形；
30.每组有源区图形与临近的对准标记3对应，并且同一组有源区图形中每条有源区图形1靠近密封环图形2一侧的边缘沿掩膜版版图的竖直方向齐平。
31.并且多条有源区图形1相互平行，多条密封环图形2也相互平行。
32.优选地，密封环图形2与掩膜版版图的水平方向呈一夹角为45度或135度。
33.同一组有源区图形中每条有源区图形1与临近的对准标记3对应的悬空距离相同。多条有源区图形1间的间距相同，间距为一预设阈值。多条密封环图形2间的间距相同，间距为一预设阈值。
34.优选地，所述集成电路掩膜版版图用于制造鳍式场效晶体管。
35.实施例2
36.本实施例提供一种集成电路掩膜版版图的图形修正方法，集成电路掩膜版版图为实施例1中的版图。
37.如图2所示。本实施例采用光学临近效应修正方式opc对所述集成电路掩膜版版图的原始图形进行修正，将同一组有源区图形中每条有源区图形1靠近密封环图形2一侧的边缘沿掩膜版版图的竖直方向齐平。使同一组有源区图形中每条有源区图形1与临近的对准标记3对应的悬空距离相同
38.实施例3
39.本实施例提供一种集成电路掩膜版，包括了实施1中所述的集成电路掩膜版版图。
40.实施例4
41.本实施例提供一种集成电路掩膜版，采用了实施例2中所述的集成电路掩膜版版图的图形修正方法制成。
技术特征：
1.一种集成电路掩膜版版图，其特征在于：所述掩膜版版图中包扩多条有源区图形和多条密封环图形；所述有源区图形与掩膜版版图的水平方向平行；所述密封环图形与掩膜版版图的水平方向呈一夹角；若干条有源区图形构成一组，共形成多组有源区图形；每组有源区图形与临近的对准标记对应，并且同一组有源区图形中每条有源区图形靠近密封环图形一侧的边缘沿掩膜版版图的竖直方向齐平。2.如权利要求1所述的集成电路掩膜版版图，其特征在于：多条所述有源区图形相互平行。3.如权利要求1所述的集成电路掩膜版版图，其特征在于：多条所述密封环图形相互平行。4.如权利要求1所述的集成电路掩膜版版图，其特征在于：所述夹角为45度或135度。5.如权利要求1所述的集成电路掩膜版版图，其特征在于：所述同一组有源区图形中每条有源区图形与临近的对准标记对应的悬空距离相同。6.如权利要求2所述的集成电路掩膜版版图，其特征在于：多条所述有源区图形间的间距相同，所述间距为一预设阈值。7.如权利要求3所述的集成电路掩膜版版图，其特征在于：多条所述密封环图形间的间距相同，所述间距为一预设阈值。8.如权利要求1至7所述的集成电路掩膜版版图，其特征在于：所述集成电路掩膜版版图用于制造鳍式场效晶体管。9.一种对如权利要求1至7所述的集成电路掩膜版版图的图形修正方法，其特征在于：采用光学临近效应修正方式对所述集成电路掩膜版版图的原始图形进行修正，将同一组有源区图形中每条有源区图形靠近密封环图形一侧的边缘沿掩膜版版图的竖直方向齐平。10.一种集成电路掩膜版，其特征在于：所述集成电路掩膜版包含如权利要求1至7所述的任一集成电路掩膜版版图。11.一种集成电路掩膜版，其特征在于：采用如权利要求9所述的集成电路掩膜版版图的图形修正方法制成。
技术总结
本发明公开了一种集成电路掩膜版版图，所述掩膜版版图中包扩多条有源区图形和多条密封环图形；所述有源区图形与掩膜版版图的水平方向平行；所述密封环图形与掩膜版版图的水平方向呈一夹角；若干条有源区图形构成一组，共形成多组有源区图形；每组有源区图形与临近的对准标记对应，并且同一组有源区图形中每条有源区图形靠近密封环图形一侧的边缘沿掩膜版版图的竖直方向齐平。与现有技术相比，通过本发明提供的掩膜版版图及采用该版图制成的掩膜版，在集成电路制造过程中，能够获得更好的工艺窗口。工艺窗口。工艺窗口。
技术研发人员：陈柏翰 曾鼎程 胡展源
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2021.11.23
技术公布日：2022/2/23
再多了解一些
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