半导体纳米颗粒、包括此的颜色转换部件以及电子装置的制作方法

1.本发明涉及半导体纳米颗粒、包括该半导体纳米颗粒的颜色转换部件以及包括该半导体纳米颗粒的电子装置。


背景技术：

2.半导体纳米颗粒为半导体物质的纳米晶体，是表现出量子限域效应(quantum confinement effect)的物质，又被称作量子点(quantum dot)。如果所述量子点从激发源(excitation source)接收光而达到能量激发状态，则会释放基于与自身相应的能带隙(band gap)的能量。此时，即使是相同物质，仍然会表现出波长根据颗粒尺寸而不同的特性，因此，可以通过调节量子点的尺寸而得到期望波段的光，由于可以表现出优异的颜色纯度和高发光效率等特性，因此，可以应用于多种元件或者装置。
3.照明装置可以用于多种用途。例如，照明装置可以用于室内照明或者室外照明、舞台照明、装饰照明以及便携用电子产品(移动电话、摄像机、数码相机以及个人便携信息终端(pda)等)中使用的液晶显示装置(lcd：liquid crystal display)的背光单元(blu：backlight unit)。
4.照明装置的代表性用途有诸如用作液晶显示装置的背光单元等。液晶显示装置作为目前最广泛使用的平板显示装置之一，由形成有像素电极和公共电极等电场生成电极的两张显示板和夹设在两张显示板之间的液晶层构成。通过向电场生成电极施加电压而在液晶层生成电场，据此确定液晶层的液晶分子的取向并控制入射光的偏光，从而显示图像。
5.液晶显示装置使用颜色转换部件以形成颜色，在从背光光源射出的光通过红色、绿色、蓝色的颜色转换部件时，光量由于各个颜色转换部件而减少至大约1/3，因此光效率低。
6.为了补偿这种光效率的降低并且实现高颜色再现性而提出的光致发光液晶显示装置(pl-lcd：photo-luminescent liquid crystal display apparatus)是用量子点颜色转换层(qd-ccl：quantum dot color conversion layer)替代现有的液晶显示装置中使用的颜色转换部件的液晶显示装置。pl-lcd利用当从光源产生并由液晶层控制的低波段的光(紫外光或者蓝色光等)照射到颜色转换层(ccl：color conversion layer)时产生的可见光来显示彩色图像。


技术实现要素：

7.本公开提供一种半导体纳米颗粒、包括该半导体纳米颗粒的颜色转换部件以及包括该半导体纳米颗粒的电子装置。
8.根据一侧面，提供一种半导体纳米颗粒，包括：核，包含znse
1-x
te
x；
中间壳，覆盖所述核，并且包含znse以及znseys
1-y
中的至少一个；以及外部壳，覆盖所述中间壳，并且包含ii-vi族化合物，其中，所述x满足0.2《x≤0.5，所述y满足0《y《1，所述半导体纳米颗粒发出除了蓝色光以外的可见光。
9.根据另一侧面，提供一种包括所述半导体纳米颗粒的颜色转换部件。
10.根据另一侧面，提供一种包括所述颜色转换部件以及显示装置的电子装置。
11.所述半导体纳米颗粒的蓝色光吸收率高，减少了由于核与壳之间的晶体非键合而导致的结构性缺陷，因此具有优异的光效率。因此，包含所述半导体纳米颗粒的颜色转换部件可以具有优异的光转换效率，并且可以实现高颜色纯度。
附图说明
12.图1是示意性地示出根据一实现例的半导体纳米颗粒的结构的图。
13.【附图标记说明】
14.10：半导体纳米颗粒
15.100：核
16.200：中间壳
17.300：外部壳
具体实施方式
18.本发明可以进行多种变换，且可以具有多个实施例，在附图中举例示出特定实施例，并在具体实施方式中进行详细说明。参考与附图一起在后面详细描述的实施例，能够明确本发明的效果与特征以及达成所述效果与特征的方法。然而，本发明并不限于以下公开的实施例，可以以多种形态实现。
19.在本说明书中，第一、第二等术语并不被使用为限定性含义，而是被使用为将一个构成要素与其他构成要素进行区分的目的。
20.在本说明书中，只要在上下文中没有明确表示其他含义，则单数的表述包括复数的表述。
21.在本说明书中，“包括”或者“具有”等术语表示说明书中记载的特征或者构成要素的存在，并不预先排除附加一个以上的其他特征或者构成要素的可能性。例如，除了特别限定以外，“包括”或者“具有”等术语可以表示仅由说明书中记载的特征或者构成要素构成(consist of)的情形以及还包括其他构成要素的情形两者。
22.以下，参照图1说明根据本发明的一实现例的半导体纳米颗粒10。
23.所述半导体纳米颗粒10包括：核(core)100，包含znse
1-x
te
x
；中间壳(middle shell)200，覆盖所述核100，并且包含znse以及znseys
1-y
中的至少一个；以及外部壳(outer shell)300，覆盖所述中间壳200，并且包含ii-vi族化合物。
24.核100包含znse
1-x
te
x
。
25.所述znse
1-x
te
x
中的x满足0.2《x≤0.5。
26.所述x表示所述半导体纳米颗粒10的核包括的znse
1-x
te
x
中相对于zn的te的组成比。在x满足大于0.2且0.5以下的范围的情形下，所述半导体纳米颗粒10可以发出最大发光波长在500nm至650nm范围内的光。在x为0.2以下的情形下，随着所述半导体纳米颗粒10的核内的te比率增加，所述半导体纳米颗粒10的发光波长变短，从而发出蓝色光，如果将其应用到颜色转换部件，则由于对蓝色光的吸收度低，会导致发光效率降低。
27.根据一实现例，所述核100可以包含x彼此不同的两种以上的znse
1-x
te
x
。
28.例如，所述核100可以包括选自znse
0.75
te
0.25
、znse
0.66
te
0.33
以及znse
0.50
te
0.50
中的一种以上。
29.根据一实现例，所述核100的半径r可以为0.5nm至2.5nm，例如，可以为0.6nm至2.4nm、0.75nm至2.25nm或者1nm至2nm。
30.根据一实现例，所述x可以满足0.25≤x≤0.5。
31.在所述znseys
1-y
中，y满足0《y《1。
32.所述x表示所述半导体纳米颗粒10的中间壳包括的znseys
1-y
中相对于zn的s的组成比。
33.所述中间壳200包含znse以及znseys
1-y
中的至少一种。
34.由于所述中间壳200包含znse以及znseys
1-y
中的至少一种，可以减少由于所述中间壳200对包含所述znse
1-x
te
x
的核的晶体非键合而导致的结构性缺陷，从而可以充分形成中间壳的厚度而保护内部核。
35.根据一实现例，所述中间壳200可以包含znse。
36.根据一实现例，所述中间壳200可以包含znseys
1-y
。并且，根据一实现例，所述中间壳200可以包含y彼此不同的两种以上的znseys
1-y
。
37.例如，所述中间壳200可以包含选自znse、znse
0.75s0.25
、znse
0.66s0.33
、znse
0.50
te
0.50
以及znse
0.33
te
0.66
中的一种以上。
38.根据一实现例，所述核100与所述中间壳200的界面可以具有所述中间壳200中存在的元素的浓度随着靠近中心而逐渐降低的浓度梯度(gradient)。
39.根据一实现例，所述中间壳200的厚度l可以为0.5nm至2nm，例如，可以为0.6nm至1.9nm、0.7nm至1.8nm、1.0nm至1.7nm或者1.2nm至1.5nm。
40.所述外部壳300包含ii-vi族化合物。
41.根据一实现例，所述ii-vi族化合物可以包含zn。
42.根据一实现例，所述ii-vi族化合物可以是二元化合物或者三元化合物。
43.例如，所述ii-vi族化合物可以是选自zns、znse、znte、zno、znses、znsete以及znste中的一种以上的化合物。
44.例如，所述ii-vi族化合物可以是zns。
45.根据一实现例，所述中间壳200与所述外部壳300的界面可以具有所述外部壳300中存在的元素的浓度随着靠近中心而逐渐降低的浓度梯度(gradient)。
46.根据一实现例，所述外部壳300的厚度h可以为0.5nm至2nm，例如，可以为0.6nm至1.9nm、0.7nm至1.8nm、1.0nm至1.7nm或者1.2nm至1.5nm。
47.所述半导体纳米颗粒10的中间壳200和外部壳300可以执行用于防止所述核100的化学变性并维持半导体特性的保护层作用和/或用于向所述半导体纳米颗粒10赋予电泳特性的充电层(charging layer)的作用。
48.所述半导体纳米颗粒10发出除了蓝色光以外的可见光。例如，所述半导体纳米颗粒10发出最大发光波长在500nm至650nm范围内的光。因此，在将所述半导体纳米颗粒10应用到颜色转换部件的情形下，可以设计为吸收蓝色光而发出多种颜色范围的波长。
49.根据一实现例，所述半导体纳米颗粒10可以发出最大发光波长在500nm至600nm范围内的绿色光。因此，在将所述半导体纳米颗粒10应用到颜色转换部件的情形下，可以实现
具有高亮度和高颜色纯度的绿色。
50.根据一实现例，所述半导体纳米颗粒10的直径2r可以为3nm至13nm。例如，所述半导体纳米颗粒10的直径2r可以为4nm至12nm，例如，可以为5nm至11nm、6nm至10nm或者7nm至9nm。
51.根据一实现例，所述半导体纳米颗粒10针对450nm的蓝色光的吸光度可以为0.1以上，例如，可以为0.15以上。因此，在将所述半导体纳米颗粒10应用到照明装置的光转换层的情形下，针对来自光源的蓝色光的吸收度高，能够进行高效率的光转换，并且可以实现高颜色纯度的绿色。
52.根据一实现例，所述半导体纳米颗粒10的发光波长光谱的半峰全宽(fwhm：full width of half maximum)可以为60nm以下，例如，可以为55nm以下。当所述半导体纳米颗粒10的半峰全宽满足前述范围时，颜色纯度和颜色再现性优异，并且可以改善宽视角。
53.现有的inp/znse
1-a
sa(a为0至1的实数)组成的核-壳量子点呈现出仅在inp核层有效地吸收450nm蓝色激发光，在znse中仅有一部分吸收蓝色激发光的现象。因此，对inp的尺寸小的绿色量子点而言，只有较厚地形成znse壳的厚度才能够充分提高针对蓝色光的吸收度，在此情形下，存在发生由于inp核与znse壳之间的晶体非键合而导致的结构性缺陷的问题。
54.根据一实现例的半导体纳米颗粒对蓝色光具有优异的吸光度，减少了在核与壳之间的界面的缺陷的产生，从而可以利用充分的厚度的壳，在保护半导体纳米颗粒的核的同时实现高光效率和高颜色纯度。
55.根据一实现例，所述半导体纳米颗粒10的形态不受特别限制，可以是本领域中通常使用的形态。例如，所述半导体纳米颗粒10可以具有球形、金字塔形、多臂形(multi-arm)或者立方体(cubic)的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板状颗粒等形态。
56.根据一实现例，除了前述组成之外，所述半导体纳米颗粒10还可以包含其他化合物。
57.例如，所述半导体纳米颗粒10在所述核100、所述中间壳200或者所述外部壳300还可以包括ii-vi族化合物、iii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物、iv族元素或者化合物、i-iii-vi族化合物或者它们的组合。
58.ii-vi族化合物可以选自由以下化合物构成的群：二元化合物，选自由cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs以及它们的混合物构成的群；三元化合物，选自由cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns以及它们的混合物构成的群；以及四元化合物，选自由cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste以及它们的混合物构成的群。
59.iii-vi族化合物可以包括：二元化合物，诸如in2s3、in2se3等；三元化合物，诸如ingas3、ingase3等；或者它们的任意组合。
60.iii-v族化合物可以选自由以下化合物构成的群：二元化合物，选自由gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb以及它们的混合物组成的群；三元化合物，选自由ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、inalp、innp、innas、innsb、inpas、inpsb以及它们的混合物构成的群；以及四元化合物，选
自由gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb以及它们的混合物构成的群。所述iii-v族半导体化合物还可以包括ii族金属(例如，inznp等)。
61.iv-vi族化合物可以选自由以下化合物构成的群：二元化合物，选自由sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte以及它们的混合物构成的群；三元化合物，选自由snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte以及它们的混合物构成的群；以及四元化合物，选自由snpbsse、snpbsete、snpbste以及它们的混合物构成的群。iv族元素可以选自由si、ge以及它们的混合物构成的群。iv族化合物可以是选自由sic、sige以及它们的混合物构成的群的二元化合物。
62.所述i-iii-vi族半导体化合物可以包括诸如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2、agalo2等三元化合物或者它们的任意组合。
63.此时，二元化合物、三元化合物或者四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒内，或者浓度分布以局部不同的状态划分而存在于同一颗粒内。
64.根据一实现例，所述中间壳200和/或所述外部壳300还可以包括金属或者非金属的氧化物、半导体化合物或者它们的组合等。
65.例如，所述金属或者非金属的氧化物可以是sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4、nio等二元化合物或者mgal2o4、cofe2o4、nife2o4、comn2o4等三元化合物。
66.并且，例如，所述半导体化合物可以是cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb等。
67.根据一实现例，提供所述半导体纳米颗粒的制造方法。
68.所述半导体纳米颗粒的制造方法可以包括如下步骤：
69.准备zn前体和溶剂的混合物；
70.向所述混合物添加se前体和te前体而形成包含znse
1-x
te
x
的核；
71.形成覆盖所述核100且包含znse以及znseys
1-y
中的至少一个的中间壳；以及
72.形成覆盖所述中间壳200且包含ii-vi族化合物的外部壳。
73.根据一实现例，所述准备zn前体和溶剂的混合物的步骤可以包括使所述混合物升温的步骤。例如，可以将混合物升温至80℃至140℃的温度。
74.根据一实现例，形成所述核100的步骤可以包括向所述混合物添加se前体和te前体，并升温至反应温度的步骤。根据一实现例，形成所述核100的反应温度可以为100℃至320℃，例如，可以为130℃至300℃或者170℃至270℃的温度范围。
75.根据一实现例，所述溶剂可以是有机溶剂。例如，所述溶剂可以使用三辛胺(trioctylamine)油胺(oleylamine)、1-十八烯(1-octadecene)等。
76.关于所述半导体纳米颗粒的制造方法的详细内容，本领域技术人员可以参照后述的实施例而理解。
77.根据一实现例，提供了包括所述半导体纳米颗粒的颜色转换部件。
78.根据一实现例，所述颜色转换部件的至少一个区域包括所述半导体纳米颗粒，所述半导体纳米颗粒可以吸收蓝色光而发出除了蓝色光以外的可见光，例如，可以发出最大发光波长在500nm至650nm范围内的可见光。因此，可以设计为使包括所述半导体纳米颗粒
的颜色转换部件吸收蓝色光而发出多种颜色范围的波长。
79.根据一实现例，所述颜色转换部件的至少一个区域可以包括所述半导体纳米颗粒，并且所述半导体纳米颗粒可以吸收蓝色光而发出最大发光波长在500nm至600nm范围内的绿色光。因此，包含所述半导体纳米颗粒的颜色转换部件可以实现高亮度和高颜色纯度的绿色。
80.根据一实现例，提供了包括所述颜色转换部件和显示装置的电子装置。
81.根据一实现例，所述显示装置可以发出最大发光波长在400nm至490nm范围内的蓝色光。
82.根据一实现例，在所述电子装置中，颜色转换部件的至少一个区域可以包括所述半导体纳米颗粒，所述区域可以吸收从所述显示装置发出的蓝色光，并且发出除了蓝色光以外的可见光，例如，可以发出最大发光波长在500nm至650nm范围内的可见光。因此，可以设计为使包括所述半导体纳米颗粒的颜色转换部件吸收从显示装置发出的蓝色光而发出多种颜色范围的波长。
83.根据一实现例，在所述电子装置中，颜色转换部件的至少一个区域可以包括所述半导体纳米颗粒，并且所述区域可以吸收从所述显示装置发出的蓝色光，并且发出最大发光波长在500nm至600nm范围内的绿色光。因此，包括所述半导体纳米颗粒的颜色转换部件可以吸收从显示装置发出的蓝色光，从而实现具有高亮度和高颜色纯度的绿色。
84.根据一实现例，所述显示装置可以包括液晶显示装置、有机发光显示装置或者无机发光显示装置。
85.以下，通过实施例来更加详细地说明根据本发明的一实现例的半导体纳米颗粒。
86.[实施例]
[0087]
实施例1：zese
0.66
te
0.33
/znse/zns半导体纳米颗粒的合成
[0088]
向三颈烧瓶加入0.6mmol油酸锌(zinc oleate)和10ml 1-十八烯(1-octadecene)，并在110℃维持了1小时的真空状态。然后，解除真空并填充惰性气体后将温度升温至230℃。在230℃加入0.2mmol二苯基膦硒(diphenylphosphine selenide)，然后加入0.1mmol三辛基碲化膦(trioctylphosphine telluride)并反应30分钟，之后将温度升高至300℃并反应了15分钟。
[0089]
接下来，加入1mmol油酸锌(zinc oleate)、1mmol三辛基硒化膦(trioctylphosphine selenide)，然后反应1小时而形成了硒化锌(zinc selenide)壳。
[0090]
此后，加入2mmol油酸锌(zinc oleate)、2mmol三辛基硫化膦(trioctylphosphine sulfide)，然后反应1小时而形成了硫化锌(zinc sulfide)壳，从而得到了实施例1的半导体纳米颗粒。
[0091]
实施例2：zese
0.75
te
0.25
/znse/zns半导体纳米颗粒的合成
[0092]
向三颈烧瓶加入0.6mmol油酸锌(zinc oleate)和10ml 1-十八烯(1-octadecene)，并在110℃维持了1小时的真空状态。然后，解除真空并填充惰性气体后将温度升温至230℃。在230℃加入0.225mmol二苯基膦硒(diphenylphosphine selenide)，然后加入0.075mmol三辛基碲化膦(trioctylphosphine telluride)并反应30分钟，之后将温度升高至300℃并反应了15分钟。在此后的过程中，通过与实施例1相同的方法依次形成硒化锌(zinc selenide)壳和硫化锌(zinc sulfide)壳，从而得到了实施例2的半导体纳米颗
粒。
[0093]
实施例3：zese
0.5
te
0.5
/znse/zns半导体纳米颗粒的合成
[0094]
向三颈烧瓶加入0.6mmol油酸锌(zinc oleate)和10ml 1-十八烯(1-octadecene)，并在110℃维持了1小时的真空状态。然后，解除真空并填充惰性气体后将温度升温至230℃。在230℃加入0.15mmol二苯基膦硒(diphenylphosphine selenide)，然后加入0.15mmol三辛基碲化膦(trioctylphosphine telluride)并反应30分钟，之后将温度升高至300℃并反应了15分钟。在此后的过程中，通过与实施例1相同的方法依次形成硒化锌(zinc selenide)壳和硫化锌(zinc sulfide)壳，从而得到了实施例3的半导体纳米颗粒。
[0095]
实施例4：zese
0.66
te
0.33
/znse
0.66s0.33
/zns半导体纳米颗粒的合成向三颈烧瓶加入0.6mmol油酸锌(zinc oleate)和10ml 1-十八烯(1-octadecene)，并在110℃维持了1小时的真空状态。然后，解除真空并填充惰性气体后将温度升温至230℃。在230℃加入0.2mmol二苯基膦硒(diphenylphosphine selenide)，然后加入0.1mmol三辛基碲化膦(trioctylphosphine telluride)并反应30分钟，之后将温度升高至300℃并反应了15分钟。
[0096]
接下来，加入1mmol油酸锌(zinc oleate)、0.66mmol三辛基硒化膦(trioctylphosphine selenide)、0.33mmol三辛基硫化膦(trioctylphosphine sulfide)，然后反应1小时而形成了硒化锌硫化物合金(zinc selenide sulfide alloy)壳。
[0097]
此后，加入2mmol油酸锌(zinc oleate)、2mmol三辛基硫化膦(trioctylphosphine sulfide)，然后反应1小时而形成了硫化锌(zinc sulfide)壳，从而得到了实施例4的半导体纳米颗粒。
[0098]
实施例5：zese
0.66
te
0.33
/znse
0.33s0.66
/zns半导体纳米颗粒的合成向三颈烧瓶加入0.6mmol油酸锌(zinc oleate)和10ml 1-十八烯(1-octadecene)，并在110℃维持了1小时的真空状态。然后，解除真空并填充惰性气体后将温度升温至230℃。在230℃加入0.2mmol二苯基膦硒(diphenylphosphine selenide)，然后加入0.1mmol三辛基碲化膦(trioctylphosphine telluride)并反应30分钟，之后将温度升高至300℃并反应了15分钟。
[0099]
接下来，加入1mmol油酸锌(zinc oleate)、0.33mmol三辛基硒化膦(trioctylphosphine selenide)、0.66mmol三辛基硫化膦(trioctylphosphine sulfide)，然后反应1小时而形成了硒化锌硫化物合金(zinc selenide sulfide alloy)壳。
[0100]
此后，加入2mmol油酸锌(zinc oleate)、2mmol三辛基硫化膦(trioctylphosphine sulfide)，然后反应1小时而形成了硫化锌(zinc sulfide)壳，从而得到了实施例5的半导体纳米颗粒。
[0101]
比较例1：zese
0.95
te
0.05
/znse/zns半导体纳米颗粒的合成
[0102]
向三颈烧瓶加入0.6mmol油酸锌(zinc oleate)和10ml 1-十八烯(1-octadecene)，并在110℃维持了1小时的真空状态。然后，解除真空并填充惰性气体后将温度升温至230℃。在230℃加入0.285mmol二苯基膦硒(diphenylphosphine selenide)，然后加入0.015mmol三辛基碲化膦(trioctylphosphine telluride)并反应30分钟，之后将温度升高至300℃并反应了15分钟。在此后的过程中，通过与实施例1相同的方法依次形成硒化
锌(zinc selenide)壳和硫化锌(zinc sulfide)壳，从而得到了比较例1的半导体纳米颗粒。
[0103]
比较例2：zese
0.92
te
0.08
/znse/zns半导体纳米颗粒的合成
[0104]
向三颈烧瓶加入0.6mmol油酸锌(zinc oleate)和10ml 1-十八烯(1-octadecene)，并在110℃维持了1小时的真空状态。然后，解除真空并填充惰性气体后将温度升温至230℃。在230℃加入0.276mmol二苯基膦硒(diphenylphosphine selenide)，然后加入0.024mmol三辛基碲化膦(trioctylphosphine telluride)并反应30分钟，之后将温度升高至300℃并反应了15分钟。在此后的过程中，通过与实施例1相同的方法依次形成硒化锌(zinc selenide)壳和硫化锌(zinc sulfide)壳，从而得到了比较例2的半导体纳米颗粒。
[0105]
比较例3：zese
0.84
te
0.16
/znse/zns半导体纳米颗粒的合成
[0106]
向三颈烧瓶加入0.6mmol油酸锌(zinc oleate)和10ml 1-十八烯(1-octadecene)，并在110℃维持了1小时的真空状态。然后，解除真空并填充惰性气体后将温度升温至230℃。在230℃加入0.252mmol二苯基膦硒(diphenylphosphine selenide)，然后加入0.048mmol三辛基碲化膦(trioctylphosphine telluride)并反应30分钟，之后将温度升高至300℃并反应了15分钟。在此后的过程中，通过与实施例1相同的方法依次形成硒化锌(zinc selenide)壳和硫化锌(zinc sulfide)壳，从而得到了比较例3的半导体纳米颗粒。
[0107]
评价例1
[0108]
针对在所述实施例1至实施例5和比较例1至比较例3制作的各个半导体纳米颗粒，评价了最大发光波长、半峰全宽(fwhm)、发光量子产率以及针对450nm波长的蓝色光的吸光度，并在表1中示出了其结果。
[0109]
测量方法如下：针对1mg/ml半导体纳米颗粒溶液，通过分析利用pl光谱仪(pl spectrometer)和uv-vis光谱仪(uv-vis spectrometer)测量的pl光谱和吸光度评价了最大发光波长、半峰全宽以及针对蓝色光的吸光度。利用绝对量子效率测量装置评价了发光量子产率。
[0110]
【表1】
[0111]
[0112][0113]
从所述表1可以确认，实施例1至实施例5的半导体纳米颗粒具有窄的半峰全宽，并具有优异的发光量子产率和针对蓝色光的吸光度。并且，确认了实施例1至实施例5的半导体纳米颗粒相比比较例1至比较例3的半导体纳米颗粒具有更高的针对蓝色光的吸光度。并且，确认了与发出蓝色光的比较例1至比较例3的半导体纳米颗粒不同地，实施例1至实施例5的半导体纳米颗粒发出最大发光波长为500nm以上的可见光。