一种酸性蚀刻液的制作方法

1.本发明属于半导体制作技术领域，具体的讲涉及一种酸性蚀刻液。


背景技术：

2.随着半导体制作工艺的飞速发展，在半导体的制造过程中，晶圆背面刻蚀结构的制作方法对制作而成的晶圆缺陷密度的降低以及产品质量的提高具有很重要的影响。
3.目前的晶背金属刻蚀技术中，使用的酸液配蚀刻效果差，有概率的会在刻蚀制成及干燥作业后查检到镀材蚀刻不完全。蚀刻不完全则须将芯片转往抛光槽进行抛光再次作业，造成晶圆再次加工，晶圆良率及成本上都会有所影响。


技术实现要素：

4.为解决现有技术存在的问题，本发明提供一种酸性蚀刻液，提供降低晶圆在晶背刻蚀完后的再次加工，亦降低可能所需耗费的良率及成本损失。
5.本发明的技术方案是这样实现的：
6.一种酸性蚀刻液，包括以下组分：
7.氢氟酸130-170ml；
8.醋酸6420-6580ml；
9.硝酸13900-14100ml；
10.纯水4925-5075ml。
11.进一步地，酸性蚀刻液包括以下组分：
12.氢氟酸130ml；
13.醋酸6420ml；
14.硝酸13900ml；
15.纯水4925m。
16.进一步地，酸性蚀刻液包括以下组分：：
17.氢氟酸170ml；
18.醋酸6580ml；
19.硝酸14100ml；
20.纯水5075ml。
21.进一步地，酸性蚀刻液包括以下组分：
22.氢氟酸150ml；
23.醋酸6500ml；
24.硝酸14000ml；
25.纯水5000ml。
26.本方案的有益效果如下：
27.本发明提供一种酸性蚀刻液，生产过程中应用使用方法如下：a、确认待作业的芯
片已完成贴胶及稳定性烘烤作业；
28.b、使用酸性蚀刻液蚀刻芯片的背面镀材作业；
29.c、8英寸芯片使用25格铁氟龙晶舟将芯片隔片摆满12片，v-notch分别朝左/右方向排列；
30.d、6英寸芯片使用25格铁氟龙晶舟将芯片隔片摆满12片，平边朝上；
31.e、4英寸和5英寸芯片使用25格铁氟龙晶舟将芯片隔片摆满12片，平边朝上；
32.f、4-8英寸芯片作业时贴胶面均朝向u-bar，芯片背面朝向操作者方向，将晶舟提把握紧后，再将晶舟整体采直上直下式逐渐置入具有酸性蚀刻液的重工酸槽；
33.g、芯片泡酸性蚀刻液蚀刻持续至无反应气泡产生，时间25分钟；
34.h、芯片镀材经蚀刻完成后，立即将晶舟提把握紧后直上提起并保持晶舟方向不变，确认后随即轻缓地直下置入qdr清洗槽内开始进行自动清洗流程；
35.i、干燥完毕后需检查镀材是否蚀刻完全；若未蚀刻完全则将芯片转往抛光槽进行抛光作业一次；
36.j、干燥完毕后需再度检查镀材蚀刻情况，若仍未去除干净则留待研磨去除；
37.k、将芯片胶带撕除并检查芯片表面，若发现有渗酸或渗水液则需至dryer槽再进行干燥作业以去除残留的酸液。
38.本发明与现有技术相比优点在于，原晶背金属刻蚀方法较易发生查检到镀材蚀刻不完全，而本发明则以固定酸性蚀刻液配方比及背面金属去除之蚀刻标准作业流程的方式，不仅可有效完成背面金属去除之成果，亦可有效提升产品质量与成本管控。
附图说明
39.图1为本发明一种酸性蚀刻液实施例1的晶背金属刻蚀标准作业流程图；
具体实施方式
40.下面将结合本发明实施例中的附图对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
41.需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
42.另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围内。
43.实施例1
44.如图1所示，一种酸性蚀刻液，生产过程中应用使用方法如下：
45.a、确认待作业的芯片已完成贴胶及稳定性烘烤作业；
46.b、使用酸性蚀刻液蚀刻芯片的背面镀材作业；
47.c、8英寸芯片使用25格铁氟龙晶舟将芯片隔片摆满12片，v-notch分别朝左/右方向排列；
48.d、6英寸芯片使用25格铁氟龙晶舟将芯片隔片摆满12片，平边朝上；
49.e、4英寸和5英寸芯片使用25格铁氟龙晶舟将芯片隔片摆满12片，平边朝上；
50.f、4-8英寸芯片作业时贴胶面均朝向u-bar，芯片背面朝向操作者方向，将晶舟提把握紧后，再将晶舟整体采直上直下式逐渐置入具有酸性蚀刻液的重工酸槽；
51.g、芯片泡酸性蚀刻液蚀刻持续至无反应气泡产生，时间25分钟；
52.h、芯片镀材经蚀刻完成后，立即将晶舟提把握紧后直上提起并保持晶舟方向不变，确认后随即轻缓地直下置入qdr清洗槽内开始进行自动清洗流程；
53.i、干燥完毕后需检查镀材是否蚀刻完全；若未蚀刻完全则将芯片转往抛光槽进行抛光作业一次；
54.j、干燥完毕后需再度检查镀材蚀刻情况，若仍未去除干净则留待研磨去除；
55.k、将芯片胶带撕除并检查芯片表面，若发现有渗酸或渗水液则需至dryer槽再进行干燥作业以去除残留的酸液。
56.上述步骤蚀刻过程中保持晶舟慢速上下晃动。
57.其中酸性蚀刻液包括以下组分：
58.氢氟酸150ml；
59.醋酸6500ml；
60.硝酸14000ml；
61.纯水5000ml。
62.具体使用时：
63.本发明建立在一中固定酸性蚀刻液配方比例下的一种晶背金属刻蚀方法，并在标准作业流程下执行作业(如图1)，在此固定酸性蚀刻液配方比例下执行晶背金属刻蚀程序，有效完成背面金属去除之成效，亦可有效提升产品质量与成本管控。
64.实施例2
65.实施例2与实施例1的区别在于，所述酸性蚀刻液包括以下组分：
66.氢氟酸130ml；
67.醋酸6420ml；
68.硝酸13900ml；
69.纯水4925ml。
70.实施例3
71.实施例3与实施例1的区别在于，酸性蚀刻液包括以下组分：
72.氢氟酸170ml；
73.醋酸6580ml；
74.硝酸14100ml；
75.纯水5075ml。
76.最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较
佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。