一种高介电常数含氰基聚倍半硅氧烷微粉的合成方法及应用与流程

技术特征：
1.一种高介电常数含氰基聚倍半硅氧烷微粉的合成方法，其特征在于该方法的步骤如下：一、向反应器内加入水，用酸溶液或氰乙基三氯硅烷溶液调节电导率，在0～15℃的低温条件下边搅拌边加入氰基硅氧烷，使其均匀分散，并持续搅拌2～4h，得到水解后的硅醇溶液；二、保持0～15℃的低温条件，边搅拌边向步骤一中得到的硅醇溶液中加入氨水，然后持续搅拌2～2.5h进行缩聚反应，得到混合液；三、将步骤二中得到的混合液离心分离，将得到的固相物用水和乙醇依次洗涤，再经离心分离，再将得到的固相物放入烘箱内恒温干燥后，得到高介电常数含氰基聚倍半硅氧烷微粉。2.根据权利要求1所述的一种高介电常数含氰基聚倍半硅氧烷微粉的合成方法，其特征在于步骤一中所加入酸是醋酸、硅酸、次氯酸或磷酸。3.根据权利要求1或2所述的一种高介电常数含氰基聚倍半硅氧烷微粉的合成方法，其特征在于步骤一中所述的氰基硅氧烷的分子式为：其中r1、r2、r3为烷氧基基团，r4为含-cn的侧链基团。4.根据权利要求1或2所述的一种高介电常数含氰基聚倍半硅氧烷微粉的合成方法，其特征在于步骤一中所述的氰基硅氧烷是氰乙基三甲氧基硅烷、氰乙基三乙氧基硅烷、氰丙基三甲氧基硅烷和氰丙基三乙氧基硅烷中的一种或其中几种的组合。5.根据权利要求1或2所述的一种高介电常数含氰基聚倍半硅氧烷微粉的合成方法，其特征在于步骤一中用酸溶液或氰乙基三氯硅烷溶液调节电导率至3～50ms/m。6.根据权利要求1或2所述的一种高介电常数含氰基聚倍半硅氧烷微粉的合成方法，其特征在于步骤一中氰基硅氧烷与h2o的质量比控制在1：(5～20)。7.根据权利要求1或2所述的一种高介电常数含氰基聚倍半硅氧烷微粉的合成方法，其特征在于步骤二中加入氨水后的反应液的ph控制在10～11之间。8.根据权利要求1或2所述的一种高介电常数含氰基聚倍半硅氧烷微粉的合成方法，其特征在于步骤三中烘箱内温度为80℃，干燥时间为8h。9.权利要求1制备的高介电常数含氰基聚倍半硅氧烷微粉的应用，其特征在于是将高介电常数含氰基聚倍半硅氧烷微粉作为填料加入到聚偏氟乙烯聚合物中，混合均匀后得到改性后的聚偏氟乙烯聚合物，用来提高聚合物的介电常数。10.根据权利要求9所述的高介电常数含氰基聚倍半硅氧烷微粉的应用，其特征在于作为填料的高介电常数含氰基聚倍半硅氧烷微粉的体积占聚偏氟乙烯聚合物和高介电常数含氰基聚倍半硅氧烷微粉总体积的20％～40％。

技术总结
一种高介电常数含氰基聚倍半硅氧烷微粉的合成方法及应用，本发明属于聚倍半硅氧烷制备技术领域。本发明是要解决现有技术中高介电常数聚合物添加剂用量大、成本高的技术问题。方法如下：先将氰基硅氧烷在弱酸条件下水解，再加入氨水，进行缩聚反应，得到混合液，再将混合液离心分离后得到固相物，再用水和乙醇分别洗涤，得到固体产物放入烘箱干燥，得到粉末即为高介电常数含氰基聚倍半硅氧烷微粉，并将其加入聚偏氟乙烯聚合物中，可得到高介电常数的聚偏氟乙烯复合材料。本发明制备的高介电常数含氰基聚倍半硅氧烷微粉具有较高的介电常数，可用于航空航天、电子电器、交通运输医疗器械等领域。等领域。等领域。


技术研发人员：纪冠丞 张磊 李季
受保护的技术使用者：江西宏柏新材料股份有限公司
技术研发日：2021.08.27
技术公布日：2022/1/21