一种p-GaN器件的片内过压保护电路的制作方法

技术特征：
1.一种p
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gan器件的片内过压保护电路，其特征在于，包括作为主器件的增强型p
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ganhemt器件、作为小回跳管的触发二极管组；所述增强型p
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ganhemt器件的栅极连接的触发二极管组的一端；所述增强型p
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ganhemt器件的源极连接的触发二极管组的另一端；其中，触发二极管组由多个二极管串联或并联构成。2.根据权利要求1所述的一种p
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gan器件的片内过压保护电路，其特征在于，所述触发二极管组由多个二极管串联构成，触发二极管的阳极连接增强型p
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ganhemt器件的栅极、阴极连接增强型p
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ganhemt器件的源级。3.根据权利要求1所述的一种p
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gan器件的片内过压保护电路，其特征在于，所述触发二极管组由多个二极管串联构成，触发二极管的阴极连接增强型p
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ganhemt器件的栅极、阳极连接增强型p
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ganhemt器件的源级。4.根据权利要求1所述的一种p
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gan器件的片内过压保护电路，其特征在于，所述触发二极管组由多个二极管并联构成，触发二极管的阳极连接增强型p
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ganhemt器件的栅极、阴极连接增强型p
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ganhemt器件的源级。5.根据权利要求1所述的一种p
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gan器件的片内过压保护电路，其特征在于，所述触发二极管组由多个二极管并联构成，触发二极管的阴极连接增强型p
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ganhemt器件的栅极、阳极连接增强型p
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ganhemt器件的源级。

技术总结
本实用新型公开了一种p


技术研发人员：刘毅 徐周 林芳
受保护的技术使用者：芯众享（成都）微电子有限公司
技术研发日：2021.11.16
技术公布日：2021/12/31