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一种釉浆恒温淋釉稳定的淋釉方法与流程

2022-02-22 07:35:46 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种釉浆恒温淋釉稳定的淋釉方法,其特征在于,包括以下步骤:s1.按重量份计取釉块原料,二氧化硅10-40份,三氧化二铝8-14份,碳酸钡1-5份,高岭土6-14份,长石6-16份,硼砂7-14份,红丹1-4份,磷酸钙13-20份,滑石粉8-16份,钛白粉2-5份,硅酸锆1-3份,方解石3-7份,氧化钴1-2份,氧化锰1-2份;s2.将s1中的原料按配比关系在混合箱内混合均匀,在熔块炉中熔融煅烧,经水淬制得熔块,即得釉块;s3.按重量份计取釉浆原料,取s2中制得的釉块80-120份,氧化铬3-6份,氧化钛4-8份,石英粉6-10份,粘土4-7份,膨润土0.5-1份,水40-60份;s4.将s3中的原料按配比关系在球磨机中研磨,制得釉浆;s5.将釉浆加入第一釉缸内,在第一釉缸的内壁内设置降温隔层,并且在降温隔层上缠绕螺旋状的冷却水管对第一釉缸进行降温,并对釉浆进行搅拌,搅拌速度为350-500r/min;s6.让釉浆从第一釉缸内排出,并且流下到淋釉钟罩的表面,使其形成釉浆帘幕;s7.使陶瓷砖坯在皮带的输送下通过釉浆帘幕,将釉浆淋于陶瓷砖坯面上;s8.对多余的釉浆进行收集,使多余的釉浆流入第二釉缸内,待再次使用。2.根据权利要求1所述的一种釉浆恒温淋釉稳定的淋釉方法,其特征在于:所述s2中混合箱的转速为800-1200r/min,且搅拌的时间为30-60min。3.根据权利要求1所述的一种釉浆恒温淋釉稳定的淋釉方法,其特征在于:所述s2中熔块炉的温度为1100-1300℃。4.根据权利要求1所述的一种釉浆恒温淋釉稳定的淋釉方法,其特征在于:所述s4中研磨时还需要加入分散剂、羧甲基纤维素钠和三聚磷酸钠。5.根据权利要求4所述的一种釉浆恒温淋釉稳定的淋釉方法,其特征在于:所述分散剂为0.5-1份,所述羧甲基纤维素钠0.8-1.2份,所述三聚磷酸钠为0.5-1份。6.根据权利要求1所述的一种釉浆恒温淋釉稳定的淋釉方法,其特征在于:所述s4中研磨分为两次球磨,一次球磨的转速为350-500r/min,时间为20-40h,二次球磨的转速为350-500r/min,时间为1-3h。7.根据权利要求1所述的一种釉浆恒温淋釉稳定的淋釉方法,其特征在于:所述磨球的直径为4-16mm。8.根据权利要求1所述的一种釉浆恒温淋釉稳定的淋釉方法,其特征在于:所述釉浆的细度为10-16μm。

技术总结
本发明公开了一种釉浆恒温淋釉稳定的淋釉方法,包括以下步骤:S1.按重量份计取釉块原料;S2.将S1中的原料混合均匀,在熔块炉中熔融煅烧,经水淬制得熔块,即得釉块;S3.按重量份计取釉浆原料;S4.将S3中的原料在球磨机中研磨,制得釉浆;S5.将釉浆加入第一釉缸内,在第一釉缸的内壁内设置降温隔层,并且在降温隔层上缠绕螺旋状的冷却水管对第一釉缸进行降温,并对釉浆进行搅拌;S6.让釉浆从第一釉缸内排出,并且流下到淋釉钟罩的表面,使其形成釉浆帘幕。本发明通过在釉浆的原料中加入适量的石英粉、氧化铬、氧化钛,使釉浆具有较强的耐酸耐磨性能,同时氧化铬具有优良的化学稳定性,是抵抗烟气中的二氧化硫、硫化氢等腐蚀性气体的优良原料。优良原料。


技术研发人员:张睿 刘志钧 郭建民
受保护的技术使用者:张睿
技术研发日:2020.07.28
技术公布日:2022/2/6
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