一种对称门极氮化镓器件及其并联结构的制作方法

技术特征：
1.一种对称门极氮化镓器件，其特征在于，包括：器件框架，在所述器件框架上形成有门极、开尔文源极和漏极；所述门极和开尔文源极设置在所述器件框架的其中一端，所述漏极设置在器件框架的另一端；所述门极和开尔文源极均设置有两个；所述器件框架的其中一端依次设置有所述门极、开尔文源极、开尔文源极和门极，以形成对称式管脚结构。2.根据权利要求1所述的对称门极氮化镓器件，其特征在于，所述氮化镓器件包括氮化镓芯片，所述氮化镓芯片设置在器件框架上；所述氮化镓芯片上设置有芯片门极打线盘、芯片源极打线盘和芯片漏极打线盘；所述门极与所述芯片门极打线盘连接，所述开尔文源极与所述源极打线盘连接，所述漏极与芯片漏极打线盘连接。3.根据权利要求2所述的对称门极氮化镓器件，其特征在于，所述芯片门极打线盘设置有两个，每个所述芯片门极打线盘均与一个门极相连接。4.根据权利要求2所述的对称门极氮化镓器件，其特征在于，所述芯片门极打线盘的面积小于所述芯片源极打线盘和芯片漏极打线盘的面积。5.根据权利要求2所述的对称门极氮化镓器件，其特征在于，所述器件框架上设置有散热盘金属，所述氮化镓芯片设置在所述散热盘金属上。6.根据权利要求2所述的对称门极氮化镓器件，其特征在于，所述芯片门极打线盘的金属宽度、芯片源极打线盘的金属宽度和芯片漏极打线盘的金属宽度均为50
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500微米。7.根据权利要求1所述的对称门极氮化镓器件，其特征在于，所述氮化镓器件包括封装结构，所述封装结构为表面贴封装，直插封装或倒装。8.根据权利要求7所述的对称门极氮化镓器件，其特征在于，所述封装结构的尺寸为5x6mm、6x8mm或8x8mm。9.一种对称门极氮化镓器件的并联结构，其特征在于，包括驱动芯片和两个氮化镓器件；两个所述氮化镓器件并联，所述驱动芯片的输出端与所述氮化镓器件的门极和开尔文源极均连接以形成驱动电路。10.根据权利要求9所述的对称门极氮化镓器件的并联结构，其特征在于，两个所述氮化镓器件的门极通过门极驱动走线连接，所述门极驱动走线与所述驱动芯片的输出端连接以形成门极驱动电路。

技术总结
本实用新型涉及一种对称门极氮化镓器件，其特征在于，包括：器件框架，在所述器件框架上形成有门极、开尔文源极和漏极；所述门极和开尔文源极设置在所述器件框架的其中一端，所述漏极设置在器件框架的另一端；所述门极和开尔文源极均设置有两个；所述器件框架的其中一端依次设置有所述门极、开尔文源极、开尔文源极和门极，以形成对称式管脚结构。使用对称门极设计，就氮化镓器件本身而言，让其内部发热更加均衡，提升芯片承受电流的能力的同时带来更好的可靠性。好的可靠性。好的可靠性。


技术研发人员：傅玥 孔令涛
受保护的技术使用者：南京芯干线科技有限公司
技术研发日：2021.07.06
技术公布日：2021/12/14