器件制造方法和计算机程序与流程

器件制造方法和计算机程序
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求ep申请号19169758.0的优先权，其于2019年4月17日提交，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本发明涉及设备制造方法，特别是使用浸没式光刻装置的设备制造方法，并且涉及计算机程序。


背景技术：

4.光刻装置是一种将所需图案应用到衬底上的机器，通常应用到衬底的目标部分上。光刻装置可用于例如制造集成电路(ic)中。在那种情况下，可以使用图案化设备(备选地称为掩模或掩模版)生成要形成在ic的单个层上的电路图案。该图案可以转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一部分、一个、或几个管芯)上。图案的转移通常是经由成像到衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。
5.浸没技术已被引入光刻系统，以实现较小特征的提高的分辨率。在浸没式光刻装置中，具有相对高折射率的液体的液体层被插入到装置的投影系统(图案化光束通过其朝向衬底投影)和衬底之间的空间中。液体最后覆盖了投影系统的最终透镜元件下方的晶片部分。因此，至少经受曝光的衬底的部分浸入液体中。浸没液体的效果是能够对较小的特征进行成像，因为曝光辐射在液体中将具有比在气体中短的波长。(液体的影响也可以看作是增加了系统的有效数值孔径(na)，也增加了焦深)。
6.在商业浸没光刻中，液体是水。通常，水是高纯度的蒸馏水，诸如半导体制造厂中常用的超纯水(upw)。在浸没系统中，超纯水通常被净化，并且在作为浸没液体供应到浸没空间之前可能经历附加的处理步骤。除了可以使用水作为浸没液体之外，还可以使用具有高折射率的其他液体，例如：碳氢化合物，诸如氟代烃；和/或水溶液。此外，已经设想在浸没光刻中使用除液体之外的其他流体。
7.在本说明书中，将在描述中参考局部浸没，其中在使用中，浸没液体被限制到最终透镜元件和面向最终元件的表面之间的空间。面向的表面是衬底的表面或与衬底表面共面的支撑台(或衬底台)的表面。(请注意，除非另有明确说明，否则在下文中对衬底w的表面的引用也指对衬底台的表面的补充或备选；反之亦然)。存在于投影系统和平台之间的流体处理结构用于将浸没限制在浸没空间。被液体填充的空间在平面上比衬底的顶部表面小，并且在衬底和衬底台在下方移动时，该空间相对于投影系统保持基本静止。
8.流体处理结构是将液体供应到浸没空间、从空间移除液体从而将液体限制在浸没空间的结构。它包括作为流体供应系统一部分的特征。pct专利申请公开号wo 99/49504中公开的布置是一种早期的流体处理结构，包括从空间供应或回收液体的管道，并且取决于投影系统下方的平台的相对运动进行操作。在流体处理结构的更近的设计中，沿着投影系
统的最终元件和衬底台60或衬底w之间的空间的边界的至少一部分延伸，以便部分地限定空间。
9.众所周知，曝光步骤之后残留在衬底上的水可能会引起正在制造的设备中的缺陷。这些缺陷可以通过至少两种机制产生。首先，长时间与光敏层接触的水可能会引起光敏层中的局部化学或物理变化。其次，如果被限制在投影系统下方的浸没液体的弯液面随后与衬底上的水滴碰撞，气泡可能会进入浸没液体并引起成像错误。
10.已经开发出模型来预测如果执行给定的曝光路由，浸没液体何时可能从液体限制系统中损失。然后可以调整路由以减少或消除液体损失的机会，从而减少由液体损失引起的缺陷。曝光路由的改变可能涉及在某些操作期间降低衬底的速度、在曝光扫描开始之前延长准备时间或改变曝光扫描的方向。一般来说，为降低液体流失的风险而改变曝光路由会增加完成衬底的曝光所需的时间，因此通常被称为“减速”。虽然预测液体损失和调整曝光路由的已知方法在减少缺陷方面非常成功，但是由于曝光每个衬底所花费的时间的增加而引起的吞吐量降低是不合需要的。


技术实现要素：

11.例如，期望提供一种减少缺陷的改进方法。
12.根据一个方面，提供了一种设备制造方法，该设备制造方法使用具有局部浸没系统的光刻装置，局部浸没系统用于将浸没液体限制到投影系统和要由投影系统曝光的衬底之间的空间，该方法包括：
13.提供衬底的初始路由，以在其上曝光多个场；
14.预测衬底上的第一位置集合，当使用初始路由被曝光时，衬底上的第一位置集合衬底具有来自浸没系统的剩余液体的风险；
15.确定对初始路由的修改集合，以降低剩余损失的风险；
16.使用初始路由对至少一个测试衬底进行测试曝光；
17.在所曝光的测试衬底中获得缺陷的第二位置集合；
18.通过比较第一位置和第二位置来选择修改集合的子集；以及
19.使用由所选择的修改的子集修改的初始路由曝光多个生产衬底。
20.根据一个方面，提供了一种计算机程序，包括代码部件，代码部件在由计算机系统执行时使计算机系统：
21.接收衬底的初始路由，用于使用具有局部浸没系统的光刻装置对衬底上的多个场进行曝光，局部浸没系统用于将浸没液体限制到投影系统和要由所述投影系统曝光的衬底之间的空间；
22.预测衬底上的位置的第一集合，位置的第一集合具有来自浸没系统的剩余液体的风险；
23.确定对初始路由的修改集合，以降低剩余液体的所述风险；
24.在使用初始路由曝光的至少一个测试衬底中获得缺陷的位置的第二集合；
25.通过比较位置的第一集合和位置的第二集合来选择修改集合的子集；以及
26.通过选定的修改的子集修改初始路由，确定用于曝光多个生产衬底的修改路由。
附图说明
27.现在将仅通过示例的方式参照附图描述本发明的实施例，其中对应的附图标记表示对应的部分，并且在附图中：
28.图1示意性地描绘了光刻装置；
29.图2示意性地描绘了在光刻投影装置中使用的浸没液体限制结构；
30.图3是示意性地描绘了根据实施例的又一浸没液体供应系统的侧剖视图。
31.图4a和4b描绘了当使用高敏感性的光敏层和低敏感性的光敏层时执行由水
‑
损失模型建议的减速的效果；
32.图5a至5c描述了将测量的缺陷数据与预测的水
‑
损失相匹配的过程；以及
33.图6是根据本发明的实施例的方法的流程图。
具体实施方式
34.图1示意性地描绘了其中可以使用本发明的实施例的光刻装置lt。该装置包括被配置为调节辐射束b(例如uv辐射或任何其他合适的辐射)的照明系统(照射器)il、被构造为支撑图案化设备(例如掩模)ma的掩模支撑结构(例如掩模台)mt，并连接到第一定位设备pm，第一定位设备pm被配置为根据某些参数精确定位图案化设备。该装置还包括衬底台(例如晶片台)60或“衬底支撑件”，其构造成保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)w并连接到第二定位设备pw，该第二定位设备pw被配置为根据某些参数精确定位衬底。该装置还包括投影系统(例如折射投影透镜系统)ps，其被配置为将通过图案化设备ma赋予辐射束b的图案投影到衬底w的目标部分c(例如包括一个或多个管芯)上。
35.照明系统可以包括各种类型的光学组件，诸如折射的、反射的、磁的、电磁的、静电的或其他类型的光学组件，或者它们的任何组合，用于引导、成形或控制辐射。
36.掩模支撑结构支撑图案化设备，即承受图案化设备的重量。它以取决于图案化设备的取向、光刻装置的设计和其他条件(诸如例如图案化设备是否保持在真空环境中)的方式保持图案化设备。掩模支撑结构可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案化设备。掩模支撑结构例如可以是框架或工作台，其可以根据需要固定或移动。掩模支撑结构可以确保图案化设备处于期望的位置，例如相对于投影系统。本文中对术语“掩模版”或“掩模”的任何使用可被视为与更通用的术语“图案化设备”同义。
37.本文中使用的术语“图案化设备”应广义地解释为指可用于在其横截面中赋予辐射束图案以在衬底的目标部分中产生图案的任何设备。应当注意的是，赋予辐射束的图案可能不完全对应于衬底的目标部分中的所需图案，例如，如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。通常，赋予辐射束的图案将对应于在目标部分中创建的设备中的特定功能层，诸如集成电路。
38.图案化设备可以是透射的或反射的。图案化设备的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程lcd面板。掩膜在光刻中是众所周知的，并且包括诸如二进制、交替相移和衰减相移等掩膜类型，以及各种混合掩膜类型。可编程反射镜阵列的一个示例采用矩阵排列的小反射镜，每个小反射镜可以单独倾斜以便在不同方向反射入射辐射束。倾斜的反射镜在被反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图案。
39.本文中使用的术语“投影系统”应广义地解释为涵盖任何类型的投影系统，包括折
射、反射、折反射、磁、电磁和静电光学系统，或它们的任何组合，适用于所使用的曝光辐射，或适用于其他因素，诸如使用浸没液体或使用真空。本文中对术语“投影透镜”的任何使用可被视为与更一般的术语“投影系统”同义。
40.如本文中所描述的，该装置是透射型的(例如，采用透射掩模)。备选地，该装置可以是反射型的(例如，采用上述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射掩模)。
41.光刻装置可以是具有两个(双平台)或更多衬底台或“衬底支撑件”(和/或两个或更多掩模台或“掩模支撑件”)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行使用附加的工作台或支撑件，或者可以在一个或多个工作台或支撑件上执行准备步骤，同时使用一个或多个其他工作台或支撑件进行曝光。
42.光刻装置也可以是这样一种类型，其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体覆盖，例如，水，以填充投影系统与衬底之间的空间。浸没液体也可被应用到光刻装置中的其他空间，例如掩模和投影系统之间。浸没技术可用于增加投影系统的数值孔径。本文中使用的术语“浸没”并不意味着结构(诸如衬底)必须浸没在液体中，而仅表示在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。
43.参考图1，照射器il接收来自辐射源so的辐射束。源和光刻装置可以是分开的实体，例如当源是准分子激光器时。在这种情况下，源不被认为是形成光刻装置的一部分，并且辐射束在光束传输系统bd的帮助下从源so传递到照射器il，光束传输系统bd包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在其他情况下，源可以是光刻装置的组成部分，例如当源是汞灯时。如果需要，源so和照射器il连同光束传递系统bd可以被称为辐射系统。
44.照射器il可以包括被配置为调整辐射束的角强度分布的调整器ad。通常，至少可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的外部和/或内部径向范围(通常分别称为σ
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外部和σ
‑
内部)。此外，照射器il可以包括各种其他组件，诸如积分器in和聚光器co。照射器可以用于调节辐射束，以在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。
45.辐射束b入射在图案化设备(例如掩模ma)上并由图案化设备图案化，该图案化设备保持在掩模支撑结构(例如掩模台mt)上。穿过掩模ma后，辐射束b穿过投影系统ps，其将光束聚焦到衬底w的目标部分c上。借助第二定位设备pw和定位传感器if(例如干涉测量设备、线性编码器或电容式传感器)，衬底台60可以精确地移动，例如以便在辐射束b的路径中定位不同的目标部分c。类似地，第一定位设备pm和另一个定位传感器(其未在图1中明确描绘)可以用于相对于辐射束b的路径精确定位掩模ma，例如从掩模库机械获取之后，或在扫描期间。通常，掩模台mt的移动可以借助长行程模块(粗定位)和短行程模块(精细定位)来实现，长行程模块和短行程模块形成第一定位设备pm的一部分。类似地，可以使用长行程模块和短行程模块来实现衬底台60或“衬底支撑件”的移动，长行程模块和短行程模块形成第二定位器pw的一部分。在步进器(与扫描仪相反)的情况下，掩模台mt可以仅连接到短行程致动器，或者可以是固定的。可以使用掩模对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2来对准掩模ma和衬底w。尽管如图所示的衬底对准标记占用专用的目标部分，但它们可以位于目标部分之间的空间中(这些被称为划线对准标记)。类似地，在掩模ma上提供多于一个管芯的情况下，掩模对准标记可位于管芯之间。
46.控制器500控制光刻装置的整体操作并且具体地执行下面进一步描述的操作过程。控制器500可以体现为适合编程的通用计算机，包括中央处理单元、易失性和非易失性
存储部件、一个或多个输入和输出设备(诸如键盘和屏幕)、一个或多个网络连接和到光刻装置的各个部分的一个或多个接口。应当理解，控制计算机和光刻装置之间的一对一关系不是必需的。一台计算机可以控制多个光刻装置。多个联网计算机可用于控制一个光刻装置。控制器500还可以被配置为控制在光刻装置形成其一部分的光刻单元或集群中的一个或多个相关联的处理设备和衬底处理设备。控制器500还可以被配置为从属于光刻单元或集群的监督控制系统和/或晶圆厂的整体控制系统。
47.用于在投影系统ps的最终透镜元件100和衬底之间提供液体的布置可以分为三大类。它们是浴型布置、所谓的局部浸没系统和全湿浸没系统。本发明特别涉及局部浸没系统。
48.在为局部浸没系统提出的布置中，液体限制结构12沿着浸没空间的边界的至少一部分延伸，浸没空间在投影系统ps的最终透镜元件和面向投影系统的平台或工作台的面向表面之间。工作台的面向表面之所以如此称呼是因为工作台在使用过程中会移动并且很少是静止的。通常，工作台的面向表面是衬底w、围绕衬底的衬底台60或两者的表面。这种布置在图2中示出。图2中示出的和下面描述的布置可以应用于上面描述和图1中示出的光刻装置。
49.图2示意性地描绘了液体限制结构12。液体限制结构12沿着投影系统ps的最终透镜元件100和衬底台60或衬底w之间的浸没空间10的边界的至少一部分延伸。在一个实施例中，在液体限制结构12和衬底w/衬底台60的表面之间形成密封。密封可以是非接触式密封，诸如气体密封或液体密封并且液体通向浸没空间10。具有气体密封的系统的示例在欧洲专利申请公开号ep
‑
a
‑
1,420,298中公开。液体由液体入口13带入浸没空间10。液体可由液体出口13排出。
50.图2和图3示出了可能存在于限制结构12的变体中的不同特征。除非不同地描述，否则这些设计可以共享与图2相同的一些特征。本文中描述的特征可以如所示出的或根据需要被单独地或组合地选择。
51.图2示出了最后一个透镜元件的底部表面周围的限制结构12。最后一个透镜元件100具有倒截头圆锥形状30。截头圆锥形状具有平坦的底部表面和圆锥面。截头圆锥形状从平坦表面突出并且具有底部平坦表面。底部平坦表面是最后一个透镜元件的底部表面的光学活性部分，投影光束可以通过该光学活性部分。限制结构围绕截头圆锥形状的至少一部分。限制结构具有面向截头圆锥形状的圆锥表面的内表面。内表面和锥形表面具有互补的形状。限制结构的顶部表面基本上是平面的。限制结构可以围绕最后一个透镜元件的截头圆锥形状装配。液体限制结构的底部表面基本上是平面的，并且在使用中该底部表面可以与工作台和/或晶片的面向表面平行。底部表面和面向表面之间的距离可以在30到500微米的范围内，理想地在80到200微米的范围内。
52.限制结构比最后一个透镜元件更靠近晶片和晶片台的面向表面延伸。因此，在限制结构的内表面、截头圆锥部分的平面表面和面向表面之间限定了空间10。在使用过程中，该空间充满液体。液体填充透镜和限制结构之间的互补表面之间的缓冲器空间的至少一部分，在一个实施例中，填充内表面和锥形表面之间的空间的至少一部分。
53.液体通过形成在液体限制结构的表面中的开口供应到空间。液体可以通过液体限制结构的内表面中的供应开口20供应。备选地或另外地，液体从形成在限制结构12的下表
面中的下供应开口23供应。下供应开口可以围绕投影束的路径并且它可以由阵列中的一系列开口形成。供应液体以填充空间10，使得流过投影系统下方的空间是层流的。从液体限制结构下方的开口23附加地供应液体防止气泡进入该空间。这种液体供应起到液体密封的作用。
54.液体可以从形成在内表面中的回收开口21回收。通过回收开口回收液体可以通过负压的应用；通过开口21的回收作为液体流过空间的速度的结果；或者回收可能是两者的结果。当俯视时，回收开口21可以位于供应开口20的相反侧。另外地或备选地，可以通过位于液体限制结构12的顶部表面上的溢流开口24回收液体。
55.另外或备选地，可以通过底部回收开口25、32从液体限制结构下方回收液体。底部回收开口可以用于将液体弯液面保持(或“钉(pin)”)到液体限制结构。弯液面在液体限制结构和面向表面之间形成，并且它作为液体空间和气体外部环境之间的边界。底部回收开口25可以是多孔板25，其可以以单相流回收液体。底部回收开口可以是一系列销钉开口32，通过这些销钉开口回收液体。销钉开口可以回收两相流中的液体。
56.相对于液体限制结构的内表面，可选地径向外向是气刀开口26。气体可以以提高的速度通过气刀开口供应，以辅助将浸没液体限制在空间中。供应的气体可以被加湿并且它可以包含二氧化碳。供应的气体可以主要由二氧化碳和水蒸气组成。气刀开口的径向外向是用于回收通过气刀供应的气体的气体回收开口18。
57.图3中所示的与图2公共的特征共享相同的附图标记。限制结构12具有与最后一个透镜元件100的截头圆锥形状的圆锥面互补的内表面。限制结构的下表面比截头圆锥形状的底部平面更靠近面向表面。
58.液体通过形成在限制结构的内表面中的供应开口供应到空间。供应开口34朝向内表面的底部定位，可能在截锥形状的底部表面的下方。供应开口位于内表面上，围绕投影光束的路径间隔开。
59.液体通过液体限制结构12的下表面中的回收开口25从空间10回收。当面向表面在限制结构下移动时，弯液面33可以在与面向表面的移动相同的方向上在回收开口25的表面上迁移。回收开口可以由多孔构件形成。液体可以以单相被回收。在一个实施例中，液体以两相流被回收。两相流在液体限制结构12内的腔室35中接收，在那里它被分开成液体和气体。液体和气体通过分开的通道36、38从腔室35中回收。
60.限制结构的下表面的内周边39延伸到远离内表面的空间中以形成板40。内周边形成小孔，该小孔的大小可以与投射光束的形状和大小相匹配。该板可用于隔离其任一侧的液体。供应的液体向内流向小孔，通过内小孔，然后在板下方径向向外流向周围的回收开口25。
61.在一个实施例中，限制结构可以是两部分：内部12a和外部12b。为方便起见，图3的右手部分显示了这种布置。这两个部分可以在平行于面向表面的平面内相对于彼此移动。内部可以具有供应开口34并且它可以具有溢流回收24。外部12b可以具有板40和回收开口25。内部可以具有中间回收42，用于回收在这两个部分之间流动的液体。
62.有时，浸没液体会从液体限制系统中损失并留在衬底的表面上。从液体限制系统损失的液体在本文中可称为剩余浸没液体或剩余液体，并且可为薄膜或液滴的形式。剩余浸没液体至少会以两种方式引起制造缺陷。首先，光敏层中的化学或物理变化可能是由浸
没液体和光敏层之间的延长接触引起的。其次，如果被限制在衬底与投影系统之间的空间内的浸没液体的弯液面接触到剩余浸没液体，则浸没液体中可能会生成气泡并导致成像错误。
63.已经提出了一些方法来预测浸没液体可能会损失的位置，以及由于衬底的随后移动而引起剩余浸没液体可能结束的位置。如果存在液体在该位置损失的风险或在该位置结束的液体已经从另一位置的液体限制中损失的风险，则可以预测该位置具有剩余液体的风险。剩余液体的预测基于衬底的初始路由以成像给定的场集合。衬底路由描述由衬底所采取的路径以及衬底在路径上相关点处的加速度和速度。衬底路由也可称为轨迹或曲折。后一项反映连续场通常以相反方向扫描，因此路径曲折。剩余液体的预测可以基于这样的知识，即某些运动，诸如方向的改变和穿过衬底的边缘，更可能引起液体损失。该模型可以考虑在预测的液体损失之后衬底的移动以确定损失的液体结束的位置。
64.液体损失的预测可用于确定对初始路由的修改，以降低液体损失的风险。初始路由通常设计为能够在尽可能短的时间内对场集合进行成像，以最大限度地提高吞吐量(每小时曝光的衬底)。对初始路由的修改可能包括降低路线中某些部分的衬底的速度、改变给定场被成像的方向、延长预备阶段或改变浸没液体穿过衬底的边缘的运动的角度。一般而言，修改将增加对衬底的所有场进行成像所需的时间的长度，因此被称为减速。us2016/320714a1和wo2016020121a1中公开了预测液体损失和确定路由修改的方法，这些文献通过引用整体并入本文。
65.上述预测液体损失和确定路由修改的方法在减少缺陷方面非常有效，这提高了产量。然而，提议的路由修改(减速)对吞吐量有重大影响。本发明人已经确定已知模型可能过度预测缺陷，从而可能没有必要执行模型提出的所有减速。这在图4a和4b中进行了描述，它们描述了使用相同的路由但具有不同的光敏层进行曝光的结果。
66.图4a中的光敏层对残留液体具有高敏感性，而图4b中的光敏层具有低敏感性。在图4a和4b的左侧，显示了当晶片以未修改(“全速”)路由曝光时出现的缺陷d的位置。可以看出，高敏感性衬底比低敏感性衬底表现出更多的缺陷。中间显示了预测剩余液体rl的位置和路由修改rm，以避免剩余液体。右侧显示了在应用了路由修改的情况下曝光衬底时出现的缺陷d的位置。可以看出，在这两种情况下，缺陷的数目都大幅减少，但在低敏感性衬底的情况下，使用未修改路由时出现的低水平的缺陷表明并非所有路由修改都在是必要的，因此应用不必要的减速会不必要地降低吞吐量。
67.然而，确定哪些减速应该执行，哪些是不必要的，并不简单。并非所有缺陷都是由剩余液体引起的。此外，剩余液体的出现引起缺陷的概率取决于在预测剩余液体的算法中没有考虑到并且在某些情况下不能考虑的因素。例如，光敏层和/或任何外涂层的确切化学性质可能影响液体长时间留在衬底上影响光敏层的概率。当弯液面与液滴碰撞时，光敏层或任何外涂层与浸没液体之间的确切接触角可能会影响气泡进入浸没液体的概率。
68.因此，本发明提出将剩余液体的预测与使用初始(即未修改)路由执行曝光时经历的实际缺陷相比较。这在图5a到5c和6中被示出。
69.在体现本发明的方法中，当吞吐量优化(全速)曝光路由被执行时预测的剩余液体的位置被获得，s1。这些在图5a中显示，其中晶片图中的不同符号指示曝光路由中的相关联的移动，如键所示。全速曝光路由可被称为初始曝光路由。应当理解，“全速”路由不一定涉
及衬底始终以最快的可能的速度移动，而是可以包括速度变化以解决其他问题。可以通过如上所述的已知算法来执行预测。
70.一个或多个测试衬底(例如，一批25个)使用初始曝光路由被曝光s2，并且缺陷使用已知方法被检测s3。检测到的实际缺陷的位置在图5b中示出。在多个测试衬底(例如多达25个)被曝光和测量的情况下，结果可以包括与每个缺陷位置相关联的概率。虽然可以使用用于检测缺陷的任何合适的技术，但在某些情况下，使用散射技术是有利的，例如，如wo2018/192710a1(该文件通过引用整体并入本文)中所述。其中描述的技术能够标识由来自光刻装置的剩余液体引起的缺陷，而无需设置图案化检查方法和执行缺陷分类的劳动密集型过程。
71.在某些情况下，可以确定哪些缺陷可能与剩余液体有关，在这种情况下，液体相关的缺陷被标识s4(或等效地，非液体相关的缺陷被过滤掉)。确定缺陷是否是液体相关的一种方法是确定它是否在预测剩余液体的位置的预定距离内，例如5毫米、10毫米或20毫米内。挑选的距离取决于预测液体损失的模型的准确性：如果模型较准确，较小的距离可能是合适的。如果模型预测液体损失的区域，则如果缺陷在预测液体损失的区域内，可以确定缺陷是液体相关的。如果与液体相关的缺陷数目相比，非液体相关的缺陷的数目较低，并且它们是随机分布的，那么这种方法效果很好，在这种情况下，将非液体相关的缺陷错误地标记为与液体相关的影响没有明显的危害。
72.预测剩余液体s1和获得缺陷信息s2
‑
s4的过程可以并行或顺序地以任一顺序执行。这两个过程都是针对特定层和特定过程执行的。可能没有必要将本发明应用于设备制造过程的所有层，但一个层或过程的结果不太可能适用于另一层或过程。
73.一旦获得了剩余液体的位置和缺陷的位置两者，下一步是将每个缺陷与被假设为引起该缺陷的原因的剩余液体的发生的位置匹配s5。可以在这个阶段而不是提前，执行通过参考它们与剩余液体的位置的距离来过滤掉非液体相关的缺陷。结果显示在图5c中，其中图5b的每个缺陷位置处的符号指示由键指示的相关联修改。
74.给定与相应缺陷相关联的剩余液体位置的集合，现在可以标识s6路由修改(减速)，路由修改预期防止剩余液体的那些出现。如果，如上所述实际缺陷的数目低于由剩余液体模型所预测的数目，则只有路由修改的子集将与实际缺陷相关联。因此，通过仅将修改的子集应用于初始路由以生成修改的路由，吞吐量的降低被最小化。应该注意的是，用于防止给定剩余液体出现的路由修改的位置可能与剩余液体出现和缺陷的位置不同，因为从液体限制系统中损失的液体可能会被推到衬底周围(称为“推土机效应”)。剩余液体出现与路由修改之间不一定存在一一对应的关系。一条路由修改可以防止多次剩余液体出现和/或可能需要多条路由修改来防止单个剩余液体出现。
75.在一个实施例中，实际缺陷数据提供关于在给定位置中出现缺陷的概率的信息。备选地或另外地，剩余液体预测模型提供关于在给定位置中剩余液体出现的概率的信息。在这种情况下，匹配过程可以提供指示给定路由修改将防止缺陷的概率的信息，或等效地，通过给定的路由修改将防止的缺陷的预期数目。然后可以按照其在防止缺陷上的功效对路由修改进行排序，并选择要应用于该路由的足够的路由修改，以将每衬底的缺陷的预期数目减少到期望的数量。在选择要应用的路由修改中，还可以考虑每个路由修改的时间成本(即延迟的大小)。因此，本发明允许用户准确地选择吞吐量和产量之间的期望折衷。
76.尽管在本文中可以具体参考光刻装置在ic制造中的使用，但应该理解，本文中描述的光刻装置可以具有其他应用，诸如集成光学系统的制造、磁畴存储器的制导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(lcd)、薄膜磁头等。技术人员将理解，在此类备选应用的上下文中，本文中对术语“晶片”或“管芯”的任何使用可以被认为分别与更一般的术语“衬底”或“目标部分”同义。在曝光之前或之后，可以在例如轨道(通常将抗蚀剂层应用到衬底上并显影曝光的抗蚀剂的工具)、计量工具和/或检查工具中处理本文中所指的衬底。在适用的情况下，本文的公开内容可应用于此类和其他衬底处理工具。此外，衬底可以被处理多于一次，例如为了创建多层ic，因此本文中使用的术语衬底也可以指已经包含一个或多个处理层的衬底。
77.虽然上文可能已经具体参考了本发明的实施例在光刻的上下文中的使用，但是应当理解，本发明可以用于其他应用，例如压印光刻，并且在上下文允许的情况下，不限于光刻。在压印光刻中，图案化设备中的形貌定义了在衬底上创建的图案。可以将图案化设备的形貌压入供应给衬底的抗蚀剂的层，然后通过应用电磁辐射、热、压力或其组合来固化抗蚀剂。在抗蚀剂固化后，将图案化设备移出抗蚀剂，在其中留下图案。
78.本文中使用的术语“辐射”和“光束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线(uv)辐射(例如，具有或约436、405、365、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(euv)辐射(例如具有5至20nm范围内的波长)，以及粒子束，诸如离子束或电子束。
79.在上下文允许的情况下，术语“透镜”可以指各种类型的光学组件中的任何一种或组合，包括折射反射、磁、电磁和静电光学组件。
80.虽然上面已经描述了本发明的特定实施例，但是应当理解，本发明可以不同于所描述的方式来实践。
81.当一个或多个计算机程序被位于光刻装置的至少一个组件内的一个或多个计算机处理器读取时，本文中描述的任何控制器可以各自或组合地操作。控制器可以各自或组合具有用于接收、处理和发送信号的任何合适的配置。一个或多个处理器被配置为与控制器中的至少一个进行通信。例如，每个控制器可以包括一个或多个处理器，用于执行包括用于上述方法的机器可读指令的计算机程序。控制器可以包括用于存储此类计算机程序的数据存储介质和/或用于接收此类介质的硬件。因此(多个)控制器可以根据一个或多个计算机程序的机器可读指令进行操作。
82.本发明的一个或多个实施例可以应用于任何浸没光刻装置，特别地，但不排他地，上述那些类型以及浸没液体是否以浴的形式提供、仅在衬底的局部表面区域上、或不受限制。在无限制的布置中，浸没液体可以流过衬底和/或衬底台的表面，使得衬底台和/或衬底的基本上整个未覆盖的表面被润湿。在这种无限制的浸没系统中，液体供应系统可能不限制浸没液体，或者它可以提供一定比例的浸没液体限制，但不能基本上完全限制浸没液体。
83.如本文所设想的液体供应系统应被广义地解释。在某些实施例中，它可以是向投影系统与衬底和/或衬底台之间的空间提供浸没液体的机构或结构的组合。它可以包括以下的组合：一种或多种结构、包括一种或多种液体开口的一种或多种流体开口、一种或多种气体开口或用于两相流的一种或多种开口。开口每个可以是进入浸没空间的入口(或来自流体处理结构的出口)或离开浸没空间的出口(或进入流体处理结构的入口)。在一个实施例中，空间的表面可以是衬底和/或衬底台的一部分，或者空间的表面可以完全覆盖衬底
和/或衬底台的表面，或者空间可以包围衬底和/或衬底台。液体供应系统可以可选地进一步包括一个或多个元件以控制浸没液体的位置、数目、质量、形状、流速或任何其他特征。
84.以上描述旨在说明而非限制。因此，对于本领域技术人员来说很清楚的是，可以对本发明进行如所述的修改而不脱离下面阐述的权利要求的范围。