表面配体、量子点及其制备方法和量子点发光二极管与流程

1.本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种表面配体、量子点及其制备方法和量子点发光二极管。


背景技术：

2.近年来，随着显示技术的快速发展，以半导体量子点(qds)材料作为发光层的量子点发光二极管(qled)受到了广泛的关注。量子点发光二极管色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点，使得其在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。尽管通过对量子点材料的改进以及qled器件结构的不断优化，现有qled的性能(包括器件效率和寿命)得到了大幅度的提高，但是其效率与产业化生产的要求还相差较远。其中在量子点发光二极管的研究过程中，量子点的表面配体对qled器件的影响较大，常见的配体如三辛基膦、三辛基氧化膦、油酸、硬脂酸、油胺、巯基乙酸、巯基丙酸等，这些配体作为量子点的表面封端剂，能够减少量子点表面缺陷以提高量子点的发光效率，然而这些配体与量子点存在结合能力弱、形成的量子点胶体溶液稳定性差、进而会影响qled器件的性能。另外，在量子点薄膜中，这些表面配体分子决定了量子点之间的空间距离，并影响该层膜的光电学特性。一般配体分子的链越长，其成膜后量子点之间的空间距离会越大，因此量子点之间的能量传递会相对较小，从而量子点薄膜(即量子点发光层)能够保持较高的荧光效率；然而，对于量子点发光二极管器件，量子点之间的空间距离较大会反过来影响载流子在量子点发光层中的传输，从而影响器件的电流和亮度，两者难以平衡。
3.因此，现有技术有待改进。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种表面配体、量子点及其制备方法和量子点发光二极管，旨在解决现有量子点不稳定，从而影响发光性能的技术问题。
5.为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
6.本发明一方面提供一种表面配体，所述表面配体的结构通式如下：
[0007][0008]
其中，r1和r2分别独立选自喹啉基、吡嗪基和吡啶基中的至少一种。
[0009]
本发明提供的表面配体中，r1和r2分别独立选自喹啉基、吡嗪基和吡啶基中的至少一种，吡啶基团、吡嗪基团和喹啉基团上的n原子都可以提供孤对电子，结合上述配体的分子结构，中心吡啶上的n原子与两端基团(喹啉基、吡嗪基、吡啶基)上提供的n原子可以提供配位点，并且配位的几率相近，这样的配位(类似三齿螯合)就可以有效控制量子点之间的距离，从而提高量子点分散性，而且可以提高表面配体与量子点的结合几率，使表面配体不
易脱落，提高量子点的稳定性；另外，酰胺基团上的c＝o氢键受体可以与相邻酰胺基团上的n-h氢键供体形成氢键，也可以与吡啶环、吡嗪环或喹啉环的c-h氢键供体形成氢键，从而可以构筑超分子结构，这样的超分子结构使得量子点更加稳定；另外通过吡啶环、吡嗪环或喹啉环之间的π-π堆积作用可以形成2d层，这样形成的量子点膜高度稳定有序；并且提供配位点的吡啶环、吡嗪环或喹啉环增大了量子点之间的空间位阻，从而减弱了量子点之间的能量传递，有助于激子在量子点内有效复合发光。因此，将本发明的上述表面配体结合在量子点表面，可以使量子点更加稳定，且可以使量子点稳定有序地成膜，提高膜层均匀性，使量子点发光效率和电荷传输更加平衡，用于量子点发光二极管可以提高器件的发光性能。
[0010]
本发明另一方面提供一种量子点，所述量子点结合有本发明上述表面配体。
[0011]
以及，一种量子点的制备方法，包括如下步骤：
[0012]
提供初始量子点溶液，所述初始量子点溶液中的初始量子点表面结合有初始配体；
[0013]
将本发明上述表面配体与所述初始量子点溶液混合，进行配体交换反应，得到所述量子点。
[0014]
本发明提供的量子点以及上述制备方法得到量子点，其表面结合有本发明的上述特有的表面配体，将该表面配体作为量子点的表面配体，可以使量子点更加稳定，且可以使量子点更加稳定有序地成膜，且量子点发光效率和电荷传输更加平衡，用于量子点发光二极管可以提高器件的发光性能。
[0015]
最后，本发明还提供一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极和位于所述阳极和阴极之间的量子点发光层，所述量子点发光层由本发明所述的量子点和/或本发明所述的制备方法得到量子点组成。
[0016]
本发明提供的量子点发光二极管，其量子点发光层由本发明特有的量子点组成，该量子点结合的表面配体可以使量子点更加稳定，且可以使量子点更加稳定有序地成膜，且量子点发光效率和电荷传输更加平衡，这样的量子点发光层可以提高量子点发光二极管的发光性能。
附图说明
[0017]
图1为本发明实施例的表面配体结合量子点的示意图；
[0018]
图2为本发明实施例的量子点的制备方法的流程示意图；
[0019]
图3为本发明实施例的量子点发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
[0020]
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0021]
一方面，本发明实施例提供了一种表面配体，所述表面配体的结构通式如下：
[0022][0023]
其中，r1和r2分别独立选自喹啉基、吡嗪基和吡啶基中的至少一种。
[0024]
本发明实施例提供的表面配体中，r1和r2分别独立选自喹啉基、吡嗪基和吡啶基中的至少一种，吡啶基团、吡嗪基团和喹啉基团上的n原子都可以提供孤对电子，结合上述配体的分子结构，中心吡啶上的n原子与两端基团(喹啉基、吡嗪基、吡啶基)上提供的n原子可以提供配位点，并且配位的几率相近，这样的配位(类似三齿螯合)就可以有效控制量子点之间的距离，从而提高量子点分散性，而且可以提高表面配体与量子点的结合几率，使表面配体不易脱落，提高量子点的稳定性；另外，酰胺基团上的c＝o氢键受体可以与相邻酰胺基团上的n-h氢键供体形成氢键，也可以与吡啶环、吡嗪环或喹啉环的c-h氢键供体形成氢键，从而可以构筑超分子结构，这样的超分子结构使得量子点更加稳定；另外通过吡啶环、吡嗪环或喹啉环之间的π-π堆积作用可以形成2d层，这样形成的量子点膜高度稳定有序；并且提供配位点的吡啶环、吡嗪环或喹啉环增大了量子点之间的空间位阻，从而减弱了量子点之间的能量传递，有助于激子在量子点内有效复合发光。因此，将本发明的实施例上述表面配体结合在量子点表面，可以使量子点更加稳定，且可以使量子点稳定有序地成膜，提高膜层均匀性，使量子点发光效率和电荷传输更加平衡，用于量子点发光二极管可以提高器件的发光性能。
[0025]
酰胺类化合物具有多齿配位和桥联配位，本发明实施例通过选择合上述表面配体可以有效提高量子点荧光效率、稳定性，控制量子点之间的距离，从而可以提高qled器件的发光性能，满足产业化需求。
[0026]
进一步地，所述表面配体的结构通式中，r1和r2相同。因r1和r2相同，这样表面配体两端会具有对称的n电子云，这样的表面配体两端结合量子点的几率相同，如此表面配体结合量子点，使量子点成膜更加均匀。
[0027]
进一步地，所述表面配体为2,6-双(喹啉-2-甲酰胺)-吡啶、2,6-双(吡嗪-2-甲酰胺)-吡啶和2,6-双(吡啶-2-甲酰胺)-吡啶中的一种或多种。
[0028]
2,6-双(喹啉-2-甲酰胺)-吡啶：
[0029]
2,6-双(吡嗪-2-甲酰胺)-吡啶：
[0030]
2,6-双(吡啶-2-甲酰胺)-吡啶：
[0031]
本发明实施例中，优选2,6-双(喹啉-2-甲酰胺)-吡啶，该2,6-双(喹啉-2-甲酰胺)-吡啶中，r1和r2两端为喹啉，喹啉具有更大的环，这样π-π堆积更有序，这样可以形成更加稳定有序的量子点膜。
[0032]
上述表面配体可以更好地结合在量子点表面(如图1所示)，从而可以提高提高量子点的稳定性和发光性能。
[0033]
相应地，本发明还提供上述表面配体用作量子点表面配体的应用。
[0034]
具体地，一种量子点，所述量子点结合有上述表面配体。该量子点其表面结合有本发明实施例的上述特有的表面配体，将该表面配体作为量子点的表面配体，可以使量子点更加稳定，且可以使量子点稳定有序地成膜，而且量子点发光效率和电荷传输更加平衡，用于量子点发光二极管可以提高器件的发光性能。
[0035]
相应地，一种量子点的制备方法，如图2所示，该制备方法包括如下步骤：
[0036]
s01：提供初始量子点溶液，所述初始量子点溶液中的初始量子点表面结合有初始配体；
[0037]
s02：将本发明上述表面配体与所述初始量子点溶液混合，进行配体交换反应，得到所述量子点。
[0038]
上述制备方法，通过对量子点进行配体交换反应，结合本发明实施例特有的表面配体，从而可以提高量子点与表面配体的结合牢固性，使量子点胶体溶液稳定性更好，从而打印成膜后可以提高量子点器件发光性能。
[0039]
具体地，将预先配制好的结合有初始配体的初始量子点溶液，然后与上述表面配体混合，在一定温度下(如20-300℃)搅拌预定时间后，发生配体交换反应，清洗后得到表面为上述表面配体的量子点。在一个实施例中，所述初始配体选自油酸、油胺、三辛基磷和三辛基氧磷中的至少一种；所述初始量子点溶液中的溶剂选自甲苯、氯仿、氯苯、四氯化碳、正己烷和辛烷中的至少一种。
[0040]
进一步地，所述配体交换反应的温度为20-300℃；所述配体交换反应的时间为3-5h。该条件下配体交换效果更好。
[0041]
进一步地，所述初始配体与所述表面配体的摩尔比为1:1～1:50，该条件下可以使配体充分交换，具体优选为1:5；更进一步地，所述初始量子点溶液中初始量子点浓度为10-50mg/ml。
[0042]
进一步地，所述配体交换反应之后，还包括加入极性溶剂进行清洗的步骤。
[0043]
在一个具体实施例中，一种量子点制备方法的步骤包括：
[0044]
将预先配置好的初始量子点溶液与上述表面配体混合(初始配体与上述表面配体摩尔比为1:1～1:50)，在一定温度下(20-300℃)搅拌预定时间后，发生配体交换反应，清洗后得到表面为所述配体的量子点。其中，所述配原体包括但不限于油酸、油胺、三辛基膦、三辛基氧膦中的至少一种；所述量子点为二元相量子点、三元相量子点或四元相量子点，其中，所述二元相量子点包括但不限于cds、cdse、cdte、inp、ags、pbs、pbse、hgs中的至少一
种；所述三元相量子点包括但不限于zn
x
cd
1-x
s、cu
x
in
1-x
s、zn
x
cd
1-x
se、zn
x
se
1-x
s、zn
x
cd
1-x
te、pbse
xs1-x
中的至少一种；所述四元相量子点包括zn
x
cd
1-x
s/znse、cu
x
in
1-x
s/zns、zn
x
cd
1-x
se/zns、cuinses、zn
x
cd
1-x
te/zns、pbse
xs1-x
/zns中的至少一种，其中0《x《1。
[0045]
最后，本发明实施例还提供一种量子点发光二极管，如图3所示，包括阳极1、阴2极和位于所述阳极1和阴极2之间的量子点发光层3，所述量子点发光层3由本发明实施例上述量子点和/或本发明实施例上述制备方法得到的量子点组成。
[0046]
本发明实施例提供的量子点发光二极管，其量子点发光层由本发明实施例特有的量子点组成，该量子点结合的表面配体可以使量子点更加稳定，且可以使量子点更加稳定有序地成膜，且量子点发光效率和电荷传输更加平衡，这样的量子点发光层可以提高量子点发光二极管的发光性能。
[0047]
在一个实施例中，所述阳极和所述量子点发光层之间还可以设置空穴功能层，该空穴功能层可以是空穴传输层，或者层叠的空穴注入层和空穴传输层，其中空穴注入层与阳极相邻。或者，所述阴极和所述量子点发光层之间还可以设置电子功能层，该电子功能层可以是电子传输层，或者层叠的电子注入层和电子传输层，其中电子注入层与阴极相邻。
[0048]
进一步地，所述量子点发光二极管可以为正置型量子点发光二极管或倒置型量子点发光二极管。
[0049]
对应，一种qled器件制备方法，包括如下步骤：
[0050]
步骤s1、将制作有底电极的基板进行处理。其中基板可以是刚性基板，例如玻璃，也可以是柔性基板，例如pi。在所述基板上制作底电极，例如形成ito基底。然后将图案化的ito基板清洗干净，在沉积其他功能层前将干净的ito基板用紫外-臭氧或氧气等离子体处理，以进一步除去ito表面附着的有机物并提高ito的功函数。
[0051]
步骤s2、在处理过的基板表面沉积一层空穴注入层，此层厚度10～100nm，空穴注入材料可以是水溶性的pedot:pss，也可以是其它具有良好空穴注入性能的材料，如nio、moo3、wo3或v2o5等，此处优选pedot:pss作为空穴注入层。
[0052]
步骤s3、将基板置于氮气气氛中，在空穴注入层表面沉积一层空穴传输层，此空穴传输材料可以是常用的聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)(tfb)、聚乙烯咔唑(pvk)、聚(n,n'双(4-丁基苯基)-n,n'-双(苯基)联苯胺)(poly-tpd)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-n,n-苯基-1,4-苯二胺)(pfb)、4,4’,4
”-
三(咔唑-9-基)三苯胺(tcta)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(cbp)、n,n
’-
二苯基-n,n
’-
二(3-甲基苯基)-1,1
’-
联苯-4,4
’-
二胺(tpd)、n,n
’-
二苯基-n,n
’-
(1-萘基)-1,1
’-
联苯-4,4
’-
二胺(npb)中的一种或多种，还可以是其它高性能的空穴传输材料，所沉积的空穴传输层厚度1～100nm。
[0053]
步骤s4、随后，在空穴传输层上沉积一层量子点发光层，量子点发光层的材料可以为常见的红光量子点、绿光量子点、蓝光量子点中的一种或多种，厚度约10-100nm，所述量子点为二元相量子点、三元相量子点或四元相量子点，其中，所述二元相量子点包括但不限于cds、cdse、cdte、inp、ags、pbs、pbse、hgs中的至少一种；所述三元相量子点包括但不限于zn
x
cd
1-x
s、cu
x
in
1-x
s、zn
x
cd
1-x
se、zn
x
se
1-x
s、zn
x
cd
1-x
te、pbse
xs1-x
中的至少一种；所述四元相量子点包括zn
x
cd
1-x
s/znse、cu
x
in
1-x
s/zns、zn
x
cd
1-x
se/zns、cuinses、zn
x
cd
1-x
te/zns、pbse
xs1-x
/zns中的至少一种；其中0《x《1。所述量子点表面结合有本发明实施例的上述表面配体。
[0054]
步骤s5、然后再制备一层电子传输层，所述电子传输层的材料可以选自具有良好电子传输性能的材料，例如可以为但不限于n型的zno、tio2、fe2o3、sno2、ta2o3、alzno、znsno、insno等中的一种或多种。优选地，所述电子传输层的材料为n型的zno，其较佳的厚度为10～60nm。
[0055]
步骤s6、最后，将片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层顶电极，可以是al、ag、au或cu等，厚度60～120nm，得到qled器件。
[0056]
另外，本方案也可用于反型qled器件中，其包括步骤:在底电极上沉积电子传输层、量子点发光层、空穴注入层、空穴传输层、顶电极。
[0057]
本发明先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明。
[0058]
实施例1
[0059]
量子点制备：首先取200mg cdse/znse量子点(配体是油酸)与10ml的正己烷加入到三口烧瓶中通氩气保护，常温下充分搅拌10min使量子点完全溶解，再将8mmol的2,6-双(喹啉-2-甲酰胺)-吡啶，加入到量子点溶液中，常温搅拌4h，使量子点表面的油酸被充分交换掉。然后再对交换后的量子点混合液加入乙酸乙酯、甲醇进行多次离心分离，得到表面结合2,6-双(喹啉-2-甲酰胺)-吡啶配体的量子点。
[0060]
qled器件制备步骤如下：
[0061]
首先，将图案化的ito基板按次序置于丙酮洗液，去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，以上每一步超声均需持续15分钟左右。待超声完成后将ito放置于洁净烘箱内烘干备用；待ito基板烘干后，用紫外-臭氧处理ito表面5分钟，以进一步除去ito表面附着的有机物并提高ito的功函数；
[0062]
然后，在经过上步处理的ito基板上旋涂一层空穴注入层pedot:pss，此层的厚度为30nm，并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去水分，此步需在空气中完成；
[0063]
紧接着，将干燥后的涂有空穴注入层的基板置于氮气气氛中，旋涂一层空穴传输层材料tfb，此层的厚度为30nm，并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去溶剂；
[0064]
待上一步处理的片子冷却后，将浓度20mg/ml上述红色量子点(表面结合2,6-双(喹啉-2-甲酰胺)-吡啶配体)溶液旋涂在空穴传输层表面，其厚度为20nm。这一步的沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂；
[0065]
随后，再旋涂一层zno电子传输层，沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热30分钟，其厚度为50nm；
[0066]
最后，将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的银作为阴极，器件制备完成。
[0067]
制备好的器件测试结果表明，采用表面配体为2,6-双(喹啉-2-甲酰胺)-吡啶的量子点制备的器件与原油酸配体量子点制备的器件相比，外量子效率(eqe)明显提高，由原来的12.2％提高到18.3％。
[0068]
实施例2
[0069]
量子点制备：首先取200mg cdse/znse量子点(配体是油酸)与10ml的正己烷加入到三口烧瓶中通氩气保护，常温下充分搅拌10min使量子点完全溶解，再将8mmol的2,6-双(吡嗪-2-甲酰胺)-吡啶，加入到量子点溶液中，常温搅拌4h，使量子点表面的油酸被充分交
换掉。然后再对交换后的量子点混合液加入乙酸乙酯、甲醇进行多次离心分离，得到表面结合2,6-双(喹啉-2-甲酰胺)-吡啶配体的量子点。
[0070]
qled器件制备步骤如下：
[0071]
首先，将图案化的ito基板按次序置于丙酮洗液，去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，以上每一步超声均需持续15分钟左右。待超声完成后将ito放置于洁净烘箱内烘干备用；待ito基板烘干后，用紫外-臭氧处理ito表面5分钟，以进一步除去ito表面附着的有机物并提高ito的功函数；
[0072]
然后，在经过上步处理的ito基板上旋涂一层空穴注入层pedot:pss，此层的厚度为30nm，并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去水分，此步需在空气中完成；
[0073]
紧接着，将干燥后的涂有空穴注入层的基板置于氮气气氛中，旋涂一层空穴传输层材料tfb，此层的厚度为30nm，并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去溶剂；
[0074]
待上一步处理的片子冷却后，将浓度20mg/ml上述红色量子点(表面结合2,6-双(吡嗪-2-甲酰胺)-吡啶配体)溶液旋涂在空穴传输层表面，其厚度为20nm。这一步的沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂；
[0075]
随后，再旋涂一层zno电子传输层，沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热30分钟，其厚度为50nm；
[0076]
最后，将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的银作为阴极，器件制备完成。
[0077]
制备好的器件测试结果表明，采用表面配体为2,6-双(吡嗪-2-甲酰胺)-吡啶的量子点制备的器件与原油酸配体量子点制备的器件相比，外量子效率(eqe)明显提高，由原来的12.2％提高到16.5％。
[0078]
实施例3
[0079]
量子点制备：首先取200mg cdse/znse量子点(配体是油酸)与10ml的正己烷加入到三口烧瓶中通氩气保护，常温下充分搅拌10min使量子点完全溶解，再将8mmol的2,6-双(吡啶-2-甲酰胺)-吡啶，加入到量子点溶液中，常温搅拌4h，使量子点表面的油酸被充分交换掉。然后再对交换后的量子点混合液加入乙酸乙酯、甲醇进行多次离心分离，得到表面结合2,6-双(喹啉-2-甲酰胺)-吡啶配体的量子点。
[0080]
qled器件制备步骤如下：
[0081]
首先，将图案化的ito基板按次序置于丙酮洗液，去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，以上每一步超声均需持续15分钟左右。待超声完成后将ito放置于洁净烘箱内烘干备用；待ito基板烘干后，用紫外-臭氧处理ito表面5分钟，以进一步除去ito表面附着的有机物并提高ito的功函数；
[0082]
然后，在经过上步处理的ito基板上旋涂一层空穴注入层pedot:pss，此层的厚度为30nm，并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去水分，此步需在空气中完成；
[0083]
紧接着，将干燥后的涂有空穴注入层的基板置于氮气气氛中，旋涂一层空穴传输层材料tfb，此层的厚度为30nm，并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去溶剂；
[0084]
待上一步处理的片子冷却后，将浓度20mg/ml上述红色量子点(表面结合2,6-双(吡啶-2-甲酰胺)-吡啶配体)溶液旋涂在空穴传输层表面，其厚度为20nm。这一步的沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂；
[0085]
随后，再旋涂一层zno电子传输层，沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热30分钟，其厚度为50nm；
[0086]
最后，将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的银作为阴极，器件制备完成。
[0087]
制备好的器件测试结果表明，采用表面配体为2,6-双(吡啶-2-甲酰胺)-吡啶的量子点制备的器件与原油酸配体量子点制备的器件相比，外量子效率(eqe)明显提高，由原来的12.2％提高到13.3％。
[0088]
实施例4
[0089]
量子点制备：首先取200mg cdse/znse/zns量子点(配体是油酸)与10ml的正己烷加入到三口烧瓶中通氩气保护，常温下充分搅拌10min使量子点完全溶解，再将5mmol的2,6-双(喹啉-2-甲酰胺)-吡啶，加入到量子点溶液中，常温搅拌4h，使量子点表面的油酸被充分交换掉。然后再对交换后的量子点混合液加入乙酸乙酯、甲醇进行多次离心分离，得到表面结合2,6-双(喹啉-2-甲酰胺)-吡啶配体的量子点。
[0090]
qled器件制备步骤如下：
[0091]
首先，将图案化的ito基板按次序置于丙酮洗液，去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，以上每一步超声均需持续15分钟左右。待超声完成后将ito放置于洁净烘箱内烘干备用；待ito基板烘干后，用紫外-臭氧处理ito表面5分钟以进一步除去ito表面附着的有机物并提高ito的功函数；
[0092]
然后，在经过上步处理的ito基板上旋涂一层空穴注入层pedot:pss，此层的厚度为30nm，并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去水分，此步需在空气中完成；
[0093]
紧接着，将干燥后的涂有空穴注入层的基板置于氮气气氛中，旋涂一层空穴传输层材料tfb，此层的厚度为30nm，并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去溶剂；
[0094]
待上一步处理的片子冷却后，将浓度15mg/ml上述绿色量子点(表面结合2,6-双(喹啉-2-甲酰胺)-吡啶配体)溶液旋涂在空穴传输层表面，其厚度为20nm。这一步的沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂；
[0095]
随后，再旋涂一层zno电子传输层，沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热30分钟，其厚度为50nm；
[0096]
最后，将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的银作为阴极，器件制备完成。
[0097]
制备好的器件测试结果表明，采用表面配体为2,6-双(喹啉-2-甲酰胺)-吡啶的量子点制备的器件与原油酸配体量子点制备的器件相比，外量子效率明显提高，由原来的9.5％提高到14.6％。
[0098]
实施例5
[0099]
量子点制备：首先取200mg cdznse/znse/zns量子点(配体是油酸)与10ml的正己烷加入到三口烧瓶中通氩气保护，常温下充分搅拌10min使量子点完全溶解，再将2mmol的2,6-双(喹啉-2-甲酰胺)-吡啶，加入到量子点溶液中，常温搅拌4h，使量子点表面的油酸被充分交换掉。然后再对交换后的量子点混合液加入乙酸乙酯、甲醇进行多次离心分离，得到表面结合2,6-双(喹啉-2-甲酰胺)-吡啶配体的量子点。
[0100]
qled器件制备步骤如下：
[0101]
首先，将图案化的ito基板按次序置于丙酮，洗液，去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，以上每一步超声均需持续15分钟左右。待超声完成后将ito放置于洁净烘箱内烘干备用；待ito基板烘干后，用紫外-臭氧处理ito表面5分钟以进一步除去ito表面附着的有机物并提高ito的功函数；
[0102]
然后，在经过上步处理的ito基板上旋涂一层空穴注入层pedot:pss，此层的厚度为30nm，并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去水分，此步需在空气中完成；
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紧接着，将干燥后的涂有空穴注入层的基板置于氮气气氛中，旋涂一层空穴传输层材料tfb，此层的厚度为30nm，并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去溶剂；
[0104]
待上一步处理的片子冷却后，将浓度15mg/ml上述蓝色量子点(表面结合2,6-双(喹啉-2-甲酰胺)-吡啶配体)溶液旋涂在空穴传输层表面，其厚度为20nm。这一步的沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂；
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随后，再旋涂一层zno电子传输层，沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热30分钟，其厚度为50nm；
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最后，将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的银作为阴极，器件制备完成。
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制备好的器件测试结果表明，采用表面配体为2,6-双(喹啉-2-甲酰胺)-吡啶的量子点制备的器件与原油酸配体量子点制备的器件相比，外量子效率(eqe)明显提高，由原来的7.1％提高到9.6％。
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以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。