蚀刻液及其制备方法和应用与流程

1.本发明半导体晶圆封装技术领域，特别是涉及一种蚀刻液及其制备方法和应用。


背景技术：

2.目前在半导体封装的晶圆级封装工艺中，制造新一代电触点时，在铜线路的底层沉积一层钛金属阻挡层，其厚度通常小于铜线路的厚度。待铜线路制作完成后，再将线路之外的钛金属层蚀刻，形成独立的线路。但是，在基材和钛金属层中间有一层铝金属层，在除去最外层的铜金属层之后，直接使用传统氢氟酸钛蚀刻液会导致钛金属被快速腐蚀的同时，铝的表面会出现较为严重的腐蚀，如果使用磷酸体系的钛蚀刻液，钛金属面的腐蚀比较缓慢，且如果钛蚀刻不完全，会导致铜线路之间的短路。
3.通常使用的氢氟酸体系往往由于其腐蚀速率太快，导致没有办法控制钛金属层下的铝金属层不受到腐蚀，而且氢氟酸是一种酸性极强、安全隐患极大。磷酸体系相比于氢氟酸体系虽然腐蚀速率上可以控制，但是钛蚀刻速率较慢，且含磷化合物对于环境的污染较大。
4.因此，产业上迫切需要寻找一种钛腐蚀速率快，几乎不腐蚀铝金属层，且对环境污染较小的蚀刻液。


技术实现要素：

5.针对上述问题，本发明提供了一种对钛蚀刻效果好，蚀刻速度快，而对铝的蚀刻作用很小，且对环境污染较小的蚀刻液。
6.技术方案如下：
7.一种蚀刻液，包括：水、氟盐、铝缓蚀剂和氧化剂；
8.所述铝缓蚀剂的结构中含有氮原子和硼羟基，或所述铝缓蚀剂的结构中含有氮原子和硼酸频哪醇酯基。
9.在其中一个实施例中，所述铝缓蚀剂具有式(i-1)-(i-4)任一所示的结构：
[0010][0011]
在其中一个实施例中，所述铝缓蚀剂选自喹啉-5-硼酸、喹啉-3-硼酸、3-喹啉硼酸频哪醇酯、喹啉-4-硼酸频哪醇酯、6-喹啉硼酸频哪醇酯、喹啉-8-硼酸频哪醇酯、7-异喹啉硼酸频哪醇酯和4-异喹啉硼酸中的至少一种。
[0012]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，所述氟盐1g～20g，所述铝缓蚀剂1g～20g，及所述氧化剂1g～20g。
[0013]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，所述氟盐5g～20g，所述铝缓蚀剂1g～15g，及所述氧化剂1g～20g。
[0014]
在其中一个实施例中，所述氟盐选自氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化铝和氟硅酸钠中的至少一种。
[0015]
在其中一个实施例中，所述氧化剂选自过硫酸氢钾、间氯过氧苯甲酸、过氧化氢和叔丁基过氧化氢中的至少一种。
[0016]
在其中一个实施例中，所述氟盐为氟化钾，所述铝缓蚀剂为喹啉-5-硼酸，所述氧化剂为叔丁基过氧化氢。
[0017]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化钾5g～15g，喹啉-5-硼酸5g～15g，及叔丁基过氧化氢10g～20g。
[0018]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化钾5g～8g，喹啉-5-硼酸8g～10g，及叔丁基过氧化氢10g～15g。
[0019]
在其中一个实施例中，所述氟盐为氟化钾，所述铝缓蚀剂为4-异喹啉硼酸，所述氧化剂为过硫酸氢钾。
[0020]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化钾5g～15g，4-异喹啉硼酸5g～10g，及过硫酸氢钾10g～20g。
[0021]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化钾8g～10g，4-异喹啉硼酸5g～10g，及过硫酸氢钾10g～20g。
[0022]
在其中一个实施例中，所述氟盐为氟化铝，所述铝缓蚀剂为喹啉-5-硼酸，所述氧化剂为过硫酸氢钾。
[0023]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化铝5g～15g，喹啉-5-硼酸10g～15g，及过硫酸氢钾1g～10g。
[0024]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化铝5g～15g，喹啉-5-硼酸10g～15g，及过硫酸氢钾1g～8g。
[0025]
在其中一个实施例中，所述氟盐为氟硅酸钠，所述铝缓蚀剂为3-喹啉硼酸频哪醇酯和4-异喹啉硼酸中的至少一种，所述氧化剂为间氯过氧苯甲酸。
[0026]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟硅酸钠5g～15g，3-喹啉硼酸频哪醇酯10g～15g，及间氯过氧苯甲酸5g～15g。
[0027]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟硅酸钠8g～10g，3-喹啉硼酸频哪醇酯10g～15g，及间氯过氧苯甲酸5g～10g。
[0028]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟硅酸钠10g～20g，4-异喹啉硼酸10g～15g，及间氯过氧苯甲酸10g～20g。
[0029]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟硅酸钠15g～20g，4-异喹啉硼酸12g～15g，及间氯过氧苯甲酸15g～20g。
[0030]
在其中一个实施例中，所述氟盐为氟化氢铵，所述铝缓蚀剂为喹啉-3-硼酸，所述氧化剂为过氧化氢。
[0031]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化氢铵10g～20g，喹啉-3-硼酸
1g～15g，及过氧化氢10g～20g。
[0032]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化氢铵15g～20g，喹啉-3-硼酸5g～15g，及过氧化氢15g～20g。
[0033]
在其中一个实施例中，所述氟盐为氟化铝，所述铝缓蚀剂为3-喹啉硼酸频哪醇酯，所述氧化剂为叔丁基过氧化氢。
[0034]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化铝10g～20g，3-喹啉硼酸频哪醇酯10g～15g，及叔丁基过氧化氢10g～20g。
[0035]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化铝15g～20g，3-喹啉硼酸频哪醇酯12g～15g，及叔丁基过氧化氢15g～20g。
[0036]
本发明还提供如上所述的蚀刻液的制备方法，包括如下步骤：
[0037]
将所述的水、氟盐、铝缓蚀剂和氧化剂混合。
[0038]
本发明还提供如上所述的蚀刻液在蚀刻含钛部件中的应用。
[0039]
在其中一个实施例中，所述含钛部件为半导体封装中使用的钛金属阻挡层。
[0040]
本发明还提供一种蚀刻含钛部件的方法，包括如下步骤：
[0041]
将所述含钛部件浸泡于如上所述的蚀刻液。
[0042]
本发明具有如下有益效果：
[0043]
本发明的蚀刻液包括水、氟盐、铝缓蚀剂和氧化剂，通过各原料的协同配合，使本发明的蚀刻液能够快速腐蚀钛而对铝的腐蚀作用较小，蚀刻系数大，且安全可靠，对环境污染小。
[0044]
本发明的蚀刻液制备方法简单，操作简便，生产效率高，可节约时间和能耗，降低生产成本，适合工业化生产。
[0045]
本发明的蚀刻液使用方法简单，在应用过程中，仅需将含钛的材料浸入在所述蚀刻液中即可，蚀刻时间短，作用效果好，具有广阔的应用前景。
[0046]
若将本发明的蚀刻液用于蚀刻含钛部件，如晶圆封装工艺中的钛金属阻挡层，氟盐能加速金属的腐蚀，使本发明的蚀刻液具有较大的蚀刻系数，可以高效地蚀刻含钛部件；氧化剂能使钛金属能使金属在常温的条件下快速腐蚀，提高生产效率同时可以降低生产所需要的成本；配合使用铝缓蚀剂，使本发明的蚀刻液对铝金属的侧蚀极小，可以很好保证线路的完整性。
附图说明
[0047]
图1为钛金属层的蚀刻流程示意图；
[0048]
图2为本发明一实施例采用蚀刻液蚀刻半导体集成电路封装线路前后的金相显微镜对比图。
具体实施方式
[0049]
以下结合具体实施例对本发明作进一步详细的说明。本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明公开内容理解更加透彻全面。
[0050]
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的
技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0051]
在使用本文中描述的“包括”、“具有”、和“包含”的情况下，意图在于覆盖不排他的包含，除非使用了明确的限定用语，例如“仅”、“由
……
组成”等，否则还可以添加另一部件。
[0052]
除非相反地提及，否则单数形式的术语可以包括复数形式，并不能理解为其数量为一个。
[0053]
在本发明中，取代基相连的单键贯穿相应的环，表述该取代基可与环的任选位置连接，例如表示r2与苯环的任一可取代位点相连，表示r2与萘环的任一可取代位点相连。
[0054]
在本发明中，至少一种指一种，或多种的混合。例如，所述铝缓蚀剂为3-喹啉硼酸频哪醇酯和4-异喹啉硼酸中的至少一种，包括：所述铝缓蚀剂为3-喹啉硼酸频哪醇酯，或所述铝缓蚀剂为4-异喹啉硼酸，以及所述铝缓蚀剂为3-喹啉硼酸频哪醇酯和4-异喹啉硼酸的混合物这3种情况。
[0055]
本发明提供了一种对钛蚀刻效果好，蚀刻速度快，而对铝的蚀刻作用很小，且对环境污染较小的蚀刻液。
[0056]
技术方案如下：
[0057]
一种蚀刻液，包括：水、氟盐、铝缓蚀剂和氧化剂；
[0058]
所述铝缓蚀剂的结构中含有氮原子和硼羟基，或所述铝缓蚀剂的结构中含有氮原子和硼酸频哪醇酯基。
[0059]
在其中一个实施例中，所述铝缓蚀剂具有式(i-1)-(i-4)任一所示的结构：
[0060][0061]
在其中一个实施例中，所述铝缓蚀剂选自喹啉-5-硼酸喹啉-3-硼酸3-喹啉硼酸频哪醇酯喹啉-4-硼酸频哪醇酯
6-喹啉硼酸频哪醇酯喹啉-8-硼酸频哪醇酯7-异喹啉硼酸频哪醇酯和4-异喹啉硼酸中的至少一种。
[0062]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，所述氟盐1g～20g，所述铝缓蚀剂1g～20g，及所述氧化剂1g～20g。
[0063]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，所述氟盐5g～20g，所述铝缓蚀剂1g～15g，及所述氧化剂1g～20g。
[0064]
在其中一个实施例中，所述氟盐选自氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化铝和氟硅酸钠中的至少一种。
[0065]
在其中一个实施例中，所述氧化剂选自过硫酸氢钾、间氯过氧苯甲酸、过氧化氢和叔丁基过氧化氢中的至少一种。
[0066]
在其中一个实施例中，所述氟盐为氟化钾，所述铝缓蚀剂为喹啉-5-硼酸，所述氧化剂为叔丁基过氧化氢。
[0067]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化钾5g～15g，喹啉-5-硼酸5g～15g，及叔丁基过氧化氢10g～20g。
[0068]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化钾8g～10g，喹啉-5-硼酸8g～10g，及叔丁基过氧化氢10g～15g。
[0069]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化钾5g，喹啉-5-硼酸10g，及叔丁基过氧化氢10g。
[0070]
在其中一个实施例中，所述氟盐为氟化钾，所述铝缓蚀剂为4-异喹啉硼酸，所述氧化剂为过硫酸氢钾。
[0071]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化钾5g～15g，4-异喹啉硼酸5g～10g，及过硫酸氢钾10g～20g。
[0072]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化钾8g～10g，4-异喹啉硼酸5g～10g，及过硫酸氢钾10g～20g。
[0073]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化钾10g，4-异喹啉硼酸5g，及过硫酸氢钾10g。
[0074]
在其中一个实施例中，所述氟盐为氟化铝，所述铝缓蚀剂为喹啉-5-硼酸，所述氧化剂为过硫酸氢钾。
[0075]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化铝5g～15g，喹啉-5-硼酸10g
～15g，及过硫酸氢钾1g～10g。
[0076]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化铝5g～15g，喹啉-5-硼酸10g～15g，及过硫酸氢钾1g～8g。
[0077]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化铝15g，喹啉-5-硼酸15g，及过硫酸氢钾1g。
[0078]
在其中一个实施例中，所述氟盐为氟硅酸钠，所述铝缓蚀剂为3-喹啉硼酸频哪醇酯和4-异喹啉硼酸中的至少一种，所述氧化剂为间氯过氧苯甲酸。
[0079]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟硅酸钠5g～15g，3-喹啉硼酸频哪醇酯10g～15g，及间氯过氧苯甲酸5g～15g。
[0080]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟硅酸钠8g～10g，3-喹啉硼酸频哪醇酯10g～15g，及间氯过氧苯甲酸5g～10g。
[0081]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟硅酸钠10g，3-喹啉硼酸频哪醇酯10g，及间氯过氧苯甲酸5g。
[0082]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟硅酸钠10g～20g，4-异喹啉硼酸10g～15g，及间氯过氧苯甲酸10g～20g。
[0083]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟硅酸钠15g～20g，4-异喹啉硼酸12g～15g，及间氯过氧苯甲酸15g～20g。
[0084]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟硅酸钠20g，4-异喹啉硼酸15g，及间氯过氧苯甲酸15g。
[0085]
在其中一个实施例中，所述氟盐为氟化氢铵，所述铝缓蚀剂为喹啉-3-硼酸，所述氧化剂为过氧化氢。
[0086]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化氢铵10g～20g，喹啉-3-硼酸1g～15g，及过氧化氢10g～20g。
[0087]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化氢铵15g～20g，喹啉-3-硼酸5g～15g，及过氧化氢15g～20g。
[0088]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化氢铵20g，喹啉-3-硼酸5g，及过氧化氢15g。
[0089]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化氢铵20g，喹啉-3-硼酸5g，及过氧化氢20g。
[0090]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化氢铵20g，喹啉-3-硼酸10g，及过氧化氢15g。
[0091]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化氢铵20g，喹啉-3-硼酸15g，及过氧化氢15g。
[0092]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化氢铵15g～20g，喹啉-3-硼酸1g～3g，及过氧化氢15g～18g。
[0093]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化氢铵20g，喹啉-3-硼酸1g，及过氧化氢15g。
[0094]
在其中一个实施例中，所述氟盐为氟化铝，所述铝缓蚀剂为3-喹啉硼酸频哪醇酯，所述氧化剂为叔丁基过氧化氢。
[0095]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化铝10g～20g，3-喹啉硼酸频哪醇酯10g～15g，及叔丁基过氧化氢10g～20g。
[0096]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化铝15g～20g，3-喹啉硼酸频哪醇酯12g～15g，及叔丁基过氧化氢15g～20g。
[0097]
在其中一个实施例中，每升所述蚀刻液包括水，氟化铝20g，3-喹啉硼酸频哪醇酯15g，及叔丁基过氧化氢15g。
[0098]
本发明还提供如上所述的蚀刻液的制备方法，包括如下步骤：
[0099]
将所述的水、氟盐、铝缓蚀剂和氧化剂混合。
[0100]
本发明还提供如上所述的蚀刻液在蚀刻含钛部件中的应用。
[0101]
在其中一个实施例中，所述含钛部件为半导体封装中使用的钛金属阻挡层。
[0102]
本发明还提供一种蚀刻含钛部件的方法，包括如下步骤：
[0103]
将所述含钛部件浸泡于如上所述的蚀刻液。
[0104]
本发明所述的半导体集成电路封装线路制作方法，包括如下步骤：
[0105]
(1)利用曝光显影除去基板上电镀铜之间的干膜；
[0106]
(2)使用铜蚀刻液蚀刻物理气相沉积铜；
[0107]
(3)使用本发明的钛蚀刻液蚀刻物理气相沉积钛。
[0108]
本发明钛金属层的蚀刻流程示意图可参照图1。
[0109]
图2为本发明一实施例采用蚀刻液蚀刻半导体集成电路封装线路前后的金相显微镜对比图。从图2中可以看出，若未在蚀刻液中加入对铝有缓蚀作用的缓蚀剂，钛金属层被蚀刻的同时，铝金属层也被蚀刻；而在蚀刻液中加入对铝有缓蚀作用的缓蚀剂，仅有钛金属层被蚀刻，铝金属层未被蚀刻。
[0110]
以下结合具体的实施例来对本发明进行进一步的说明。
[0111]
实施例1
[0112]
本实施例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0113]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0114][0115]
(2)本实施例中蚀刻液的制备方法为：
[0116]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟化钾、喹啉-5-硼酸和叔丁基过氧化氢，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0117]
实施例2
[0118]
本实施例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0119]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0120][0121]
(2)本实施例中蚀刻液的制备方法为：
[0122]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟化钾、4-异喹啉硼酸和过硫酸氢钾，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0123]
实施例3
[0124]
本实施例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0125]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0126][0127][0128]
(2)本实施例中蚀刻液的制备方法为：
[0129]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟化铝、喹啉-5-硼酸和过硫酸氢钾，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0130]
实施例4
[0131]
本实施例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0132]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0133][0134]
(2)本实施例中蚀刻液的制备方法为：
[0135]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟硅酸钠、3-喹啉硼酸频哪醇酯和间氯过氧苯甲酸，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0136]
实施例5
[0137]
本实施例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0138]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0139][0140][0141]
(2)本实施例中蚀刻液的制备方法为：
[0142]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟化氢铵、喹啉-3-硼酸和过氧化氢，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0143]
实施例6
[0144]
本实施例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0145]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0146][0147]
(2)本实施例中蚀刻液的制备方法为：
[0148]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟化氢铵、喹啉-3-硼酸和过氧化氢，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0149]
实施例7
[0150]
本实施例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0151]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0152][0153][0154]
(2)本实施例中蚀刻液的制备方法为：
[0155]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟化氢铵、喹啉-3-硼酸和过氧化氢，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0156]
实施例8
[0157]
本实施例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0158]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0159][0160]
(2)本实施例中蚀刻液的制备方法为：
[0161]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟化氢铵、喹啉-3-硼酸和过氧化氢，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0162]
实施例9
[0163]
本实施例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0164]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0165][0166]
(2)本实施例中蚀刻液的制备方法为：
[0167]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟化氢铵、喹啉-3-硼酸和过氧化氢，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0168]
实施例10
[0169]
本实施例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0170]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0171][0172]
(2)本实施例中蚀刻液的制备方法为：
[0173]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟化铝、3-喹啉硼酸频哪醇酯和叔丁基过氧化氢，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0174]
实施例11
[0175]
本实施例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0176]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0177][0178]
(2)本实施例中蚀刻液的制备方法为：
[0179]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟硅酸钠、4-异喹啉硼酸和间氯过氧苯甲酸，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0180]
实施例12
[0181]
本实施例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0182]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0183][0184]
(2)本实施例中蚀刻液的制备方法为：
[0185]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟化钾、喹啉-5-硼酸、3-喹啉硼酸频哪醇酯和叔丁基过氧化氢，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0186]
实施例13
[0187]
本实施例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0188]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0189][0190]
(2)本实施例中蚀刻液的制备方法为：
[0191]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟化钾、氟化钠、喹啉-5-硼酸和叔丁基过氧化氢，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0192]
实施例14
[0193]
本实施例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0194]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0195][0196]
(2)本实施例中蚀刻液的制备方法为：
[0197]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟化钾、喹啉-5-硼酸、间氯过氧苯甲酸和叔丁基过氧化氢，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0198]
实施例15
[0199]
本实施例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0200]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0201][0202]
(2)本实施例中蚀刻液的制备方法为：
[0203]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟化钾、氟化钠、喹啉-5-硼酸和叔丁基过氧化氢，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0204]
实施例16
[0205]
本实施例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0206]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0207]
[0208]
(2)本实施例中蚀刻液的制备方法为：
[0209]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟化钾、喹啉-5-硼酸和叔丁基过氧化氢，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0210]
对比例1
[0211]
本对比例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0212]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0213]
氟化氢
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
20g，
[0214]
过氧化氢
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
15g；
[0215]
余量为水。
[0216]
(2)本对比例中蚀刻液的制备方法为：
[0217]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟化氢，冷却后缓慢加入过氧化氢，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0218]
对比例2
[0219]
本对比例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0220]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0221][0222]
(2)本对比例中蚀刻液的制备方法为：
[0223]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入磷酸、膦酸和过氧化氢，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0224]
对比例3
[0225]
本对比例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0226]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0227][0228]
(2)本对比例中蚀刻液的制备方法为：
[0229]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟化氢铵、过氧化氢和n，n-二甲基乙酰胺，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0230]
对比例4
[0231]
本对比例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0232]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0233][0234]
(2)本对比例中蚀刻液的制备方法为：
[0235]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟化氢铵、过氧化氢和喹哪啶酸，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0236]
对比例5
[0237]
本对比例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0238]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0239][0240]
(2)本对比例中蚀刻液的制备方法为：
[0241]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟化钾、氟硼酸和过氧化氢，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0242]
对比例6
[0243]
本对比例提供一种蚀刻液及其制备方法。
[0244]
(1)每升所述蚀刻液的组成为：
[0245][0246]
(2)本对比例中蚀刻液的制备方法为：
[0247]
在常温下，在反应容器中加入0.5l去离子水，缓慢加入氟化钾、苯硼酸和过氧化氢，然后搅拌至溶液澄清，加去离子水至1l，搅拌均匀，静置备用。
[0248]
实施例1至实施例16和对比例1至对比例6的蚀刻液配方见表1，蚀刻液的总体积均为1l，均含有去离子水(原料1)。
[0249]
表1
[0250]
[0251][0252]
试验例：
[0253]
测试方法如下：
[0254]
配制好钛蚀刻液后，在常温下，分别称重已烘干的纯金属钛块和纯金属铝块，并且分别测量其面积，然后分别放入上述实施例1至实施例16和对比例1至对比例6的蚀刻液浸泡5分钟，取出，分别用纯化水清洗干净，烘干并称重，计算失重，利用公式分别算出钛蚀刻速率和铝蚀刻速率。
[0255]
计算公式：失去的重量(g)/{2*蚀刻金属面积(cm2)*金属密度(g/cm3)*蚀刻时间(min)}*10000＝蚀刻速率(μm/min)。
[0256]
其中，纯金属钛块的金属密度为4.506g/cm3，纯金属铝块的金属密度为2.7g/cm3。
[0257]
选择性是钛蚀刻速率与铝蚀刻速率的比值，选择性的数值越大，代表选择性越好，说明该蚀刻液更倾向于蚀刻钛而对铝的腐蚀更少，钛蚀刻性能更优。钛蚀刻速率较高，同时铝蚀刻速率较低，选择性好，蚀刻效果才最为理想。
[0258]
测试结果如表2所示：
[0259]
表2
[0260][0261][0262]
由上表2可知，本发明实施例1至实施例16的蚀刻液对钛金属的蚀刻作用强，蚀刻
速率快，对于铝金属的蚀刻作用较小，蚀刻液更倾向于蚀刻钛而对铝的蚀刻更少，对钛蚀刻性能更优。而对比例1、对比例3至对比例4的蚀刻液并没有产生缓蚀铝的作用，相反，在蚀刻钛的同时，铝的表面出现了腐蚀严重的情况。对比例2、对比例5至对比例6的蚀刻液缓蚀铝的作用较弱，在钛蚀刻的同时，铝的表面也会出现较为明显的腐蚀的情况。
[0263]
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0264]
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，便于具体和详细地理解本发明的技术方案，但并不能因此而理解为对发明专利保护范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。应当理解，本领域的普通技术人员在本发明提供的技术方案的基础上，通过合乎逻辑的分析、推理或者有限的试验得到的技术方案，均在本发明所附权利要求的保护范围内。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求的内容为准，说明书及附图可以用于解释权利要求的内容。