半导体器件及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：提供包括前侧和背侧的工件，所述工件包括衬底、位于所述衬底上方的隔离部件、从所述衬底突出并且穿过所述隔离部件的第一鳍形结构以及从所述衬底突出并且穿过所述隔离部件的第二鳍形结构，其中，所述衬底位于所述工件的背侧处，并且所述第一鳍形结构和所述第二鳍形结构位于所述工件的前侧处；在所述第一鳍形结构和所述第二鳍形结构之间形成介电鳍；分别在所述第一鳍形结构和所述第二鳍形结构上方形成第一栅极结构和第二栅极结构；从所述工件的背侧蚀刻所述隔离部件以形成暴露所述介电鳍的沟槽；从所述工件的背侧蚀刻所述介电鳍，从而形成延伸沟槽；以及在所述延伸沟槽上方沉积密封层，其中，所述密封层覆盖所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的气隙。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电鳍邻接所述第一鳍形结构和所述第二鳍形结构。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沟槽也暴露所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的部分。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述延伸沟槽暴露所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的栅极介电层。5.根据权利要求4所述的方法，还包括：蚀刻所述栅极介电层以扩大所述延伸沟槽的体积。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述工件也包括邻接所述第一鳍形结构的第一源极/漏极部件和邻接所述第二鳍形结构的第二源极/漏极部件，并且其中，所述气隙连续延伸至夹在所述第一源极/漏极部件和所述第二源极/漏极部件之间的位置。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电鳍的形成包括：在所述第一鳍形结构和所述第二鳍形结构之间的沟槽中沉积第一介电层，以及在所述沟槽中沉积由所述第一介电层围绕的第二介电层，其中，所述第一介电层和所述第二介电层包括不同的材料组分。8.根据权利要求7所述的方法，还包括：在形成所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之前，部分去除所述第一介电层。9.一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成多个沟道构件，所述沟道构件垂直堆叠；形成邻接所述沟道构件的横向端部的介电鳍；形成接合所述沟道构件的每个的栅极结构；去除所述衬底，从而暴露所述介电鳍的底面；去除所述介电鳍，从而形成暴露所述栅极结构的侧壁的沟槽；以及在所述沟槽上方沉积介电层，所述介电层在所述沟槽中捕获空隙。10.一种半导体器件，包括：垂直堆叠的第一多个沟道构件；垂直堆叠的第二多个沟道构件；
第一栅极结构，接合所述第一多个沟道构件；第二栅极结构，接合所述第二多个沟道构件；第一金属布线层，位于所述半导体器件的前侧处；第二金属布线层，位于所述半导体器件的背侧处，其中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构垂直堆叠在所述第一金属布线层和所述第二金属布线层之间；以及隔离结构，垂直堆叠在所述第一金属布线层和所述第二金属布线层之间，其中，所述隔离结构包括横向堆叠在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的气隙。

技术总结
公开了半导体结构及其制造方法。示例性制造方法包括：提供工件，该工件包括衬底、衬底上方的隔离部件、穿过隔离部件突出的第一鳍形结构以及穿过隔离部件突出的第二鳍形结构；在第一鳍形结构和第二鳍形结构之间形成介电鳍；以及分别在第一鳍形结构和第二鳍形结构上方形成第一栅极结构和第二栅极结构。示例性制造方法也包括：从工件的背侧蚀刻隔离部件以形成暴露介电鳍的沟槽；从工件的背侧蚀刻介电鳍以形成延伸沟槽；以及在延伸沟槽上方沉积密封层。密封层覆盖第一栅极结构和第二栅极结构之间的气隙。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。形成方法。形成方法。


技术研发人员：郑嵘健 江国诚 朱熙甯 陈冠霖 王志豪 程冠伦
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.09.29
技术公布日：2022/2/23