一种高均匀性二氧化硅薄膜的制备方法与流程

技术特征：
1.一种高均匀性二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：(1)将基板置于n-甲基吡咯烷酮清洗液中，在120℃的条件下清洗20分钟，再对基板使用去离子水超声清洗，通入n2吹干；(2)将基板置于等离子体清洗机中进行清洁；(3)将真空室抽真空至1pa，控制温度保持在250-400℃，放入基板，进行预热，通入预热气体，稳定10分钟；(4)将放置好基板的真空室抽真空至1pa，控制温度保持在250-400℃，通入反应气体，稳定30秒后进行启辉，在基板上淀积二氧化硅薄膜。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的基板为硅片或石英片。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将基板置于等离子体清洗机中进行清洁，包括：在所述等离子体清洗机中通入o2和ar，其中o2的流量为200sccm，ar的流量为200sccm，调整等离子体清洗机功率为200w。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预热气体为n2与n2o,其中,n2的流量为200sccm,n2o的流量为500sccm。5.根据权利要4所述的制备方法，其特征在于，所述预热气体的气压为150-400pa。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述反应气体为sih4、n2与n2o，其中sih4：n2o：n2的流量体积流量比为1:8-82:3-91。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述反应气体的气压为125-300pa。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述启辉的射频功率为200-400w。9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述淀积步骤中，工艺腔体内上下电极板间距为12-20mm。10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的射频功率源为13.56mhz。

技术总结
本发明公开了一种基于等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备高均匀性二氧化硅薄膜的方法，包括：以硅片或石英片作为基板置于NMP清洗液中进行清洗，再使用去离子水超声清洗5分钟，通入N2吹干；使用等离子体清洗机对基板进行清洁；将基板置于真空室，通入N2和N2O进行预热；在完成预热的真空室中通入SiH4、N2与N2O，采用高于100W的射频功率起辉,在基板上淀积二氧化硅薄膜。本方案主要步骤简单，只使用一种功率源，操作简便，完成二氧化硅薄膜的淀积后无需后处理，普适性强，同时,淀积的二氧化硅薄膜更加致密,抗腐蚀性能更好，薄膜均一性可以达到0.5％以下。0.5％以下。


技术研发人员：尹志军 李连峰 沈厚军 范宁 许志城
受保护的技术使用者：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
技术研发日：2021.11.10
技术公布日：2022/2/18