一种等离子体处理装置及其调节方法与流程

技术特征：
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：真空反应腔，包括反应腔侧壁，所述反应腔侧壁设有基片传输口；下电极组件，设于所述真空反应腔内底部；等离子体约束装置，设于所述下电极组件的外围；接地环，设置于所述等离子体约束装置下方；调节装置，用于调节所述基片传输口周围所述等离子体约束装置和所述接地环之间不同相位角上的间距以改变两者之间的电容大小。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述接地环水平放置；所述等离子体约束装置的倾斜角度小于1度。3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述调节装置包含一行星齿轮结构，其具体包含：外齿轮，所述外齿轮的上表面有高度差，所述外齿轮的上表面与所述等离子体约束装置的底部接触；内齿轮，设置于所述等离子体约束装置与接地环之间，所述内齿轮与所述外齿轮接触并带动所述外齿轮转动；传动轴，其顶部与所述内齿轮连接，其底部伸出所述真空反应腔。4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述外齿轮上表面包含一个凸点，以使所述外齿轮上表面有高度差。5.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述外齿轮上表面至少包含三个凸点，以使所述外齿轮上表面有高度差。6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，三个所述凸点沿外齿轮的周向上均匀分布，其中一个所述凸点的高度高于另外两个所述凸点的高度，且另外两个所述凸点的高度相同。7.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述外齿轮上表面包含连续且不同高度的凸台。8.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述外齿轮的材料包括绝缘类材料。9.如权利要求3所述的等离子体约束组件，其特征在于，所述传动轴伸出所述真空反应腔的部分进行刻度以记录旋转角度和旋转圈数，根据外齿轮与内齿轮的传动比，确定等离子体约束装置具体在多少度的相位角上发生倾斜。10.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述传动轴和所述真空反应腔接触部位被若干个密封件所包覆。11.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述接地环一端固定在所述真空反应腔的腔体侧壁。12.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于，通过固定销使等离子体约束装置与外齿轮固定在一起，所述等离子体约束装置随外齿轮一起旋转。13.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于，通过固定销将等离子体约束装置与接地环连接在一起，使等离子体约束装置不旋转，
但等离子体约束装置的不同相位角因被外齿轮顶起而发生上下浮动。14.一种等离子体处理装置调节等离子体刻蚀的方法，其特征在于，包括：提供如权利要求1至权利要求13任一项所述的等离子体处理装置；将待处理基片放置在下电极组件上；对基片进行等离子体处理；检测到沿基片靠近基片传输口周围刻蚀速率不均衡时，通过调节装置调节所述基片传输口周围所述等离子体约束装置和所述接地环之间不同相位角上的间距以改变两者之间的电容大小，以使基片周向上的刻蚀速率均匀。

技术总结
本发明公开了一种等离子体处理装置及其调节方法，该装置包含：真空反应腔，包括反应腔侧壁，所述反应腔侧壁设有基片传输口；下电极组件，设于所述真空反应腔内底部；等离子体约束装置，设于所述下电极组件的外围；接地环，设置于所述等离子体约束装置下方；调节装置，用于调节所述基片传输口周围所述等离子体约束装置和所述接地环之间不同相位角上的间距以改变两者之间的电容大小。其优点是：采用调节装置调节等离子体约束装置和接地环之间不同相位角上的间距以改变两者之间的电容大小，从而补偿各因素引起的刻蚀不对称，达到最优刻蚀对称性，其操作简单，小范围操作即可调整刻蚀环境的稳定性，为工作人员的日常运维提供了便利。利。利。


技术研发人员：杨金全 黄允文
受保护的技术使用者：中微半导体设备（上海）股份有限公司
技术研发日：2020.06.12
技术公布日：2021/12/16