显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年7月27日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0093306号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文中。
技术领域
3.本公开涉及一种包括印刷电路板的显示装置。


背景技术：

4.基于移动性的电子设备已经被广泛使用。近来，除了诸如移动电话的小型电子设备之外，平板个人计算机(pc)也已经被广泛地用作移动电子设备。
5.这种移动电子设备包括显示装置以向用户提供各种功能，例如，诸如图像或视频的视觉信息。近来，随着用于驱动显示装置的组件的小型化，在电子设备中显示装置所占据的面积已经逐渐增加，并且因此，已经开发了具有各种特性和功能的显示装置。
6.显示装置可以包括显示面板，该显示面板包括显示区域和外围区域。用于驱动显示面板的驱动单元、印刷电路板等可以布置在显示面板的外围区域中。由于印刷电路板配置为将从外部控制装置施加的电信号传送至驱动单元，因此为了显示装置的显示质量和可靠性，印刷电路板可以被适当地保护以免受到电磁干扰(emi)和静电放电(esd)的影响。


技术实现要素：

7.提供了显示装置，其中不仅通过减小电磁干扰(emi)和静电放电(esd)的影响来提高显示质量和电特性的可靠性，而且其中还在制造工艺期间减少了损耗并提高了产品成品率。然而，本公开的范围不受此限制。
8.附加方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地将从该描述中显而易见，或者可以通过本公开的所呈现的实施方式的实践来获知。
9.根据一个或多个实施方式，显示装置包括：显示面板，包括显示区域和外围区域；印刷电路板，附接至外围区域，并且包括接地部分和与接地部分间隔开的测试电极；连接器，包括用于将印刷电路板和外部控制装置彼此电连接的多个连接器端子；以及覆盖层，在印刷电路板的至少一部分上，并且覆盖印刷电路板的该至少一部分。
10.覆盖层可以与接地部分和测试电极重叠。
11.覆盖层可以连接至接地部分和测试电极。
12.覆盖层可以包括导电材料。
13.覆盖层可以包括金属层。
14.覆盖层可以包括导电纤维。
15.多个连接器端子之中的一个连接器端子可以电连接至测试电极。
16.多个连接器端子之中的另一连接器端子可以电连接至接地部分。
17.测试电极、覆盖层和接地部分可以形成用于施加至所述一个连接器端子的电流的
电流路径。
18.印刷电路板还可以包括分别电连接至测试电极和接地部分的第一端子和第二端子。
19.第一端子和第二端子可以不与覆盖层重叠。
20.测试电极、覆盖层和接地部分可以形成电流路径，施加至第一端子的电流流过该电流路径。
21.根据一个或多个实施方式，显示装置包括：显示面板，包括像素电路；驱动器集成电路，配置为向像素电路施加电信号；印刷电路板，电连接至驱动器集成电路，并且包括接地部分和与接地部分间隔开的测试电极；连接器，连接至印刷电路板的一侧，并且包括用于连接至外部控制装置的多个连接器端子；以及导电层，在印刷电路板的至少一部分上，并且覆盖印刷电路板的该至少一部分，其中，接地部分配置为经由导电层接收施加至测试电极的电流。
22.导电层可以与接地部分和测试电极重叠。
23.导电层可以连接至接地部分和测试电极。
24.多个连接器端子之中的一个连接器端子可以电连接至测试电极。
25.多个连接器端子之中的另一连接器端子可以电连接至接地部分。
26.导电层可以包括包含铜(cu)的导电纤维或金属层。
27.印刷电路板还可以包括分别电连接至测试电极和接地部分的第一端子和第二端子。
28.测试电极、导电层和接地部分可以形成电流路径，施加至第一端子的电流流过该电流路径。
29.除了上述方面、特征和优点之外的其它方面、特征和优点将从用于实施以下公开内容的详细描述、权利要求和附图中变得显而易见。
30.可以使用系统、方法、计算机程序或系统、方法和计算机程序的任何组合来实践这些一般和特定方面。
附图说明
31.从以下结合附图所作的描述中，本公开的某些实施方式的以上和其它方面、特征和优点将变得更加显而易见，其中：
32.图1是根据一些实施方式的显示装置的平面图；
33.图2是根据一些实施方式的显示装置的一个像素电路的等效电路图；
34.图3是根据一些实施方式的图1的显示装置的一部分的剖视图；
35.图4是根据一些实施方式的显示装置的一部分的立体图；
36.图5是根据一些实施方式的图4的显示装置的一部分的分解立体图；
37.图6是根据其它实施方式的显示装置的一部分的立体图；以及
38.图7是根据一些实施方式的图6的显示装置的一部分的分解立体图。
具体实施方式
39.通过参考附图和实施方式的详细描述，可以更容易地理解本公开的一些实施方式
的方面和实现本公开的方法。在下文中，将参考附图更详细地描述实施方式。然而，所描述的实施方式可以以各种不同的形式来实施，并且不应被解释为仅限于本文中的所示的实施方式。更确切地说，提供这些实施方式作为示例，使得本公开将是彻底且完整的，并且将本公开的方面完全传达给本领域中的技术人员。因此，可能不描述对于本领域中的普通技术人员为了完整地理解本公开的方面而言不必要的工艺、元件和技术。
40.除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中，相同的参考标记、字符或其组合表示相同的元件，并且因此，将不再重复其描述。此外，与实施方式的描述无关的部分可以不示出以使描述清楚。在附图中，为了清楚起见，元件、层和区域的相对尺寸可以被夸大。此外，在附图中通常提供交叉影线和/或阴影的使用来阐明相邻元件之间的边界。因此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。
41.本文中参考作为实施方式和/或中间结构的示意图的剖视图来描述各种实施方式。因此，将预期到由于例如制造技术和/或公差而导致的、图中的形状的变型。此外，本文中公开的特定结构性或功能性描述仅是说明性的，以用于描述根据本公开的构思的实施方式的目的。因此，本文中公开的实施方式不应被解释为限于具体示出的区域的形状，而是包括由例如制造而导致的形状上的偏差。
42.例如，示出为矩形的植入区域将通常在其边缘处具有圆化的或曲化的特征和/或植入浓度的梯度，而不是从植入区域到非植入区域的二元变化。同样地，通过植入而形成的埋置区域可能导致在埋置区域与通过其发生植入的表面之间的区域中的某些植入。因此，图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出设备的区域的实际形状，并且不旨在进行限制。此外，如本领域中的技术人员将认识到的，在均不背离本公开的精神和范围的情况下，所描述的实施方式可以以各种不同的方式进行修改。
43.在详细描述中，出于说明的目的，阐述了诸多具体细节以提供对各种实施方式的透彻理解。然而，显而易见的是，各种实施方式可以在没有这些具体细节或具有一个或多个等同布置的情况下实践。在其它实例中，公知的结构和设备以框图形式示出，以避免不必要地模糊各种实施方式。
44.将理解的是，虽然在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或区段，但是这些元件、组件、区域、层和/或区段不应被这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或区段与另一元件、组件、区域、层或区段区分开。因此，在不背离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一区段可以被称作第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二区段。
45.为易于说明，可以在本文中使用空间相对术语，诸如“下面”、“下方”、“下部”、“之下”、“上方”、“上部”等，以描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。将理解的是，除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在包含设备在使用中或操作中的不同定向。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件将随之被定向在其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”和“之下”可以包含上方和下方两种定向。设备可具有另外的定向(例如，旋转90度或处于其它定向)，并且本文中使用的空间相对描述语应相应地进行解释。类似地，当第一部分被描述为布置在第二部分“上”时，这表示第一部分布置在第二部分的上侧或下
侧处，而不限于其基于重力方向的上侧。
46.此外，在本说明书中，短语“在平面上”或“平面图”意指从顶部观察目标部分，并且短语“在截面上”意指观察通过从侧部竖直切割目标部分而形成的截面。
47.将理解的是，当元件、层、区域或组件被称为“形成”在另一元件、层、区域或组件“上”、在另一元件、层、区域或组件“上”、“连接至”或“联接至”另一元件、层、区域或组件时，其可直接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、直接在所述另一元件、层、区域或组件上、直接连接至或直接联接至所述另一元件、层、区域或组件，或者间接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、间接在所述另一元件、层、区域或组件上、间接连接至或间接联接至所述另一元件、层、区域或组件，使得可以存在一个或多个介于中间的元件、层、区域或组件。例如，当层、区域或组件被称为“电连接”或“电联接”至另一层、区域或组件时，其可直接电连接或直接电联接至所述另一层、区域和/或组件，或者可以存在介于中间的层、区域或组件。然而，“直接连接/直接联接”表示一个组件直接地连接/联接另一组件，而没有中间组件。同时，可以类似地解释描述组件之间的关系的其它表述，诸如“在
…
之间”、“直接地在
…
之间”或“邻近于”和“直接邻近于”。此外，还将理解的是，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，其可以是所述两个元件或层之间的唯一的元件或层，或者还可以存在一个或多个介于中间的元件或层。
48.出于本公开的目的，当位于元素的列表之后时，诸如
“…
中的至少一个”的表述修饰整个列表的元素而不是修饰该列表中的个别元素。例如，“x、y和z中的至少一个”和“从由x、y和z组成的群组中选择的至少一个”可被解释为仅x、仅y、仅z，x、y和z中的两个或更多个的任何组合，诸如例如xyz、xyy、yz和zz，或其任何变型。类似地，诸如“a和b中的至少一个”的表述可以包括a、b或者a和b。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关联的列出项目中的一个或多个的任何组合和所有组合。例如，诸如“a和/或b”的表述可以包括a、b或者a和b。
49.在示例中，x-轴、y-轴和/或z-轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更宽泛的含义来解释。例如，x-轴、y-轴和z-轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同的方向。这同样适用于第一方向、第二方向和/或第三方向。
50.本文中使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，并且不旨在限制本公开。如本文中所使用的，单数形式“一(a)”和“一(an)”旨在还包括复数形式，除非上下文另有明确指示。还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprise)”、“包括有(comprising)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“包括(include)”和“包括有(including)”说明所阐述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。
51.如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”、“近似”和类似的术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在解释将由本领域中的普通技术人员认识到的测量值或计算值中的固有偏差。如本文中所使用的，“约”或“近似”包括所述值以及如由本领域中的普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。另外，在描述本公开的实施方式时使用的“可”表示“本公开的一个或多个实施方式”。
52.当一个或多个实施方式可以不同地实现时，可以与所描述的顺序不同地执行具体
的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与描述的顺序相反的顺序执行。
53.根据本文中描述的本公开的实施方式的电子设备或电气设备和/或任何其它相关设备或组件可以利用任何适当的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的组合来实施。例如，这些设备的各种组件可以形成在一个集成电路(ic)芯片上或形成在分开的ic芯片上。另外，这些设备的各种组件可以在柔性印刷电路膜、载带封装(tcp)、印刷电路板(pcb)上实现，或者形成在一个衬底上。
54.另外，这些设备的各种组件可以是在一个或多个计算设备中的一个或多个处理器上运行的、执行计算机程序指令并且与用于执行本文中描述的各种功能的其它系统组件交互的进程或线程。计算机程序指令存储在存储器中，该存储器可以使用诸如例如随机存取存储器(ram)的标准存储设备在计算设备中实现。计算机程序指令还可以存储在其它非暂时性计算机可读介质中，诸如例如cd-rom、闪存驱动器等。另外，本领域中的技术人员应认识到，在不背离本公开的实施方式的精神和范围的情况下，各种计算设备的功能可以组合或集成到单个计算设备中，或者特定计算设备的功能可以分布到一个或多个其它计算设备。
55.除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员所通常理解的相同含义。还将理解的是，术语，诸如在通常使用的字典中限定的术语，应被解释为具有与其在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且除非本文中明确地如此定义，否则不应以理想化或过于正式的含义进行解释。
56.图1是根据一些实施方式的显示装置1的平面图。
57.参考图1，显示装置1可以包括显示面板10、驱动器集成电路20、印刷电路板(pcb)30、连接器40和外部控制装置50。
58.显示面板10可以包括显示区域da和位于显示区域da外部的外围区域pa。显示面板10可以经由布置在显示区域da中的像素px的阵列提供图像。像素px中的每个可以包括用于发射特定光(例如，红光、绿光或蓝光)的发射元件，并且显示面板10可以通过使用通过该发射元件发射的光来提供图像。
59.根据一些实施方式，显示区域da可以是在
±
y方向上具有较长长度的矩形。可替代地，显示区域da可以是诸如在
±
x方向上具有较长长度的矩形、或者正方形的多边形，或者可以是椭圆形或圆形。
60.外围区域pa可以是不提供图像的区域，并且可以是非显示区域。外围区域pa可以完全地或部分地围绕显示区域da。驱动器集成电路20可以设置在外围区域pa中。驱动器集成电路20可以以玻璃上芯片(cog)方式、膜上芯片(cof)方式或塑料上芯片(cop)方式安装在显示面板10上。驱动器集成电路20响应于从外部源接收的电源和信号而生成电信号，并将该电信号提供给布置在显示区域da中的图2的像素电路pc中的每个。
61.此外，经由布线或经由导电层电连接至驱动器集成电路20的焊盘部分pad可以布置在外围区域pa中。pcb 30可以附接在外围区域pa的焊盘部分pad上。换言之，pcb 30可以经由焊盘部分pad电连接至驱动器集成电路20。pcb 30可以通过诸如各向异性导电膜(acf)的粘合构件附接至焊盘部分pad。
62.连接器40可以连接至pcb 30的一侧或安装在pcb 30的一侧上。pcb 30可以经由连接器40电连接至外部控制装置50。外部控制装置50可以是例如应用处理器(ap)，并且可以包括用于供应电源的外部电源供应单元。pcb 30可以访问外部控制装置50，以向驱动器集成电路20和显示面板10传送从外部控制装置50接收的控制信号和/或电源。根据一些实施方式，pcb 30可以是具有柔性特性的柔性pcb(fpcb)。fpcb可以是弯曲的或曲化的，并且可以通过在显示面板10的后表面下方弯曲而与显示面板10的至少部分区域重叠，例如，可以在z方向上与显示面板10的至少部分区域重叠。
63.尽管在图1中驱动器集成电路20和pcb 30在
±
x方向上的长度各自被示出为与显示区域da在
±
x方向上的长度相同，但是驱动器集成电路20和pcb 30的长度不限于此，并且长度可以彼此不同。例如，驱动器集成电路20和pcb 30在
±
x方向上的长度可以各自小于显示区域da在
±
x方向上的长度。
64.图2是根据一些实施方式的包括在显示装置中的一个像素电路pc的等效电路图。
65.参考图2，图1的显示装置1可以包括发射元件和像素电路pc。发射元件可以包括发光二极管，例如，有机发光二极管oled。有机发光二极管oled可以电连接至像素电路pc，并且可以通过经由像素电路pc接收驱动电压来发射光。发射元件通过发射区域发射光，并且该发射区域可以被限定为图1的像素px。
66.像素电路pc可以包括存储电容器和多个薄膜晶体管。根据一些实施方式，像素电路pc可以包括第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2和存储电容器cap。
67.第二薄膜晶体管t2是开关薄膜晶体管，连接至扫描线sl和数据线dl，并且可以配置为基于从扫描线sl输入的开关电压(或开关信号)将从数据线dl输入的数据电压(或数据信号)传送至第一薄膜晶体管t1。
68.存储电容器cap连接至第二薄膜晶体管t2和驱动电压线pl，并且可以存储与从第二薄膜晶体管t2接收的电压和供应给驱动电压线pl的第一电源电压elvdd之间的差相对应的电压。存储电容器cap可以包括至少第一电容器板ce1和第二电容器板ce2。
69.第一薄膜晶体管t1是驱动薄膜晶体管，连接至驱动电压线pl和存储电容器cap，并且可以响应于存储在存储电容器cap中的电压值来控制从驱动电压线pl流过有机发光二极管oled的驱动电流。有机发光二极管oled可以根据驱动电流发射一定亮度的光。有机发光二极管oled的相对电极(例如，阴极)可以接收第二电源电压elvss。
70.在图2中，像素电路pc包括两个薄膜晶体管t1和t2和一个存储电容器cap，但是本公开不限于此。例如，像素电路pc可以包括三个或更多个薄膜晶体管和/或两个或更多个存储电容器。根据一些实施方式，像素电路pc可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。薄膜晶体管和存储电容器的数量可以根据像素电路pc的设计而变化。然而，为了便于描述，在下文中将描述其中像素电路pc包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况。
71.图3是图1的显示装置1的一部分的剖视图，并且可以对应于沿着图1的线iii-iii'截取的截面。
72.参考图3，衬底100可以具有多层结构，该多层结构包括无机层和包括聚合物树脂的基底层。例如，衬底100可以包括无机绝缘层的阻挡层和包括聚合物树脂的基底层。例如，衬底100可以包括依次堆叠的第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103和第二阻挡层104。第一基底层101和第二基底层103可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二
甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。第一阻挡层102和第二阻挡层104可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和/或氮化硅的无机绝缘材料。
73.缓冲层111可以布置在衬底100上。缓冲层111可以减少或阻止外来材料、湿气或环境空气从衬底100的底部部分渗透，并且可以在衬底100上提供平坦表面。缓冲层111可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括这种材料的单层结构或多层结构。
74.像素电路pc可以设置在缓冲层111上。像素电路pc可以包括薄膜晶体管tft和存储电容器cap。
75.薄膜晶体管tft可以包括半导体层act、与半导体层act的沟道区重叠的栅电极ge、以及分别连接至半导体层act的源极区和漏极区的源电极se和漏电极de。第一栅极绝缘层112可以在半导体层act与栅电极ge之间，以及第二栅极绝缘层113和层间绝缘层114可以在栅电极ge与源电极se之间和/或栅电极ge与漏电极de之间。第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层114可以构成绝缘层il的堆叠结构。
76.存储电容器cap可以与薄膜晶体管tft重叠。存储电容器cap可以包括彼此重叠的第一电容器板ce1和第二电容器板ce2。根据一些实施方式，薄膜晶体管tft的栅电极ge可以包括存储电容器cap的第一电容器板ce1。第二栅极绝缘层113可以在第一电容器板ce1与第二电容器板ce2之间。
77.半导体层act可以包括多晶硅。根据一些实施方式，半导体层act可以包括非晶硅。根据一些实施方式，半导体层act可以包括从由铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)和锌(zn)组成的群组中选择的至少一种材料的氧化物。半导体层act可以包括沟道区、以及掺杂有杂质的源极区和漏极区。
78.第一栅极绝缘层112可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括这种材料的单层结构或多层结构。
79.栅电极ge或第一电容器板ce1可以包括诸如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)的低电阻导电材料，并且可以具有包括这种材料的单层结构或多层结构。
80.第二栅极绝缘层113可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括这种材料的单层结构或多层结构。
81.第二电容器板ce2可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)，并且可以具有包括这种材料的单层结构或多层结构。
82.层间绝缘层114可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括这种材料的单层结构或多层结构。
83.源电极se或漏电极de可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)，并且可以具有包括这种材料的单层结构或多层结构。例如，源电极se或漏电极de可以具有钛层/铝层/钛层的三层结构。
84.平坦化层115可以设置在第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层114上。平坦化层115可以布置在像素电路pc的薄膜晶体管tft上。例如，平坦化层115可以在
像素电路pc的薄膜晶体管tft与像素电极210之间。平坦化层115可以包括有机绝缘材料。平坦化层115可以包括诸如丙烯酸、苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(hmdso)的有机绝缘材料。平坦化层115的有机绝缘材料可以是光敏有机绝缘材料。
85.像素电极210可以布置在平坦化层115上。像素电极210可以经由平坦化层115中的接触孔电连接至像素电路pc。
86.像素电极210可以包括反射层，该反射层包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或其化合物。像素电极210可以包括包含这种材料的反射层、以及在反射层上和/或下方的透明导电层。透明导电层可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)或氧化铝锌(azo)。根据一些实施方式，像素电极210可以具有依次堆叠的ito层/ag层/ito层的三层结构。
87.像素限定层117可以布置在像素电极210上。像素限定层117可以包括开口117op，该开口117op覆盖像素电极210的边缘并且与像素电极210的中心部分重叠。
88.像素限定层117可以增加像素电极210的边缘与像素电极210上的相对电极230之间的距离，从而减少或防止在像素电极210的边缘处发生电弧的可能性。像素限定层117可以经由使用有机绝缘材料(诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、hmdso或苯酚树脂)的诸如旋涂的方法形成。
89.中间层220设置在像素限定层117上以对应于像素电极210。中间层220可以包括发射特定颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。
90.相对电极230设置在中间层220上。相对电极230可以包括具有相对低的逸出功的导电材料。例如，相对电极230可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括ag、mg、al、ni、cr、li、ca或其合金。相对电极230还可以包括在包括这种材料的(半)透明层上的包括ito、izo、zno或in2o3的层。根据一些实施方式，相对电极230可以包括ag和mg。
91.像素电极210、中间层220和相对电极230的堆叠结构可以形成发光二极管，例如，有机发光二极管oled。有机发光二极管oled可以发射红光、绿光或蓝光，并且每个有机发光二极管oled的发射区域可以对应于像素px。由于像素限定层117的开口117op限定发射区域的尺寸和/或宽度，因此像素px的尺寸和/或宽度取决于像素限定层117的相应开口117op的尺寸和/或宽度。
92.封盖层250可以设置在相对电极230上。封盖层250可以包括氟化锂(lif)。可替代地，封盖层250可以包括诸如氮化硅的无机绝缘材料，和/或可以包括有机绝缘材料。根据一些实施方式，可以省略封盖层250。
93.薄膜封装层300可以布置在封盖层250上。有机发光二极管oled可以被薄膜封装层300覆盖。薄膜封装层300可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在它们之间的有机封装层320。
94.第一无机封装层310和第二无机封装层330可以各自包括至少一种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以经由化学气相沉积方法形成。
95.有机封装层320可以包括基于聚合物的材料。基于聚合物的材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。例如，有机封装层320可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等的丙烯酸树脂。有机封装层320可以通过固化监测或施加聚合物来
形成。
96.在其它实施方式中，可以在薄膜封装层300上布置外涂层和光学功能层，诸如触摸输入层、防反射层和/或滤色器层。
97.图4是根据一些实施方式的显示装置的一部分的立体图，其中，pcb 30及其外围组件主要从该显示装置之中提取。
98.参考图4，pcb 30可以包括电路图案部分31。电路图案部分31可以包括配置为将来自外部控制装置的信号和/或电源传送至图1的驱动器集成电路20的电路图案。此外，包括晶体管、半导体芯片、电阻器、电容器、冷凝器、电感器等的电子设备可以安装在电路图案部分31上。
99.pcb 30可以包括接地部分32。例如，接地部分32可以是电路图案部分31的一部分。接地部分32可以连接至显示装置1(参见图1)的接地，并且配置为提供用于确定pcb 30连同安装在pcb 30上的器件是否工作的参考电位。
100.pcb 30可以包括测试电极33。测试电极33可以与接地部分32间隔开。因此，测试电极33可以不直接地电连接至电路图案部分31和接地部分32。然而，如下面将要描述的，测试电极33可以通过覆盖层60间接地电连接至电路图案部分31和接地部分32。
101.例如，电路图案部分31、接地部分32和测试电极33可以设置在相同的层上，或者可以设置在不同的层上。在下文中，为了便于描述，将主要描述电路图案部分31、接地部分32和测试电极33设置在相同的层上的情况。
102.电路图案部分31、接地部分32和测试电极33可以通过图案化金属层来形成。例如，可以首先在pcb 30的基底上形成金属层，并且可以经由曝光、显影和分离工艺将金属层图案化，以形成电路图案部分31、接地部分32和测试电极33。金属层可以包括具有高导电率的诸如cu的金属材料。诸如使用干膜的减成方法、半加成工艺(sap)方法和等离子体半加成工艺(psap)方法的各种电路形成方法可以应用于曝光、显影和分离工艺。
103.接下来，可以在金属层上形成保护层，并且该保护层可以包括绝缘材料。保护层可以包括开口，使得接地部分32的一个表面和测试电极33的一个表面暴露。因此，接地部分32和测试电极33的相应表面以及保护层的一个表面可以形成台阶部分。开口可以经由例如激光钻孔或计算机数控(cnc)钻孔形成。
104.在pcb 30的基底上的图案化的金属层之中的电路图案部分31被pcb 30的保护层覆盖，并且在图4中，电路图案部分31的区域以虚线示出。然而，由于接地部分32和测试电极33通过保护层的开口暴露，因此在图4中示出了接地部分32和测试电极33。
105.同时，为了便于说明，pcb 30的基底、金属层和保护层示出为一个组件作为整体。
106.连接器40可以连接至pcb 30的一侧。例如，连接器40和pcb 30可以一体地形成。作为另一示例，连接器40和pcb 30可以独立地形成，并且连接器40可以安装在pcb 30的一侧上。连接器40的一端可以电连接至pcb 30，并且其另一端可以电连接至外部控制装置。换言之，连接器40可以电连接pcb 30和外部控制装置。
107.多个连接器端子41可以设置在连接器40的另一端中。多个连接器端子41可以使得能够访问外部控制装置。不同的电信号可以经由多个连接器端子41分别进行传送，或者相同的电信号可以经由多个连接器端子41进行传送。
108.多个连接器端子41中的每个可以经由导线电连接至pcb 30的电路图案部分31。根
据一些实施方式，在多个连接器端子41之中，第一连接器端子41a可以经由第一导线cl1电连接至pcb 30的接地部分32，以及第二连接器端子41b可以经由第二导线cl2电连接至pcb 30的测试电极33。多个连接器端子41和导线可以以类似于电路图案部分31、接地部分32和测试电极33的方式包括具有高导电率的诸如cu的金属材料。
109.根据一些实施方式的图1的显示装置1可以在pcb 30上包括覆盖层60。覆盖层60可以经由涂覆在pcb 30的一个表面上的粘合构件粘附至pcb 30的一个表面。覆盖层60可以覆盖pcb 30的至少一部分。覆盖层60可以与pcb 30的测试电极33和接地部分32重叠。如上所述，由于接地部分32和测试电极33的相应表面通过pcb 30的保护层的开口暴露，因此覆盖层60可以经由粘合构件直接粘附至接地部分32和测试电极33，并且因此，覆盖层60可以连接至接地部分32和测试电极33。
110.覆盖层60是导电层并且可以包括导电材料。根据一些实施方式，覆盖层60可以是金属层，该金属层包括具有高导电率的诸如cu的金属材料。根据其它实施方式，覆盖层60可以包括导电纤维，该导电纤维可以是例如涂覆有ni和/或cu的纤维。
111.安装在pcb 30上的电子设备可以根据高频信号工作，并且可以通过高频信号生成电磁波或静电。这种电磁波或静电可能引起对传送至显示面板10(参见图1)的电信号的干扰，并且可能被发射至显示装置1(参见图1)的外部或超出显示装置1，从而引起外围设备的故障。根据一些实施方式，连接至接地部分32的覆盖层60屏蔽pcb 30，以减小由电磁干扰(emi)和静电放电(esd)引起的不利影响，从而提高显示装置1的显示质量和电特性上的可靠性。
112.当覆盖层60与接地部分32之间的粘附力差时，覆盖层60的电磁波和静电屏蔽性能可能降低，从而导致显示装置1(参见图1)中的缺陷。因此，在显示装置1的制造工艺期间，可以适当地使用用于覆盖层60与接地部分32之间的粘合缺陷的检查工艺(在下文中，被称为粘附缺陷检查或粘附缺陷检查工艺)。根据一些实施方式，为了确定覆盖层60与接地部分32之间的粘附缺陷，可以使用覆盖层60与接地部分32之间的结合电阻。例如，当覆盖层60与接地部分32之间的粘附力较差时，覆盖层60与接地部分32之间的结合电阻可以增加。因此，可以经由结合电阻来确定粘附缺陷，并且下面将参考图5描述与结合电阻有关的检查方法。
113.图5是图4的显示装置的一部分的分解立体图。为了描述的简洁性，将省略关于与参考图4描述的组件相同或相对应的组件的描述。
114.参考图5，为了检查覆盖层60与接地部分32之间的粘附缺陷，第一连接器端子41a和第二连接器端子41b可以连接至检查设备。检查设备可以向第二连接器端子41b施加测试电流i。当测试电流i被施加至第二连接器端子41b时，测试电极33、覆盖层60和接地部分32可以形成测试电流i流动的电流路径。特别地，由于第二连接器端子41b经由第二导线cl2电连接至测试电极33，由于测试电极33连接至覆盖层60，并且由于覆盖层60连接至接地部分32，因此施加至第二连接器端子41b的测试电流i可以依次沿着测试电极33、覆盖层60和接地部分32流动。
115.此时，检查设备可以测量第二连接器端子41b处的电压v。由于第一连接器端子41a经由第一导线cl1电连接至接地部分32，因此第一连接器端子41a处的电位可以是参考电位。因此，第二连接器端子41b处的电压v可以表示第一连接器端子41a与第二连接器端子41b之间的电位差。
116.因此，由于测试电流i的值和第二连接器端子41b处的电压v的值是已知的，因此可以通过使用下面的等式1来计算测试电流i的电流路径上的总电阻rt。
[0117][0118]
此处，总电阻rt可以包括结合电阻rb。总电阻rt之中的结合电阻rb根据覆盖层60与接地部分32之间的粘附缺陷而变化，但是与总电阻rt相对应的除结合电阻rb之外的其它电阻可以具有固定值。因此，当包括结合电阻rb的总电阻rt的电阻值高于期望值(例如，预定的正常值)时，可以确定粘附缺陷，并且当总电阻rt的电阻值等于或低于正常值时，可以确定令人满意的粘附力。
[0119]
作为比较示例，为了测量覆盖层与接地部分之间的结合电阻，可以通过去除覆盖层的与接地部分重叠的一部分来暴露接地部分的一部分。在比较示例中，可以将检查设备连接至接地部分的暴露部分和覆盖层，以测量结合电阻。在这种破坏性粘附缺陷检查中，通过对制造的显示装置中的一些进行采样来执行检查，并且因此，采样和去除覆盖层的单独的工艺可能是必需的。
[0120]
然而，根据上述的一些实施方式，由于提供了电连接至接地部分32的第一连接器端子41a、测试电极33和电连接至测试电极33的第二连接器端子41b，因此可以通过使用第一连接器端子41a和第二连接器端子41b来执行粘附缺陷检查，而不必去除覆盖层60。在这种非破坏性粘附缺陷检查中，一些制造的显示装置不需要采样，并且对于所有制造的显示装置能够实现质量控制。
[0121]
此外，在这种非破坏性粘附缺陷检查中，由于可以通过对根据检查结果被确定为具有粘附缺陷的产品执行再压缩工艺来制造正常产品，因此可以减少由于处置有缺陷的产品而引起的损耗。
[0122]
此外，粘附缺陷检查工艺可以与现有检查工艺(例如，用于显示面板的正常操作的检查工艺)并发地执行或基本上同时执行，或者可以在粘附覆盖层60的工艺之后立即执行，并且可以省略采样或去除覆盖层60的单独的工艺。因此，在显示装置的制造工艺期间，可以减少损耗，并且可以提高成品率。
[0123]
图6是根据其它实施方式的显示装置的一部分的立体图。将省略关于与参考图4描述的组件相同或相对应的组件的描述，并且将主要描述区别。
[0124]
参考图6，pcb 30可以包括分别电连接至接地部分32和测试电极33的第一端子tp1和第二端子tp2。例如，接地部分32和第一端子tp1可以经由第三导线cl3连接，以及测试电极33和第二端子tp2可以经由第四导线cl4连接。第一端子tp1和第二端子tp2可以形成在与接地部分32和测试电极33相同的层上，并且可以包括与接地部分32和测试电极33相同的材料。pcb 30的保护层可以包括开口，使得第一端子tp1和第二端子tp2的相应表面暴露。第一端子tp1和第二端子tp2可以不与覆盖层60重叠。
[0125]
图7是图6的显示装置的一部分的分解立体图。为了说明的简洁性，将省略关于与参考图4和图6描述的组件相同或相对应的组件的描述。
[0126]
根据其它实施方式，第一端子tp1和第二端子tp2可以用于检查覆盖层60与接地部分32之间的粘附缺陷。例如自动电阻测试仪的检查设备可以连接至第一端子tp1和第二端子tp2。
[0127]
检查设备可以向第二端子tp2施加测试电流i。当测试电流i被施加至第二端子tp2时，测试电极33、覆盖层60和接地部分32可以形成测试电流i流动的电流路径。
[0128]
此时，检查设备可以测量第二端子tp2处的电压v。由于第一端子tp1电连接至接地部分32，因此第一端子tp1处的电位可以是参考电位。因此，第二端子tp2处的电压v可以表示第一端子tp1与第二端子tp2之间的电位差。
[0129]
因此，由于测试电流i的值和第二端子tp2处的电压v的值是已知的，因此可以通过使用上面的等式1来计算测试电流i的电流路径上的总电阻rt。此处，总电阻rt可以包括结合电阻rb。如上所述，总电阻rt之中的结合电阻rb根据覆盖层60与接地部分32之间的粘附缺陷而变化，但是与总电阻rt相对应的并且除结合电阻rb之外的其它电阻可以具有固定值。因此，当包括结合电阻rb的总电阻rt的电阻值高于期望值(例如，预定的正常值)时，可以确定粘附缺陷，并且当总电阻rt的电阻值等于或低于期望值/正常值时，可以确定令人满意的粘附力。
[0130]
由于第一端子tp1和第二端子tp2位于pcb 30中，所以第三导线cl3和第四导线cl4可以是相对短的，并且可以减小第三导线cl3和第四导线cl4导致的电阻。因此，结合电阻rb在总电阻rt之中的比率变得相对较高，并且因此可以获得更精确的粘附缺陷检查的结果。
[0131]
在上文中，主要描述了显示装置，但是本公开不限于此。例如，制造这种显示装置的方法也将在本公开的范围内。
[0132]
根据上述实施方式，经由通过使用覆盖层来减少pcb上的emi和esd，可以提高显示装置的显示质量和电特性上的可靠性。此外，由于针对覆盖层的粘附缺陷的检查是非破坏性地执行的，因此在显示装置的制造工艺期间，可以减少损耗，并且可以提高成品率。然而，本公开的范围不受这些方面的限制。
[0133]
应该理解，本文中描述的实施方式应该仅以描述性意义进行理解，而不是出于限制的目的。所描述的实施方式内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域中的普通技术人员将理解，在不背离如由所附权利要求(其功能等效物将包括在其中)限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。