异质结太阳能电池及其制备方法与流程

1.本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。


背景技术：

2.太阳能电池是基于光生伏特效应，将太阳能直接转化成电能的装置。目前，晶体硅太阳能电池是光伏工业的主流，占据80％以上的市场。异质结(heterojunction with intrinsic thin layer，简称hjt)电池是一种重要的太阳能电池，异质结结构就是以n型晶硅衬底为中心，在n型晶硅衬底的两侧设有p型非晶硅层和n型非晶硅层，异质结结构具有两种半导体各自的pn结都不能达到的优良的光电特性，使用异质结结构制备电池是非常具有市场竞争力的太阳能电池技术。
3.太阳能电池通常还包括用于收集载流子的透明导电膜，要求具有高光透过率、低电阻率、低接触电阻、良好的稳定性和适宜规模化量产的性能，但是现有技术中异质结太阳能电池，其衬底两侧的透明导电膜都采用价格昂贵的含铟材料制成，导致生产成本较高，且可能产生有毒环境。如若更改透明导电膜的材料，则会导致透明导电膜的稳定性变差等一系列相关问题。为实现增效降本，现有技术中提供的透明导电膜的结构有待改进。


技术实现要素：

4.本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中异质结太阳能电池的透明导电膜的稳定性较差且成本较高的问题，从而提供一种异质结太阳能电池及其制备方法。
5.一方面，本发明提供一种异质结太阳能电池，包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层一侧的第一透明导电膜，所述第一透明导电膜的材料包括掺杂氧化锌；位于部分所述第一透明导电膜背离所述半导体衬底层一侧表面的第一栅线，若干所述第一栅线间隔设置；位于部分所述第一透明导电膜背离所述半导体衬底层一侧表面的保护膜，所述保护膜与所述第一栅线相邻设置、且至少遮挡所述第一栅线的部分侧壁。
6.可选的，所述掺杂氧化锌包括掺铝氧化锌或者掺镓氧化锌。
7.可选的，所述第一透明导电膜的质量掺杂浓度为1％～3％；。
8.可选的，所述第一透明导电膜的厚度为50nm～300nm。
9.可选的，所述第一透明导电膜的电阻率为1
×
10-4
ω
·
cm～10
×
10-4
ω
·
cm。
10.可选的，所述第一透明导电膜的载流子迁移率为20cm2/vs～50cm2/vs。
11.可选的，所述第一透明导电膜的透过率大于等于88％。
12.可选的，所述第一透明导电膜为背面透明导电膜。
13.可选的，所述保护膜的材料包括二氧化硅。
14.可选的，所述保护膜的厚度为2nm～30nm。
15.可选的，所述保护膜的透过率大于等于90％。
16.可选的，还包括：位于所述半导体衬底层背离所述第一透明导电膜一侧的第二透
明导电膜，所述第二透明导电膜的材料包括铟系氧化物。
17.可选的，所述铟系氧化物包括掺锡氧化铟、掺钨氧化铟或者掺钼氧化铟。
18.可选的，所述铟系氧化物的质量掺杂浓度为3％～10％。
19.可选的，所述第二透明导电膜的厚度为50nm～120nm。
20.可选的，所述第二透明导电膜的电阻率为1
×
10-4
ω
·
cm～10
×
10-4
ω
·
cm。
21.可选的，所述第二透明导电膜的迁移率为20cm2/vs～100cm2/vs。
22.可选的，所述第二透明导电膜的透过率大于等于95％。
23.可选的，所述第二透明导电膜为正面透明导电膜。
24.可选的，还包括：位于所述第一透明导电膜和所述半导体衬底层之间的第一半导体掺杂层；位于所述第一半导体掺杂层和所述半导体衬底层之间的第一本征半导体层；位于所述第二透明导电膜和所述半导体衬底层之间的第二半导体掺杂层；位于所述第二半导体掺杂层和所述半导体衬底层之间的第二本征半导体层。
25.另一方面，本发明还提供一种异质结太阳能电池的制备方法，包括步骤：提供半导体衬底层；还包括步骤：在所述半导体衬底层的一侧形成第一透明导电膜，所述第一透明导电膜的材料为掺杂氧化锌；在部分所述第一透明导电膜背离所述半导体衬底层一侧表面形成保护膜，所述保护膜暴露出部分第一透明导电膜；在所述保护膜暴露出的部分所述第一透明导电膜的表面形成第一栅线，若干所述第一栅线间隔设置,所述保护膜与所述第一栅线相邻设置、且至少遮挡所述第一栅线的部分侧壁。
26.可选的，采用物理气相沉积工艺形成所述第一透明导电膜；形成所述第一透明导电膜的工艺参数包括：靶材采用铝锌合金靶材或者镓锌合金靶材，铝锌合金靶材中铝的质量掺杂浓度为1％～3％，镓锌合金靶材中镓的质量掺杂浓度为1％～3％，功率密度为3kw/m2～15kw/m2，腔室压强为0.2pa～0.6pa，腔室中具有氧气与氩气，氧气与氩气的流量比为0.005：1～0.02：1。
27.可选的，所述第一透明导电膜在垂直于所述半导体衬底层表面的方向上的生长速率为3nm/s～20nm/s。
28.可选的，形成所述保护膜的步骤包括：在部分所述第一透明导电膜背离所述半导体衬底层一侧表面形成保护材料层；去除部分所述保护材料层直至暴露出部分所述第一透明导电膜，使所述保护材料层形成所述保护膜。
29.可选的，采用物理气相沉积工艺形成所述保护材料层；形成所述保护材料层的工艺参数包括：靶材包括二氧化硅靶材，功率密度为0.5kw/m2～5kw/m2，腔室压强为0.2pa～0.6pa，腔室中具有氧气与氩气，氧气与氩气的流量比为0.01：1～0.2：1。
30.可选的，所述保护材料层在垂直于所述半导体衬底层表面的方向上的生长速率为0.5nm/s～10nm/s。
31.可选的，刻蚀部分所述保护材料层的工艺包括丝网印刷腐蚀工艺或者激光刻蚀工艺。
32.可选的，所述丝网印刷腐蚀工艺采用的刻蚀油墨中包括氢氧化钠或者氢氟酸。
33.可选的，还包括：在所述半导体衬底层背离所述第一透明导电膜的一侧形成第二透明导电膜，所述第二透明导电膜的材料包括铟系氧化物。
34.可选的，采用物理气相沉积工艺形成所述第二透明导电膜；形成所述第二透明导
电膜的工艺参数包括：靶材采用掺锡氧化铟靶材、掺钨氧化铟靶材或者掺钼氧化铟靶材，掺杂离子的浓度为3％～10％，功率密度为3kw/m2～15kw/m2，腔室压强为0.3pa～1pa，腔室中具有氧气与氩气，氧气与氩气的流量比为0.005：1～0.05：1。
35.可选的，所述第二透明导电膜在垂直于所述半导体衬底层表面的方向上的膜层生长速率为3nm/s～20nm/s。
36.本发明的技术方案具有以下有益效果：
37.1.本发明提供的异质结太阳能电池，该异质结太阳能电池的第一透明导电膜的材料包括掺杂氧化锌，减少使用含铟这种稀缺且有毒性的材料，既能保证光学性能，又降低异质结太阳能电池的成本、有利于环境保护；且保护膜能够防止第一透明导电膜受水汽影响，提高第一透明导电膜的稳定性。
38.2.进一步，保护膜的材料包括二氧化硅，二氧化硅既具有较好的致密性能够防止水汽入侵第一透明导电膜，又具有一定的透光率能满足第一太阳光的入射。
39.3.本发明提供的异质结太阳能电池的制备方法，该异质结太阳能电池的第一透明导电膜的材料包括掺杂氧化锌，减少使用含铟这种稀缺且有毒性的材料，既降低异质结太阳能电池的成本又有利于环境保护；且保护膜能够防止第一透明导电膜受水汽影响，提高第一透明导电膜的稳定性。
附图说明
40.为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
41.图1为本发明一实施例提供的异质结太阳能电池的结构示意图；
42.图2为本发明一实施例提供的异质结太阳能电池的制备方法的流程示意图。
43.附图标记：
44.1-半导体衬底层；2-第一透明导电膜；3-第一栅线；4-保护膜；5-第一半导体掺杂层；6-第一本征半导体层；7-第二半导体掺杂层；8-第二本征半导体层；9-第二栅线；10-第二透明导电膜。
具体实施方式
45.现有技术提供的氧化铟锡透明导电膜，由于氧化铟锡中的铟为稀有金属，导致透明导电膜制备成本高，并且铟具有毒性，不利于环境保护。
46.找寻氧化铟锡的替代物，一方面必须满足光转化效率的要求，另一方面还要考虑其他电学性能、结构的稳定性的要求。目前，光伏行业在对新材料的研究和转用上已经开始多种尝试，但都没有得到能同时兼顾光学效能、结构稳定性以及经济性的较佳选择。
47.在此基础上，本发明提出一种异质结太阳能电池及其制备方法，使得背面透明导电膜在保证光学性能的基础上，稳定性得到提高，且成本较低。
48.下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术
人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
49.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
50.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电学连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
51.此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
52.实施例1
53.本实施例提供一种异质结太阳能电池，请参考图1，包括：
54.半导体衬底层1；
55.位于所述半导体衬底层1一侧的第一透明导电膜2，所述第一透明导电膜2的材料包括掺杂氧化锌；
56.位于部分所述第一透明导电膜2背离所述半导体衬底层1一侧表面的第一栅线3，若干所述第一栅线3间隔设置；
57.位于部分所述第一透明导电膜2背离所述半导体衬底层1一侧表面的保护膜4，所述保护膜4与所述第一栅线3相邻设置、且至少遮挡所述第一栅线3的部分侧壁。
58.半导体衬底层1包括硅衬底，例如，n型晶硅衬底。
59.第一栅线3包括银栅线。
60.在一个实施例中，若干所述第一栅线3是平行间隔设置的。
61.在一个实施例中，所述第一透明导电膜2为背面透明导电膜。
62.所述掺杂氧化锌包括掺铝氧化锌(azo)或者掺镓氧化锌(gzo)。
63.所述第一透明导电膜2的质量掺杂浓度为1％～3％，例如，1％、1.5％或者2％。
64.所述第一透明导电膜2的厚度为50nm～300nm，例如，50nm、100nm、150nm、200nm、250nm或者300nm。第一透明导电膜2的厚度较厚，可以降低第一透明导电膜2的电阻，因此可以减少第一栅线3的数目，减少第一栅线3使得减少银材料的使用，也可以在一定程度上降低成本。
65.所述第一透明导电膜2的电阻率为1
×
10-4
ω
·
cm～10
×
10-4
ω
·
cm，例如，1
×
10-4
ω
·
cm、3
×
10-4
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·
cm、5
×
10-4
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·
cm、7
×
10-4
ω
·
cm、9
×
10-4
ω
·
cm或者10
×
10-4
ω
·
cm。
66.所述第一透明导电膜2的载流子迁移率为20cm2/vs～50cm2/vs，例如，20cm2/vs、30cm2/vs、40cm2/vs或者50cm2/vs。
67.所述第一透明导电膜的透过率大于或等于88％，例如88％、90％、92％、95％或者98％。第一透明导电膜的透过率大于或等于88％，能保证太阳光照射异质结太阳能电池时，
有充足的太阳光进入半导体衬底层1产生足够多的光生载流子，能降低太阳光在由背光面进入异质结太阳能电池内部时的损耗。
68.所述保护膜4的材料包括二氧化硅，二氧化硅既具有较好的致密性能够防止水汽入侵第一透明导电膜2，又具有一定的透光率能满足背面太阳光反射后的入射。
69.所述保护膜4的厚度为5nm～30nm，例如，5nm、10nm、15nm、20nm、25nm或者30nm。本实施例中，保护膜4的厚度小于第一栅线3的厚度，也就是保护膜4与第一栅线3相邻设置、且至少遮挡所述第一栅线3的部分侧壁表面。保护膜4的厚度和第一栅线3的厚度均指的是在在垂直于半导体衬底层1表面方向上的尺寸。保护膜4的厚度小于第一栅线3，利于保护膜4具有高的透过率，其次，保护膜4的厚度大于等于5nm,这样使得保护膜4能够有效的阻止水汽入侵第一透明导电膜2。
70.所述保护膜4的透过率大于或等于90％，例如，90％、92％或者95％。
71.也就是说，在本实施例中，背面采用zno基透明导电膜复合结构，例如为(azo，gzo)/sio2结构，从而提供高透过率、低电阻、稳定性良好、低原料成本的膜层材料。
72.异质结太阳能电池还包括：位于所述半导体衬底层1背离所述第一透明导电膜2一侧的第二透明导电膜10，所述第二透明导电膜10的材料包括铟系氧化物。
73.所述铟系氧化物包括掺锡氧化铟、掺钨氧化铟或者掺钼氧化铟。
74.在一个实施例中，所述第二透明导电膜10为正面透明导电膜。
75.在一个实施例中，所述铟系氧化物的质量掺杂浓度为3％～10％，例如3％、5％、7％或者10％。
76.在一个实施例中，所述第二透明导电膜10的厚度为50nm～120nm，例如，50nm、70nm、90nm、110nm或者120nm。
77.在一个实施例中，所述第二透明导电膜10的电阻率为1
×
10-4
ω
·
cm～10
×
10-4
ω
·
cm，例如，1
×
10-4
ω
·
cm、3
×
10-4
ω
·
cm、5
×
10-4
ω
·
cm、7
×
10-4
ω
·
cm、9
×
10-4
ω
·
cm或者10
×
10-4
ω
·
cm。
78.在一个实施例中，所述第二透明导电膜10的迁移率为20cm2/vs～100cm2/vs，例如，20cm2/vs、30cm2/vs、40cm2/vs、60cm2/vs、80cm2/vs或者100cm2/vs。
79.在一个实施例中，所述第二透明导电膜10的透过率大于或等于95％，例如95％、96％、97％、98％或者99％。
80.异质结太阳能电池还包括：位于所述第一透明导电膜2和所述半导体衬底层1之间的第一半导体掺杂层5；位于所述第一半导体掺杂层5和所述半导体衬底层1之间的第一本征半导体层6；位于所述第二透明导电膜10和所述半导体衬底层1之间的第二半导体掺杂层7；位于所述第二半导体掺杂层7和所述半导体衬底层1之间的第二本征半导体层8；位于第二透明导电膜10背离半导体衬底层1一侧表面的第二栅线9。
81.本实施例提供的异质结太阳能电池，该异质结太阳能电池的第一透明导电膜2的材料包括掺杂氧化锌，减少使用含铟这种稀缺且有毒性的材料，既能保证光学性能，又降低异质结太阳能电池的成本、有利于环境保护；且保护膜4能够防止第一透明导电膜2受水汽影响，提高第一透明导电膜2的稳定性。
82.实施例2
83.本实施例提供一种异质结太阳能电池的制备方法，请参考图2，包括如下步骤：
84.s1:提供半导体衬底层1；
85.s2:在所述半导体衬底层1的一侧形成第一透明导电膜2，所述第一透明导电膜2的材料包括掺杂氧化锌；
86.s3:在部分所述第一透明导电膜2背离所述半导体衬底层1一侧表面形成保护膜4，所述保护膜4暴露出部分第一透明导电膜2；
87.s4:在所述保护膜4暴露出的部分所述第一透明导电膜2的表面形成第一栅线，若干所述第一栅线间隔设置,所述保护膜与所述第一栅线相邻设置、且至少遮挡所述第一栅线的部分侧壁。
88.本实施例中，还包括：在所述半导体衬底层1的一侧表面形成第一本征半导体层6；在所述半导体衬底层1的另一侧表面形成第二本征半导体层8；在第一本征半导体层6背离半导体衬底层1的一侧表面形成第一半导体掺杂层5；在第二本征半导体层8背离半导体衬底层1的一侧表面形成第二半导体掺杂层7。形成第一半导体掺杂层5之后，形成所述第一透明导电膜2。
89.本实施例中，采用物理气相沉积工艺形成所述第一透明导电膜2。
90.形成所述第一透明导电膜2的工艺参数包括：靶材采用铝锌合金靶材或者镓锌合金靶材，铝锌合金靶材中铝的质量掺杂浓度为1％～3％,例如，1％、2％或者3％，如果掺杂浓度太低会导致膜层电阻增大，如果掺杂浓度太高会导致膜层透光率下降。镓锌合金靶材中镓的质量掺杂浓度为1％～3％，例如，1％、2％或者3％；功率密度为3kw/m2～15kw/m2，例如，3kw/m2、5kw/m2、7kw/m2、9kw/m2、11kw/m2、13kw/m2或者15kw/m2，如果功率密度过低，会导致沉积工艺达不到启辉条件，如果功率密度过高，会导致沉积腔室的温升较高，容易导致靶材开裂，同时对冷却要求较高；腔室压强为0.2pa～0.6pa，例如，0.2pa、0.4pa、0.5pa或者0.6pa；如果压强太低会导致辉光不稳定，如果压强太高会导致薄膜电阻增加。腔室中具有氧气与氩气，氧气与氩气的流量比为0.005：1～0.02：1，如果氧气的流量过低会导致的流量不易控制，如果氧气的流量过高会导致电阻增加。例如，0.005：1、0.01：1、0.015：1、0.017：1、0.019：1或者0.02：1，腔室温度25～250℃。
91.所述第一透明导电膜2在垂直于所述半导体衬底层表面的方向上的生长速率为3nm/s～20nm/s，例如，3nm/s、5nm/s、7nm/s、9nm/s、11nm/s、13nm/s、15nm/s、17nm/s、19nm/s或者20nm/s，如果生长速率太低或太高都不利于形成均匀致密的膜层结构。
92.在一个具体的实施例中，形成第一透明导电膜2的工艺参数为：腔室温度为100℃，氩气的流量为1000sccm，氧气的流量为10sccm，腔室压强为0.4pa，功率密度为5kw/m2。形成的第一透明导电膜2的厚度为70nm。
93.形成所述保护膜4的步骤包括：在部分所述第一透明导电膜2背离所述半导体衬底层1一侧表面形成保护材料层，保护材料层的厚度为2nm～30nm，例如，5nm、10nm、15nm、20nm、25nm或者30nm；去除部分所述保护材料层直至暴露出部分所述第一透明导电膜2，使所述保护材料层形成所述保护膜，保护膜的厚度为2nm～30nm。
94.本实施例中，采用物理气相沉积工艺形成所述保护材料层。
95.形成所述保护材料层的工艺参数包括：靶材包括二氧化硅靶材，功率密度为0.5kw/m2～5kw/m2，例如，0.5kw/m2、1kw/m2、2kw/m2、3kw/m2、4kw/m2或者5kw/m2，如果功率密度过低，会导致沉积工艺达不到启辉条件，如果功率密度过高，会导致沉积腔室的温升较
高，容易导致靶材开裂，同时对冷却要求较高；腔室的压强为0.2pa～0.6pa，例如，0.2pa、0.4pa、0.5pa或者0.6pa，如果压强太低会导致辉光不稳定，如果压强太高会导致薄膜电阻增加；腔室中氧气与氩气的流量比为0.01：1～0.2：1，例如，0.01：1、0.03：1、0.05：1、0.1：1、0.15：1或者0.2：1，如果氧气的流量过低会导致的流量不易控制，如果氧气的流量过高会导致电阻增加；腔室温度为25～100℃。
96.所述保护材料层的生长速率为0.5nm/s～10nm/s，例如，0.5nm/s、1nm/s、3nm/s、5nm/s、7nm/s、9nm/s或者10nm/s。
97.在一个具体的实施例中，形成保护材料层的工艺参数为：腔室温度为100℃，氩气的流量为800sccm，氧气的流量为80sccm，腔室压强为0.3pa，功率密度为1kw/m2。形成的保护材料层的厚度为20nm。
98.去除部分所述保护材料层的工艺包括丝网印刷腐蚀工艺或者激光刻蚀工艺。具体地，所述丝网印刷腐蚀工艺采用的刻蚀油墨中包括氢氧化钠或者氢氟酸；在形成保护材料层之后，在需要设置第一栅线3的位置印刷一层刻蚀油墨，刻蚀油墨腐蚀保护材料层使保护材料层形成保护膜4。或者，通过激光刻蚀工艺刻蚀保护材料层需要设置第一栅线3的位置使保护材料层形成保护膜4。
99.异质结太阳能电池的制备方法还包括：在所述半导体衬底层1背离所述第一透明导电膜2的一侧形成第二透明导电膜10，所述第二透明导电膜10的材料包括铟系氧化物。
100.本实施例中，采用物理气相沉积工艺形成所述第二透明导电膜10。
101.形成所述第二透明导电膜10的工艺参数包括：靶材采用掺锡氧化铟靶材、掺钨氧化铟靶材或者掺钼氧化铟靶材，靶材中的掺杂离子的浓度为3％～10％,例如，3％、5％、7％、9％或者10％，如果掺杂浓度太低会导致膜层电阻增大，如果掺杂浓度太高会导致膜层透光率下降；功率密度为3kw/m2～15kw/m2，例如，3kw/m2、5kw/m2、7kw/m2、9kw/m2、11kw/m2、13kw/m2或者15kw/m2，如果功率密度过低，会导致沉积工艺达不到启辉条件，如果功率密度过高，会导致沉积腔室的温升较高，容易导致靶材开裂，同时对冷却要求较高；腔室压强为0.3pa～1pa，例如，0.3pa、0.5pa、0.7pa、0.9pa或者1pa，如果压强太低会导致辉光不稳定，如果压强太高会导致薄膜电阻增加；腔室中具有氧气与氩气的，氧气与氩气的流量比为0.005：1～0.05：1，例如，0.005：1、0.01：1、0.02：1、0.03：1、0.04：1或者0.05：1，如果氧气的流量过低会导致的流量不易控制，如果氧气的流量过高会导致电阻增加；腔室温度为25～250℃。
102.所述第二透明导电膜10在垂直于所述半导体衬底层表面的方向上的膜层生长速率为3nm/s～20nm/s，例如，3nm/s、5nm/s、7nm/s、9nm/s、11nm/s、13nm/s、15nm/s、17nm/s、19nm/s或者20nm/s。
103.在一个具体的实施例中，形成所述第二透明导电膜10的工艺参数为：腔室温度为100℃，氩气的流量为1500sccm，氧气的流量为30sccm，腔室压强为0.7pa，功率密度为5kw/m2。形成的第二透明导电膜10的厚度为90nm。
104.最后使用四探针测试仪、分光光度计、霍尔测试仪分别测试第一透明导电膜2的方阻、透过率、载流子浓度和迁移率。
105.经本技术发明人测试，采用该异质结太阳能电池的制备方法得到的电池，得到第一透明导电膜2的方阻为5ω
·
sq～200ω
·
sq，电阻率为1
×
10-4
ω
·
cm～10
×
10-4
ω
·
cm，
载流子的迁移率为20cm2/vs～80cm2/vs，波长为300nm～1100nm的太阳光的透过率不低于88％。也就是说，采用本技术技术方案的第一透明导电膜2与现有技术的透明导电膜的性能相当。
106.本实施例提供的异质结太阳能电池的制备方法，该异质结太阳能电池的第一透明导电膜2的材料包括掺杂氧化锌，减少使用含铟这种稀缺且有毒性的材料，既能保证光学性能，又降低异质结太阳能电池的成本、有利于环境保护；且保护膜4能够防止第一透明导电膜2受水汽影响，提高第一透明导电膜2的稳定性。
107.显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。