显示装置的制作方法

1.本发明涉及一种显示装置，更详细地涉及一种亮缺陷得到改善的显示装置。


背景技术：

2.显示装置是视觉显示数据的装置。显示装置既作为手机等之类的小型产品的显示部使用，也作为电视等之类的大型产品的显示部使用。
3.显示装置为了向外部显示图像而包括接收电信号并发光的多个像素。各像素包括发光元件，例如在有机发光显示装置的情况下包括有机发光二极管(oled)作为发光元件。通常，有机发光显示装置在基板上形成薄膜晶体管以及有机发光二极管，有机发光二极管通过发光来工作。
4.最近，显示装置随着其用途变得多样，对提升显示装置的质量的设计进行各种尝试。


技术实现要素：

5.但是，当在现有的显示装置中实现低色阶时，存在由于翘曲效应(kink effect)产生亮缺陷的问题。
6.本发明用于解决包括如上问题在内的多个问题，其目的在于提供一种显示装置，驱动薄膜晶体管包括利用为底栅的第一电极，从而能够防止实现低色阶时发生翘曲效应而改善产生亮缺陷的问题，同时能够提升面板特性。但是，这样的技术问题是示例性的，本发明的范围不被其限定。
7.根据本发明的一观点，提供一种显示装置，具备：第一薄膜晶体管，包括：半导体层，配置于基板上；驱动栅电极，配置于所述半导体层上；以及第一电极，配置于所述基板和所述半导体层之间；第二薄膜晶体管，根据通过第一扫描线接收的第一扫描信号，将数据信号传送至所述第一薄膜晶体管；以及第三薄膜晶体管，根据通过第二扫描线接收的第二扫描信号，将第一电压传送于所述第一电极。
8.在本实施例中，可以是，所述第一电压是相当于所述数据信号和所述第一薄膜晶体管的阈值电压的电压差的电压。
9.在本实施例中，可以是，所述驱动栅电极和所述第一电极将所述半导体层置于之间而彼此重叠。
10.在本实施例中，可以是，所述第一电极与所述第三薄膜晶体管连接。
11.在本实施例中，可以是，所述第一薄膜晶体管还包括驱动源电极以及驱动漏电极，所述第二薄膜晶体管还包括开关栅电极、开关源电极以及开关漏电极。
12.在本实施例中，可以是，所述第二薄膜晶体管的所述开关栅电极连接于所述第一扫描线，所述第二薄膜晶体管的所述开关源电极连接于数据线，所述第二薄膜晶体管的所述开关漏电极连接于所述第一薄膜晶体管的所述驱动源电极。
13.在本实施例中，可以是，所述第二薄膜晶体管根据所述第一扫描信号导通而将传
送至所述数据线的所述数据信号向所述第一薄膜晶体管的所述驱动源电极传送。
14.在本实施例中，可以是，所述显示装置还包括第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管根据所述第一扫描信号导通而使所述第一薄膜晶体管的所述驱动栅电极和所述驱动漏电极二极管连接。
15.在本实施例中，可以是，所述第四薄膜晶体管与所述第三薄膜晶体管连接。
16.在本实施例中，可以是，所述显示装置还包括第一存储电容器，所述第一存储电容器包括：所述驱动栅电极；以及上电极，与所述驱动栅电极将绝缘层置于之间而重叠。
17.在本实施例中，可以是，所述显示装置还包括第二电极，所述第二电极介于所述第一电极和所述半导体层之间。
18.在本实施例中，可以是，所述第二电极与所述驱动栅电极隔开设置。
19.在本实施例中，可以是，所述显示装置还包括：阻挡层，配置于所述基板上；以及缓冲层，配置于所述阻挡层上，所述第一电极直接配置于所述阻挡层上。
20.在本实施例中，可以是，所述缓冲层包括：第一缓冲层，配置于所述阻挡层上；以及第二缓冲层，配置于所述第一缓冲层上，所述第二电极直接配置于所述第一缓冲层上。
21.在本实施例中，可以是，所述第一电极和所述第二电极至少一部分重叠。
22.在本实施例中，可以是，所述第一电极和所述第二电极构成第二存储电容器。
23.在本实施例中，可以是，所述第二存储电容器和所述第一薄膜晶体管重叠。
24.在本实施例中，可以是，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层包括不同的物质。
25.在本实施例中，可以是，所述基板包括聚酰亚胺(pi)。
26.根据本发明的另一观点，提供一种显示装置，具备：第一薄膜晶体管，包括：半导体层，配置于基板上；驱动栅电极，配置于所述半导体层上；以及第一电极，配置于所述基板和所述半导体层之间；第二薄膜晶体管，根据通过第一扫描线接收的第一扫描信号，将数据信号传送至所述第一薄膜晶体管；第三薄膜晶体管，根据通过第二扫描线接收的第二扫描信号，将相当于所述数据信号和所述第一薄膜晶体管的阈值电压的电压差的电压传送于所述第一电极；以及有机发光二极管，与所述第一薄膜晶体管电连接，并且包括像素电极、中间层以及对向电极。
27.除前述之外的其它方面、特征、优点从以下的用于实施发明的具体内容、权利要求书以及附图变得明确。
28.(发明效果)
29.根据如上构成的本发明的一实施例，能够实现能够防止产生亮缺陷的显示装置。当然，本发明的范围不被这样的效果限定。
附图说明
30.图1是简要示出根据本发明的一实施例的显示装置的立体图。
31.图2是简要示出根据本发明的一实施例的显示装置的俯视图。
32.图3是根据本发明的一实施例的显示装置的任一像素的等效电路图。
33.图4是为了说明根据本发明的一实施例的显示装置的发光控制信号和第二扫描信号被提供的顺序而示出的图。
34.图5是简要示出根据本发明的一实施例的显示装置的截面图。
35.图6是为了说明在低色阶下产生亮缺陷而示出的图。
36.图7是示出根据本发明的一实施例的显示装置的电流
‑
电压曲线的图。
37.图8是根据本发明的一实施例的显示装置的任一像素的等效电路图。
38.图9是简要示出根据本发明的一实施例的显示装置的截面图。
39.(附图标记说明)
40.1：显示装置
41.100：基板
42.136：驱动栅电极
43.139：第一电极
44.141：第二电极
45.146：上电极
具体实施方式
46.本发明可以施加各种变换，可以具有各种实施例，附图中例示出特定实施例，并在详细的说明中进行详细说明。本发明的效果、特征以及达成其的方法可以参照与附图一起详细后述的实施例会变明确。然而，本发明并不限定于以下公开的实施例，可以以各种形态实现。
47.在以下的实施例中，第一、第二等用语以将一个构成要件与另一构成要件进行区分的目的来使用而不是限定性含义。
48.在以下的实施例中，除非在文脉上明确表示为不同含义，单数表达包括复数表达。
49.在以下的实施例中，包括或具有等用语意指说明书上记载的特征或者构成要件的存在，并不是预先排除一个以上的其它特征或构成要件的附加可能性。
50.在以下的实施例中，当表述为膜、区域、构成要件等部分在其它部分之上或上时，不仅包括直接在其它部分之上的情况，还包括其它膜、区域、构成要件等介于其中间的情况。
51.在附图中，为了便于说明，可能放大或缩小构成要件其尺寸。例如，附图中示出的各构成的大小和厚度是为了方便说明而任意示出的，因此本发明并不是必须限定于图示。
52.在本说明书中，“a及/或b”表示a、或者b、或者a和b的情况。另外，在本说明书中，“a及b中至少任一个”表示a、或者b、或者a和b的情况。
53.在以下的实施例中，布线“向第一方向或第二方向延伸”的含义不仅是以直线形状延伸，还包括沿着第一方向或第二方向以z字形或曲线延伸。
54.在以下的实施例中，当称为“平面上”时，其意指从上观察对象部分时，当称为“截面上”时，其意指从旁边观察垂直截取对象部分的截面时。在以下的实施例中，当称为“重叠”时，其包括“平面上”以及“截面上”重叠。
55.以下，参照所附附图详细说明本发明的实施例，在参照附图说明时，对相同或者对应的构成要件赋予相同的附图标记。
56.图1是简要示出根据本发明的一实施例的显示装置的立体图。
57.参照图1，显示装置1可以包括：显示区域da；以及非显示区域nda，配置于显示区域da的周边。非显示区域nda可以围绕显示区域da。显示装置1可以利用从配置于显示区域da
的多个像素p发出的光来提供图像，非显示区域nda可以是不显示图像的区域。
58.以下，尽管作为根据本发明的一实施例的显示装置1，以有机发光显示装置为例进行说明，但是本发明的显示装置不限于此。作为一实施例，本发明的显示装置1可以是无机发光显示装置(无机发光显示器(inorganic light emitting display)或无机el显示器)或量子点发光显示装置(quantum dot light emitting display)之类的显示装置。例如，设置于显示装置1中的显示要件的发光层可以包括有机物，或者包括无机物，或者包括量子点，或者包括有机物和量子点，或者包括无机物和量子点。
59.尽管在图1中示出具备平坦的显示面的显示装置1，但是本发明不限于此。作为一实施例，显示装置1也可以包括立体型显示面或弯曲显示面。
60.在显示装置1包括立体型显示面的情况下，显示装置1也可以包括指向彼此不同方向的多个显示区域，例如包括多棱柱形显示面。作为一实施例，在显示装置1包括弯曲显示面的情况下，显示装置1可以以柔性、可折叠、可卷曲显示装置等各种形式实现。
61.在图1中，示出可以应用于手机终端的显示装置1。尽管未示出，但是安装于主板的电子模组、相机模组、电源模组等与显示装置1一起配置于支架/壳体等，从而可以构成手机终端。尤其，根据本发明的显示装置1可以应用于从电视、显示器等之类的大型电子装置，到平板电脑、汽车导航仪、游戏机、智能手表等之类的中小型电子装置等。
62.尽管在图1中示出显示装置1的显示区域da是四边形的情况，但是显示区域da的形状可以是圆形、椭圆，或者三角形或五边形等之类的多边形。
63.显示装置1包括配置于显示区域da的多个像素p。多个像素p各自可以包括有机发光二极管(organic light
‑
emitting diode，oled)。多个像素p各自可以通过有机发光二极管(oled)发出例如红色、绿色、蓝色或白色的光。本说明书中的指称像素p可以理解为如前述那样发出红色、绿色、蓝色、白色中任一种色相的光的像素。
64.图2是简要示出根据本发明的一实施例的显示装置的俯视图。
65.参照图2，显示装置1包括配置于显示区域da的多个像素p。多个像素p各自可以包括有机发光二极管(organic light
‑
emitting diode，oled)之类的显示要件。多个像素p各自可以通过有机发光二极管(oled)发出例如红色、绿色、蓝色或白色的光。本说明书中的指称像素p可以理解为如前述那样发出红色、绿色、蓝色、白色中任一种色相的光的像素。
66.各像素p可以与配置于非显示区域nda的外廓电路电连接。在非显示区域nda可以配置有第一扫描驱动电路110、第一发光驱动电路115、第二扫描驱动电路120、端子140、数据驱动电路150、第一电源供应布线160以及第二电源供应布线170。
67.第一扫描驱动电路110可以通过扫描线sl将扫描信号提供于各像素p。第一发光驱动电路115可以通过发光控制线el将发光控制信号提供于各像素p。第二扫描驱动电路120可以将显示区域da置于之间并与第一扫描驱动电路110并排配置。配置于显示区域da的像素p中的一部分可以与第一扫描驱动电路110电连接，其余部分可以与第二扫描驱动电路120电连接。作为一实施例，也可以省略第二扫描驱动电路120。
68.第一发光驱动电路115可以与第一扫描驱动电路110向x方向隔开而配置于非显示区域nda上。另外，第一发光驱动电路115也可以与第一扫描驱动电路110向y方向交替配置。
69.端子140可以配置于基板100的一侧。端子140可以不被绝缘层覆盖并暴露而与印刷电路板pcb电连接。印刷电路板pcb的端子pcb
‑
p可以与显示装置1的端子140电连接。印刷
电路板pcb将控制部(未图示)的信号或电源传送至显示装置1。在控制部生成的控制信号可以通过印刷电路板pcb分别传送于第一扫描驱动电路110、第一发光驱动电路115以及第二扫描驱动电路120。控制部可以通过第一连接布线161以及第二连接布线171分别将第一电源电压以及第二电源电压提供于第一电源供应布线160以及第二电源供应布线170。可以是，第一电源电压通过与第一电源供应布线160连接的驱动电压线pl提供于像素p，第二电源电压提供于与第二电源供应布线170连接的像素p的对向电极。
70.数据驱动电路150电连接于数据线dl。数据驱动电路150的数据信号可以通过连接于端子140的连接布线151以及与连接布线151连接的数据线dl提供于各像素p。
71.尽管在图2中示出数据驱动电路150配置于印刷电路板pcb，但是作为一实施例，数据驱动电路150可以配置于基板100上。例如，数据驱动电路150可以配置于端子140和第一电源供应布线160之间。
72.第一电源供应布线160可以包括将显示区域da置于之间并沿着x方向并排延伸的第一子布线162以及第二子布线163。第二电源供应布线170可以以一侧开放的环形状局部性围绕显示区域da。
73.图3是根据本发明的一实施例的显示装置的任一像素的等效电路图，图4是为了说明根据本发明的一实施例的显示装置的发光控制信号和第二扫描信号被提供的顺序而示出的图，图5是简要示出根据本发明的一实施例的显示装置的截面图。
74.参照图3以及图5，根据本发明的一实施例的显示装置的像素电路pc可以包括多个薄膜晶体管t1～t7以及存储电容器cst。更具体地，像素电路pc可以包括驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2、第一补偿薄膜晶体管t3_1、第二补偿薄膜晶体管t3_2、第一初始化薄膜晶体管t4、工作控制薄膜晶体管t5、发光控制薄膜晶体管t6、第二初始化薄膜晶体管t7以及存储电容器cst。
75.尽管在图3中示出各像素电路pc每个都具备信号线sl1、sl2、sl3、sl4、el、dl、初始化电压线vl以及驱动电压线pl的情况，但是本发明不限于此。作为另一实施例，信号线sl1、sl2、sl3、sl4、el、dl中的至少任一个或/及初始化电压线vl可以在相邻的像素电路中共用。
76.第一扫描线sl1可以将第一扫描信号sn1传送于开关薄膜晶体管t2以及第一补偿薄膜晶体管t3_1，第二扫描线sl2可以将第二扫描信号sn2传送于第二补偿薄膜晶体管t3_2，第三扫描线sl3可以将第三扫描信号sn3传送于第一初始化薄膜晶体管t4，第四扫描线sl4可以将第四扫描信号sn4传送于第二初始化薄膜晶体管t7。另外，发光控制线el可以将发光控制信号em传送于工作控制薄膜晶体管t5以及发光控制薄膜晶体管t6，数据线dl可以与发光控制线el以及扫描线sl交叉并传送数据信号dm，驱动电压线pl可以将驱动电压elvdd传送于驱动薄膜晶体管t1，初始化电压线vl可以将初始化电压vint传送于第一初始化薄膜晶体管t4以及第二初始化薄膜晶体管t7。
77.驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极连接于存储电容器cst的下电极，驱动薄膜晶体管t1的驱动源电极经由工作控制薄膜晶体管t5连接于驱动电压线pl，驱动薄膜晶体管t1的驱动漏电极经由发光控制薄膜晶体管t6与有机发光二极管oled的像素电极210电连接。驱动薄膜晶体管t1可以根据开关薄膜晶体管t2的开关工作接收数据信号dm而将驱动电流供应于有机发光二极管oled。
78.开关薄膜晶体管t2的开关栅电极连接于第一扫描线sl1，开关薄膜晶体管t2的开
关源电极连接于数据线dl，开关薄膜晶体管t2的开关漏电极连接于驱动薄膜晶体管t1的驱动源电极且经由工作控制薄膜晶体管t5连接于驱动电压线pl。开关薄膜晶体管t2可以根据通过第一扫描线sl1接收的第一扫描信号sn1导通而执行将传送至数据线dl的数据信号dm向驱动薄膜晶体管t1的驱动源电极传送的开关工作。
79.第一补偿薄膜晶体管t3_1的第一补偿栅电极连接于第一扫描线sl1，第一补偿薄膜晶体管t3_1的第一补偿源电极经由发光控制薄膜晶体管t6与有机发光二极管oled的像素电极210以及第二补偿薄膜晶体管t3_2的第二补偿源电极连接。第一补偿薄膜晶体管t3_1的补偿漏电极连接于存储电容器cst的下电极、第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化漏电极以及驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极。第一补偿薄膜晶体管t3_1可以根据通过第一扫描线sl1接收的第一扫描信号sn1导通而将驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极和驱动漏电极电连接并使驱动薄膜晶体管t1二极管连接。
80.第二补偿薄膜晶体管t3_2的第二补偿栅电极连接于第二扫描线sl2，第二补偿薄膜晶体管t3_2的第二补偿源电极经由发光控制薄膜晶体管t6与有机发光二极管oled的像素电极210以及第一补偿薄膜晶体管t3_1的第一补偿源电极连接。第二补偿薄膜晶体管t3_2的第二补偿漏电极与后述的驱动薄膜晶体管t1的第一电极139连接。第二补偿薄膜晶体管t3_2可以根据通过第二扫描线sl2接收的第二扫描信号sn2导通而将第一电压传送于驱动薄膜晶体管t1的第一电极139。此时，第一电压可以是相当于数据信号dm和驱动薄膜晶体管t1的阈值电压的电压差的电压。
81.第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化栅电极连接于第三扫描线sl3，第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化源电极连接于初始化电压线vl，第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化漏电极连接于存储电容器cst的下电极、第一补偿薄膜晶体管t3_1的补偿漏电极以及驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极。第一初始化薄膜晶体管t4可以根据通过第三扫描线sl3接收的第三扫描信号sn3导通而将初始化电压vint传送于驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极并执行使驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极的电压初始化的初始化工作。
82.工作控制薄膜晶体管t5的工作控制栅电极连接于发光控制线el，工作控制薄膜晶体管t5的工作控制源电极与驱动电压线pl连接，工作控制薄膜晶体管t5的工作控制漏电极与驱动薄膜晶体管t1的驱动源电极以及开关薄膜晶体管t2的开关漏电极连接。
83.发光控制薄膜晶体管t6的发光控制栅电极连接于发光控制线el，发光控制薄膜晶体管t6的发光控制源电极连接于驱动薄膜晶体管t1的驱动漏电极、第一补偿薄膜晶体管t3_1的第一补偿源电极以及第二补偿薄膜晶体管t3_2的第二补偿源电极，发光控制薄膜晶体管t6的发光控制漏电极电连接于第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化源电极以及有机发光二极管oled的像素电极210。
84.工作控制薄膜晶体管t5以及发光控制薄膜晶体管t6根据通过发光控制线el接收的发光控制信号em同时导通而使得驱动电压elvdd传送于有机发光二极管oled并在有机发光二极管oled流动驱动电流。
85.参照图4，发光控制信号em可以在有机发光二极管oled的发光区间传送至工作控制薄膜晶体管t5以及发光控制薄膜晶体管t6，第二扫描信号sn2可以在发光区间之外的区间传送至第二补偿薄膜晶体管t3_2。
86.可以是，在发光区间，根据发光控制信号em，工作控制薄膜晶体管t5以及发光控制
薄膜晶体管t6导通而驱动电压elvdd传送于有机发光二极管oled并在有机发光二极管oled流动驱动电流。
87.可以是，在发光区间之外的区间，通过传送至第二补偿薄膜晶体管t3_2的第二扫描信号sn2，第二补偿薄膜晶体管t3_2导通，前述的第一电压传送至驱动薄膜晶体管t1的第一电极139。
88.再次参照图3，第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化栅电极连接于第四扫描线sl4，第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化源电极连接于发光控制薄膜晶体管t6的发光控制漏电极d6以及有机发光二极管oled的像素电极210，第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化漏电极连接于初始化电压线vl。第二初始化薄膜晶体管t7可以根据通过第四扫描线sl4接收的第四扫描信号sn4导通而执行使有机发光二极管oled的像素电极210初始化的工作。
89.另一方面，第一扫描线sl1和第四扫描线sl4彼此电连接，从而在第一扫描线sl1和第四扫描线sl4可以施加相同的扫描信号sn。
90.存储电容器cst的上电极连接于驱动电压线pl，有机发光二极管oled的对向电极连接于公共电压elvss。由此，有机发光二极管oled可以从驱动薄膜晶体管t1接收驱动电流并发光，从而显示图像。
91.以下，通过图5说明根据本发明的一实施例的显示装置的叠层结构。
92.参照图5，基板100可以包括第一基板100a以及第二基板100b。第一基板100a以及第二基板100b可以包括聚醚砜(polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyether imide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚碳酸酯(polycarbonate)或乙酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate)等聚合物树脂。包括聚合物树脂的第一基板100a以及第二基板100b可以具有柔性、可卷曲或可弯曲特性。例如，第一基板100a以及第二基板100b可以以聚酰亚胺(polyimide)设置。在第一基板100a上可以配置第一阻挡层101，在第二基板100b上可以配置第二阻挡层103。第一阻挡层101以及第二阻挡层103可以防止在工艺中从第一基板100a或第二基板100b放出的气体向上方传送。作为另一实施例，基板100可以包括玻璃。
93.在基板100上可以配置有第一薄膜晶体管。例如，第一薄膜晶体管可以是在图3中前述的驱动薄膜晶体管t1。第一薄膜晶体管可以包括第一电极139、半导体层134、驱动栅电极136、驱动源电极137以及驱动漏电极138。
94.在基板100上可以配置有缓冲层。缓冲层可以配置于第二阻挡层103上。缓冲层可以包括第一缓冲层105以及第二缓冲层107。第一缓冲层105以及第二缓冲层107可以减少或阻断异物、湿气或外部空气从下方渗透。第一缓冲层105以及第二缓冲层107可以包括氧化物或氮化物之类无机物，或者有机物，或者有机无机复合物，可以由无机物和有机物的单层或多层结构构成。作为一实施例，第一缓冲层105以及第二缓冲层107可以包括不同的物质。例如，第一缓冲层105可以包括氮化硅(sin
x
)，第二缓冲层107可以包括氧化硅(sio
x
)。作为另一实施例，第一缓冲层105以及第二缓冲层107可以包括相同的物质。例如，第一缓冲层105以及第二缓冲层107可以都包括氮化硅(sin
x
)，第一缓冲层105以及第二缓冲层107可以都包括氧化硅(sio
x
)。
95.在第二阻挡层103和第一缓冲层105之间可以配置有第一电极139。第一电极139可以利用为第一薄膜晶体管的底栅电极。
96.在第二缓冲层107上可以配置有半导体层134。半导体层134可以包括：沟道区域131，与驱动栅电极136重叠；以及源极区域132以及漏极区域133，配置于沟道区域131的两侧，并且包括比沟道区域131高浓度的杂质。在此，杂质可以包括n型杂质或p型杂质。源极区域132和漏极区域133可以各自与驱动源电极137和驱动漏电极138电连接。
97.半导体层134可以包括氧化物半导体及/或硅半导体。在半导体层134由氧化物半导体形成的情况下，例如可以包括选自包括铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)以及锌(zn)的组的一个以上物质的氧化物。例如，半导体层134可以是itzo(insnzno)、igzo(ingazno)等。在半导体层134由硅半导体形成的情况下，例如可以包括非晶硅(a
‑
si)或将非晶硅(a
‑
si)结晶化的低温多晶硅(low temperature poly
‑
silicon；ltps)。
98.在半导体层134上可以配置有第一绝缘层109。第一绝缘层109可以包括选自包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)以及氧化锌(zno2)的组的一个以上无机绝缘物。第一绝缘层109可以是包括前述的无机绝缘物的单层或多层。
99.在第一绝缘层109上可以配置有驱动栅电极136。驱动栅电极136可以由从铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)以及铜(cu)中选择的一个以上的金属以单层或多层形成。驱动栅电极136可以利用为第一薄膜晶体管的顶栅电极。
100.驱动栅电极136以及第一电极139可以将半导体层134置于之间来重叠。
101.在驱动栅电极136上可以配置有第二绝缘层111。第二绝缘层111可以包括选自包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)以及氧化锌(zno2)的组的一个以上的无机绝缘物。第二绝缘层111可以是包括前述的无机绝缘物的单层或多层。
102.在第一绝缘层109上可以配置有存储电容器cst。存储电容器cst可以包括：下电极144；以及上电极146，与下电极144重叠。存储电容器cst的下电极144和上电极146可以将第二绝缘层111置于之间来重叠。
103.可以是，存储电容器cst的下电极144与第一薄膜晶体管的驱动栅电极136重叠，存储电容器cst的下电极144与第一薄膜晶体管的驱动栅电极136设置为一体。作为一实施例，存储电容器cst可以不与第一薄膜晶体管重叠，存储电容器cst的下电极144可以是与第一薄膜晶体管的驱动栅电极136分离的独立的构成要件。
104.作为一实施例，在第一绝缘层109上可以与存储电容器cst的上电极146隔开来配置有驱动源电极137以及驱动漏电极138。驱动源电极137以及驱动漏电极138可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等的导电物质，可以形成为包含所述的材料的多层或单层。驱动源电极137以及驱动漏电极138可以由ti/al/ti的多层结构构成。
105.作为另一实施例，可以是，在存储电容器cst的上电极146上配置有绝缘层，在所述绝缘层上配置有驱动源电极137以及驱动漏电极138。
106.在存储电容器cst的上电极146上可以配置有平坦化层113。平坦化层113可以由有
机物质或无机物质构成的膜以单层或多层形成。作为一实施例，平坦化层113可以包括苯并环丁烯(benzocyclobutene，bcb)、聚酰亚胺(polyimide，pi)、六甲基二硅氧烷(hexamethyldisiloxane，hmdso)、聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate)，pmma)或聚苯乙烯(polystyrene，ps)之类的一般通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物以及它们的混合物等。另一方面，平坦化层113可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)以及氧化锌(zno2)等。在形成平坦化层113之后，为了提供平坦的上面，可以执行化学机械抛光。
107.在平坦化层113上可以配置有包括像素电极210、中间层220以及对向电极230的有机发光二极管oled。像素电极210可以是(半)透光性电极或反射电极。像素电极210可以具备由铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)、铜(cu)以及它们的化合物等形成的反射膜和形成于反射膜上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以具备选自包括氧化铟锡(ito；indium tin oxide)、氧化铟锌(izo；indium zinc oxide)、氧化锌(zno；zinc oxide)、氧化铟(in2o3；indium oxide)、氧化铟镓(igo；indium gallium oxide)以及氧化铝锌(azo；aluminum zinc oxide)的组的一个以上。像素电极210可以以叠层为ito/ag/ito的结构设置。
108.在平坦化层113上可以配置有像素界定膜180，像素界定膜180可以具有暴露像素电极210的至少一部分的开口。可以将通过像素界定膜180的开口暴露的区域定义为发光区域。发光区域的周边是非发光区域，非发光区域可以围绕发光区域。即，显示区域da可以包括多个发光区域以及围绕它们的非发光区域。像素界定膜180增加像素电极210和所述像素电极210上方的对向电极230之间的距离，从而能够防止在像素电极210的边缘处产生电弧等。像素界定膜180可以例如用聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(hmdso，hexamethyldisiloxane)以及酚醛树脂等之类有机绝缘物质通过旋涂等方法形成。
109.在通过像素界定膜180至少一部分暴露的像素电极210上可以配置有中间层220。中间层220可以包括发光层220b，在发光层220b之下以及之上，可以选择性地配置第一功能层220a以及第二功能层220c。
110.作为一实施例，中间层220可以配置于通过像素界定膜180至少一部分暴露的像素电极210上。更具体地，中间层220的发光层220b可以配置于通过像素界定膜180至少一部分暴露的像素电极210上。
111.第一功能层220a可以配置于发光层220b之下，第二功能层220c可以配置于发光层220b之上。可以将配置于发光层220b之下以及之上的第一功能层220a以及第二功能层220c统称为有机功能层。
112.第一功能层220a可以包括空穴注入层(hil：hole injection layer)及/或空穴输送层(htl：hole transport layer)，第二功能层220c可以包括电子输送层(etl：electron transport layer)及/或电子注入层(eil：electron injection layer)。
113.发光层220b可以包括包含发出红色、绿色、蓝色或白色的光的荧光或磷光物质的有机物。发光层220b可以包括低分子有机物或聚合有机物。
114.在发光层220b包括低分子有机物的情况下，中间层220可以具有空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层等以单一或复合的结构叠层的结构，作为低分子有机物，可以包括以铜酞菁(cupc：copper phthalocyanine)、n,n'
‑
二(萘
‑1‑
基)
‑
n,n'
‑
二苯基联苯胺(n,n'
‑
di(napthalene
‑1‑
yl)
‑
n,n'
‑
diphenyl
‑
benzidine：npb)、三
‑8‑
羟基喹啉铝((tris
‑8‑
hydroxyquinoline aluminum)(alq3))等为首的各种有机物质。这样的层可以通过真空蒸镀的方法形成。
115.在发光层220b包括聚合有机物的情况下，中间层220可以大致具有包括空穴输送层以及发光层的结构。此时，可以是，空穴输送层包括pedot，发光层包括聚苯撑乙烯(ppv；poly
‑
phenylene vinylene)基以及聚芴(polyfluorene)基等聚合物质。这样的发光层可以通过丝网印刷或者喷墨印刷方法、激光热转印方法(liti；laser induced thermal imaging)等形成。
116.在中间层220上可以配置有对向电极230。对向电极230可以配置于中间层220上，并且以覆盖中间层220的全部的形式配置。对向电极230可以配置于显示区域da上方，并且以覆盖显示区域da的全部的形式配置。即，对向电极230可以利用开放掩模一体形成于显示区域整体，以覆盖配置于显示区域da的多个像素p。作为另一实施例，对向电极230也可以利用精细金属掩模进行图案化。
117.对向电极230可以包括功函数低的导电物质。例如，对向电极230可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或它们的合金等的(半)透明层。或者，对向电极230可以在包含前述的物质的(半)透明层上还包括ito、izo、zno或in2o3之类的层。
118.作为一实施例，有机发光二极管oled可以被薄膜封装层覆盖。薄膜封装层可以包括一个以上的无机封装层以及一个以上的有机封装层。作为另一实施例，有机发光二极管oled可以被封装基板覆盖。
119.参照图3以及图5，根据本发明的一实施例的显示装置可以包括第二薄膜晶体管。第二薄膜晶体管可以根据通过第一扫描线sl1接收的第一扫描信号sn1将数据信号dm传送至第一薄膜晶体管。例如，第二薄膜晶体管可以是在图3中前述的开关薄膜晶体管t2。
120.第二薄膜晶体管可以包括开关栅电极、开关源电极以及开关漏电极。可以是，第二薄膜晶体管的开关栅电极连接于第一扫描线sl1，第二薄膜晶体管的开关源电极连接于数据线dl，第二薄膜晶体管的开关漏电极连接于第一薄膜晶体管的驱动源电极。
121.第二薄膜晶体管可以根据第一扫描信号sn1导通而将传送至数据线dl的数据信号dm向第一薄膜晶体管的驱动源电极传送。
122.根据本发明的一实施例的显示装置可以包括第三薄膜晶体管。第三薄膜晶体管可以与包括在第一薄膜晶体管中的第一电极139连接。第三薄膜晶体管可以根据通过第二扫描线sl2接收的第二扫描信号sn2将第一电压传送于第一电极139。例如，第三薄膜晶体管可以是在图3中前述的第二补偿薄膜晶体管t3_2。
123.根据通过第二扫描线sl2接收的第二扫描信号sn2传送于第一电极139的第一电压可以是相当于数据信号dm和第一薄膜晶体管的阈值电压的电压差的电压。
124.图6是为了说明在低色阶下产生亮缺陷而示出的图。在图6中，a曲线是在高色阶以及中间色阶下驱动薄膜晶体管t1的电流
‑
电压曲线，b曲线是在低色阶下驱动薄膜晶体管t1
的电流
‑
电压曲线，c曲线意指有机发光二极管oled的电流
‑
电压曲线。另外，图6的a区域意指发生翘曲效应(kink effect)的区域，在本说明书中翘曲效应(kink effect)意指电荷急剧增加而漏极电流急剧增大。
125.在提升光源的每单位面积光亮程度来实现高亮度显示装置的情况下，如图6所示，可以是，当高色阶以及中间色阶时，在发生翘曲效应(kink effect)的区域即a区域以外的区域形成第一驱动点p1，当低色阶时，在发生翘曲效应(kink effect)的a区域形成第二驱动点p2。由于当低色阶时在a区域形成第二驱动点p2，存在由于翘曲效应(kink effect)比正常图像更亮地发光的情况。此时，第一驱动点p1是在高色阶以及中间色阶下驱动薄膜晶体管t1的电流
‑
电压曲线(例如，a曲线)和有机发光二极管oled的电流
‑
电压曲线(例如，c曲线)相交的点，第二驱动点p2是在低色阶下驱动薄膜晶体管t1的电流
‑
电压曲线(例如，b曲线)和有机发光二极管oled的电流
‑
电压曲线(例如，c曲线)相交的点。
126.图7是示出根据本发明的一实施例的显示装置的电流
‑
电压曲线的图。在图7中，a曲线是在高色阶以及中间色阶下驱动薄膜晶体管t1的电流
‑
电压曲线，b曲线是在低色阶下驱动薄膜晶体管t1的电流
‑
电压曲线，c曲线是在高色阶以及中间色阶下有机发光二极管oled的电流
‑
电压曲线，d曲线意指在低色阶下有机发光二极管oled的电流
‑
电压曲线。另外，图7的a区域意指发生翘曲效应(kink effect)的区域，在本说明书中翘曲效应(kink effect)意指电荷急剧增加而漏极电流急剧增大。
127.参照图3、图5以及图7，当高色阶以及中间色阶时在除发生翘曲效应(kink effect)的区域即a区域以外的区域形成第一驱动点p1，当低色阶时也在除发生翘曲效应(kink effect)的区域即a区域以外的区域形成第三驱动点p3，从而能够防止或最小化产生亮缺陷。此时，第三驱动点p3是在低色阶下驱动薄膜晶体管t1的电流
‑
电压曲线(例如，b曲线)和有机发光二极管oled的电流
‑
电压曲线(例如，d曲线)相交的点。
128.根据本发明的一实施例的显示装置将配置于半导体层下方的第一电极139利用为驱动薄膜晶体管t1的底栅电极，将相当于数据信号dm和阈值电压的电压差的电压施加于所述第一电极139，从而使驱动薄膜晶体管t1的阈值电压负偏移(
‑
shift)而减少vd(sat)，由此在实现高亮度显示装置的情况下也能够改善由于翘曲效应(kink effect)产生亮缺陷，同时能够提升面板特性。此时，vd(sat)可以意指饱和区域中的驱动薄膜晶体管t1的驱动漏极电压，阈值电压的负偏移可以意指阈值电压向负方向移动。
129.再次参照图3以及图5，根据本发明的一实施例的显示装置可以包括第四薄膜晶体管。第四薄膜晶体管可以根据第一扫描信号sn1导通而使第一薄膜晶体管的驱动栅电极136和驱动漏电极138二极管连接。例如，第四薄膜晶体管可以是在图3中前述的第一补偿薄膜晶体管t3_1。
130.可以是，第四薄膜晶体管的第一补偿栅电极连接于第一扫描线sl1，第四薄膜晶体管的第一补偿源电极与第一薄膜晶体管的驱动漏电极以及第三薄膜晶体管的第二补偿源电极连接。即，第四薄膜晶体管和第三薄膜晶体管可以电连接。
131.图8是根据本发明的一实施例的显示装置的任一像素的等效电路图，图9是简要示出根据本发明的一实施例的显示装置的截面图。
132.图8以及图9的实施例作为图3以及图5的变形例，与前述的实施例区别点在于附加了第二电极以及信号线。以下，以区别点为中心进行说明。其余构成与前述的实施例相同或
相似。
133.参照图8以及图9，根据本发明的一实施例的显示装置的像素电路pc可以包括多个薄膜晶体管t1～t7以及多个存储电容器cst1、cst2。更具体地，像素电路pc可以包括驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2、第一补偿薄膜晶体管t3_1、第二补偿薄膜晶体管t3_2、第一初始化薄膜晶体管t4_1、第二初始化薄膜晶体管t4_2、工作控制薄膜晶体管t5、发光控制薄膜晶体管t6、第三初始化薄膜晶体管t7、第一存储电容器cst1以及第二存储电容器cst2。
134.第四扫描线sl4可以将第四扫描信号sn4传送于第二初始化薄膜晶体管t4_2，第五扫描线sl5可以将第五扫描信号sn5传送于第三初始化薄膜晶体管t7。
135.第一存储电容器的第一上电极以及第二存储电容器的第二上电极可以连接于驱动电压线pl。驱动薄膜晶体管t1的驱动栅电极可以连接于第一存储电容器cst1的第一下电极，第二存储电容器cst2的第二下电极可以与驱动薄膜晶体管t1的第一电极139以及第二补偿薄膜晶体管t3_2的第二补偿漏电极连接。
136.根据本发明的一实施例的显示装置可以还包括第二电极141。第二电极141可以与第一电极139至少一部分重叠地配置。在第一电极139和第二电极141之间可以配置有第一缓冲层105。
137.作为一实施例，可以是，驱动栅电极136和下电极144设置为一体而驱动栅电极136和上电极146形成第一存储电容器cst1，第一电极139和第二电极141形成第二存储电容器cst2。作为另一实施例，驱动栅电极136和下电极144可以是独立的构成要件。
138.第一电极139和第二电极141形成第二存储电容器cst2，从而在高色阶以及中间色阶下可以利用驱动薄膜晶体管t1的顶栅即驱动栅电极136而将驱动电流供应于有机发光二极管oled，在低色阶下可以利用驱动薄膜晶体管t1的底栅即第一电极139而将驱动电流供应于有机发光二极管oled。由此，即使在使驱动薄膜晶体管t1的阈值电压负偏移(
‑
shift)而实现高亮度产品的情况下，也能够改善由于翘曲效应(kink effect)产生亮缺陷，同时能够提升面板特性。
139.尽管本发明以示出于附图的实施例为参考进行了说明，但其仅是示例性的，在本技术领域中具有通常知识的人应理解能够由此实现各种变形以及等同的其它实施例。因此，本发明的真正的技术保护范围应通过随附的权利要求书的技术构思来确定。