具有经优化电阻层的存储器的制作方法

技术特征：
1.一种方法，其包括：在多个存储器堆叠上沉积第一电阻材料，所述存储器堆叠中的每一个包含电极材料和存储器材料的分层组合件；在所述多个存储器堆叠上在所述第一电阻材料上方沉积第一导电材料；去除所述多个存储器堆叠的区域以在所述第一电阻材料、所述第一导电材料和所述多个存储器堆叠中的一或多个存储器堆叠中形成间隙；沉积导电材料以在所述间隙中形成导电通孔；在所述第一导电材料和所述导电通孔上方沉积第二电阻材料；以及在所述多个存储器堆叠上在所述第二电阻材料上方以及在所述通孔上在所述第二电阻材料上方沉积第二导电材料。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电阻材料的电阻率大于所述第二电阻材料的电阻率。3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述间隙中沉积介电材料，其中所述导电通孔延伸穿过所述介电材料。4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：在形成所述导电通孔之前在所述第一导电材料和所述间隙上方沉积衬里材料，其中所述衬里材料在所述间隙与所述第一电阻材料之间以及在所述间隙与所述第一导电材料之间形成障壁。5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括：在沉积所述第二电阻材料之前去除所述衬里材料的第一部分。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电阻材料和所述第二电阻材料由相同材料构成。7.根据权利要求1所述的方法，其中通过蚀刻来去除所述多个存储器堆叠的所述区域。8.一种存储器装置，其包括：衬底：多个存储器堆叠，其定位在所述衬底上，每一存储器堆叠包括电极材料和存储器材料的分层组合件；第一电阻材料，其定位在所述多个存储器堆叠上；第一导电材料，其定位在所述多个存储器堆叠上在所述第一电阻材料上方；通孔，其定位在所述衬底上，所述通孔包括导电材料；第二电阻材料，其定位在所述第一导电材料和所述通孔上；以及第二导电材料，其定位在所述第二电阻材料上。9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述第一电阻材料覆盖所述多个存储器堆叠且未能覆盖所述通孔。10.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述第一电阻材料的电阻率大于所述第二电阻材料的电阻率。11.根据权利要求8所述的存储器装置，其进一步包括定位在所述存储器装置的间隙中的介电材料，所述通孔延伸穿过所述介电材料。12.根据权利要求11所述的存储器装置，其进一步包括定位在所述间隙中以便在所述
介电材料与所述第一电阻材料之间以及在所述介电材料与所述第一导电材料之间形成障壁的衬里材料。13.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述通孔的所述第二导电材料与所述第二电阻材料直接接触。14.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述第一电阻材料和所述第二电阻材料为相同材料。15.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述第一电阻材料包括wsin或sic。16.一种存储器装置，其包括：多个第一存取线，其在第一方向上延伸；所述多个第一存取线上的相应多个存储器堆叠；多个通孔，其各自在第二方向上与存储器堆叠的群组对准，存储器堆叠的每一群组包括来自所述多个第一存取线中的每一个的在所述第二方向上与所述通孔对准的存储器堆叠，每一通孔包括导电材料；以及多个第二存取线，其在所述第二方向上延伸，每一第二存取线在所述多个通孔中的通孔和与所述通孔对准的存储器堆叠的所述群组上方延伸，其中每一第二存取线包括：第一电阻材料，其定位在所述相应多个存储器堆叠中的每一存储器堆叠上；第一导电材料，其定位在所述第一电阻材料上；第二电阻材料，其定位在所述通孔和所述第一导电材料上；以及第二导电材料，其定位在所述第二电阻材料上。17.根据权利要求16所述的存储器装置，其中所述第一电阻材料不覆盖所述多个通孔。18.根据权利要求16所述的存储器装置，其中所述第一电阻材料的电阻率大于所述第二电阻材料的电阻率。19.根据权利要求16所述的存储器装置，其中每一通孔延伸穿过介电材料和衬里材料，所述衬里材料在所述介电材料与所述第一电阻材料之间以及在所述介电材料与所述第一导电材料之间形成障壁。20.根据权利要求16所述的存储器装置，其中每一通孔的所述第二导电材料与所述第二电阻材料直接接触。

技术总结
本申请涉及一种具有经优化电阻层的存储器。存储器系统可包含可使用存取线中的单独电阻层沉积在存储器单元和导电通孔上方的单独量或类型的电阻材料。可在执行用于沉积所述导电通孔的阵列终止蚀刻之前在所述存储器单元上方沉积第一电阻材料层。所述阵列终止蚀刻可去除在用于沉积所述导电通孔的阵列的部分上方的所述第一电阻材料。可在所述蚀刻已发生且所述导电通孔已被形成之后沉积第二电阻材料层。可在所述导电通孔上方沉积所述第二电阻材料层。料层。料层。


技术研发人员：韦磊 郑鹏园 凯文
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2021.07.29
技术公布日：2022/2/18