半导体用黏合剂、半导体装置的制造方法及半导体装置与流程

1.本发明涉及一种半导体用黏合剂、半导体装置的制造方法及半导体装置。


背景技术：

2.以往，在连接半导体芯片(chip)与基板时，广泛地应用使用金线等金属细线的打线接合(wire bonding)方式。另一方面，为了响应对半导体装置的高功能化、高集成化、高速化等要求，在半导体芯片或基板形成被称为凸块(bump)的导电性突起而将半导体芯片与基板直接连接的倒装芯片连接方式(fc连接方式)正在推广。
3.作为fc连接方式，已知有使用焊料、锡、金、银、铜等来对连接部进行金属接合的方法；施加超声波振动来对连接部进行金属接合的方法；及通过树脂的收缩力来保持机械相接的方法等。但从连接部的可靠性的观点出发，通常采用使用焊料、锡、金、银、铜等来对连接部进行金属接合的方法。
4.例如关于半导体芯片及基板之间的连接，bga(ball grid array：球柵陈列)、csp(chip size package：芯片尺寸封装)等中广泛使用的cob(chipon board：板上芯片)型连接方式也相当于fc连接方式。并且，fc连接方式也被广泛地用于在半导体芯片上形成连接部(凸块或配线)而连接半导体芯片之间的coc(chip on chip：芯片上芯片)型连接方式(例如参考专利文献1)。
5.并且，在强烈要求进一步的小型化、薄型化、高功能化的封装中，将上述连接方式层叠
·
多层化而成的芯片堆栈型封装、pop(package on package：层叠封装)、tsv(through
‑
silicon via：硅通孔)等也开始广泛普及。由于这种层叠
·
多层化技术三维地配置半导体芯片等，因此与二维地配置的方法相比，能够减小封装。并且，由于这种层叠
·
多层化技术对于半导体的性能提高、降低噪声、削减安装面积、省电也有效，因此作为下一代的半导体配线技术而备受关注。
6.并且，从提高生产率的观点出发，将半导体芯片压接(连接)在半导体晶圆上之后单片化来制作半导体封装体的cow(chip on wafer：晶圆上芯片)、将半导体晶圆彼此压接(连接)之后单片化来制作半导体封装体的wow(waf er on wafer：晶圆上晶圆)备受关注。进而，从同样的观点出发，在半导体晶圆上或映射基板上对位多个半导体芯片并临时压接后，将这些多个半导体芯片一并正式压接来确保连接的多端子接合(gang bonding)方式也备受关注。
7.现有技术文献
8.专利文献
9.专利文献1：日本专利公开2008
‑
294382号公报


技术实现要素：

10.发明要解决的技术课题
11.在倒装芯片封装中，有时由于半导体用黏合剂与半导体芯片之间以及半导体芯片
与基板之间的热膨胀系数之差而产生压力，并在封装中产生翘曲。随着半导体芯片及半导体晶圆的膜化，更容易发生该封装的翘曲。
12.并且，在上述层叠
·
多层化的芯片堆栈型封装中，与一层的芯片堆栈型封装相比，翘曲容易变大。
13.由于这种封装的翘曲，容易发生无法进行二次成型(overmold)以及发生封装的连接不良的问题。因此，强烈要求封装的低翘曲化。
14.在此，作为实现封装的低翘曲化的方法，可以考虑使半导体用黏合剂低弹性化。作为使半导体用黏合剂低弹性化的方法，可以考虑使高分子成分的玻璃化转变温度低温化的方法、减少无机填料的添加量的方法、增加有机填料的添加量的方法等。但是，在利用这些方法使半导体用黏合剂低弹性化的情况下，半导体用黏合剂的操作性的恶化或熔融黏度的适当化变得困难，难以同时实现这些特性与封装的低翘曲化。
15.本发明为了解决上述课题而完成，目的在于提供一种能够在抑制黏合力及可靠性的降低的同时，实现所得的封装的低翘曲化的半导体用黏合剂、以及使用该半导体用黏合剂的半导体装置的制造方法及半导体装置。
16.用于解决技术课题的手段
17.为了实现上述目的，本发明提供一种半导体用黏合剂，其含有重均分子量小于10000的树脂、固化剂、无机填料及硅酮橡胶填料。根据上述半导体用黏合剂，通过组合使用无机填料与硅酮橡胶填料作为填料，能够在抑制黏合力及可靠性的降低的同时，实现所得的封装的低翘曲化。尤其是通过使用硅酮橡胶填料作为与无机填料并用的有机填料，能够大幅减少所得的封装的翘曲。
18.上述硅酮橡胶填料的平均粒径可以是30μm以下。在这种情况下，能够在更充分地抑制黏合力及可靠性的降低的同时，进一步减少所得的封装的翘曲。
19.上述无机填料也可以含有二氧化硅填料。在这种情况下，能够进一步提高黏合力及可靠性。并且，无机填料与硅酮橡胶填料更容易均匀地分散，能够以更高水平兼顾良好的黏合力及可靠性，以及所得的封装的低翘曲化。
20.上述半导体用黏合剂也可以含有重均分子量为10000以上的高分子成分。在这种情况下，能够提高半导体用黏合剂的耐热性及膜形成性。
21.上述高分子成分的重均分子量可以是30000以上。并且，上述高分子成分的玻璃化转变温度也可以是100℃以下。若重均分子量为30000以上，则膜形成性变得良好。若玻璃化转变温度为100℃以下，则对基板及半导体芯片的贴附性变得良好。
22.上述半导体用黏合剂可以是膜状。在这种情况下，能够提高半导体用黏合剂的处理性，从而能够提高制造封装时的作业性及生产率。
23.以半导体用黏合剂的固体成分总量为基准，上述半导体用黏合剂中的上述硅酮橡胶填料的含量可以是0.1质量％～20质量％。在这种情况下，能够以更高水平兼顾良好的黏合力及可靠性，以及所得的封装的低翘曲化。
24.在上述半导体用黏合剂中，上述硅酮橡胶填料的含量相对于上述无机填料的含量的质量比(硅酮橡胶填料的质量/无机填料的质量)可以是0.05～0.5。在这种情况下，能够以更高水平兼顾良好的黏合力及可靠性，以及所得的封装的低翘曲化。
25.并且，本发明提供一种半导体装置的制造方法，其为制造半导体芯片及配线电路
基板各自的连接部相互电连接而成的半导体装置、或者多个半导体芯片各自的连接部相互电连接而成的半导体装置的方法，上述半导体装置的制造方法包括：使用上述半导体用黏合剂将上述连接部的至少一部分密封的工序。根据上述制造方法，能够获得半导体芯片与配线电路基板或半导体芯片之间的黏合力及可靠性优异且翘曲减少的半导体装置。
26.进而，本发明提供一种半导体装置，其具备：由半导体芯片及配线电路基板各自的连接部相互电连接而成的连接结构、或者由多个半导体芯片各自的连接部相互电连接而成的连接结构；以及将上述连接部的至少一部分密封的黏合材料，上述黏合材料由上述半导体用黏合剂的固化物形成。上述半导体装置成为半导体芯片与配线电路基板或半导体芯片之间的黏合力及可靠性优异且翘曲减少的半导体装置。
27.发明效果
28.根据本发明，能够提供一种能够在抑制黏合力及可靠性的降低的同时，实现所得的封装的低翘曲化的半导体用黏合剂、以及使用该半导体用黏合剂的半导体装置的制造方法及半导体装置。
附图说明
29.图1是表示本发明的半导体装置的一实施方式的示意剖视图。
30.图2是表示本发明的半导体装置的另一实施方式的示意剖视图。
31.图3是表示本发明的半导体装置的另一实施方式的示意剖视图。
具体实施方式
32.以下，根据情况，参考附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。
33.另外，附图中，对相同或相当部分标注相同符号，并省略重复说明。并且，只要无特别说明，上下左右等位置关系是指基于附图所示的位置关系。
34.此外，附图的尺寸比率并不限于图示的比率。
35.在本说明书中，使用“～”表示的数值范围表示将记载于“～”的前后的数值分别作为最小值及最大值而包含的范围。在本说明书中阶段性地记载的数值范围中，某阶段的数值范围的上限值或下限值能够与其他阶段的数值范围的上限值或下限值任意地组合。在本说明书中记载的数值范围中，其数值范围的上限值或下限值也可置换为实施例中所示的值。所谓“a或b”，只要包含a及b中的任一个即可，也可同时包含两个。只要无特别说明，本说明书中举出的材料能够单独使用一种或者组合使用两种以上。在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”是指，丙烯酸或与其对应的甲基丙烯酸。
36.＜半导体用黏合剂＞
37.本实施方式的半导体用黏合剂含有重均分子量小于10000的树脂(以下根据情况称为“(a)成分”)、固化剂(以下根据情况称为“(b)成分”)、无机填料(以下根据情况称为“(e)成分”)及有机填料(以下根据情况称为“(f)成分”)。并且，本实施方式的半导体用黏合剂含有硅酮橡胶填料作为有机填料。进而，本实施方式的半导体用黏合剂根据需要含有重均分子量为10000以上的高分子化合物(以下根据情况称为“(c)成分”)及/或助熔剂(以下根据情况称为“(d)成分”)。以下，对各成分进行说明。
38.(a)重均分子量小于10000的树脂
39.作为(a)成分，并无特别限制，从耐热性的观点出发，优选与(b)成分的固化剂反应的成分。作为(a)成分，优选在分子内具有两个以上的反应基。作为(a)成分，例如可以举出：环氧树脂、酚醛树脂、酰亚胺树脂、脲醛树脂、三聚氰胺树脂、硅酮树脂、(甲基)丙烯酸化合物、乙烯基化合物。其中，从耐热性及保存稳定性优异的观点出发，优选环氧树脂、酚醛树脂、酰亚胺树脂，更优选环氧树脂、酰亚胺树脂。这些(a)成分能够单独使用，也能够作为两种以上的混合物或共聚物而使用。
40.作为环氧树脂，只要在分子内具有两个以上的环氧基，则并无特别限制，例如可以举出：双酚a型、双酚f型、萘型、苯酚酚醛清漆型、甲酚酚醛清漆型、苯酚芳烷基型、联苯型、三苯基甲烷型及二环戊二烯型等环氧树脂、以及各种多官能环氧树脂。环氧树脂能够单独使用一种或者组合使用两种以上。其中，从耐热性及操作性的观点出发，优选双酚f型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂及三苯基甲烷型环氧树脂。
41.作为酰亚胺树脂，只要在分子内具有两个以上的酰亚胺基，则并无特别限制，例如可以举出：萘二酰亚胺树脂、烯丙基萘二酰亚胺树脂、马来酰亚胺树脂、酰胺酰亚胺树脂、酰亚胺丙烯酸酯树脂、各种多官能酰亚胺树脂及各种聚酰亚胺树脂。酰亚胺树脂能够单独使用一种或者组合使用两种以上。
42.从抑制在高温下连接时分解而产生挥发成分的观点出发，在连接时的温度为250℃的情况下，(a)成分优选使用250℃下的热重量减少率为5％以下的树脂，在连接时的温度为300℃的情况下，优选使用300℃下的热重量减少率为5％以下的树脂。
43.在使用环氧树脂作为(a)成分的情况下，双酚a型或双酚f型的液状环氧树脂的1％热重量减少温度为250℃以下，因此在高温加热时有可能分解而产生挥发成分。因此，优选使用在室温(1气压、25℃)下为固态的环氧树脂。在使用液状环氧树脂的情况下，优选与固体环氧树脂组合使用。
44.(a)成分的重均分子量虽小于10000，但从膜形成的观点出发，优选小于10000，从熔融黏度的适当化的观点出发，优选为100以上。
45.因此，(a)成分的重均分子量优选为100以上且小于10000，更优选为300以上且8000以下，进一步优选为300以上且5000以下。
46.以半导体用黏合剂的固体成分总量为基准，(a)成分的含量例如为5质量％～75质量％，优选为15质量％～60质量％，更优选为30质量％～50质量％。通过将(a)成分的含量设为5质量％以上，黏合力及可靠性优异，若为75质量％以下，则防止固化物变得过硬，容易减少封装的翘曲。
47.(b)固化剂
48.作为(b)固化剂，例如可以举出：酚醛树脂系固化剂、酸酐系固化剂、胺系固化剂、咪唑系固化剂及膦系固化剂。若(b)成分包含酚性羟基、酸酐、胺系或咪唑系，则显示出抑制在连接部中生成氧化膜的助熔活性，从而能够使连接可靠性及绝缘可靠性提高。以下对各固化剂进行说明。
49.(b
‑
i)酚醛树脂系固化剂
50.作为酚醛树脂系固化剂，只要在分子内具有两个以上的酚性羟基，则并无特别限制，能够使用：苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚萘酚甲醛缩聚
物、三苯基甲烷型多官能酚醛树脂及各种多官能酚醛树脂等。这些能够单独使用，也能够作为两种以上的混合物而使用。并且，液状酚醛树脂在高温加热时有可能分解而产生挥发成分，因此优选使用在室温(1气压、25℃)下为固态的酚醛树脂。
51.从使固化性、黏合性及保存稳定性等良好的观点出发，(b
‑
i)酚醛树脂系固化剂相对于上述(a)成分的当量比(酚性羟基/(a)成分的反应基的摩尔比)优选为0.3～1.5，更优选为0.4～1.0，进一步优选为0.5～1.0。若当量比为0.3以上，则有固化性提高、黏合力提高的倾向，若为1.5以下，则不会过剩地残留未反应的酚性羟基，吸水率被抑制得较低，有绝缘可靠性提高的倾向。酚性羟基显示出去除氧化膜的助熔活性，因此通过半导体用黏合剂含有酚醛树脂系固化剂，能够提高连接性、可靠性。
52.(b
‑
ii)酸酐系固化剂
53.作为酸酐系固化剂，例如能够使用：甲基环己烷四羧酸二酐、偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸酐、二苯甲酮四羧酸二酐及乙二醇双偏苯三甲酸酐酯等。这些能够单独使用，也能够作为两种以上的混合物而使用。并且，液状酸酐在高温加热时有可能分解而产生挥发成分，因此优选使用在室温(1气压、25℃)下为固态的酸酐。
54.从使固化性、黏合性及保存稳定性等良好的观点出发，(b
‑
ii)酸酐系固化剂相对于上述(a)成分的当量比(酸酐基/(a)成分的反应基的摩尔比)优选为0.3～1.5，更优选为0.4～1.0，进一步优选为0.5～1.0。若当量比为0.3以上，则有固化性提高、黏合力提高的倾向，若为1.5以下，则不会过剩地残留未反应的酸酐，吸水率被抑制得较低，有绝缘可靠性提高的倾向。酸酐显示出去除氧化膜的助熔活性，因此通过半导体用黏合剂含有酸酐系固化剂，能够提高连接性、可靠性。
55.(b
‑
iii)胺系固化剂
56.作为胺系固化剂，能够使用二氰二胺等。并且，液状胺在高温加热时有可能分解而产生挥发成分，因此优选使用在室温(1气压、25℃)下为固态的胺。
57.从使固化性、黏合性及保存稳定性等良好的观点出发，(b
‑
iii)胺系固化剂相对于上述(a)成分的当量比(胺/(a)成分的反应基的摩尔比)优选为0.3～1.5，更优选为0.4～1.0，进一步优选为0.5～1.0。若当量比为0.3以上，则有固化性提高、黏合力提高的倾向，若为1.5以下，则不会过剩地残留未反应的胺，吸水率被抑制得较低，有绝缘可靠性提高的倾向。胺系显示出去除氧化膜的助熔活性，因此通过半导体用黏合剂含有胺系固化剂，能够提高连接性、可靠性。
58.(b
‑
iv)咪唑系固化剂(所含有的氮原子为叔氮原子)
59.作为咪唑系固化剂，可以举出：1
‑
苄基
‑2‑
甲基咪唑、1
‑
苄基
‑2‑
苯基咪唑、1
‑
氰基乙基
‑2‑
十一烷基咪唑、1
‑
氰基乙基
‑2‑
苯基咪唑、1
‑
氰基乙基
‑2‑
十一烷基咪唑偏苯三甲酸酯、1
‑
氰基乙基
‑2‑
苯基咪唑鎓偏苯三甲酸酯、2,4
‑
二氨基
‑6‑
[2'
‑
甲基咪唑基
‑
(1')]
‑
乙基
‑
均三嗪、2,4
‑
二氨基
‑6‑
[2'
‑
十一烷基咪唑基
‑
(1')]
‑
乙基
‑
均三嗪、2,4
‑
二氨基
‑6‑
[2'
‑
乙基
‑
4'
‑
甲基咪唑基
‑
(1')]
‑
乙基
‑
均三嗪、2,4
‑
二氨基
‑6‑
[2'
‑
甲基咪唑基
‑
(1')]
‑
乙基
‑
均三嗪异三聚氰酸加成物、2
‑
苯基咪唑异三聚氰酸加成物、环氧树脂与咪唑系的加成物等。其中，从使固化性、黏合性及保存稳定性等良好的观点出发，优选1
‑
氰基乙基
‑2‑
十一烷基咪唑、1
‑
氰基乙基
‑2‑
苯基咪唑、1
‑
氰基乙基
‑2‑
十一烷基咪唑偏苯三甲酸酯、1
‑
氰基乙基
‑2‑
苯基咪唑鎓偏苯三甲酸酯、2,4
‑
二氨基
‑6‑
[2'
‑
甲基咪唑基
‑
(1')]
‑
乙基
‑
均三嗪、2,4
‑
二
氨基
‑6‑
[2'
‑
乙基
‑
4'
‑
甲基咪唑基
‑
(1')]
‑
乙基
‑
均三嗪、2,4
‑
二氨基
‑6‑
[2'
‑
甲基咪唑基
‑
(1')]
‑
乙基
‑
均三嗪异三聚氰酸加成物、2
‑
苯基咪唑异三聚氰酸加成物。这些能够单独使用，也能够组合使用两种以上。并且，也能够使用将这些进行微胶囊化而提高潜在性的潜在性固化剂。
[0060]
(b
‑
iv)咪唑系固化剂的含量相对于(a)成分100质量份优选为0.1质量份～20质量份，更优选为0.1质量份～10质量份。若该含量为0.1质量份以上，则有固化性提高的倾向，若为20质量份以下，则在金属接合形成之前半导体用黏合剂不会固化，有不易产生连接不良的倾向。咪唑系固化剂可以单独作为(b)固化剂使用，也可以与上述(b
‑
i)～(b
‑
iii)的固化剂一起作为固化促进剂而使用。
[0061]
(b
‑
v)膦系固化剂
[0062]
作为膦系固化剂，可以举出：三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸盐、四苯基鏻四(4
‑
甲基苯基)硼酸盐、四苯基鏻(4
‑
氟苯基)硼酸盐等。
[0063]
相对于(a)成分100质量份，(b
‑
v)膦系固化剂的含量优选为0.1质量份～10质量份，更优选为0.1质量份～5质量份。若膦系固化剂的含量为0.1质量份以上，则有固化性提高的倾向，若为10质量份以下，则在金属接合形成之前膜状黏合剂不会固化，有不易产生连接不良的倾向。
[0064]
酚醛树脂系固化剂、酸酐系固化剂及胺系固化剂能够分别单独使用一种或者作为两种以上的混合物而使用。咪唑系固化剂及膦系固化剂可以分别单独使用，也可以与酚醛树脂系固化剂、酸酐系固化剂或胺系固化剂一起使用。
[0065]
(c)重均分子量10000以上的高分子成分
[0066]
作为(c)重均分子量10000以上的高分子成分，可以举出：苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚碳二酰亚胺树脂、氰酸酯树脂、丙烯酸树脂、聚酯树脂、聚乙烯树脂、聚醚砜树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚乙烯缩醛树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸橡胶等。其中，从耐热性及膜形成性优异的方面而言，优选苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸橡胶、氰酸酯树脂、聚碳二酰亚胺树脂等，更优选苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸橡胶，进一步优选苯氧基树脂。这些高分子成分能够单独使用，也能够作为两种以上的混合物或共聚物而使用。
[0067]
(c)成分、(a)成分与(b)成分的质量比并无特别限制，从使膜形成性及利用旋涂等的膜形成性良好的观点出发，相对于(c)成分1质量份，(a)成分及(b)成分的合计质量优选为0.01质量份～5质量份，更优选为0.1质量份～4质量份，进一步优选为0.1质量份～3质量份。若该质量比为0.01质量份以上，则有能够抑制半导体用黏合剂的固化性的降低、能够抑制黏合力的降低的倾向，若为5质量份以下，则有能够使膜形成性及膜形成性良好的倾向。
[0068]
作为(c)成分使用的聚酰亚胺树脂例如能够利用公知的方法使四羧酸二酐与二胺进行稠合反应而获得。更具体而言，在有机溶剂中，将四羧酸二酐与二胺以等摩尔或大致等摩尔混合(各成分的添加顺序任意)，在反应温度80℃以下、优选0℃～60℃下进行加成反应。随着反应的进行，反应液的黏度逐渐上升，生成作为聚酰亚胺的前驱物的聚酰胺酸。另外，为了抑制半导体用黏合剂的各种特性的降低，上述四羧酸二酐优选利用乙酸酐进行再结晶精制处理。
[0069]
上述聚酰胺酸也能够通过在50℃～80℃的温度下加热使其解聚来调整其分子量。
[0070]
聚酰亚胺树脂能够使上述反应产物(聚酰胺酸)脱水闭环而获得。脱水闭环能够利
用进行加热处理的热闭环法或使用脱水剂的化学闭环法进行。
[0071]
从使对基板及半导体芯片的贴附性良好的观点出发，(c)成分的玻璃化转变温度(tg)优选为100℃以下，更优选为75℃以下。若tg为100℃以下，则利用半导体用黏合剂容易将形成于半导体芯片上的凸块或者形成于基板上的电极或配线图案等的凹凸填埋，有能够防止气泡的残留、抑制孔隙(void)的产生的倾向。另外，上述tg是使用差示扫描热量计(perkinelmer,inc.制造，dsc
‑
7型)，在样品量10mg、升温速度5℃/min、测量气氛：空气的条件下测量时的tg。
[0072]
(c)成分的重均分子量以聚苯乙烯换算计为10000以上，但是为了单独显示出良好的膜形成性，优选为20000以上，更优选为30000以上，进一步优选为40000以上。在重均分子量小于10000的情况下，膜形成性有可能降低。并且，考虑到流动性，(c)成分的重均分子量例如为100万以下，优选为50万以下。
[0073]
在本说明书中，重均分子量是指使用高效液相色谱法(shimadzu corporati on制造的c
‑
r4a)以聚苯乙烯换算测量时的重均分子量。
[0074]
(c)成分与(a)成分的含量之比并无特别限制，从良好地保持膜状的观点出发，(a)成分相对于(c)成分1质量份优选为0.01质量份～5质量份，更优选为0.1质量份～2质量份。若该含量之比为0.01质量份以上，则有能够抑制半导体用黏合剂的固化性的降低、能够抑制黏合力的降低的倾向，若为5质量份以下，则有能够使膜形成性及膜形成性良好的倾向。
[0075]
(d)助熔剂
[0076]
半导体用黏合剂能够含有(d)助熔剂、即作为显示出助熔活性(去除氧化物及杂质的活性)的化合物的助熔活性剂。作为助熔剂，例如可以举出：如咪唑系及胺系等具有非共价电子对的含氮化合物、羧酸类、苯酚类及醇类。另外，与醇类相比，如羧酸类之类的有机酸类更强烈地显现出助熔活性，容易提高连接性。
[0077]
从显现出助熔活性并提高连接性的观点出发，以半导体用黏合剂的固体成分总量为基准，(d)成分的含量优选为0.1质量％～5质量％，更优选为1质量％～5质量％。
[0078]
(e)无机填料
[0079]
本实施方式的半导体用黏合剂含有无机填料作为(e)成分。通过含有(e)成分，能够控制半导体用黏合剂的黏度及固化物的物性，能够抑制连接半导体芯片与基板时的孔隙的产生及吸湿率。并且，通过含有(e)成分，半导体用黏合剂能够获得优异的黏合力，且能够提高耐回焊性及耐湿性等可靠性。
[0080]
作为(e)成分，例如可以举出绝缘性无机填料及晶须。作为绝缘性无机填料的材质，可以举出：玻璃、二氧化硅、氧化铝、二氧化硅
·
氧化铝、氧化钛、云母、氮化硼等，其中，优选为二氧化硅、氧化铝、二氧化硅
·
氧化铝、氧化钛、氮化硼等，更优选为二氧化硅、氧化铝、氮化硼，进一步优选为二氧化硅。作为晶须的材质，可以举出硼酸铝、钛酸铝、氧化锌、硅酸钙、硫酸镁、氮化硼等。
[0081]
从分散性及黏合力提高的观点出发，(e)成分优选为表面处理填料。作为表面处理，可以举出缩水甘油基系(环氧系)、胺系、苯基系、苯胺基系、丙烯酸系、乙烯基系等。
[0082]
作为表面处理，从表面处理的容易性而言，优选利用环氧硅烷系、氨基硅烷系、丙烯酸硅烷系等硅烷化合物进行的硅烷处理。作为表面处理剂，从分散性及流动性优异且进一步提高黏合力的观点出发，优选缩水甘油基系、苯胺基系、(甲基)丙烯酸系的化合物。作
为表面处理剂，从保存稳定性的观点出发，优选苯基系、(甲基)丙烯酸系的化合物。
[0083]
关于(e)成分的粒径，从防止倒装芯片连接时的咬入的观点出发，平均粒径优选为1.5μm以下，从可视性(透明性)的观点出发，平均粒径更优选为1.0μm以下。(e)成分的平均粒径例如能够通过湿式
·
干式粒度分布测量装置(beckman coulter,inc.制造，ls13 320)测量。
[0084]
这些(e)成分能够单独使用，也能够作为两种以上的混合体而使用。关于(e)成分的形状，并无特别限制。
[0085]
以半导体用黏合剂的固体成分总量为基准，(e)成分的含量优选为20质量％～60质量％，更优选为30质量％～50质量％。若该含量为20质量％以上、尤其是30质量％以上，则有能够进一步抑制孔隙产生及吸湿率、能够进一步提高黏合力以及耐回焊性及耐湿性等可靠性的倾向。另一方面，若含量为60质量％以下、尤其是50质量％以下，则有容易减少所得的封装的翘曲，并且，容易防止倒装芯片连接时的咬入的倾向。
[0086]
(f)有机填料
[0087]
本实施方式的半导体用黏合剂含有有机填料作为(f)成分。通过含有(f)成分，能够控制半导体用黏合剂的黏度及固化物的物性，能够抑制连接半导体芯片与基板时的孔隙的产生及吸湿率。
[0088]
作为有机填料的材质，例如可以举出聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、硅酮、甲基丙烯酸甲酯树脂及甲基丙烯酸甲酯
‑
丁二烯
‑
苯乙烯共聚树脂(methylmethacry late butadiene styrene，mbs)。(f)成分与(e)成分相比，能够在260℃等高温下对半导体用黏合剂及其固化物赋予柔软性，因此适于提高耐回焊性及耐温度循环性。并且，由于赋予柔软性，因此对提高膜形成性也有效。
[0089]
这些(f)成分能够单独使用，也能够作为两种以上的混合体而使用。关于(f)成分的形状，并无特别限制。
[0090]
本实施方式的半导体用黏合剂含有硅酮橡胶填料作为(f)成分。通过半导体用黏合剂含有硅酮橡胶填料，能够实现所得的封装的低翘曲化。
[0091]
硅酮橡胶填料只要是含有硅酮橡胶作为填料的构成成分的填料即可，可以是仅包含硅酮橡胶的填料，也可以是与其他成分复合化的填料。硅酮橡胶填料可以是具有核
‑
壳型结构的粒子。作为核
‑
壳型的结构，可以举出具有核层(核材料)以及以被覆核层的方式设置的壳层(表面层)的结构。核层与壳层的组成可以相同也可以不同。另外，核层与壳层可以不具有明确的边界线。作为硅酮橡胶填料，例如能够使用核层由硅酮橡胶粒子构成、壳层由除了硅酮橡胶粒子以外的其他成分构成的复合粒子。作为这种复合粒子，可以优选举出核层由硅酮橡胶粒子构成、壳层由具有比核层的硅酮橡胶粒子高的玻璃化转变温度及弹性系数的硅酮树脂构成的硅酮复合粉末。这种硅酮复合粉末能够通过壳层来抑制核层的硅酮橡胶粒子因溶剂或半导体用黏合剂的构成材料发生溶胀而在硅酮橡胶粒子彼此之间形成凝聚体。
[0092]
硅酮橡胶填料的平均粒径优选为0.1μm～50μm，更优选为0.1μm～30μm，进一步优选为0.1μm～10μm。若平均粒径为50μm以下，则有安装时的连接性变得良好的倾向。硅酮橡胶填料的平均粒径例如能够通过湿式
·
干式粒度分布测量装置(beckman coulter,inc.制造，ls13 320)测量。
[0093]
以半导体用黏合剂的固体成分总量为基准，硅酮橡胶填料的含量优选为0.1质量％～20质量％，更优选为1质量％～18质量％，进一步优选为3质量％～15质量％。若该含量为0.1质量％以上，则有容易低弹性化的倾向，若为20质量％以下，则有容易使熔融黏度适当化的倾向。
[0094]
从更充分地获得本发明的效果的观点出发，以(f)成分总量为基准，硅酮橡胶填料的含量在(f)成分中所占的比例优选为50质量％以上，更优选为80质量％以上。另外，硅酮橡胶填料的含量的比例也可以是100质量％。
[0095]
硅酮橡胶填料的含量相对于(e)成分的含量的质量比(硅酮橡胶填料的质量/无机填料的质量)优选为0.05～0.5，更优选为0.08～0.4，进一步优选为0.1～0.3。通过使该质量比在上述范围内，能够以更高水平兼顾良好的黏合力及可靠性，以及所得的封装的低翘曲化。
[0096]
以半导体用黏合剂的固体成分整体为基准，(e)成分及(f)成分的合计含量优选为30质量％～90质量％，更优选为40质量％～80质量％。若含量为30质量％以上，则有可以更充分地提高黏合力的倾向。若含量为90质量％以下，则有能够抑制黏度变高而产生半导体用黏合剂的流动性的降低及填料向连接部的咬入(陷入(trapping))，能够获得良好的连接可靠性的倾向。
[0097]
从绝缘可靠性的观点出发，填料优选为绝缘性。半导体用黏合剂优选不含银填料、焊料填料等导电性金属填料。不含导电性填料(导电性粒子)的半导体用黏合剂(电路连接材料)有时也被称为ncf(non
‑
conductive
‑
film：非导电膜)或ncp(non
‑
conductive
‑
paste：非导电胶)。本实施方式所涉及的半导体用黏合剂能够适当地用作ncf或ncp。
[0098]
半导体用黏合剂中还可以进一步调配离子阱、抗氧化剂、硅烷偶联剂、钛偶联剂、调平剂等。这些可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。关于这些调配量，只要适宜调整以显现出各添加剂的效果即可。
[0099]
本实施方式的半导体用黏合剂能够成型为膜状。以下示出使用了本实施方式的半导体用黏合剂的膜状黏合剂的制作方法的一例。
[0100]
首先，将(a)成分～(f)成分及添加剂中的必要成分添加至有机溶剂中，通过搅拌混合、混炼等进行溶解或分散而制备树脂清漆。然后，在实施了脱模处理的基材膜上，使用刮刀涂布机、辊涂布机、敷料器等来涂布树脂清漆后，通过加热而将有机溶剂去除，由此能够在基材膜上形成膜状黏合剂。
[0101]
膜状黏合剂的厚度并无特别限制，例如优选为连接前的凸块的高度的0.5倍～1.5倍，更优选为0.6倍～1.3倍，进一步优选为0.7倍～1.2倍。
[0102]
若膜状黏合剂的厚度为凸块的高度的0.5倍以上，则能够充分抑制因未填充黏合剂而引起的孔隙的产生，从而能够进一步提高连接可靠性。并且，若厚度为1.5倍以下，则能够充分抑制在连接时自芯片连接区域被挤出的黏合剂的量，因此能够充分防止黏合剂向不必要的部分的附着。若膜状黏合剂的厚度大于1.5倍，则凸块必须排除大量的黏合剂，容易产生导通不良。并且，对于由窄间距化
·
多针脚化引起的凸块的弱化(凸块直径的微小化)而言，排除大量的树脂的情况会增大对凸块的损伤，因此不优选。
[0103]
通常，从凸块的高度为5μm～100μm来看，膜状黏合剂的厚度优选为2.5μm～150μm，更优选为3.5μm～120μm。
[0104]
作为树脂清漆的制备中所使用的有机溶剂，优选具有能够使各成分均匀地溶解或分散的特性，例如可以举出：二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、n
‑
甲基
‑2‑
吡咯烷酮、二甲基亚砜、二乙二醇二甲醚、甲苯、苯、二甲苯、甲基乙基酮、四氢呋喃、乙基溶纤剂、乙基溶纤剂乙酸酯、丁基溶纤剂、二恶烷、环己酮、及乙酸乙酯。这些有机溶剂能够单独使用，也能够组合使用两种以上。制备树脂清漆时的搅拌混合及混炼例如能够使用搅拌机、磨碎机、三辊、球磨机、珠磨机或均质机来进行。
[0105]
作为基材膜，只要具有可耐受使有机溶剂挥发时的加热条件的耐热性，则并无特别限制，能够举出：聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜等聚烯烃膜；聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜等聚酯膜；聚酰亚胺膜及聚醚酰亚胺膜。基材膜并不限于包含这些膜的单层膜，也可以是包含两种以上的材料的多层膜。
[0106]
使有机溶剂自涂布于基材膜的树脂清漆中挥发时的干燥条件优选设为有机溶剂充分挥发的条件，具体而言，优选进行50℃～200℃、0.1分钟～90分钟的加热。有机溶剂相对于膜状黏合剂总量优选为被去除至1.5质量％以下。
[0107]
并且，本实施方式的半导体用黏合剂可以在晶圆上直接形成。具体而言，例如可以通过将上述树脂清漆直接旋涂于晶圆上而形成膜后将有机溶剂去除，而于晶圆上直接形成半导体用黏合剂。
[0108]
＜半导体装置＞
[0109]
对于本实施方式的半导体装置，以下使用图1及图2来进行说明。图1是表示本发明的半导体装置的一实施方式的示意剖视图。如图1的(a)所示，半导体装置100具有：相互对置的半导体芯片10及基板(配线电路基板)20、分别配置于半导体芯片10及基板20的相互对置的面上的配线15、将半导体芯片10及基板20的配线15相互连接的连接凸块30、以及无间隙地填充于半导体芯片10及基板20间的空隙中的黏合材料40。半导体芯片10及基板20通过配线15及连接凸块30而经倒装芯片连接。配线15及连接凸块30由黏合材料40密封而与外部环境隔离。
[0110]
如图1的(b)所示，半导体装置200具有：相互对置的半导体芯片10及基板20、分别配置于半导体芯片10及基板20的相互对置的面上的凸块32、以及无间隙地填充于半导体芯片10及基板20间的空隙中的黏合材料40。半导体芯片10及基板20通过对置的凸块32相互连接而经倒装芯片连接。凸块32由黏合材料40密封而与外部环境隔离。黏合材料40为本实施方式的半导体用黏合剂的固化物。
[0111]
图2是表示本发明的半导体装置的另一实施方式的示意剖视图。如图2的(a)所示，半导体装置300除了通过配线15及连接凸块30将两个半导体芯片10倒装芯片连接的方面以外，与半导体装置100相同。如图2的(b)所示，半导体装置400除了通过凸块32将两个半导体芯片10倒装芯片连接的方面以外，与半导体装置200相同。
[0112]
半导体芯片10并无特别限制，能够使用由硅、锗等同一种类的元素所构成的元素半导体；砷化镓、磷化铟等化合物半导体。
[0113]
作为基板20，若为电路基板则并无特别限制，能够使用：在以玻璃环氧、聚酰亚胺、聚酯、陶瓷、环氧、双马来酰亚胺三嗪等作为主要成分的绝缘基板的表面上，将金属膜的不需要的部位蚀刻去除而形成的具有配线(配线图案)15的电路基板；在上述绝缘基板的表面通过金属镀敷等而形成有配线15的电路基板；通过在上述绝缘基板的表面上印刷导电性物
质而形成有配线15的电路基板。
[0114]
配线15及凸块32等连接部含有金、银、铜、焊料(主成分例如为锡
‑
银、锡
‑
铅、锡
‑
铋、锡
‑
铜、锡
‑
银
‑
铜)、镍、锡、铅等作为主成分，也可以含有多种金属。
[0115]
上述金属中，从形成连接部的电传导性
·
热传导性优异的封装的观点出发，优选为金、银及铜，更优选为银及铜。从形成降低了成本的封装的观点出发，基于廉价而优选为银、铜及焊料，更优选为铜及焊料，进一步优选为焊料。若在室温下在金属的表面形成氧化膜，则存在生产率降低的情况及成本增加的情况，因此，从抑制氧化膜的形成的观点出发，优选为金、银、铜及焊料，更优选为金、银、焊料，进一步优选为金、银。
[0116]
在上述配线15及凸块32的表面上，也可以通过例如镀敷而形成有以金、银、铜、焊料(主成分为例如锡
‑
银、锡
‑
铅、锡
‑
铋、锡
‑
铜)、锡、镍等作为主要成分的金属层。该金属层可仅包含单一的成分，也可以包含多种成分。并且，上述金属层也可以呈单层或多个金属层层叠而成的结构。
[0117]
图1的(b)中，设置于半导体芯片10的表面的凸块32也可以具有包括铜柱部与焊料部的多层结构。在这种情况下，优选为铜柱部配置于半导体芯片10侧，焊料部设置于铜柱部的端部。
[0118]
并且，本实施方式的半导体装置中，半导体装置100～半导体装置400中所示的结构(封装)也可以层叠有多个。在这种情况下，半导体装置100～半导体装置400也可以通过包含金、银、铜、焊料(主成分为例如锡
‑
银、锡
‑
铅、锡
‑
铋、锡
‑
铜、锡
‑
银
‑
铜)、锡、镍等的凸块或配线而相互电连接。
[0119]
作为将半导体装置层叠多个的方法，如图3所示，例如可以举出tsv(thro ugh
‑
silicon via：硅通孔技术)技术。图3是表示本发明的半导体装置的另一实施方式的示意剖视图，且为使用tsv技术的半导体装置。在图3所示的半导体装置500中，形成于中介层(interposer)50上的配线15经由连接凸块30而与半导体芯片10的配线15连接，由此将半导体芯片10与中介层50倒装芯片连接。在半导体芯片10与中介层50之间的空隙中，无间隙地填充有黏合材料40。在上述半导体芯片10中的与中介层50相反的一侧的表面上，经由配线15、连接凸块30及黏合材料40而反复层叠有半导体芯片10。半导体芯片10的表背的图案面的配线15通过在贯穿半导体芯片10内部的孔内所填充的贯穿电极34而相互连接。另外，作为贯穿电极34的材质，能够使用铜、铝等。
[0120]
通过这种tsv技术，也能够从通常不会使用的半导体芯片的背面获取信号。进而，由于贯穿电极34垂直地穿过半导体芯片10，因此可以缩短对置的半导体芯片10之间、或半导体芯片10及中介层50之间的距离，使得可以灵活地进行连接。在这种tsv技术中，本实施方式的半导体用黏合剂能够适用为对置的半导体芯片10之间、或半导体芯片10及中介层50之间的半导体用黏合剂。
[0121]
并且，在区域凸块(area bump)芯片技术等自由度高的凸块形成方法中，能够不经由中介层而将半导体芯片直接封装到母板(mother board)上。本实施方式的半导体用黏合剂也能够适用于这种将半导体芯片直接封装到母板上的情况。另外，本实施方式的半导体用黏合剂也能够适用在将两个配线电路基板层叠的情况下，将基板间的空隙密封时。
[0122]
＜半导体装置的制造方法＞
[0123]
其次，对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。
[0124]
首先，在基板或半导体芯片上贴附膜状黏合剂。膜状黏合剂的贴附能够通过加热压制、辊层压、真空层压等来进行。膜状黏合剂的供给面积及厚度根据半导体芯片或基板的尺寸以及连接凸块的高度适当设定。膜状黏合剂可贴附到半导体芯片上，也可以在贴附到半导体晶圆上后，通过切割而单片化为半导体芯片，制作贴附有膜状黏合剂的半导体芯片。
[0125]
在将膜状黏合剂贴附到基板或半导体芯片上后，使用倒装芯片接合机等连接装置对半导体芯片的连接凸块(焊料凸块等)与基板的配线(铜配线等)进行对位。接着，对半导体芯片与基板一边以连接凸块的熔点以上的温度进行加热一边进行压接，从而连接半导体芯片与基板，并且通过膜状黏合剂对半导体芯片与基板间的空隙进行密封填充。通过以上所述而获得半导体装置。
[0126]
连接荷重可考虑连接凸块的数量及高度的偏差、因加压而产生的连接凸块或承接连接部的凸块的配线的变形量来设定。关于连接温度，连接部的温度优选为连接凸块的熔点以上，但只要为可形成各个连接部(凸块或配线)的金属接合的温度即可。在连接凸块为焊料凸块的情况下，连接温度也可以是约220℃以上。
[0127]
连接时的连接时间根据连接部的构成金属而不同，但从生产率提高的观点出发，时间越短越好。在连接凸块为焊料凸块的情况下，连接时间优选为20秒以下，更优选为10秒以下，进一步优选为5秒以下。在使用焊料凸块以短时间连接进行连接的情况下，连接时间优选为4秒以下，更优选为3秒以下，进一步优选为2秒以下。如此通过在短时间内进行连接，能够制造更多的高可靠性的封装件。在此，连接时间是指上述连接温度施加在连接凸块上的时间。在铜
‑
铜或铜
‑
金的金属连接的情况下，连接时间优选为60秒以下。在连接凸块为焊料凸块的情况下，优选为在连接时使焊料熔融，去除氧化膜及表面的杂质，在连接部形成金属接合。
[0128]
在本实施方式的半导体装置的制造方法中，也可以在对位后进行临时固定(介隔有半导体用黏合剂的状态)，并利用回焊炉进行加热处理，由此使连接凸块熔融而连接半导体芯片与基板。在临时固定的阶段中，并非必须形成金属接合，因此与上述一边进行加热一边进行压接的方法相比，可以进行低荷重、短时间、低温度下的压接，从而能够提高生产率并抑制连接部的劣化。
[0129]
并且，也可以在连接半导体芯片与基板后，利用烘箱等进行加热处理，来进一步提高连接可靠性
·
绝缘可靠性。加热温度优选为膜状黏合剂进行固化的温度，更优选为完全固化的温度。加热温度、加热时间可以适当设定。
[0130]
本实施方式的半导体装置的制造方法中，也可以向基板或半导体芯片上供给糊状的半导体用黏合剂来代替膜状黏合剂。半导体用黏合剂的供给能够通过旋涂等涂布方法进行。
[0131]
以上，对本发明的优选的实施方式进行了说明，但本发明并不限于上述实施方式。
[0132]
实施例
[0133]
以下，通过实施例来对本发明进行更具体地说明，但本发明并不限于实施例。
[0134]
各实施例及比较例中所使用的化合物如下所述。
[0135]
(a)成分：重均分子量小于10000的树脂
[0136]
(a
‑
1)：含三苯酚甲烷骨架的多官能环氧树脂(mitsubishi chemical corp oration制造，商品名“ep1032h60”，重均分子量：800～2000)
[0137]
(a
‑
2)：双酚f型液状环氧树脂(mitsubishi chemical corporation制造，商品名“yl983u”，重均分子量：约340)
[0138]
(a
‑
3)：可挠性半固体状环氧树脂(mitsubishi chemical corporation制造，商品名“yx7110b60”，重均分子量：约1000～5000)
[0139]
(b)成分：固化剂：2,4
‑
二氨基
‑6‑
[2'
‑
甲基咪唑
‑
(1')]
‑
乙基
‑
均三嗪异三聚氰酸加成物(shikoku chemicals corp制造，商品名“2maok
‑
pw”)
[0140]
(c)成分：重均分子量为10000以上的高分子化合物：苯氧基树脂(tohtokasei co.,ltd.制造，商品名“zx1356”，tg：约71℃，重均分子量：约63000)
[0141]
(d)成分：助熔剂(羧酸)：戊二酸(熔点：约95℃)
[0142]
(e)成分：无机填料
[0143]
(e
‑
1)二氧化硅填料(admatechs co.,ltd.制造，商品名“se2050”，平均粒径：0.5μm)
[0144]
(e
‑
2)甲基丙烯酸表面处理纳米二氧化硅填料(admatechs co.,ltd.制造，商品名“ya050c
‑
sm”，平均粒径：约50nm)
[0145]
(f)成分：有机填料
[0146]
(f
‑
1)：硅酮复合粉末(shin
‑
etsu chemical co.,ltd.制造，商品名“kmp
‑
602”，平均粒径：30μm，用硅酮树脂包复球状硅酮橡胶粉末的表面的球状粉末)
[0147]
(f
‑
2)：硅酮复合粉末(shin
‑
etsu chemical co.,ltd.制造，商品名“kmp
‑
600”，平均粒径：5μm，用硅酮树脂包复球状硅酮橡胶粉末的表面的球状粉末)
[0148]
(f
‑
3)：硅酮复合粉末(shin
‑
etsu chemical co.,ltd.制造，商品名“kmp
‑
605”，平均粒径：2μm，用硅酮树脂包复球状硅酮橡胶粉末的表面的球状粉末)
[0149]
(f
‑
4)：硅酮复合粉末(shin
‑
etsu chemical co.,ltd.制造，商品名“x
‑
52
‑
7030”，平均粒径：0.8μm，用硅酮树脂包复球状硅酮橡胶粉末的表面的球状粉末)
[0150]
(f
‑
5)：核壳型有机微粒子(rohm and haas japan制造，商品名“exl
‑
2655”，核部分：丁二烯/苯乙烯共聚物，壳部分：pmma/苯乙烯共聚物)
[0151]
(实施例1～实施例4及比较例1～比较例2)
[0152]
＜膜状黏合剂的制作＞
[0153]
将表1所示的调配量(单位：质量份)的(a)成分、(b)成分、(c)成分、(d)成分、(e)成分及(f)成分以nv值([干燥后的涂料成分质量]/[干燥前的涂料成分质量]
×
100)成为60质量％的方式添加到有机溶剂(甲基乙基酮)中。然后，添加与上述(a)成分～(f)成分及有机溶剂的总调配量相同质量的的二氧化锆珠粒，利用球磨机(fritsch japan co.,ltd.，行星型微粉碎机p
‑
7)搅拌30分钟。搅拌后，通过过滤而去除二氧化锆珠粒，制作了涂布清漆。
[0154]
利用台式涂布机(hirano kinzoku co.,ltd.制造)涂布所获得的涂布清漆，在80℃下干燥5分钟，由此获得了膜厚20μm的膜状黏合剂。
[0155]
利用以下所示的评价方法评价实施例及比较例中所或得的膜状黏合剂的黏合力及可靠性、以及使用它制作的半导体装置的翘曲。评价结果如表1所示。
[0156]
＜黏合力的测量＞
[0157]
将膜状黏合剂剪切成规定的尺寸(纵3.2mm
×
横3.2mm
×
厚0.02mm)，在70℃下贴附
到硅芯片(纵3mm
×
横3mm
×
厚0.725mm)上，使用热压接试验机(hitac hi chemical techno plant co.,ltd.制造)压接到另一硅芯片(纵5mm
×
横5mm
×
厚0.725mm)上(压接条件：在压接头温度190℃下压接5秒后，在压接头温度240℃下压接5秒，荷重0.5mpa)。然后，在洁净烘箱(tabai espec co.,ltd.制造)中进行固化(175℃，2小时)，从而获得试验样品。
[0158]
将上述试验样品在85℃、相对湿度85％的恒温恒湿槽(tabai espec co.,ltd.制造)内放置24小时，取出后，在250℃的加热板上使用黏合力测量装置(dage arctek co.,ltd.制造)，在距离下侧的硅芯片的上表面的工具高度0.05mm、工具速度0.05mm/s的条件下测量黏合力(吸湿后的250℃下的黏合力)。
[0159]
＜耐回焊性的评价＞
[0160]
将膜状黏合剂剪切成规定的尺寸(纵7.3mm
×
横7.3mm
×
厚0.04mm)，贴附到带焊料凸块的半导体芯片(芯片尺寸：纵7.3mm
×
横7.3mm
×
厚0.15mm，连接部的金属：铜柱 焊料、凸块高度(铜柱 焊料的合计高度)：约45μm)的凸块侧的面上，利用倒装芯片安装装置“fcb3”安装(安装条件：在以100℃/0.5mpa/1s临时压接后，升温至180℃/0.5mpa/2s，然后在260℃/0.5mpa/5s的条件下进行正式压接)在玻璃环氧基板(玻璃环氧基材的厚度：0.42mm、铜配线的厚度：9μm)上，获得半导体装置。膜状黏合剂通过层叠两片膜厚20μm的黏合剂而使膜厚成为40μm。压接时放置基板的载物台温度为80℃。使用密封材料(hitachichemical co.,ltd.制造，商品名“cel9750zhf10”)，在180℃、6.75mpa、90秒的条件下成型上述半导体装置，在洁净烘箱(tabai espec co.,ltd.制造)中进行固化(175℃，2小时)，从而获得试验样品。
[0161]
接着，在jedec(joint electron device engineering council：电子器件工程联合委员会)2级的条件下处理上述试验样品后，使其通过3次回焊炉(tamura corporation制造)(最高到达温度260℃)。使用万用表(custom co.,ltd.制造)测量了回焊前后的封装的连接电阻值。将回焊前后的连接电阻值的变化量为5ω以下的情况作为评价“a”，将变化量超过5ω或者连接不良的情况作为评价“b”。
[0162]
＜翘曲评价＞
[0163]
利用与耐回焊性的评价相同的方法制作半导体装置，并将其作为试验样品。对于上述试验样品，使用非接触式形状测量装置(sony group corporation制造)，测量从上方观察芯片时的对角方向的两边的形状。将各边的凹凸的最大值与最小值之差作为翘曲量(μm)，利用两边的平均值评价翘曲量。将该翘曲量为70μm以下的情况作为评价“a”，将超过70μm的情况作为评价“b”。
[0164]
[表1]
[0165][0166]
由表1所示的结果可知，含有无机填料及硅酮橡胶填料的实施例1～实施例4的半导体用黏合剂与比较例1～比较例2的半导体用黏合剂相比，黏合力及耐回焊性优异，并且实现了低翘曲化。
[0167]
符号说明
[0168]
10半导体芯片
[0169]
15配线(连接部)
[0170]
20基板(配线电路基板)
[0171]
30连接凸块
[0172]
32凸块(连接部)
[0173]
34贯穿电极
[0174]
4黏合材料
[0175]
50中介层
[0176]
100、200、300、400、500半导体装置。