一种基于干扰对消的空间取样天线的设计方法及装置与流程

1.本发明属于抗干扰取样天线技术领域，更具体地，涉及一种基于干扰对消的空间取样天线的设计方法及装置。


背景技术：

2.取样天线是指安装于主天线周围的小型化天线单元或者阵列，在空间中对干扰源进行取样，用于干扰对消装置的自适应调整和合成对消。
3.现有技术中，取样天线单元的设计和干扰对消算法的分析通常是分离的。例如，针对雷达抗干扰，干扰对消算法中的取样天线通常采用理想的全向天线仿真图数据组阵优化，显然该方法不足以指导实际的取样天线结构设计，仅仅从算法优化的角度给出了理想的干扰抑制情况；针对超短波抗干扰，现有技术将ansys hfss、cst microwave studio等电磁仿真软件的仿真方向图数据导入优化算法，尽管该方法完成了天线设计，但干扰对消算法依赖电磁仿真软件，将导致优化的低效，并且难以从理论上解释主天线与取样天线之间的耦合度、取样天线带宽等特性。目前未发现从取样天线阻抗、增益、方向图、互耦到干扰抑制特性定量评估的理论模型。


技术实现要素：

4.针对现有技术的缺陷，本发明的目的在于提供一种基于干扰对消的空间取样天线的设计方法及装置，旨在解决现有技术无法将取样天线的设计与性能特性优化综合考虑，导致设计出符合实际需求的最优性能的取样天线非常困难的问题。
5.为实现上述目的，一方面，本发明提供了一种基于干扰对消的空间取样天线的设计方法，包括以下步骤：预设多种取样天线的设置方法；对于每种设置方法，基于取样天线表面电流分布的解析解，通过计算取样天线自阻抗以及主天线与取样天线的互阻抗，获取主天线与取样天线间的耦合度；同时基于取样天线表面电流分布的解析解，解析格式方向图，通过空间取样方法，计算干扰抑制比；基于每种所述设置方法对应的耦合度以及干扰抑制比，结合阵列天线设计的约束条件，筛选出最优取样天线数量以及位置，完成对空间取样天线的设计；其中，取样天线表面电流分布的解析解的获取方法为：根据单线无耗传输线模型方程，计算取样天线上的初始电流分布；采用在动态场分布的积分部分除以电流初始分布，非积分部分乘以初始电流分布的方式，修正单线无耗传输线模型方程中电流分量产生的动态场分布；引入沿天线位置变化的分布参数均值表示修正后的动态场分布，结合洛伦兹条件和电磁场边界条件，获取单线有耗传输线模型方程；通过单线有耗传输线模型方程结合金属表面电磁场边界条件，获取取样天线表面电流分布的解析解。
6.本发明中阵列天线设计的约束条件包括取样天线的空间覆盖范围、取样天线的增益、干扰源信号特征、实际舰船或车载平台上取样天线的适装性和成本。
7.进一步优选地，修正后的动态场分布为：fz(z)=jωμi(z)
·
∫
0l
{[i(z')/i(z)]
·
e-jβz''
/4πz''}dz'其中，j为虚数，ω为角频率，μ为磁导率，i(z)表示坐标轴z处电流分布函数，i(z')表示坐标z'处电流数值，∫为积分符号，l为偶极子天线长度，β为自由空间传播常数，z''=sqrt[(z'-z)2 ρ2]且ρ表示偶极子天线的半径，dz'表示对z'的积分；进一步优选地，单线有耗传输线模型方程为
ə
v(z)/
ə
z=-jωl'
·
i(z) e(z)，
ə
i(z)/
ə
z=-jωc '
·
v(z)；其中，
ə
偏导符号，v(z)为单线有耗传输线电位，e(z)表示源，c '=με/l'为容抗且ε为介电常数；l'为沿天线位置变化的分布参数；μ为磁导率。
[0008]
进一步优选地，主天线与取样天线间的耦合度获取方法，包括以下步骤：基于取样天线表面电流分布的解析解，获取取样天线的远区辐射场方程；基于取样天线的远区辐射场方程，计算取样天线自阻抗以及主天线与取样天线的互阻抗；通过取样天线自阻抗以及主天线与取样天线的互阻抗，计算主天线与取样天线的散射矩阵；基于主天线与取样天线的散射矩阵，计算出主天线与取样天线间的耦合度。
[0009]
进一步优选地，干扰抑制比的获取方法为：基于取样天线表面电流分布的解析解，获取取样天线的远区辐射场方程；通过自由空间波阻抗、取样天线的远区辐射场以及取样天线远场位置参数，获取取样天线方向图；基于取样天线方向图，获取主天线和取样天线接收到的信号；基于主天线和取样天线接收到的信号，采用最小均方准则，获取空间取样天线权值；结合空间取样天线权值、主天线和取样天线接收到的信号，计算干扰抑制比。
[0010]
优选地，干扰抑制比为：icr=||s
m-w
opt
sa||2×
||cm nm||2/||sm||2/||cm nm‑ꢀwopt
(ca na) ||2其中，|| ||2为功率计算符号，cm=c
·fm
(θc, φc)、sm=s
·fm
(θs, φs)分别为主天线接收的干扰信号、通信信号，ca=c
·
fa(θc, φc)、sa=s
·
fa(θs, φs)分别为空间取样阵列天线接收的干扰信号、通信信号，nm、na分别为主天线、取样天线收到的噪声信号； s为发射的通信信号；c为发射的干扰信号； fa(θs, φs)为取样天线方向图；fm(θs, φs)为主天线方向图；w
opt
为空间取样天线权值。
[0011]
进一步优选地，取样天线的数量获取方法为：根据干扰源来波方向，确定取样天线的空间覆盖范围；根据主天线方向图数据、抗干扰容限和干扰取样方法，确定取样天线的增益；根据阵列天线设计的原理，通过取样天线的空间覆盖范围、增益和干扰源信号特征，获取取样天线数量与抗干扰容限之间的关系；结合实际舰船或车载平台上取样天线的适装性和成本，根据取样天线数量与抗感
容限之间的关系，选取最优的取样天线数量。
[0012]
另一方面，本发明提供了一种基于干扰对消的空间取样天线的设计装置，包括：天线设置模块，用于预设多种取样天线的设置方法；性能计算模块，用于对每种所述设置方法，基于取样天线表面电流分布的解析解，通过计算取样天线自阻抗以及主天线与取样天线的互阻抗，获取主天线与取样天线间的耦合度；同时基于所述取样天线表面电流分布的解析解，解析格式方向图，通过空间取样方法，计算干扰抑制比；天线设计模块，用于基于每种所述设置方法对应的所述耦合度和/或所述干扰抑制比，结合阵列天线设计的约束条件，筛选出最优取样天线数量以及位置，完成对空间取样天线的设计；表面电流分布获取模块，用于获取取样天线表面电流分布的解析解，具体执行方法为：根据单线无耗传输线模型方程，计算取样天线上的初始电流分布；采用所述取样天线上的初始电流分布，修正所述单线无耗传输线模型方程中电流分量产生的动态场分布；引入沿天线位置变化的分布参数均值表示修正后的所述动态场分布，结合洛伦兹条件和电磁场边界条件，获取单线有耗传输线模型方程；通过所述单线有耗传输线模型方程结合金属表面电磁场边界条件，获取取样天线表面电流分布的解析解。
[0013]
进一步优选地，修正后的动态场分布为：fz(z)=jωμi(z)
·
∫
0l
{[i(z')/i(z)]
·
e-jβz''
/4πz''}dz'其中，j为虚数；ω为角频率；μ为磁导率；i(z)表示坐标轴z处电流分布函数；i(z')表示坐标z'处电流数值；∫为积分符号；l为偶极子天线长度；β为自由空间传播常数；z''=sqrt[(z'-z)2 ρ2]且ρ表示偶极子天线的半径；dz'表示对z'的积分；所述单线有耗传输线模型方程为：
ə
v(z)/
ə
z=-jωl'
·
i(z) e(z)，
ə
i(z)/
ə
z=-jωc '
·
v(z)其中，
ə
偏导符号；v(z)为单线有耗传输线电位；e(z)表示源；c '=με/l'为容抗且ε为介电常数；l'为沿天线位置变化的分布参数。
[0014]
进一步优选地，所述干扰抑制比为：icr=||s
m-w
opt
sa||2×
||cm nm||2/||sm||2/||cm nm‑ꢀwopt
(ca na) ||2其中，|| ||2为功率计算符号，cm=c
·fm
(θc, φc)、sm=s
·fm
(θs, φs)分别为主天线接收的干扰信号、通信信号，ca=c
·
fa(θc, φc)、sa=s
·
fa(θs, φs)分别为空间取样阵列天线接收的干扰信号、通信信号，nm、na分别为主天线、取样天线收到的噪声信号； s和c分别为发射的通信信号和干扰信号； fa(θs, φs)为取样天线方向图；fm(θs, φs)为主天线方向图；w
opt
为空间取样天线权值。
[0015]
进一步优选地，主天线与取样天线间的耦合度获取方法，包括以下步骤：基于取样天线表面电流分布的解析解，获取所述取样天线的远区辐射场方程；基于取样天线的远区辐射场方程，计算取样天线自阻抗以及主天线与取样天线的互阻抗；通过取样天线自阻抗以及主天线与取样天线的互阻抗，计算主天线与取样天线的散射矩阵；基于主天线与取样天线的散射矩阵，计算出主天线与取样天线间的耦合度。
[0016]
优选地，干扰抑制比的获取方法为：基于取样天线表面电流分布的解析解，获取取样天线的远区辐射场方程；通过自由空间波阻抗、取样天线的远区辐射场以及取样天线远场位置参数，获取取样天线方向图；基于取样天线方向图，获取主天线和取样天线接收到的信号；根据主天线和取样天线接收到的信号，采用最小均方准则，获取空间取样天线权值；结合空间取样天线权值、主天线和取样天线接收到的信号，计算干扰抑制比。
[0017]
总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有以下有益效果：本发明对单线无耗传输线模型方程中的电流分量产生的动态场分布进行修正，结合洛伦兹条件和电磁场边界条件，构建单线有耗传输线模型方程；基于上述的基础，采用单线有耗传输线模型方程，获取精确的取样天线表面电磁分布的解析解，进而可以计算取样天线的自阻抗以及主天线与取样天线的互阻抗，可以优化主天线与取样天线的间距，可从理论上分析天线的带宽特性以及主天线和取样天线的耦合度，从而不必采用商业电磁软件进行仿真分析或者测试分析，提高了分析效率，且物理概念清晰。
[0018]
本发明可通过取样天线表面电流分布的解析解进一步计算其解析格式方向图函数，并通过空间取样方法获取最优取样天线数量和计算其干扰抑制比，相比于常规干扰对消算法中对取样天线方向图进行理想近似，本发明解析方法计算的方向图为3d格式，考虑了俯仰角，使得方向图结果更为精确全面。
[0019]
本发明对取样天线表面电流分布的解析解分析包括天线长度和半径等结构参数，以及阻抗、增益等性能参数，可直接指导取样天线的具体设计。
[0020]
本发明获取取样天线表面电流分布的解析解后，建立的取样天线分析方法具有完整性和普适性，涵盖了取样天线的设计和干扰对消性能分析，可用于各种线天线类抗干扰取样天线的优化设计。
附图说明
[0021]
图1是本发明实施例提供的两个半波天线互耦计算结果示意图；图2是本发明实施例提供的空间取样天线的对消效果图；图3是本发明实施例提供的最优空间取样天线数量分析流程图。
具体实施方式
[0022]
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0023]
一方面，本发明提供了一种基于近似解析法的干扰对消的空间取样天线的设计方法，包括以下步骤：（1）采用基于单线传输线模型的近似解析法计算取样天线表面电流分布的解析解，以准确快速计算取样天线表面电流分布；
具体如下：根据传统单线传输线模型，线天线轴线上某点的电流在天线表面产生的切向电场es(z)为：es(z)=fz(z)-ə
v(z)/
ə
z其中，
ə
为偏导符号，v(z)为单线有耗传输线电位，fz(z)为电流分量产生的动态场分布：fz(z)=-jωμ
·
∫
0l
[i(z')
·
e-jβz''
/4πz'']dz'其中，j为虚数，ω为角频率，μ为磁导率，i(z')表示坐标z'处电流数值，∫为积分符号，l为偶极子天线长度，β为自由空间传播常数，z''=sqrt[(z'-z)2 ρ2]且ρ表示偶极子天线的半径，dz'表示对z'的积分；z为z轴上的某一点；z'为z轴上的函数积分点；将电流i(z')在电流分布i(z)处欧拉展开，并采用合理的数学近似可对f(z)进行简化：fz(z)≈-jωμ
·
l(z)
·
i(z)其中，l(z)表示传输线分布电感：l(z)=μ/(4π)
·
[2ln(2λ)-2ln(2πρ)-2e0 ci(βz)-ci(βl-βz)]其中，e0≈0.577为欧拉常数，ci为余弦积分函数，ln为对数求解符号，λ为取样天线中心频率对应的波长；l(z)积分的平均值为：l=1/l
·
∫
0l
l(z)
·
dz=μ/(4π)
·
{[ln(λ)-ln(2πρ) 0.116 ci(βl)-[sin(βl)/ (βl)]}由l取代f(z)近似表达式中的l(z)，可得f(z)的偏导为：
ə
f(z)/
ə
z=-jωμ
·
l
·
ə
i(z)/
ə
z由洛伦兹条件可得：
əfz
(z)/
ə
z=-υ 2
v(z)其中，
υ 2
=ω2lc，c=με/l为电容；再根据f(z)的偏导表达式可得：-β2v(z)=-jωμ
·
l
·
ə
i(z)/
ə
z上式化简可得传统单线无耗传输线模型的电流偏导方程：
ə
i(z)/
ə
z=-jωc
·
v(z)根据电磁场边界条件，天线表面总的切向电场分量为零；故有：es(z) e(z)=fz(z)-ə
v(z)/
ə
z e(z)=0其中，e(z)是入射场切向分量；因此，化简可得传统单线无耗传输线模型的电位偏导方程为：
ə
v(z)/
ə
z=-jωl
·
i(z) e(z)由于l为实数，则-jωl、-jωc为纯虚数，分别表示传统单线传输线模型的分布电感、电容，故上述单线传输线模型是无耗的，忽略了天线上的欧姆损耗；进一步地，为考虑天线上的损耗，根据单线无耗传输线模型方程，计算天线上的电流分布的初始分布i0(z)，然后修正单线无耗传输线模型方程中电流分量产生的动态场分布fz(z)；fz
(z)=jωμi(z)
·
∫
0l
{[i(z')/i(z)]
·
e-jβz''
/4πz''}dz'其中，i(z)表示坐标z处电流分布函数；此时，采用单线无耗传输线模型的初始电流分布i0(z)迭代上式中的电流i(z)，即可建立单线有耗传输线模型；需要特别强调的是：本步骤计算的电流分布i(z)可进一步迭代，直至计算精确的电流分布；i(z')表示坐标z'处电流数值；令沿天线位置变化的分布参数l'(z)为：l'(z)=∫
0l
{[i(z')/i(z)]
·
e-jβr
/4πr}dz'则有：fz(z)=jωμl
′
(z)
·
i(z)显然，l'(z)为复数，其实部代表分布电感，虚部代表辐射损耗；对l
′
(z)作平均近似，可得修正后的单线有耗传输线模型方程的感抗l'：l'=1/l
·
∫
0l
l'(z)dz'用l
′
替换单线无耗传输线模型中的无耗电感，可得单线有耗传输线模型方程：
ə
v(z)/
ə
z=-jωl'
·
i(z) e(z)，
ə
i(z)/
ə
z=-jωc '
·
v(z)其中，
ə
偏导符号，v(z)为单线有耗传输线电位，e(z)表示源（平面波时照射时为常数），c '=με/l'为容抗且ε为介电常数，由于l'、c'均为复数，故上式为单线有耗传输线模型方程；根据金属表面电磁场边界条件i(0)=i(l)=0，当e(z)为平面时e(z)为常数e0，则修正的单线有耗传输线方程的电流i(z)通解为：i(z)=a
·
e-rz-b
·erz
r
·
e0/zc其中，r=jω
·
sqrt(l
′
·c′
)为单线有耗传输线模型的传输常数；zc=sqrt(l
′
/c
′
)为单线有耗传输线模型的特性阻抗；a=r
·
e0·
(1-e
rl
)/(e
rl
–
e-rl
)/zcb=r
·
e0·
(1-e-rl
)/(e
rl
–
e-rl
)/zc显然，偶极子天线上的电流分布为全解析形式，可直接用于方向图、自阻抗和互阻抗的解析计算；（2）根据天线表面电流分布计算天线自阻抗和互阻抗，优化主天线与取样间距；具体如下：z处的电流元i(z)dz产生的远区辐射场为de
θ
：de
θ
=30jβsin(θ)/[sqrt(ε)
·
r]
·
e-jβ(r-z
·
cosθ) i(z)dz其中，θ为天线俯仰角，r为远区场点位置，整个取样天线的远区辐射场是上式在整个天线上的积分：e
θ
=∫
0l
de
θ
dz=30jβsin(θ)/[sqrt(ε)
·
r]
·
e-jβr
∫
0l
i(z)e-jβz
·
cosθ
dz修正的单线有耗传输线方程的电流i(z)通解代入上式可得：e
θ
=30jβsin(θ)/[sqrt(ε)
·r·
zc]
·
e-jβr
·
[a
·
(1-e-rl-jβlcosθ
)/(r jβcosθ) b
·
(1-e
rl-jβlcosθ
)/(r-jβcosθ) r
·
e0·
(1-e-jβlcosθ
)/(jβcosθ)]取样天线自阻抗为：z
11
=-1/(i
m1
)2·
∫
0l
[∫
0l
(de
θ
)dz
′
]i
*
(z)dz其中，i
m1
为取样天线端口波腹电流（通常取i(z)的最大值），*表示共轭；
r=sqrt(z
′2 z2)；则取样天线端口反射系数s
11
为：s
11
=20
×
log
10
[(z
11-50)/(z
11
50)]主天线与取样天线的互阻抗z
12
为：z
12
=-1/(i
m1*
·im2
)
·
∫
0l
[∫
0l
(de
12
)dz
′
]i
m1*
(z)dz其中，i
m2
为主天线端口波腹电流；de
12
为主天线电流元产生的远区辐射场；与此同时，r修正为r=sqrt[d2 (z'-z)2]，d表示主天线与取样天线间距；由自阻抗z
11
和z
12
组成的阻抗矩阵[z]，即可计算出主天线与取样天线的散射矩阵[s]：[s]=sqrt{[y0]}
×
{[z]-[z0]}
×
{[z] [z0]}-1
×
sqrt{[z0]}其中，[y0]为单位导纳矩阵；[z0]为单位阻抗矩阵；通过优化主天线与取样天线的相对位置，得到合适的耦合度，从而避免较大发射功率的主天线影响取样天线的性能；需要说明的是，当存在n个取样天线时，可在上述计算步骤中更新取样天线的位置信息，则散射矩阵[s]的维度为n
×
n；该矩阵可进一步用于取样天线数量和耦合度的优化选择；（3）根据天线表面电流分布计算其解析格式方向图函数，通过空间取样方法，将干扰信号与通信信号进行分离，从而得到纯净的干扰信号样本，用于干扰对消装置，同时获取最优取样天线数量和计算其干扰抑制比。
[0024]
具体如下：去除取样天线远场位置参数r，即可得取样天线方向图f(θ, φ)：f(θ, φ)=(r
·ejβr
·eθ
)2/η其中，η为自由空间波阻抗；求解得：f
θ
={30jβsin(θ)/[sqrt(ε)
·
zc]
·
[a
·
(1-e-rl-jβlcosθ
)/(r jβcosθ) b
·
(1-e
rl-jβlcosθ
)/(r-jβcosθ) r
·
e0·
(1-e-jβlcosθ
)/(jβcosθ)]}2/η主天线、取样天线接收到的信号分别为：xm=s
·fm
(θs, φs) c
·fm
(θc, φc) nm，xa=s
·
fa(θs, φs) c
·
fa(θc, φc) na其中，fa为取样天线方向图；fm为主天线方向图，可参照取样天线方向图计算；s、c、nm和na分别为通信信号、干扰信号、主天线噪声信号和取样天线噪声信号；(θs, φs)和(θc, φc)分别为有用信号和干扰信号来波方向的俯仰角和方位角；采用基于最小均方准则的方法计算空间取样天线权值w
opt
：w
opt
=r
aa-1
·ram
其中，r
aa
为xa的协方差矩阵；r
am
为xm和xa的协方差矩阵；采用抑制前后的信噪比之比以定义空间取样天线性能：icr=||s
m-w
opt
sa||2×
||cm nm||2/||sm||2/||cm nm‑ꢀwopt
(ca na) ||2其中，|| ||2为功率计算符号，cm=c
·fm
(θc, φc)、sm=s
·fm
(θs, φs)分别为主天线接收的干扰信号、通信信号，ca=c
·
fa(θc, φc)、sa=s
·
fa(θs, φs)分别为空间取样阵列天线接收的干扰信号、通信信号，nm、na分别为主天线、取样天线收到的噪声信号；s为发射的通信信号；c为发射的干扰信号；显然，较多的取样天线可获得丰富的干扰信号样本，并提高分辨率；然而，取样天线数量越多，对消装置处理通道数越多，系统越复杂；为此，提出了最优取样天线数量分析方法：
根据干扰源来波方向，确定取样天线的空间覆盖范围；根据主天线方向图数据、抗干扰容限和干扰取样方法，确定取样天线的增益；根据阵列天线设计的原理，通过取样天线的空间覆盖范围、增益和干扰源信号特征，可确定取样天线数量与抗干扰容限之间的定量关系；考虑实际舰船/车载平台上取样天线的适装性和成本等，根据取样天线数量与抗干扰容限之间的定量关系，选取最优的取样天线数量。
[0025]
实施例当主天线、取样天线为两个平齐对称的第一振子和第二振子，电流分布分别为：i1(z1)=i
m1
sin[β(l-|z1|)]，i2(z2)=i
m2
sin[β(l-|z2|)]其中，i
m1
和i
m2
分别为第一振子和第二振子的电流幅值；z1和z2分别表示第一振子、第二振子上的位置；第二振子对第一振子小单元dz1产生的总感应电场e
θ12
(z1)：e
θ12
(z1)=j60 i
m2
/[r1·
sin(d/r)] {cos[βl cos(d/r)]-cos(βl)} e-jβr1
其中，d为第一振子和第二振子间距；r1=sqrt(d2 z
12
)；e
θ12
(z1)在第一振子长度方向上的分量e
z12
(z1)为：e
z12
(z1)=-e
θ12
(z1) d/r=-j 60 i
m2 [sin(d/r)]2/r {cos[βl cos(d/r)]
ꢀ‑
cos(βl)} e-jβr
将e
z12
(z1)带入互阻抗计算公式，即可得第二振子对第一振子的互耦；当d《0.18λ时，上式误差较大；事实上，随着两个偶极子天线间距d的减小，半波振子的辐射场e
θ12
(z1)不再满足远区场条件；与此同时，当z1接近z2时，e
θ12
(z1)的近似计算误差较大。
[0026]
图1为两个半波天线互耦计算结果，天线间距0.15m时（0.5λ），耦合约为-20db；间距1.5m（20λ）时，耦合可降至-40db以下；图2为1个主天线和3个空间取样天线的对消效果图；主天线、取样天线均采用单极子天线的结构形式，并为直线阵（h面助阵）；主天线和取样天线h面增益分别为6db和2db；取样天线间距0.5λ，主天线与最近取样天线间距为20λ；对于俯仰角θ=80
º
、方位角φ=20
º
和俯仰角θ=90
º
、φ=70
º
的双干扰，计算得取样天线最优权值w
opt
=[-0.6902-1.2371j, 0.7198 0.5314j,
ꢀ‑
0.0297 0.7057j]，两个干扰方向的方向图零陷深度可达-60db；取样天线数量越多，对消装置处理通道数越多，系统越复杂；为此，提出了最优取样天线数量分析方法，如图3所示。
[0027]
综上所述，本发明与现有技术相比，存在以下优势：本发明对单线无耗传输线模型方程中的电流分量产生的动态场分布进行修正，结合洛伦兹条件和电磁场边界条件，构建单线有耗传输线模型方程；基于上述的基础，采用单线有耗传输线模型方程，获取取样天线表面电磁分布的解析解，进而可以计算取样天线的自阻抗以及主天线与取样天线的互阻抗，可以优化主天线与取样天线的间距，可从理论上分析天线的带宽特性以及主天线和取样天线的耦合度，从而不必采用商业电磁软件进行仿真分析或者测试分析，提高了分析效率，且物理概念清晰。
[0028]
本发明可通过取样天线表面电流分布的解析解进一步计算其解析格式方向图函数，并通过空间取样方法获取最优取样天线数量和计算其干扰抑制比，相比于常规干扰对消算法中对取样天线方向图进行理想近似，本发明解析方法计算的方向图为3d格式，考虑了俯仰角，使得方向图结果更为精确全面。
[0029]
本发明对取样天线表面电流分布的解析解分析包括天线长度和半径等结构参数，以及阻抗、增益等性能参数，可直接指导取样天线的具体设计。
[0030]
本发明获取取样天线表面电流分布的解析解后，建立的取样天线分析方法具有完整性和普适性，涵盖了取样天线的设计和干扰对消性能分析，可用于各种线天线类抗干扰取样天线的优化设计。
[0031]
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。