一种半导体器件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤s1、提供带有鳍片(10)的硅衬底(1)，并通过光刻技术在鳍片(10)顶部开设凹槽(11)；步骤s2、将介电材料填入凹槽(11)到一定高度，以形成sti结构(20)；步骤s3、在凹槽(11)内位于sti结构(20)上方的空间中形成外表面带有限制壳层(21)的介电材料部(22)，并使限制壳层(21)顶面与鳍片(10)顶面平齐；步骤s4、通过蚀刻工艺，使鳍片(10)顶面高于硅衬底(1)顶面；然后在限制壳层(21)顶面上设置栅极(300)，从而形成sdb结构。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，步骤s1包括：步骤s11、在鳍片(10)顶部布置光刻胶(12)，然后通过紫外光照射掩膜版的方式将掩膜版上的图形转移到光刻胶(12)上，从而在光刻胶(12)上形成图形；再通过显影技术溶解光刻胶(12)的形成有图形的部分，从而在光刻胶(12)上形成孔洞(13)；步骤s12、通过刻蚀工艺处理鳍片(10)顶部被孔洞(13)所指向的部分，从而在鳍片(10)顶部开设凹槽(11)；步骤s13、去除光刻胶(12)。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，限制壳层(21)由介电材料制成。4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，限制壳层(21)由sin、sion、sioc、siocn、sicn、sic、金属氧化物中的一种或多种制成。5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，金属氧化物采用al2o3、tio2、hfo
x
或zro2，其中，x＝2或4。6.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，限制壳层(21)为一层或多层。7.一种半导体器件，其特征在于，包括硅衬底(1)以及形成在硅衬底(1)上的鳍片(10)；鳍片(10)顶部上开设凹槽(11)；凹槽(11)中填充形成有sti结构(20)，在凹槽(11)内位于sti结构(20)上方的空间中形成有外表面带有限制壳层(21)的介电材料部(22)，限制壳层(21)顶面与鳍片(10)顶面平齐；限制壳层(21)顶面上设置有栅极(300)。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，限制壳层(21)由介电材料制成。9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，限制壳层(21)由sin、sion、sioc、siocn、sicn、sic、金属氧化物中的一种或多种制成。10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，金属氧化物采用al2o3、tio2、hfo
x
或zro2，其中，x＝2或4。

技术总结
本发明提出了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法，包括以下步骤：步骤S1、提供带有鳍片(10)的硅衬底(1)，并通过光刻技术在鳍片(10)顶部开设凹槽(11)；步骤S2、将介电材料填入凹槽(11)到一定高度，以形成STI结构(20)；步骤S3、在凹槽(11)内位于STI结构(20)上方的空间中形成外表面带有限制壳层(21)的介电材料部(22)，并使限制壳层(21)顶面与鳍片(10)顶面平齐；步骤S4、通过蚀刻工艺，使鳍片(10)顶面高于硅衬底(1)顶面；然后在限制壳层(21)顶面上设置栅极(300)，从而形成SDB结构。本发明的半导体器件的制造方法设计新颖，实用性强。实用性强。实用性强。


技术研发人员：张峰溢 苏廷锜
受保护的技术使用者：广东汉岂工业技术研发有限公司
技术研发日：2020.07.17
技术公布日：2022/1/17