具有缺陷钝化的钙钛矿光电器件的制作方法

技术特征：
1.基于包含钝化剂的钙钛矿材料的光电器件，所述钝化剂包含至少一种钝化分子，其特征在于，所述钝化分子是包含至少一个钝化基团pg、至少一个感应基团ig和烷基链的烃化合物，其被排列为根据以下通式的结构单元：其中n介于1和4之间。2.根据权利要求1所述的光电器件，其中所述钝化分子包含至少两个钝化基团和两个感应基团，其中每个钝化基团在对应于介于1和4之间的n值的距离处具有对应的感应基团。3.根据权利要求1或2所述的光电器件，其中所述钝化分子包含至少两个钝化基团和与所述两个钝化基团相关联的一个感应基团，其中每个钝化基团在对应于介于1和4之间的n值的距离处具有所述感应基团。4.根据权利要求1所述的光电器件，其中n介于1和3之间。5.根据权利要求1至4中任一项所述的光电器件，其中所述钝化基团选自伯胺-nh2、仲胺-nhr、叔胺
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nr2、醚和羟基-or(h)、巯基和硫醇-sr(h)、羰基c＝o、膦pr3、氧化膦p＝o、羧基-coor(h)、亚砜s＝o、砜o＝s＝o、或任何路易斯碱官能团，其中r为烷基链或芳基。6.根据权利要求1至5中任一项所述的光电器件，其中所述感应基团选自o、s、f、cl、br、i和n。7.根据权利要求1至5中任一项所述的光电器件，其中所述感应基团选自氰基-cn、硝基-no2、羰基c＝o、羧基-coor(h)、亚砜s＝o、砜o＝s＝o、酰胺-conh2、酰氯-coocl、亚砜s＝o、砜o＝s＝o。8.根据权利要求1的光电器件，其中所述钝化剂包括edea、odea、ttdda和ddda中的一种或其组合。9.基于包含钝化剂的钙钛矿材料的光电器件，所述钝化剂包含至少一种钝化分子，其特征在于，所述钝化分子是被至少一个pg和至少一个感应基团ig取代的芳族化合物，其被排列为根据以下通式的结构单元：pg-ar-ig其中ar是包含c5-c50的取代的芳基。10.根据权利要求9所述的光电器件，其中所述钝化基团选自伯胺-nh2、仲胺-nhr、叔胺
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nr2、醚和羟基-or(h)、巯基和硫醇-sr(h)、羰基c＝o、膦pr3、氧化膦p＝o、羧基-coor(h)、亚砜s＝o、砜o＝s＝o、或任何路易斯碱官能团，其中r为烷基链或芳基。11.根据权利要求9至10中任一项所述的光电器件，其中所述感应基团选自o、s、f、cl、br、i和n。12.根据权利要求9至10中任一项所述的光电器件，其中所述感应基团选自氰基-cn、硝基-no2、羰基c＝o、羧基-coor(h)、亚砜s＝o、砜o＝s＝o、酰胺-conh2、酰氯-coocl、亚砜s＝o、砜o＝s＝o。13.基于包含钝化剂的钙钛矿材料的光电器件，所述钝化剂包含至少一种钝化分子，其特征在于，所述钝化分子是具有至少一个取代基ig的杂芳基分子，其被排列为根据以下通式的结构单元：
har-ig其中har是包含c5-c50和至少一个选自n、o、s的杂原子的杂芳基。14.根据权利要求13所述的光电器件，其中所述钝化基团选自伯胺-nh2、仲胺-nhr、叔胺
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nr2、醚和羟基-or(h)、巯基和硫醇-sr(h)、羰基c＝o、膦pr3、氧化膦p＝o、羧基-coor(h)、亚砜s＝o、砜o＝s＝o、或任何路易斯碱官能团，其中r为烷基链或芳基。15.根据权利要求13至14中任一项所述的光电器件，其中所述感应基团选自o、s、f、cl、br、i和n。16.根据权利要求13至14中任一项所述的光电器件，其中所述感应基团选自氰基-cn、硝基-no2、羰基c＝o、羧基-coor(h)、亚砜s＝o、砜o＝s＝o、酰胺-conh2、酰氯-coocl、亚砜s＝o、砜o＝s＝o。17.根据权利要求1所述的光电器件，其中所述钝化剂包含具有以下通用结构式的分子中的一种或其组合：其中n为1至5,000,000。18.根据权利要求17所述的光电器件，其中所述钝化基团选自伯胺-nh2、仲胺-nhr、叔胺
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nr2、醚和羟基-or(h)、巯基和硫醇-sr(h)、羰基c＝o、膦pr3、氧化膦p＝o、羧基-coor(h)、亚砜s＝o、砜o＝s＝o、或任何路易斯碱官能团，其中r为烷基链或芳基。19.光伏器件，其包括根据权利要求11至18中任一项所述的光电器件。20.激光器件，包括根据权利要求11至18中任一项所述的光电器件。21.光探测器，其包括根据权利要求11至18中任一项所述的光电器件。22.x射线探测器，其包括根据权利要求11至18中任一项所述的光电器件。23.发光二极管，其包括根据权利要求11至18中任一项所述的光电器件。24.根据权利要求23所述的发光二极管(40)，其包含基底(41)、透明导电材料层(42)、电子传输/注入层(43)、包含钝化剂的钙钛矿层(44)、空穴传输层(45)、以及电极层(46)。25.根据权利要求20所述的光伏器件(50)，其包含基底(51)、透明导电材料层(52)、电子传输层(53)、包含钝化剂的钙钛矿层(54)、和空穴传输层(55)、以及电极层(56)。26.制造根据权利要求1至16中任一项所述的光电器件的方法，其包括以下步骤：-提供钙钛矿前体；-提供掺杂入所述钙钛矿前体中的一种钝化剂或钝化剂的组合；-实施钙钛矿膜表面处理；-实施钝化分子蒸气处理；和-掺入反溶剂中。

技术总结
本发明涉及基于钙钛矿材料的光电器件及其制造方法，该钙钛矿材料包含用于减少不想要的复合效应的有机钝化剂。尤其，本发明涉及具有高达21.6％的异常高EQE的PeLED。有高达21.6％的异常高EQE的PeLED。


技术研发人员：徐巍栋 高峰
受保护的技术使用者：高峰
技术研发日：2020.02.28
技术公布日：2022/2/18