阵列基板以及触控显示装置的制作方法

1.本公开实施例涉及一种阵列基板以及触控显示装置。


背景技术：

2.触控屏在我们身边随处可见。触控屏节省了空间便于携带，还有更好的人机交互性。在各类触控屏中，电容式触控屏具有较强的灵敏度、可实现多点触控等优点而被广泛应用。
3.电容式触控屏的工作原理是：在基板的表面设置导电物质作为触控电极；当触摸物(例如用户的手指)触碰触控屏时，位于触摸点处的触控电极的电容发生变化，根据该变化可以检测出触摸点在触控屏上的位置。
4.电容式触控技术可分为利用互电容原理的触控技术和利用自电容原理的触控技术。与利用互电容原理的触控技术相比，利用自电容原理的触控技术的触控感应的准确度和信噪比都较高。
5.内嵌式触控屏是一种将触控电极设置于显示面板内部的触控屏。内嵌式触控屏具有较高的集成度、更加轻薄，因此具有广泛的应用前景。


技术实现要素：

6.本公开实施例提供一种阵列基板和触控显示装置，该阵列基板可以避免色偏。
7.本公开至少一实施例提供一种阵列基板，其包括：衬底；位于所述衬底上的多条第一显示信号线和多条第二显示信号线，其中，所述多条第一显示信号线沿第一方向延伸并且沿不同于所述第一方向的第二方向依次排列，所述多条第二显示信号线沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向依次排列，所述多条第二显示信号线与所述第一显示信号线交叉以限定多个子像素区域；位于所述衬底上的触控信号线，其中，所述触控信号线沿所述第二方向延伸；位于所述衬底上的第一绝缘层和公共电极，其中，所述第一绝缘层在垂直于所述衬底的方向上位于所述触控信号线和所述公共电极之间，所述触控信号线通过贯穿所述第一绝缘层的触控线过孔电连接所述公共电极；以及位于所述衬底上的多个像素电极，其中，所述多个像素电极分别位于所述多个子像素区域内。所述多个子像素区域包括第一子像素区域，所述多个像素电极包括第一像素电极，所述第一像素电极位于所述第一子像素区域内，所述第一像素电极包括沿所述第一方向排列且沿所述第二方向延伸的第一边缘和第二边缘，所述触控信号线在所述衬底上的正投影位于所述第一边缘和第二边缘在所述衬底上的正投影之间；所述触控线过孔在所述衬底上的正投影至少部分位于相邻的像素电极在所述衬底上的正投影之间，所述触控信号线在所述触控线过孔处包括电连接所述公共电极的过孔连接部，所述过孔连接部在所述第一方向上的尺寸大于所述触控信号线包括的与所述过孔连接部相邻的部分在所述第一方向上的尺寸；所述第一像素电极为所述多个像素电极中距离所述过孔连接部最近的像素电极，所述第一像素电极还包括位于所述第一边缘和所述第二边缘之间的第三边缘，所述第三边缘沿所述第一方向延伸，所述第三边缘具有第一凹
陷，所述第一凹陷在所述衬底上的正投影容纳至少部分所述过孔连接部在所述衬底上的正投影。
8.在至少一个实施例提供的阵列基板中，所述第一子像素区域包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；在所述第一方向上，所述触控信号线的所述正投影在所述第一区域内到与所述触控信号线相邻的两个第二显示信号线之间的距离不相等。
9.在至少一个实施例中，所述阵列基板包括多条触控信号线，每列子像素区域中的第一子像素区域内的第一像素电极包括的第一边缘和第二边缘在所述衬底的所述正投影之间都有所述多条触控信号线之一在所述衬底上的所述正投影。
10.在至少一个实施例提供的阵列基板中，所述过孔连接部在所述衬底上的正投影与所述第一像素电极在所述衬底上的正投影不交叠。
11.在至少一个实施例提供的阵列基板中，所述第一凹陷的边缘平行于与其相邻的所述过孔连接部的边缘。
12.在至少一个实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板包括位于所述衬底上的多条触控信号线；所述多个像素电极包括相邻的第一行像素电极和第二行像素电极，所述第一行像素电极和所述第二行像素电极都沿所述第一方向延伸并且沿所述第二方向依次排列；所述第一行像素电极和所述第二行像素电极都与至少两条触控信号线相交，所述至少两条触控信号线中的至少一条在所述第一行像素电极和所述第二行像素电极之间具有所述过孔连接部，所述至少两条触控信号线中的至少另一条在所述第一行像素电极和所述第二行像素电极之间不具有所述过孔连接部。
13.在至少一个实施例提供的阵列基板中，所述第一行像素电极比所述第二行像素电极更靠近所述过孔连接部，所述第一行像素电极中距离所述过孔连接部最近的像素电极具有所述第一凹陷。
14.在至少一个实施例提供的阵列基板中，所述第一行像素电极中与所述距离所述过孔连接部最近的像素电极相邻的像素电极具有面向所述第二行像素电极的第二凹陷。
15.在至少一个实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板包括第一电极，所述第一电极为所述公共电极或者所述第一像素电极，所述第一电极包括多个条状电极，所述多个条状电极沿所述第二方向延伸；在所述第一子像素区域内，所述触控信号线的所述正投影至少部分位于在所述第一方向上相邻的条状电极在所述衬底上的正投影之间。
16.本公开至少一个实施例提供一种阵列基板，其包括：衬底；位于所述衬底上的多条第一显示信号线和多条第二显示信号线，其中，所述多条第一显示信号线沿第一方向延伸并且沿不同于所述第一方向的第二方向依次排列，所述多条第二显示信号线沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向依次排列，所述多条第二显示信号线与所述第一显示信号线交叉以限定多个子像素区域；位于所述衬底上的触控信号线，其中，所述触控信号线沿所述第二方向延伸；位于所述衬底上的公共电极，其电连接所述触控信号线；以及位于所述衬底上的多个像素电极，其中，所述多个像素电极分别位于所述多个子像素区域内。所述多个子像素区域包括第一子像素区域，所述多个像素电极包括第一像素电极，所述第一像素电极位于所述第一子像素区域内，所述第一像素电极包括沿所述第一方向排列且沿所述第二方向延伸的第一边缘和第二边缘，所述触控信号线在所述衬底上的正投影位于所述第一边缘和第二边缘在所述衬底上的正投影之间；所述阵列基板包括第一电极，所述第一电极为所述公
共电极或所述第一像素电极，所述第一电极包括多个条状电极，所述多个条状电极沿所述第二方向延伸；在所述第一子像素区域内，所述触控信号线的所述正投影至少部分位于在所述第一方向上相邻的条状电极在所述衬底上的正投影之间；所述第一子像素区域包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；所述多个条状电极包括与所述触控信号线相邻的第一条状电极，所述第一条状电极在所述第一区域中具有第一条状电极弯曲部，所述触控信号线在所述第一区域中具有第一触控线弯曲部，所述第一触控线弯曲部和所述第一条状电极弯曲部在所述第一区域中朝同一方向弯曲，所述第一触控线弯曲部在所述衬底上的正投影与所述第一条状电极弯曲部在所述衬底上的正投影所述第一方向上依次设置，并且所述第一触控线弯曲部的弯曲角大于所述第一条状电极弯曲部的弯曲角。
17.在至少一个实施例提供的阵列基板中，所述第一条状电极弯曲部位于所述第一触控线弯曲部的第一侧，所述第一触控线弯曲部向着远离所述第一条状电极弯曲部的方向弯曲；沿所述第一条状电极的一端到另一端的方向，所述第一触控线弯曲部的所述正投影与所述第一条状电极弯曲部的所述正投影之间的距离先减小后增大。
18.在至少一个实施例提供的阵列基板中，所述第一条状电极弯曲部具有朝所述第一触控线弯曲部伸出的尖端，所述第一触控线弯曲部具有向远离所述尖端的方向伸出的弧形端部。
19.在至少一个实施例提供的阵列基板中，所述第一条状电极弯曲部的所述正投影与所述第一触控线弯曲部的所述正投影不交叠。
20.在至少一个实施例提供的阵列基板中，所述多个条状电极还包括与所述触控信号线相邻的第二条状电极，所述第二条状电极在所述第一区域中具有第二条状电极弯曲部，所述第一条状电极弯曲部、所述第二条状电极弯曲部以及位于二者之间的所述第一触控线弯曲部在所述第一区域内朝所述同一方向弯曲，所述第二条状电极弯曲部在所述衬底上的正投影和所述第一触控线弯曲部的所述正投影在所述第一方向上依次设置，并且所述第二条状电极弯曲部的弯曲角小于所述第一触控线弯曲部的弯曲角。
21.在至少一个实施例中，该阵列基板还包括位于所述衬底上的多个开关元件，其中，所述多个开关元件分别位于所述多个子像素区域中，所述多个开关元件包括第一开关元件，且所述第一开关元件位于所述第一子像素区域中，所述触控信号线具有第二触控线弯曲部，所述第二触控线弯曲部在所述第二方向上位于所述第一触控线弯曲部和所述第一开关元件之间，并且所述第二触控线弯曲部在所述第一方向上位于相邻的开关元件之间。
22.在至少一个实施例提供的阵列基板中，所述第二触控线弯曲部的弯曲角大于所述第一触控线弯曲部的弯曲角。
23.在至少一个实施例提供的阵列基板中，所述第一条状电极具有第三条状电极弯曲部，所述第三条状电极弯曲部在所述第一方向上位于所述第二触控线弯曲部与所述第一开关元件之间，并且所述第三条状电极弯曲部与所述第二触控线弯曲部的弯曲方向相反。
24.在至少一个实施例提供的阵列基板中，每个开关元件包括栅极、源极和漏极，所述源极在所述衬底上的正投影包括u形结构。
25.本公开至少一个实施例提供一种阵列基板，其包括：衬底；位于所述衬底上的多条第一显示信号线和多条第二显示信号线，其中，所述多条第一显示信号线沿第一方向延伸并且沿不同于所述第一方向的第二方向依次排列，所述多条第二显示信号线沿所述第二方
向延伸且沿所述第一方向依次排列，所述多条第二显示信号线与所述第一显示信号线交叉以限定多个子像素区域；位于所述衬底上的触控信号线，其中，所述触控信号线沿所述第二方向延伸；位于所述衬底上的第一绝缘层和公共电极，其中，所述第一绝缘层在垂直于所述衬底的方向上位于所述触控信号线和所述公共电极之间，所述触控信号线通过贯穿所述第一绝缘层的触控线过孔电连接所述公共电极；以及位于所述衬底上的多个像素电极，其中，所述多个像素电极分别位于所述多个子像素区域内。所述多个子像素区域包括第一子像素区域，所述多个像素电极包括第一像素电极，所述第一像素电极位于所述第一子像素区域内，所述第一像素电极包括沿所述第一方向排列且沿所述第二方向延伸的第一边缘和第二边缘，所述触控信号线在所述衬底上的正投影位于所述第一边缘和第二边缘在所述衬底上的正投影之间；所述阵列基板包括位于所述衬底上的像素电极层，所述像素电极层包括所述多个像素电极并且包括与所述多个像素电极绝缘的刻蚀阻挡部，所述刻蚀阻挡部位于所述触控线过孔中，所述公共电极通过所述刻蚀阻挡部电连接所述触控信号线。
26.在至少一个实施例提供的阵列基板中，所述第一绝缘层包括依次位于所述衬底上的第一子绝缘层、有机绝缘层和第二子绝缘层，所述第一子绝缘层在垂直于所述衬底的方向上位于所述有机绝缘层和所述衬底之间；所述触控线过孔包括位于所述第一子绝缘层中的第一子绝缘层过孔、位于所述有机绝缘层中的有机绝缘层过孔和位于所述第二子绝缘层中的第二子绝缘层过孔，所述第一子绝缘层过孔、所述有机绝缘层过孔和所述第二子绝缘层过孔相互连通，并且所述刻蚀阻挡部至少覆盖所述第一子绝缘层过孔的侧壁。
27.在至少一个实施例提供的阵列基板中，所述第一子绝缘层过孔和所述有机绝缘层过孔的相邻边缘对齐。
28.在至少一个实施例提供的阵列基板中，所述有机绝缘层在所述衬底上的正投影包括延伸到所述第二子绝缘层过孔在所述衬底上的正投影中的部分。
29.在至少一个实施例提供的阵列基板中，该阵列基板还包括位于所述衬底上的连接件和第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层位于所述触控信号线的面向所述衬底的一侧，所述第一绝缘层位于所述触控信号线的背离所述衬底的一侧；所述连接件位于所述第二绝缘层的面向所述衬底的一侧，所述连接件通过贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的连接件过孔电连接所述公共电极。
30.在至少一个实施例提供的阵列基板中，所述连接件过孔包括位于所述第二绝缘层中的第一子过孔、位于所述第一子绝缘层中的第二子过孔、位于所述有机绝缘层中的第三子过孔以及位于所述第二子绝缘层中的第四子过孔，所述第一子过孔、所述第二子过孔、所述第三子过孔和所述第四子过孔相互连通。
31.本公开实施例还提供一种触控显示装置，其包括以上任一实施例提供的阵列基板。
32.在至少一个实施例提供的触控显示装置中，该触控显示装置还包括黑矩阵层，所述第一子像素区域的由所述黑矩阵层围成的部分为开口区，所述触控信号线的在所述第一子像素区域的所述正投影经过所述开口区。
附图说明
33.为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介
绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
34.图1a为一种内嵌式触控屏的示意图。
35.图1b为图1a所示内嵌式触控屏中触控信号线与子像素区域的位置关系示意图。
36.图2为本公开实施例提供的阵列基板中触控信号线与子像素区域之间的位置关系示意图。
37.图3为本公开实施例提供的阵列基板的俯视示意图一。
38.图4a为本公开实施例提供的阵列基板的俯视示意图二。
39.图4b至图4d为图4a所示阵列基板中的部分结构的俯视示意图。
40.图5a为本公开实施例提供的阵列基板的俯视示意图三。
41.图5b为图5a所示阵列基板中部分结构的俯视示意图。
42.图6a为本公开实施例提供的阵列基板中第二显示信号线与条状电极的位置关系示意图。
43.图6b为本公开实施例提供的阵列基板中触控信号线与条状电极的位置关系示意图。
44.图7a为本公开实施例提供的阵列基板中触控电极te与触控信号线tx之间的连接关系的示意图。
45.图7b为本公开实施例提供的阵列基板中触控线过孔与子像素区域的位置关系示意图。
46.图8a和图8b为本公开实施例提供的阵列基板中触控信号线与像素电极的位置关系示意图。
47.图9a为本公开实施例提供的阵列基板的剖视结构示意图一。
48.图9b为如图9a所示阵列基板的制作步骤示意图。
49.图10为如图9a所示阵列基板发生过刻时的示意图。
50.图11a为本公开实施例提供的阵列基板的剖视示意图二。
51.图11b为图11a所示阵列基板的制作步骤示意图。
52.图12a为本公开实施例提供的触控显示装置的俯视示意图。
53.图12b为本公开实施例提供的触控显示装置的沿图12a中的虚线a的简化剖视示意图。
54.图13为本公开实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图。
具体实施方式
55.为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
56.除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件
及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
57.图1a为一种内嵌式触控屏的示意图，图1b为图1a所示内嵌式触控屏中触控信号线与子像素区域的位置关系示意图。如图1a所示，该内嵌式触控屏包括呈阵列排布的多个触控电极te以及多条触控信号线tx，每个触控电极te通过过孔vh电连接对应的触控信号线tx，从而通过该触控信号线tx电连接至触控控制电路ic。如图1b所示，该内嵌式触控屏包括多个像素区域p(图1b中示出四个像素区域p1、p2、p3和p4进行举例说明)，每个像素区域p包括三个子像素区域(参见sp1、sp2、sp3)，每个子像素区域由相邻的栅线g(图1b示出g1、g2这两个栅线进行举例说明)和相邻的数据线s(图1b示出了s1至s6进行举例说明)相互交叉限定。每条触控信号线tx位于在栅线g的延伸方向上相邻的两列像素区域p之间。
58.本技术的发明人在研究中注意到，在图1a所示的内嵌式触控屏应用于液晶显示装置时，触控信号线tx容易导致液晶显示装置存在色偏。
59.图2为本公开实施例提供的阵列基板中触控信号线与子像素区域之间的位置关系示意图。如图2所示，本公开实施例提供一种阵列基板，其包括衬底bs并且包括位于衬底bs上的多条第一显示信号线px1和多条第二显示信号线px2。该多条第一显示信号线px1沿第一方向延伸并且沿不同于第一方向的第二方向依次排列；该多条第二显示信号线px2沿第二方向延伸且沿第一方向依次排列。第一显示信号线px1与第二显示信号线px2中的一者为栅线且另一者为数据线；第二显示信号线px2与第一显示信号线px1交叉以限定多个子像素区域sp，该多个子像素区域sp分别属于多个像素区域p(图2示出四个像素区域p1、p2、p3和p4进行举例说明)，即每个像素区域p包括若干个子像素区域sp。例如，每个像素区域p包括三个子像素区域sp1、sp2和sp3。每个子像素区域sp包括第一区域和围绕该第一区域的第二区域(图2中未示出第一区域和第二区域)；在阵列基板用于显示装置时，子像素区域的第一区域为未被显示装置中的黑矩阵层遮挡的开口区，子像素区域的第二区域为被黑矩阵层遮挡的非开口区。
60.如图2所示，阵列基板还包括位于衬底bs上的多条触控信号线tx，该多条触控信号线tx沿第二方向延伸并且沿第一方向依次排列；并且每条触控信号线tx都经过子像素区域sp的第一区域。在本公开实施例中，通过使触控信号线tx经过子像素区域的第一区域，例如使同一条触控信号线tx经过位于同一列的子像素区域的第一区域，可以避免图1a和图1b所示内嵌式触控屏应用于液晶显示装置时存在的色偏。
61.阵列基板还包括位于衬底上的多个像素电极(图2中未示出)，该多个像素电极分别位于上述多个子像素区域sp中，例如每个像素电极位于一个子像素区域内；每个像素电极包括沿第一方向排列且沿第二方向延伸的第一边缘和第二边缘，第一边缘和第二边缘为该像素电极在第一方向上相距最远的边缘，并且第一边缘和第二边缘位于该像素电极所在的子像素区域的第一区域内。鉴于此，触控信号线tx经过子像素区域的第一区域是指，该触控信号线tx在衬底bs上的正投影的在该子像素区域内的部分位于该子像素区域中的像素电极包括的第一边缘和第二边缘在衬底上的正投影之间。
62.本技术的发明人还注意到，在图1a和图1b所示的内嵌式触控屏应用于中大尺寸触
控产品中时，触控电极te的数量较多，而面积较固定的触控电极te内无法布置较多的触控信号线tx，因此无法满足触控信号线tx和触控电极te的数量匹配。例如，对于常见的mobile hd产品而言，像素区域的面积约为100*100μm，触控电极的面积约为4*4mm，则每个触控电极对应40*40个像素区域，即按照如图1a和1b所示的布线方式每个触控电极内可布置40条触控信号线；然而，当触控产品的尺寸较大时，一列触控电极的个数大于40，则每个触控电极内可布置的触控信号线的数量无法满足该列触控电极所需要的触控信号线的数量。
63.为了使触控信号线的数量与触控电极的数量匹配，在至少一个实施例中，如图2所示，每列子像素区域sp的第一区域都经过一条触控信号线tx。相较于图1b所示的每条触控信号线tx位于相邻的两列像素区域p之间的布线方式，在本公开实施例中，每列像素区域p包括的每列子像素区域sp的第一区域都经过一条触控信号线tx，这样可以在很大程度上增加触控信号线tx的数量，避免当触控产品尺寸较大且触控电极数量较多时出现的触控信号线tx的数量无法满足触控电极的数量的情况。
64.另一方面，由于本公开实施例增加了触控信号线tx的数量，因此每个触控电极可使用更多条触控信号线tx供给信号，从而增强触控信号的供给，避免触控横纹不良。
65.再一方面，由于同一像素区域包括的多个子像素区域(例如三个子像素区域)中的每个都对应一条触控信号线tx，因此这些子像素区域的寄生电容/存储电容之比cpd/cst均一性较好，从而可以避免出现画面颜色不均一的现象。
66.再一方面，本技术的发明人注意到，当触控产品尺寸较大且采用如图1a和图1b所示的内嵌式触控屏时，触控信号从触控控制电路ic的输出端运输到触控产品屏幕的远端会经历rc延迟，这导致触控信号发生衰减，即屏幕远端的触控电极的信号弱于屏幕近端的触控电极的信号(屏幕近端比屏幕远端离ic更近)，导致屏幕远端和屏幕近端之间存在显示差异(例如横纹不良)；而在本公开实施例中，触控信号线tx的数量较多，例如单个触控电极可以采用多个的触控信号线tx同时供给信号，这相当于减小了与该触控电极电连接的触控信号线整体上的电阻r，从而触控电极的信号衰减变小，以减小屏幕远端和屏幕近端之间的显示差异。
67.在至少另一个实施例中，阵列基板包括的多个子像素区域中的一部分的第一区域可以分别被触控信号线经过，并且该多个子像素区域中的另一部分的第一区域可以不被触控信号线经过。
68.为了便于描述，以下将第一区域被触控信号线经过的子像素区域称为第一子像素区域，将位于第一子像素区域内的像素电极称为第一像素电极，将第一区域没有被触控信号线经过的子像素区域称为第二子像素区域，并且将第二子像素区域内的像素电极称为第二像素电极。因此，上述每列子像素区域sp的第一区域都经过一条触控信号线tx是指，每列子像素区域中的第一子像素区域内的第一像素电极包括的第一边缘和第二边缘在衬底上的正投影之间都有一条触控信号线tx在衬底上的正投影。
69.在至少一个实施例中，阵列基板包括位于衬底bs上的第一电极，第一电极包括多个条状电极，该多个条状电极沿第二方向延伸；在第一子像素区域内，触控信号线在衬底bs上的正投影至少部分位于在第一方向上相邻的条状电极在衬底bs上的正投影之间。通过使触控信号线位于相邻的条状电极之间，可以尽量避免触控信号线和与其相邻的条状电极交叠，以减小触控信号线与第一电极之间的电容。第一电极可以为公共电极或者像素电极。
70.在至少一个实施例中，阵列基板还包括位于衬底上的第二电极，第二电极在垂直于衬底的方向(垂直于衬底的主表面的方向)上位于第一电极与衬底之间。在第一电极为公共电极的情况下，第二电极为像素电极；在第一电极为像素电极的情况下，第二电极为公共电极。在阵列基板应用于液晶显示装置中进行显示时，像素电极被施加像素电压，公共电极被施加公共电压，从而像素电极与公共电极之间产生用于控制液晶显示装置中的液晶偏转的电场，以实现显示功能。
71.在至少一个实施例中，第一电极为公共电极并且与触控信号线电连接，也就是说，公共电极被复用为触控电极。此时，在阵列基板应用于液晶显示装置中时，例如可以采取分时驱动的方式，即：在显示阶段，公共电极被施加公共电压，以实现显示功能；在触控阶段，公共电极被施加触控信号，以实现触控功能。
72.例如，本公开实施例提供的阵列基板可以采用自电容原理。以公共电极被复用为触控电极为例，公共电极层包括彼此电绝缘的多个公共电极，该多个公共电极例如排列成多行和多列，每个公共电极作为一个自电容式触控电极，并且每个公共电极所在区域中有多行多列子像素区域。
73.在至少一个实施例中，阵列基板还包括位于衬底上的多个开关元件，该多个开关元件分别位于阵列基板包括的多个子像素区域中并且分别电连接这些子像素区域中的像素电极，并且开关元件位于第一显示信号线和第二显示信号线交叉的位置处。以下称位于第一子像素区域中的开关元件为第一开关元件。为了避免触控信号线与第一开关元件交叠以减小寄生电容，在至少一个实施例中，触控信号线在临近第一开关元件的位置处具有弯曲部以绕开开关元件，该弯曲部在第一方向上位于相邻的开关元件之间。为了避免触控信号线与第一开关元件交叠，在至少一个实施例中，在第一子像素区域的第一区域中，触控信号线到与其相邻的两个第二显示信号线之间的距离可以不相等，并且该第一子像素区域中的第一开关元件位于触控信号线与到该触控信号线距离较大且与该触控信号线相邻的第二显示信号线之间。
74.以下，以第一电极为包括多个条状电极的公共电极且第二电极为像素电极为例，对本公开实施例提供的阵列基板进行详细说明。
75.图3为本公开实施例提供的阵列基板的俯视示意图一；图4a为本公开实施例提供的阵列基板的俯视示意图二；图4b至图4d为图4a所示阵列基板中的部分结构的俯视示意图；图5a为本公开实施例提供的阵列基板的俯视示意图三；图5b所示阵列基板中的部分结构的俯视示意图。
76.如图3-4c和图5a-5b所示，本公开实施例提供的阵列基板包括衬底bs，并且包括位于衬底bs上的多条第一显示信号线px1、多条第二显示信号线px2和多条触控信号线tx。第一显示信号线px1沿第一方向延伸，第二显示信号线px2沿第二方向延伸，相邻的第一显示信号线px1与相邻的第二显示信号线px2交叉限定的区域为子像素区域。子像素区域包括第一区域(如被每个虚线框包围的区域所示)和包围第一区域的第二区域。第一显示信号线px1和第二显示信号线px2都位于第二区域中。触控信号线tx沿第二方向延伸，并且触控信号线tx经过其所在的子像素区域的第一区域。
77.在至少一个实施例中，如图3-4c和图5a-5b所示，在触控信号线tx与第一显示信号线px1交叉的位置处，第一显示信号线px1具有凹陷，以减小第一显示信号线px1与触控信号
线tx之间的交叠面积，从而减小寄生电容。
78.在至少一个实施例中，如图3所示，阵列基板包括的多个子像素区域包括第一子像素区域p11和第二子像素区域p12，第一子像素区域p11的第一区域中经过触控信号线tx，并且第二子像素区域p12的第一区域中未经过触控信号线tx。在另一些实施例中，如图4a和图5a所示，每个子像素区域的第一区域中都经过一条触控信号线tx，也就是说，阵列基板包括的多个子像素区域只包括第一子像素区域p11而不包括第二子像素区域p12。在这种情况下，每相邻的两条第二显示信号线px2之间只有一条触控信号线tx，并且每相邻的两条触控信号线tx之间只有一条第二显示信号线px2。如上所述，通过使每个子像素区域的第一区域都只经过一条触控信号线tx，可以避免触控电极数量较多时出现的触控信号线tx的数量无法满足触控电极的数量的情况，可以避免触控横纹不良，可以避免出现画面颜色不均一的现象，并且可以减小屏幕远端和屏幕近端之间的显示差异。
79.如图3至图5b所示，阵列基板还包括位于衬底bs上的多个像素电极pe，每个像素电极pe位于一个子像素区域中，并且每个像素电极pe包括沿第一方向排列且沿第二方向延伸的第一边缘pe1和第二边缘pe2，第一边缘pe1和第二边缘pe2为像素电极pe在第一方向上相距最远的两个边缘。例如，第一边缘pe1和第二边缘pe2都包括沿第二方向排列的两个端部以及位于这两个端部之间的主体部，该两个端部都位于子像素区域的第二区域中，该主体部位于第一区域中。
80.在一些实施例中，如图3-4a、图4c和图5a-5b所示，每个像素电极pe包括的在第一方向上相距最远且相对的边缘pe1和pe2都位于第一区域中，鉴于此，第一子像素区域p11的第一区域中经过触控信号线tx是指，在第一子像素区域p11内，触控信号线tx在衬底bs上的正投影位于第一像素电极pea包括的第一边缘pe1和第二边缘pe2在衬底bs上的正投影之间。由于第一区域在第二方向上的尺寸大于第二区域在第二方向上的尺寸，因此，在第二方向上，触控信号线的位于第一区域中的部分大于触控信号线的位于第二区域中的部分的尺寸。
81.在至少一个实施例中，如图3所示，第一子像素区域p11中的第一像素电极pea在第一边缘pe1和第二边缘pe2之间具有一个沿第二方向延伸的开口sl，触控信号线tx在衬底bs上的正投影位于该开口sl包括的在第一方向上相对的边缘在衬底bs上的正投影之间，这样触控信号线tx与该第一像素电极pea在开口sl的位置处与该第一像素电极pea不交叠，从而可以减小触控信号线tx与第一像素电极pea之间的电容。如图3所示，由于第二子像素区域p12的第一区域中未经过触控信号线tx，即第二子像素区域p12中的第二像素电极peb与触控信号线tx不交叠，在这种情况下，第二子像素区域中的第二像素电极peb在其在第一方向上相距最远的两个边缘(即第一边缘pe1和第二边缘pe2)之间是不具有开口的连续结构，即第二像素电极peb为板状结构。
82.在至少一个实施例中，如图3所示，在第一子像素区域p11中的第一像素电极pea具有对应触控信号线tx的开口sl并且第二子像素区域p12中的第二像素电极peb不具有开口的情况下，为了减小第一子像素区域p11与第二子像素区域p12的像素电容之间的差异，第一像素电极pea在第一方向上的尺寸大于第二像素电极peb在第二方向上的尺寸，即第一像素电极pea的第一边缘pe1和第二边缘pe2之间的距离大于第二像素电极peb的第一边缘pe1和第二边缘pe2之间的距离。
83.在至少另一个实施例中，如图4a、图4c和图5a-5b所示，由于每个子像素区域的第一区域都被触控信号线tx经过，因此每个子像素区域中的像素电极pe在第一边缘pe1和第二边缘pe2之间都是不具有开口的连续结构(即每个像素电极pe都为板状结构)。
84.在至少另一个实施例中，在每个子像素区域的第一区域都被触控信号线tx经过的情况下，每个子像素区域中的像素电极pe在第一边缘pe1和第二边缘pe2之间具有沿第二方向延伸的开口，该子像素区域中的触控信号线tx在衬底bs上的正投影位于该开口包括的在第一方向上相对的边缘在衬底bs上的正投影之间，以减小触控信号线tx与像素电极pe之间的电容。
85.如图3-4c和图5a-5b所示，阵列基板还包括位于衬底bs上的多个开关元件t，该多个开关元件t分别位于阵列基板包括的多个子像素区域中。例如，该多个开关元件t与该多个子像素区域一一对应。每条触控信号线tx在第一子像素区域p11内为具有弯曲部的曲线结构，以通过该弯曲部绕开第一子像素区域p11内的第一开关元件t1。
86.为了避免触控信号线tx与第一开关元件t1交叠，在至少一个实施例中，触控信号线tx位于在第一方向上相邻的两个开关元件t之间。
87.为了避免触控信号线tx与第一开关元件t1交叠，在至少一个实施例中，在第一子像素区域p11的第一区域内，触控信号线tx在衬底bs上的正投影到与该触控信号线tx相邻的两个第二显示信号线px2之间的距离不相等，该第一子像素区域p11包括的第一开关元件t1位于触控信号线tx以及该相邻的第二显示信号线px2中到该触控信号线tx较远的第二显示信号线px2之间。
88.如图3-4b和图5a所示，阵列基板还包括位于衬底bs上的多个条状电极st，该多个条状电极st沿第二方向延伸；在第一子像素区域p11内，触控信号线tx在衬底bs上的正投影至少部分位于在第一方向上相邻的条状电极st在衬底bs上的正投影之间。例如，在第一子像素区域p11的第一区域中，触控信号线tx和与其相邻的条状电极st不交叠；在第一子像素区域p11的第二区域中，触控信号线tx与和其相邻的条状电极st不交叠或者仅部分交叠。例如，阵列基板包括的上述多个条状电极st属于公共电极ce。在另一些实施例中，也可以是像素电极pe包括上述多个条状电极st。
89.图6a为本公开实施例提供的阵列基板中第二显示信号线与条状电极的位置关系示意图；图6b为本公开实施例提供的阵列基板中触控信号线与条状电极的位置关系示意图。
90.如图6a和图6b所示，公共电极ce包括多个条状电极st，像素电极pe在垂直于衬底bs的方向上位于衬底bs和公共电极ce之间。
91.在至少一个实施例中，如图4a-4b、图5a和图6a所示，每条第二显示信号线px2在衬底bs上的正投影都与一个条状电极st在衬底bs上的正投影交叠。这样有利于防止漏光。
92.在至少一个实施例中，如图4a-4b、图5a和图6a所示，与第二显示信号线px2交叠的条状电极st在第一方向上的尺寸大于与该第二显示信号线px2相邻且不交叠的条状电极st在第一方向上的尺寸。通过使与第二显示信号线px2交叠的条状电极st具有较大的宽度，可以防止串扰。
93.在至少一个实施例中，如图4a-4b、图5a和图6a所示，与第二显示信号线px2交叠的条状电极st包括的在第一方向上排列的边缘都位于子像素区域的第一区域中，从而在阵列
基板应用于显示装置中时，该与第二显示信号线px2交叠的条状电极st超出黑矩阵层的遮挡区域，这样有利于提高透过率。
94.在至少一个实施例中，如图4a-4b和图5a所示，第二显示信号线px2的与条状电极st交叠的部分包括的边缘在衬底上的正投影与该条状电极st的边缘在衬底上的正投影大致平行。
95.在至少一个实施例中，如图6b所示，触控信号线tx包括与条状电极st不交叠的部分；在第一方向上，位于触控信号线tx的该部分的同一侧且相邻的条状电极st之间的间距为ss且宽度为ws，并且触控信号线tx的该部分与和其相邻的条状电极st之间的间距为sst。在至少一个实施例中，ws/ss的范围为45％～80％，如果超过此范围则透过率波动较大，易产生不良。在至少一个实施例中，与触控信号线tx相邻的条状电极st到触控信号线tx的距离sst的范围为1.7～3.0μm。如果sst过大则透过率损失大，如果sst过小则触控信号线tx与条状电极st容易交叠。在至少一个实施例中，触控信号线tx在第一方向上的宽度wt的范围为2～3.5μm，例如3.1μm或3.5μm等。触控信号线tx的宽度太小则触控信号线tx容易发生断线，触控信号线tx的宽度越大则透过率损失越多。例如，触控信号线tx的宽度wt约为3.5μm，条状电极st的宽度ws约为2.6μm，条状电极st之间的间距ss约为4.5μm，与触控信号线tx相邻的条状电极st到触控信号线tx的距离sst约为1.85μm。
96.在至少一个实施例中，同一子像素区域中的多个条状电极st可以具有多畴结构(如图3-4b和图4d所示)或者单畴结构(如图5a所示)。
97.如图3-4b和图4d所示，每个条状电极st具有沿第二方向排列的两个端部并且包括位于这两个端部之间的主体部，条状电极st的主体部位于子像素区域的第一区域中，并且条状电极st的主体部包括沿第二方向依次排列的第一线状部stx1和第二线状部stx2，第一线状部stx1和第二线状部stx2的延伸方向相交。例如，同一子像素区域中的条状电极st的主体部包括的第一线状部st1彼此大致平行，并且该子像素区域中的条状电极st的主体部包括的第二线状部st1彼此大致平行，从而该子像素区域中的条状电极st具有双畴结构。
98.如图5a所示，同一子像素区域中的条状电极st的主体部大致为直线形，并且同一子像素区域p11中的条状电极st彼此平行，从而该子像素区域中的条状电极具有单畴结构。
99.本公开实施例以单畴结构和双畴结构为例进行说明；在其它实施例中，同一子像素区域中的条状电极st也可以具有三畴或三畴以上的畴结构。
100.在至少一个实施例中，在第二方向上相邻的子像素区域中的条状电极的畴结构可以相同。例如，对于在第二方向上相邻的第一行子像素区域和第二行子像素区域(行方向沿第一方向)来说，第一行子像素区域中的条状电极的靠近第二行子像素区域的部分与第二行子像素区域中的条状电极的靠近第一行子像素区域的部分具有不同的延伸方向。在其它实施例中，在第二方向上相邻的子像素区域中的条状电极的畴结构也可以不同。
101.如图3和图4a所示，由于条状电极st的第一条状电极线状部st1和第二条状电极线状部st2相交，从而条状电极st在第一条状电极线状部st1和第二条状电极线状部st2相交的位置处具有第一条状电极弯曲部stb1。
102.在至少一个实施例中，如图3和图4a所示，阵列基板中的多个条状电极st包括与触控信号线tx相邻的第一条状电极st1，触控信号线tx在临近第一条状电极st1包括的第一条状电极弯曲部stb1的位置处也具有弯曲部(以下称为触控线弯曲部tb)，以尽量避免触控信
号线tx在第一子像素区域p11的第一区域中与条状电极st的交叠。例如，触控信号线tx在第一区域中包括沿第二方向上依次排列且连接(例如直接连接)触控线弯曲部tb的第一触控线线状部tx1和第二触控线线状部tx2，触控线弯曲部tb在第二方向上位于第一触控线线状部tx1和第二触控线线状部tx2之间，第一触控线线状部tx1大致平行于第一条状电极线状部stx1，第二触控线线状部tx2大致平行于第二条状电极线状部stx2。
103.在至少一个实施例中，如图3和图4a所示，第二显示信号线px2在临近第一条状电极弯曲部stb1的位置处也具有弯曲部(以下称为显示线弯曲部)。第二显示信号线px2包括沿第二方向上依次排列的第一显示线线状部pxa和第二显示线线状部pxc，显示线弯曲部pxb在第二方向上位于第一显示线线状部pxa和第二显示线线状部pxc之间，第一显示线线状部pxa大致平行于第一条状电极线状部stx1，第二显示线线状部pxc大致平行于第二条状电极线状部stx2。
104.本技术的发明人发现，在图3所示的实施例中，触控信号线tx的触控线弯曲部tb具有尖端，这导致阵列基板用于液晶显示装置时触控线弯曲部tb处的液晶取向发生异常，从而导致暗态漏光。基于该发现，本公开实施例针对该触控线弯曲部tb提出一种改进方案，如图4a所示，对于位于第一子像素区域p11中的触控信号线tx和与该触控信号线tx相邻的第一条状电极st1来说，第一条状电极st1在第一区域中具有第一条状电极弯曲部stb1，触控信号线tx在第一区域中具有第一触控线弯曲部tb1，第一触控线弯曲部tb1和第一条状电极弯曲部stb1在第一区域中朝同一方向弯曲，第一触控线弯曲部tb1在衬底bs上的正投影和第一条状电极弯曲部stb1在衬底bs上的正投影在第一方向上依次设置，并且第一触控线弯曲部tb1的弯曲角大于第一条状电极弯曲部stb1的弯曲角。通过使第一触控线弯曲部tb1的弯曲角大于第一条状电极弯曲部stb1的弯曲角，第一触控线弯曲部tb1比第一条状电极弯曲部stb1更平缓，从而可以避免第一触控线弯曲部tb1处的液晶取向紊乱，进而避免此处的暗态漏光。
105.需要说明的是，第一触控线弯曲部tb1的弯曲角大于第一条状电极弯曲部stb1的弯曲角是指，第一条状电极弯曲部tb1位于第一触控线弯曲部stb1的第一侧(参见图中的右侧)，第一触控线弯曲部stb1向着远离第一侧的方向(在图中)弯曲；第一触控线弯曲部tb1的正投影与第一条状电极弯曲部stb1的正投影之间的距离先减小后增大，也就是说，这两个弯曲部的相互靠近的边缘在衬底bs上的正投影之间的距离先减小后增大，从而在第一条状电极弯曲部stb1的顶端处具有最小值。
106.在至少一个实施例中，第一条状电极弯曲部stb1具有朝第一触控线弯曲部tb1伸出的尖端，第一触控线弯曲部tb1具有向远离该尖端的方向伸出的弧形端部。第一触控线弯曲部tb1采用弧形端部，可以有效避免第一触控线弯曲部tb1处的暗态漏光。
107.在至少一个实施例中，第一触控线弯曲部tb1的角度范围为100
°
～160
°
。第一触控线弯曲部tb1的角度过大容易导致触控信号线tx与条状电极st交叠，从而影响显示效果；第一触控线弯曲部tb1的角度过小会导致透过率损失较多。
108.在至少一个实施例中，如图3和图4a所示，第一条状电极st1包括的第一条状电极弯曲部stb1在衬底bs上的正投影与第一触控线弯曲部tb1的正投影不交叠。
109.例如，如图3和图4a所示，位于第一子像素区域p11中的多个条状电极st还包括与触控信号线tx相邻的第二条状电极st2，第二条状电极st2在第一区域中具有第二条状电极
弯曲部stb2，第一条状电极弯曲部stb1、第二条状电极弯曲部stb2以及位于二者之间的第一触控线弯曲部tb1在第一区域内朝同一方向弯曲，第二条状电极弯曲部stb2在衬底bs上的正投影和第一触控线弯曲部tb1的正投影在第一方向上依次设置，并且第二条状电极弯曲部stb2的弯曲角小于第一触控线弯曲部tb1的弯曲角。
110.需要说明的是，第二条状电极弯曲部stb2的弯曲角小于第一触控线弯曲部tb1的弯曲角是指，第二条状电极弯曲部tb2位于第一触控线弯曲部stb1的与第一侧相对的第二侧(参见图中的左侧)，第一触控线弯曲部stb1朝向第二侧弯曲；第二条状电极弯曲部stb2的正投影与第一触控线弯曲部tb1的正投影之间的距离先增大后减小，也就是说，这两个弯曲部的相互靠近的边缘在衬底bs上的正投影之间的距离先增大后减小，从而在第一触控线弯曲部tb1的顶端处具有最大值。
111.在至少一个实施例中，第二条状电极弯曲部stb2具有朝所述同一方向伸出的尖端，第一触控线弯曲部tb1具有朝所述同一方向弯曲的弧形端部。第一触控线弯曲部tb1采用弧形端部，可以有效缓解第一触控线弯曲部tb1处的暗态漏光。
112.如图3和图4a所示，为了避开第一子像素区域p11中的第一开关元件t1，触控信号线tx在临近第一开关元件t1的位置处具有弯曲部(以下称为开关侧弯曲部)tb’，开关侧弯曲部tb’在第二方向上位于触控线弯曲部tb和该第一子像素区域p11包括的第一开关元件t1之间，并且开关侧弯曲部tb’在第一方向上位于第一开关元件t1以及与该第一开关元件t1相邻的开关元件t之间。
113.在图3所示的实施例中，触控信号线tx包括的开关侧弯曲部tb’具有尖端并且位于第一子像素区域p11的第一区域中。本技术的发明人在研究中发现，如图3所示的实施例中触控信号线tx包括的开关侧弯曲部tb’处存在液晶取向紊乱的现象，从而导致暗态漏光。基于该发现，本公开实施例对开关侧弯曲部tb’提出了一种改进方案。如图4a所示，触控信号线tx在第一子像素区域p11中具有第二触控线弯曲部tb2，第二触控线弯曲部tb2在第二方向上位于第一触控线弯曲部tb1和该第一子像素区域p11包括的第一开关元件t1之间，第二触控线弯曲部tb2在第一方向上位于第一开关元件t1以及与该第一开关相邻的开关元件t之间，并且第二触控线弯曲部tb2的弯曲角大于第一触控线弯曲部tb1的弯曲角。也就是说，触控信号线tx包括的与第一触控线弯曲部tb1直接连接的两个线状部之间的夹角小于触控信号线tx包括的与第二触控线弯曲部tb2直接连接的两个线状部之间的夹角，从而触控信号线tx在第二触控线弯曲部tb2处比在第一触控线弯曲部tb1处更平缓。
114.在至少一个实施例中，如图4a所示，第一子像素区域p11中与触控信号线tx相邻的第一条状电极st1具有第三条状电极弯曲部stb3，第三条状电极弯曲部stb3在第一方向上位于第一开关元件t1与触控信号线tx的第二触控线弯曲部tb2(即开关侧弯曲部tb’)之间，并且第二触控线弯曲部tb2与第三条状电极弯曲部stb3的弯曲方向相反。
115.在至少一个实施例中，第二触控线弯曲部tb2的角度为165
°
～175
°
。如果第二触控线弯曲部tb2的角度过小则容易导致触控信号线tx与开关元件距离太近，进而导致不良。
116.在至少一个实施例中，触控信号线tx包括的与第二触控线弯曲部tb2直接连接的两个线状部的延伸方向之间的夹角为165
°
～175
°
。
117.例如，如图4a所示，第二触控线弯曲部tb2位于第一子像素区域p11的第二区域中，从而在阵列基板应用于显示装置时第二触控线弯曲部tb2被显示装置中的黑矩阵层遮挡，
这样可以进一步避免第二触控线弯曲部tb2处发生暗态漏光，并且可以减小黑矩阵层在第二触控线弯曲部tb2处的宽度，从而有利于提升透过率。
118.在本公开的一些实施例中，如图3至图5b所示，开关元件t可以为晶体管，该晶体管包括栅极ge、源极se和漏极de，漏极de与像素电极pe电连接。例如，漏极de通过像素电极过孔vhp(如图5a-5b所示)电连接像素电极pe。开关元件t为晶体管时还包括与源极se和漏极de电连接的有源层al(如图5b所示)。
119.在至少一个实施例中，如图3和图4a-4c所示，开关元件t可以为u型结构，即开关元件t的源极se在衬底bs上的正投影包括u形结构，漏极de在衬底bs上的正投影伸入该u形结构中。
120.在另一些实施例中，为适应高分辨率的要求，如图5a-5b所示，开关元件t也可以为直线型结构。如图5b所示，开关元件t为直线型结构时，源极se和漏极de沿第一方向依次排列，有源层al和栅极ge具有大致为等腰梯形的结构，该等腰梯形的两个腰沿第二方向排列，该等腰梯形的两个底沿第一方向排列。
121.开关元件t可以为顶栅型晶体管(栅极ge位于有源层的背离衬底bs的一侧)或者底栅型晶体管(栅极ge位于有源层的面向衬底bs的一侧)或者为背沟道保护型(back-channel stop)晶体管(晶体管包括刻蚀阻挡层，以在源漏电极层被刻蚀时保护有源层)。开关元件t可以为非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管或者氧化物薄膜晶体管等薄膜晶体管。在其他实施例中，开关元件t也可以采用其它类型。
122.如图3-4c和图5a-5b所示，开关元件t位于第一显示信号线px1与第二显示信号线px2交叉的位置处，即开关元件t位于子像素区域的第二区域中，以避免影响显示。
123.在一些实施例中，如图3-4c和图5a-5b所示，与开关元件t连接的第一显示信号线px1的一部分作为栅极ge。例如，如图3-4c和图5a-5b所示，第一显示信号线px1在与第二显示信号线px2交叉的位置处的具有较大的宽度，第一显示信号线px1的具有该较大宽度的部分作为栅极ge。在这种情况下，第一显示信号线px1为栅线，相应地，第二显示信号线px2为数据线。
124.在一些实施例中，如图3-4c和图5a-5b所示，与开关元件t连接的第二显示信号线px2的一部分作为源极se。在这种情况下，第二显示信号线px2为数据线，相应地，第一显示信号线px1为栅线。
125.在至少一个实施例中，源极se、漏极de、第二显示信号线px2和触控信号线tx位于同一层中。也就是说，源极se、漏极de、第二显示信号线px2和触控信号线tx通过对同一薄膜进行图案化处理形成，这样可以简化制作工艺。
126.图7a为本公开实施例提供的阵列基板中触控电极te与触控信号线tx之间的连接关系的示意图；图7b为本公开实施例提供的阵列基板中触控线过孔与子像素区域的位置关系示意图。
127.在至少一个实施例中，如图7a所示，每条触控信号线tx通过多个(图7a中以两个为例进行说明)触控线过孔vht电连接对应的触控电极te。通过多个过孔实现每条触控信号线tx与对应的触控电极te之间的电连接，有利于保证触控电极te与触控信号线tx之间连接良好。在其它实施例中，如图7b所示，每条触控信号线tx也可以通过一个触控线过孔vht电连接对应的触控电极te。
128.在至少一个实施例中，如图7a所示，每个触控电极te与一条触控信号线tx电连接。在其它实施例中，每个触控电极te与多条触控信号线tx电连接。例如，如图7b所示，触控信号线tx-1通过触控线过孔vht1电连接触控电极tea，触控信号线tx-2通过触控线过孔vht2电连接触控电极tea，从而该触控电极tea通过两条触控信号线tx-1和tx-2供给信号。如上所述，通过使用多条触控信号线tx向同一个触控电极te供给信号，可以增强触控信号的供给，降低rc延迟、避免触控横纹不良。
129.在至少一个实施例中，如图7b所示，每个触控电极te所在的区域中有多行和多列子像素区域sp；同一触控电极te所在区域内的触控线过孔vht位于不同行子像素区域sp的周边并且位于不同列子像素区域sp的周边，也就是说，同一触控电极te所在区域内的触控线过孔在第一方向上错开并且在第二方向上错开。这样可以降低触控线过孔vht的可视性，从而提升显示画面均一性的效果。
130.图8a和图8b为本公开实施例提供的阵列基板中触控信号线与像素电极的位置关系示意图。在至少一个实施例中，如图8a和图8b所示，触控信号线tx在触控线过孔vht处包括电连接触控电极te(例如公共电极ce)的过孔连接部hc，过孔连接部hc在第一方向上的尺寸大于触控信号线tx的其余部分在第一方向上的尺寸。通过设置尺寸比较大的过孔连接部hc，有利于保证触控信号线tx与触控电极te之间具有良好的电连接。
131.为了避免影响显示效果，在至少一个实施例中，触控线过孔vht在衬底bs上的正投影至少部分位于相邻的像素电极pe在衬底bs上的正投影之间，相应地，过孔连接部hc在衬底bs上的正投影至少部分位于相邻的像素电极pe在衬底bs上的正投影之间。
132.本技术的发明人在研究中发现，触控线过孔vht处的触控信号线tx在第一方向上的尺寸较大(即过孔连接部hc的所述尺寸较大)，容易导致像素间电容存在差异。以相邻的第一触控信号线和第二触控信号线和相邻的两个子像素区域为例，假设第一触控信号线与该两个子像素区域中一个子像素区域中的像素电极pe交叠且在该子像素区域中具有过孔连接部hc，第二触控信号线与该两个子像素区域中的另一个子像素区域中的像素电极pe交叠且在该另一个子像素区域中不具有过孔连接部，则过孔连接部导致第一触控信号线与所述一个子像素区域中的像素电极之间电容大于第二触控信号线与所述另一个子像素区域中的像素电极之间的电容，从而导致这两个子像素区域对应的电容存在差异。鉴于此，在至少一个实施例中，如图8a和图8b所示，过孔连接部hc在衬底bs上的正投影位于距离过孔连接部hc最近的像素电极pe在衬底bs上的正投影之外，也就是说，过孔连接部hc在衬底bs上的正投影与距离过孔连接部hc最近的像素电极pe在衬底bs上的正投影不交叠。
133.本公开实施例不限定过孔连接部的形状。例如，如图8a和图8b所示，过孔连接部hc在衬底bs上的正投影为八边形，并且触控信号线tx在衬底bs上的正投影穿过该过孔连接部hc的正投影。在其它实施例中，过孔连接部hc在衬底bs上的正投影为四边形，并且位于触控信号线tx的正投影的一侧。在其它实施例中，过孔连接部hc的正投影也可以为其它多边形或者非多边形。
134.在至少一个实施例中，如图8a和图8b所示，距离过孔连接部hc最近的像素电极pe包括位于沿第一方向排列的第一边缘pe1和第二边缘pe2并且包括位于第一边缘pe1和第二边缘pe2之间的第三边缘pe3，第三边缘pe3具有第一凹陷pec1，第一凹陷pec1在衬底bs上的正投影容纳过孔连接部hc在衬底bs上的正投影的至少一部分。通过使像素电极pe包括容纳
过孔连接部hc的第一凹陷，有利于避免像素电极pe在衬底bs上的正投影与过孔连接部hc在衬底bs上的正投影交叠。
135.在至少一个实施例中，如图8a和图8b所示，像素电极pe的第三边缘pee3在第一凹陷pec1处大致平行于过孔连接部hc的正投影的边缘。
136.在至少一个实施例中，如图8a和图8b所示，像素电极pe在衬底bs上的正投影在该像素电极pe的第一边缘pe1和第二边缘pe2之间为不具有开口的连续的结构。
137.在至少一个实施例中，如图8a所示，阵列基板包括的多个像素电极pe包括相邻的第一行像素电极peq1和第二行像素电极peq2，第一行像素电极peq1和第二行像素电极peq2都沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列；第一行像素电极peq1和第二行像素电极peq2都与至少两个触控信号线tx相交，至少两个触控信号线tx中的至少一个在第一行像素电极peq1和第二行像素电极peq2之间具有过孔连接部hc，至少两个触控信号线tx中的至少另一个在第一行像素电极peq1和第二行像素电极peq2之间不具有过孔连接部hc。
138.例如，第一行像素电极peq1比第二行像素电极peq2更靠近过孔连接部hc，第一行像素电极peq1中距离过孔连接部hc最近的像素电极pe(如图8a所示的第一像素电极pea)具有第一凹陷pec1，第一行像素电极peq1中其余的像素电极pe具有面向第二行像素电极peq2的第二凹陷pec2。通过第二凹陷pec2，有利于进一步避免过孔连接部hc导致像素间电容存在差异。
139.例如，第二凹陷pec2与第一凹陷pec1的形状相同，即第二凹陷pec2与第一凹陷pec1的形状的轮廓以及大小都相同，从而第一行像素电极peq1与第二行像素电极peq2在衬底bs上的正投影的面积大致相同，以进一步避免过孔连接部hc导致像素间电容存在差异。在其它实施例中，第二凹陷pec2与第一凹陷pec1的形状可以不相同。
140.在至少一个实施例中，第一行像素电极peq1以及第二行像素电极peq2中的每个像素电极pe在该像素电极pe的第一边缘pe1和第二边缘pe2之间都为不具有开口的连续的结构。
141.图9a为本公开实施例提供的阵列基板的剖视结构示意图一；图9b为如图9a所示阵列基板的制作步骤示意图；图10为如图9a所示阵列基板发生过刻时的示意图；图11a为本公开实施例提供的阵列基板的剖视示意图二；图11b为图11a所示阵列基板的制作步骤示意图。
142.在至少一个实施例中，如图9a和图11a所示，阵列基板包括位于衬底bs上的第一绝缘层isl1和触控电极(例如公共电极ce)，第一绝缘层isl1在垂直于衬底bs的方向上位于触控信号线tx和触控电极之间，触控信号线tx通过贯穿第一绝缘层isl1的触控线过孔vht电连接触控电极，触控线过孔vht在衬底bs上的正投影至少部分位于在第二方向上相邻的像素电极pe在衬底bs上的正投影之间。
143.在至少一个实施例中，第一绝缘层isl1可以包括有机绝缘层rs，这样第一绝缘层isl1可以具有较大的厚度，以减小触控信号线tx与触控电极(例如公共电极ce)之间的电容。
144.第一绝缘层isl1可以为单层膜结构或者为多层膜结构。在至少一个实施例中，在第一绝缘层isl1为多层膜结构的情况下，第一绝缘层isl1可以包括依次位于衬底bs上的第一子绝缘层、有机绝缘层和第二子绝缘层，第一子绝缘层在垂直于衬底bs的方向上位于有
机绝缘层和衬底bs之间。在至少一个实施例中，第一子绝缘层和第二子绝缘层都为无机绝缘层。例如，该无机绝缘层可以包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的至少一个，并且第一子绝缘层和第二子绝缘层可以为相同材料的层或者为不同材料的层。例如，如图9a和图11a所示，在第一绝缘层isl1为多层膜结构的情况下，第一绝缘层isl1可以包括依次位于衬底bs上的缓冲层bf(第一子绝缘层的一个示例)、有机绝缘层rs和钝化层pvx(第二子绝缘层的一个示例)，缓冲层bf在垂直于衬底bs的方向上位于有机绝缘层和衬底bs之间，缓冲层bf和钝化层pvx都为无机绝缘层。
145.在第一绝缘层isl1为多层膜结构的情况下，贯穿第一绝缘层isl1的触控线过孔vht包括相互连通的多个过孔。例如，如图9a和图11a所示，在第一绝缘层isl1包括依次位于衬底bs上的第一子绝缘层、有机绝缘层和第二子绝缘层的情况下，触控线过孔vht包括位于第一子绝缘层中的第一子绝缘层过孔v11、位于有机绝缘层中的有机绝缘层过孔vrs和位于第二子绝缘层中的第二子绝缘层过孔v12，第一子绝缘层过孔v11、有机绝缘层过孔vrs和第二子绝缘层过孔v12相互连通。
146.在至少一个实施例中，第一子绝缘层过孔v11、有机绝缘层过孔vrs和第二子绝缘层过孔v12的坡度角的范围都可以为30
°
～80
°
。这些过孔的坡度角越小则触控电极越不容易从过孔的侧壁上脱落下来。
147.在至少一个实施例中，第一子绝缘层过孔v11可以利用有机绝缘层rs为掩膜制作，从而第一子绝缘层过孔v1与有机绝缘层过孔vrs利用同一张掩膜板制作。通过使触控线过孔vth包括的部分过孔利用同一张掩膜板制作，可以节省掩膜板的数量，从而降低成本。另一方面，第一子绝缘层过孔v11利用有机绝缘层rs为掩膜制作的方式有利于避免第一子绝缘层过孔v11发生过刻。
148.由于第一子绝缘层过孔v11可以利用有机绝缘层rs为掩膜制作，因此，在至少一个实施例中，第一子绝缘层过孔v11和有机绝缘层过孔vrs的相邻边缘大致对齐。
149.在至少一个实施例中，由于有机绝缘层过孔vrs与第二子绝缘层过孔v12利用不同掩膜板制作(即有机绝缘层rs与第二子绝缘层利用不同掩膜板制作)。在至少一个实施例中，由于有机绝缘层rs与第二子绝缘层利用不同掩膜板制作，有机绝缘层过孔vrs与第二子绝缘层过孔v12在平行于衬底bs的方向(即平行于衬底bs的主表面的方向)上的尺寸不相等，从而使触控线过孔vht具有台阶结构。在这种情况下，如图9a和图11a所示，有机绝缘层rs在衬底bs上的正投影包括延伸到第二子绝缘层过孔v12在衬底bs上的正投影中的部分。
150.在至少一个实施例中，如图9a和图11a所示，阵列基板还包括位于衬底bs上的连接件gc第二绝缘层isl2，第二绝缘层isl2位于触控信号线tx的面向衬底bs的一侧，第一绝缘层isl1位于触控信号线tx的背离衬底bs的一侧；连接件gc位于第二绝缘层isl2的面向衬底bs的一侧，连接件gc通过贯穿第二绝缘层isl2和第一绝缘层isl1的连接件过孔vhc以及位于连接件过孔vhc中的公共电极连接部cecp电连接公共电极ce。连接件gc和公共电极连接部cecp用于将触控线tx与其他部件电连接起来，即连接件gc和公共电极连接部cecp起到转接作用。连接件gc和连接件过孔vhc位于边框区中，即位于阵列基板包括的多个子像素区域之外。
151.例如，连接件gc与第一显示信号线px1位于同一层中，也就是说连接件gc与第一显示信号线px1通过对同一薄膜进行图案化处理形成，以简化制作工艺。例如，公共电极连接
部cecp与公共电极ce位于同一层中，即二者通过对同一薄膜进行图案化处理形成，以简化制作工艺。
152.由于第二绝缘层isl2在垂直于衬底bs的方向上位于触控信号线tx与衬底bs之间，连接件过孔vhc的底端比触控线过孔vht的底端距离衬底bs更近。因此，在至少一个实施例中，在第一绝缘层isl1为多层膜结构的情况下，第一绝缘层isl1包括的一部分绝缘层可以与第二绝缘层isl2利用同一张掩膜板制作，以减少掩膜板的数量，从而降低成本。
153.例如，在第一绝缘层isl1包括依次位于衬底bs上的第一子绝缘层、有机绝缘层和第二子绝缘层的情况下，如图9a和图11a所示，连接件过孔vhc包括位于第二绝缘层isl2中的第一子过孔v21、位于第一子绝缘层中的第二子过孔v22、位于有机绝缘层rs中的第三子过孔v23以及位于第二子绝缘层中的第四子过孔v24，第一子过孔v21、第二子过孔v22、第三子过孔v23和第四子过孔v24相互连通。
154.在至少一个实施例中，第二子过孔v22可以利用有机绝缘层rs为掩膜制作，从而第二子过孔v22和第三子过孔v23的相邻边缘大致对齐。
155.由于有机绝缘层rs与第二子绝缘层利用不同掩膜板制作，因此，在至少一个实施例中，第三子过孔v23和第四子过孔v24在平行于衬底bs的方向(即平行于衬底bs的主表面的方向)上的尺寸不相等，从而使连接件过孔vhc具有台阶结构。例如，如图9a和图11a所示，有机绝缘层rs在衬底bs上的正投影包括延伸到第四子过孔v24在衬底bs上的正投影中的部分。
156.在至少一个实施例中，第二绝缘层isl2和第二子绝缘层可以利用同一张掩膜板进行图案化处理，也就是说，第一子过孔v21与第四子过孔v24可以通过同一掩膜板制作，以减少掩膜板的数量，从而降低制作成本。
157.例如，第二子绝缘层和第二绝缘层isl2都为无机绝缘层。例如，该无机绝缘层可以包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的至少一个，并且第二子绝缘层和第二绝缘层isl2可以为相同材料的层或者为不同材料的层。
158.如图9b所示，图9a所示的阵列基板的制作过程包括如下步骤s91至s99。
159.步骤s91：利用栅导电层掩膜板，在衬底bs上形成栅导电层，使栅导电层栅极(图9a中未示出)、第一显示信号线px1(例如栅线)和连接件gc。
160.步骤s92：利用有源层掩膜板，在衬底bs上形成开关元件的有源层(图9a中未示出)。
161.步骤s93：在衬底bs上形成栅绝缘层薄膜，然后利用栅绝缘层掩膜板对栅绝缘层薄膜进行图案化处理以形成具有第一子过孔v21的栅绝缘层gi。例如，栅绝缘层薄膜的厚度为或者其它数值。
162.步骤s94：利用源漏导电层掩膜板，在栅绝缘层gi上形成源漏导电层，使源漏导电层包括开关元件的源极(图9a中未示出)和漏极(图9a中未示出)并且包括第二显示信号线px2(例如数据线)以及触控信号线tx。
163.步骤s95：在形成有源漏导电层的衬底bs上形成用于形成缓冲层bf的缓冲层薄膜。
164.步骤s96：在缓冲层薄膜上形成用于形成有机绝缘层rs的有机材料层，然后利用有机绝缘层掩膜板对有机材料层进行图案化处理以形成具有有机绝缘层过孔vrs和第三子过孔v23的有机绝缘层rs，之后以有机绝缘层rs为掩膜对缓冲层薄膜进行刻蚀以形成具有第
一子绝缘层过孔v11和第二子过孔v22的缓冲层bf，使第一子绝缘层过孔v11与有机绝缘层过孔vrs连通，并且使第三子过孔v23、第二子过孔v22与第一子过孔v21连通。
165.步骤s97：利用像素电极掩膜板在有机绝缘层rs上形成像素电极(图9a中未示出)，使像素电极通过贯穿有机绝缘层rs和缓冲层bf的像素电极过孔vhp(参见图5a)电连接开关元件的漏极。
166.步骤s98：在衬底bs上形成覆盖像素电极的用于形成钝化层pvx的钝化层薄膜，并且利用钝化层掩膜板对钝化层薄膜进行图案化处理以形成具有第二子绝缘层过孔v12和第四子过孔v24的钝化层pvx，使第二子绝缘层过孔v12与有机绝缘层过孔vrs连通以得到触控线过孔vht，并且使第四子过孔v24与第三子过孔v23连通以得到连接件过孔vhc。例如，钝化层薄膜的厚度为或者其它数值。
167.步骤s99：利用公共电极掩膜板在钝化层pvx上形成公共电极ce，使公共电极ce在触控线过孔vht处直接接触触控信号线tx并且在连接件过孔vhc处直接接触连接件gc。
168.需要说明的是，在上述步骤s91至s99中，一些步骤的制作顺序可以改变。例如，步骤s91和步骤s92的制作顺序可以互换。
169.本技术的发明人在研究中注意到，包括上述步骤s91至步骤s99的制作过程共需要8张掩膜板；栅绝缘层gi和钝化层pvx采用不同掩膜板制作的原因是为了防止对钝化层薄膜进行刻蚀时将有机绝缘层rs下方的缓冲层bf过刻(即为了避免第一子绝缘层过孔v11处发生过刻)；如果栅绝缘层gi和钝化层pvx采用同一张掩膜板(即钝化层掩膜板)制作，则触控线过孔vht处只需刻蚀钝化层薄膜一层，而连接件过孔vhc处需要刻蚀钝化层薄膜以及用于形成栅绝缘层gi的栅绝缘层薄膜这两个薄膜，这容易导致缓冲层bf在触控线过孔vht处发生过刻。图10为阵列基板中的缓冲层发生过刻时的结构示意图。如图10所示，缓冲层bf在触控线过孔vht处发生过刻，在发生过刻的位置处(如虚线所示)由于没有缓冲层bf支撑触控线过孔vht中的公共电极ce，因此公共电极ce在触控线过孔vth处容易发生断裂。
170.为了实现在避免第一子绝缘层(例如缓冲层bf)发生过刻的前提下减少掩膜板的数量，本公开实施例提出了一种如图11a所示的阵列基板。如图11a所示，阵列基板包括位于衬底bs上的像素电极层pel，像素电极层pel包括像素电极pe并且包括与像素电极pe电绝缘的刻蚀阻挡部esl，如图11a和图5a所示，刻蚀阻挡部esl位于触控线过孔vht中，公共电极ce通过刻蚀阻挡部esl电连接触控信号线tx。例如，刻蚀阻挡部esl直接接触分别位于其两侧的触控信号线tx和公共电极ce。通过使像素电极层pel包括像素电极和导电的刻蚀阻挡部esl，并且使刻蚀阻挡部esl位于触控线过孔vht中以电连接公共电极ce和触控信号线tx，可以避免第一子绝缘层(例如缓冲层bf)在触控线过孔vht处发生过刻，并且可以减少掩膜板的制作数量。
171.例如，刻蚀阻挡部esl至少覆盖第一子绝缘层过孔v11的侧壁，以进一步避免第一子绝缘层在触控线过孔vht处发生过刻。
172.如图11b所示，图11a所示的阵列基板的制作过程包括如下步骤s11至s19。
173.步骤s11：利用栅导电层掩膜板，在衬底bs上形成栅导电层，使栅导电层栅极(图11a中未示出)、第一显示信号线px1(例如栅线)和连接件gc。
174.步骤s12：利用有源层掩膜板，在衬底bs上形成开关元件的有源层(图11a中未示出)。
175.步骤s13：在衬底bs上形成用于形成栅绝缘层gi的栅绝缘层薄膜。例如，栅绝缘层薄膜的厚度为或者其它数值。
176.步骤s14：利用源漏导电层掩膜板，在栅绝缘层薄膜上形成源漏导电层，使源漏导电层包括开关元件的源极(图11a中未示出)和漏极(图11a中未示出)并且包括第二显示信号线px2(例如数据线)以及触控信号线tx。
177.步骤s15：在形成有源漏导电层的衬底bs上形成用于形成缓冲层bf的缓冲层薄膜。
178.步骤s16：在缓冲层薄膜上形成用于形成有机绝缘层rs的有机材料层，然后利用有机绝缘层掩膜板对有机材料层进行图案化处理以形成具有有机绝缘层过孔vrs和第三子过孔v23的有机绝缘层rs，之后以有机绝缘层rs为掩膜对缓冲层薄膜进行刻蚀以形成具有第一子绝缘层过孔v11和第二子过孔v22的缓冲层bf，使第一子绝缘层过孔v11与有机绝缘层过孔vrs连通，并且使第三子过孔v23和第二子过孔v22连通。
179.步骤s17：利用像素电极掩膜板在有机绝缘层rs上形成像素电极层(图11a中未示出)，使像素电极层包括像素电极以及刻蚀阻挡部esl，像素电极通过贯穿有机绝缘层rs和缓冲层bf的过孔电连接开关元件的漏极，并且刻蚀阻挡部esl位于有机绝缘层过孔vrs中且电连接(例如直接接触)触控信号线tx。
180.步骤s18：在衬底bs上形成覆盖像素电极的用于形成钝化层pvx的钝化层薄膜，并且利用钝化层掩膜板对钝化层薄膜和栅绝缘层薄膜进行图案化处理以形成具有第二子绝缘层过孔v12和第四子过孔v24的钝化层pvx以及具有第一子过孔v21的栅绝缘层gi，使第二子绝缘层过孔v12、有机绝缘层过孔vrs以及第一子绝缘层过孔v11连通以得到触控线过孔vht，并且使第四子过孔v24、第三子过孔v23、第二子过孔v22以及第一子过孔v21连通以得到连接件过孔vhc。例如，钝化层薄膜的厚度为或者其它数值。
181.步骤s19：利用公共电极掩膜板在钝化层pvx上形成公共电极ce，使公共电极ce在触控线过孔vht处电连接(例如直接接触)刻蚀阻挡部esl以电连接触控信号线tx，并且公共电极ce在连接件过孔vhc处电连接(例如直接接触)连接件gc。
182.需要说明的是，在上述步骤s11至s19中，一些步骤的制作顺序可以改变。例如，步骤s11和步骤s12的制作顺序可以互换。
183.从上述步骤s11至步骤s19可以看出，如图11a所示的阵列基板可以通过7张掩膜板制作，与如图9a所示的阵列基板相比减少了一张掩膜板。
184.本公开实施例还提供一种触控显示装置，其包括以上任一项实施例提供的阵列基板。
185.图12a为本公开实施例提供的触控显示装置的俯视示意图；图12b为本公开实施例提供的触控显示装置的沿图12a中虚线a的简化剖视示意图。如图12a和图12b所示，触控显示装置还包括黑矩阵层bm，子像素区域的未被黑矩阵层遮挡的部分为开口区，子像素区域的被黑矩阵层遮挡的部分为非开口区，触控信号线tx的在第一子像素区域的正投影经过开口区。
186.在至少一个实施例中，触控显示装置为内嵌式触控显示装置，即触控电极和触控信号线都位于触控显示装置的显示面板中。例如，如图12b所示，触控显示装置包括显示面板，显示面板包括相对设置的阵列基板as和对置基板os以及位于二者之间的液晶层(图12b中未示出)。在至少一个实施例中，对置基板os包括黑矩阵层bm。在其他实施例中，也可以是
阵列基板as包括黑矩阵层bm。
187.上述实施例中提到的过孔连接部hc、触控信号线过孔vht、连接件过孔vhc和第二触控线弯曲部tb2都位于被黑矩阵层遮挡的区域内。
188.例如，本公开实施例提供的触控显示装置可以为：液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有触控功能和显示功能的产品或部件。
189.本公开实施例还提供一种阵列基板的制作方法，该制作方法包括：在衬底上形成用于形成第二绝缘层的第二绝缘层薄膜；在第二绝缘层薄膜上形成具有有机绝缘层过孔的有机绝缘层；在有机绝缘层上形成用于形成第二子绝缘层的第二子绝缘层薄膜，使第二子绝缘层薄膜包括位于有机绝缘层过孔中且覆盖第二绝缘层薄膜的部分；以及利用同一张掩膜板对第二绝缘层薄膜和第二子绝缘层薄膜进行图案化处理，以形成第二绝缘层和第二子绝缘层。通过利用同一张掩膜板形成第二绝缘层和第二子绝缘层，可以减少掩膜板的数量，以降低成本。
190.在至少一个实施例中，阵列基板的制作方法还包括：在形成有机绝缘层之前，在第二绝缘层薄膜上形成用于形成第一子绝缘层的第一子绝缘层薄膜；在形成有机绝缘层之后且在形成的第二子绝缘层薄膜之前，利用以有机绝缘层为掩膜对第一子绝缘层薄膜进行刻蚀，以形成第一子绝缘层。通过以有机绝缘层为掩膜对第一子绝缘层薄膜进行刻蚀，有利于降低利用同一张掩膜板形成第二绝缘层和第二子绝缘层时第一子绝缘层发生过刻的风险。
191.图13为本公开实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图。如图13所示，在以有机绝缘层为掩膜对第一子绝缘层薄膜进行刻蚀且利用同一张掩膜板形成第二绝缘层和第二子绝缘层的情况下，阵列基板的制作方法包括如下步骤s1至s5。
192.步骤s1：在衬底上形成用于形成第二绝缘层的第二绝缘层薄膜。
193.步骤s2：在第二绝缘层薄膜上形成用于形成第一子绝缘层的第一子绝缘层薄膜。
194.步骤s3：在第一子绝缘层薄膜上形成具有有机绝缘层过孔和第三子过孔的有机绝缘层。
195.步骤s4：以有机绝缘层为掩膜对第一子绝缘层薄膜进行刻蚀，以形成具有第一子绝缘层过孔和第二子过孔的第一子绝缘层，使第一子绝缘层过孔与有机绝缘层过孔连通，并且使第二子过孔与第三子过孔连通。
196.步骤s5：在形成第一子绝缘层之后，在有机绝缘层上形成用于形成第二子绝缘层的第二子绝缘层薄膜，使第二子绝缘层薄膜包括位于有机绝缘层过孔中且覆盖第二绝缘层薄膜的部分；并且，利用同一张掩膜板对第二绝缘层薄膜和第二子绝缘层薄膜进行图案化处理，以形成具有第一子过孔的第二绝缘层和具有第二子绝缘层过孔以及第四子过孔的第二子绝缘层，使第一子过孔与第二子过孔连通，使第二子绝缘层过孔与有机绝缘层过孔连通，并且使第四子过孔与第三子过孔连通。
197.在至少一个实施例中，如图11a所示，阵列基板还包括刻蚀阻挡部esl，以使触控信号线tx通过刻蚀阻挡部esl电连接公共电极ce，从而实现在避免第一子绝缘层发生过刻的前提下减少掩膜板的数量。在这种情况下，阵列基板的制作方法还包括：在形成有机绝缘层之后并且在形成第二子绝缘层薄膜之前，在具有有机绝缘层的衬底上形成像素电极层，使像素电极层包括像素电极以及与像素电极电绝缘的刻蚀阻挡部。
198.例如，第二绝缘层、第一子绝缘层和第二子绝缘层可以分别为如图9a和图11a所示实施例中的栅绝缘层gi、缓冲层bf和钝化层pvx。在其他实施例中，第二绝缘层、第一子绝缘层和第二子绝缘层也可以分别为其它层。
199.例如，在第二绝缘层、第一子绝缘层和第二子绝缘层分别为如图9a所示实施例中的栅绝缘层gi、缓冲层bf和钝化层pvx的情况下，本公开实施例提供的制作方法包括上述步骤s91至步骤s99；在第二绝缘层、第一子绝缘层和第二子绝缘层分别为如图11a所示实施例中的栅绝缘层gi、缓冲层bf和钝化层pvx的情况下，本公开实施例提供的制作方法包括上述步骤s11至步骤s19。重复之处这里不再赘述。
200.在本公开实施例提供的阵列基板及其制作方法以及触控显示装置中，相同的部件可以采用相同的设置方式。
201.在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
202.以上所述仅是本公开的示范性实施方式，而非用于限制本公开的保护范围，本公开的保护范围由所附的权利要求确定。