一种WCVD半导体设备的气体喷淋头的制作方法

一种wcvd半导体设备的气体喷淋头
技术领域
1.本实用新型涉及气体喷淋头技术领域，具体为一种wcvd半导体设备的气体喷淋头。


背景技术：

2.随着半导体晶片尺寸越来越大，并且半导体器件尺寸越来越小，单晶片加工已成为主流，为了注入沉积处理，蚀刻处理和热处理的各种处理期间获得在具有大直径的整个晶片上的工艺均匀性，通常使用喷淋头将处理气体注入处理腔。
3.目前使用的wcvd半导体设备的气体喷淋头，气体流速不均匀，降低使用效率，气流量无法调节，无法更具不同情况进行调整。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种wcvd半导体设备的气体喷淋头，以解决上述背景技术中提出的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
6.一种wcvd半导体设备的气体喷淋头，包括喷头、第一缓冲腔、限流框和导气管，所述喷头内部的顶端设置有第一缓冲腔，且第一缓冲腔的底端设置有第一气孔，所述喷头顶端的中间位置固定连接有限流框，且限流框的一侧固定设置有第一滑槽，并且限流框顶端的一侧固定设置有第二滑槽，所述限流框的内部活动连接有旋转件，且旋转件的一侧固定设置有第一滑块，并且第一滑块的外部滑动连接有第一滑槽，所述旋转件的顶端固定设置有第三滑槽。
7.优选的，所述喷头内部的底端设置有第二缓冲腔，且第二缓冲腔的底端设置有第二气孔。
8.优选的，所述限流框的内部滑动连接有活动块，且活动块的顶端固定设置有第二滑块，并且第二滑块的外部滑动连接有第二滑槽。
9.优选的，所述活动块的底端固定连接有第三滑块，且第三滑块的外部滑动连接有第三滑槽。
10.优选的，所述喷头顶端的一侧固定连接有固定块，且固定块的一侧固定安装有电动推杆，并且电动推杆的一侧固定连接有第一滑块。
11.优选的，所述限流框的顶端固定连接有储气腔，且储气腔的顶端固定连接有导气管。
12.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
13.1.该一种wcvd半导体设备的气体喷淋头，气体通过导气管进入储气腔的内部，并通过储气腔输入喷头内部的第一缓冲腔内，并在第一缓冲腔的底端设置有第一气孔，并且第一气孔设置为上宽下窄结构，使气体通过第一缓冲腔进入第二缓冲腔时流速增加，压力下降，均匀输出气体至第二缓冲腔的内部，并通过第二缓冲腔的底端设置有第二气孔，可以
进行二次降压，提高喷头输出的效率。
14.2.该一种wcvd半导体设备的气体喷淋头，通过在储气腔与喷头之间设置有限流框，可以调节气流量的多少，以应对不同的喷淋情况，需要进行调节时，通过固定块一侧的电动推杆推动第一滑块，可以使第一滑块在限流框上的第一滑槽内滑动，并带动旋转件在限流框的内部进行旋转，同时旋转件的顶端设置有活动块，通过旋转件旋转，可以使活动块底端的第三滑块在第三滑槽上滑动，并使活动块顶端的第二滑块在第二滑槽上滑动，通过活动块的移动，可以调节输气孔的大小，以调节气流量的多少。
附图说明
15.图1为本实用新型的正视结构示意图；
16.图2为本实用新型的仰视结构示意图；
17.图3为本实用新型的俯视结构示意图；
18.图4为本实用新型限流框、旋转件、活动块的拆分结构示意图。
19.图中：1、喷头；101、第一缓冲腔；102、第一气孔；103、第二缓冲腔；104、第二气孔；2、限流框；201、第一滑槽；202、第二滑槽；3、旋转件；301、第一滑块；302、第三滑槽；4、活动块；401、第二滑块；402、第三滑块；5、固定块；501、电动推杆；6、储气腔；7、导气管。
具体实施方式
20.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
21.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
22.在本专利的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“设置”应做广义理解，例如，可以是固定相连、设置，也可以是可拆卸连接、设置，或一体地连接、设置。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利中的具体含义。
23.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“若干”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
24.请参阅图1-图4所示，本实用新型提供的一种技术方案：
25.一种wcvd半导体设备的气体喷淋头，包括喷头1、第一缓冲腔101、限流框2和导气管7，喷头1内部的顶端设置有第一缓冲腔101，且第一缓冲腔101的底端设置有第一气孔102，喷头1内部的底端设置有第二缓冲腔103，且第二缓冲腔103的底端设置有104，通过气
体进入第一缓冲腔101，并通过第一气孔102，可以流速增加，压力下降，使输出效率提高，并通过第二缓冲腔103底端设置有第二气孔104，可以二次降压，提高效率；
26.喷头1顶端的中间位置固定连接有限流框2，且限流框2的一侧固定设置有第一滑槽201，并且限流框2顶端的一侧固定设置有第二滑槽202，限流框2的内部活动连接有旋转件3，且旋转件3的一侧固定设置有第一滑块301，并且第一滑块301的外部滑动连接有第一滑槽201，旋转件3的顶端固定设置有第三滑槽302，限流框2的内部滑动连接有活动块4，且活动块4的顶端固定设置有第二滑块401，并且第二滑块401的外部滑动连接有第二滑槽202，活动块4的底端固定连接有第三滑块402，且第三滑块402的外部滑动连接有第三滑槽302，通过旋转件3在限流框2内部转动，可以带动旋转件3顶端的活动块4旋转，并调节输气孔的大小；
27.喷头1顶端的一侧固定连接有固定块5，且固定块5的一侧固定安装有电动推杆501，并且电动推杆501的一侧固定连接有第一滑块301，限流框2的顶端固定连接有储气腔6，且储气腔6的顶端固定连接有导气管7，通过电动推杆501启动可以推动第一滑块301移动，从而带动旋转件3的旋转移动，改变输气量的多少，该电动推杆501为dytzb1000-500/110-x型电动推杆。
28.本实施例的一种wcvd半导体设备的气体喷淋头在使用时，气体通过导气管7进入储气腔6的内部，并在储气腔6的底端设置有限流框2，通过固定块5一侧的电动推杆501推动第一滑块301，可以使第一滑块301在限流框2上的第一滑槽201内滑动，并带动旋转件3在限流框2的内部进行旋转，同时旋转件3的顶端设置有活动块4，通过旋转件3旋转，可以使活动块4底端的第三滑块402在第三滑槽302上滑动，并使活动块4顶端的第二滑块401在第二滑槽202上滑动，通过活动块4的移动，可以调节输气孔的大小，以调节气流量的多少，使气体通过限流框2输入喷头1内部的第一缓冲腔101内，并在第一缓冲腔101的底端设置有第一气孔102，并且第一气孔102设置为上宽下窄结构，使气体通过第一缓冲腔101进入第二缓冲腔103时流速增加，压力下降，均匀输出气体至第二缓冲腔103的内部，并通过第二缓冲腔103的底端设置有第二气孔104，可以进行二次降压，提高喷头输出的效率。
29.以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本实用新型的优选例，并不用来限制本实用新型，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。