单晶生长控制方法、装置和存储介质与流程

技术特征：
1.一种单晶生长控制方法，其特征在于，所述方法包括：在拉晶前获取直径信息，所述直径信息包括测量得到的坩埚内壁的真实直径、单晶生产规格所需的目标直径以及通过视觉采集系统采集到的所述坩埚的采集直径；在拉晶过程中，通过所述视觉采集系统定时采集单晶生长图像，根据所述单晶生长图像获取单晶生长光圈与所述坩埚内壁的直线距离；根据在预设周期内定时获取到的各个直线距离，计算在所述预设周期内所述直线距离的变化速度；根据所述直径信息和所述变化速度控制单晶生长。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据在预设周期内定时获取到的各个直线距离，计算在所述预设周期内所述直线距离的变化速度，包括：获取在所述预设周期内获取到的至少两个直线距离；对于任意一组直线距离，根据每组直线距离的距离差以及获取两个直线距离的时间差，确定得到初始变化速度；每组直线距离包括两个；根据确定得到的各个初始变化速度计算在所述预设周期内所述直线距离的变化速度。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述直径信息和所述变化速度控制单晶生长，包括：根据所述采集直径和所述真实直径确定直径缩放比例；根据所述直径信息、所述直径缩放比例、所述变化速度以及拉晶所处的阶段，控制单晶生长。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述直径信息、所述直径缩放比例、所述变化速度以及拉晶所处的阶段，控制单晶生长，包括：在籽晶预热完成且液面温度达到引径温度时，设定晶转速度、坩埚转速和晶体提拉速度；在熔料阶段，控制所述晶转速度和所述坩埚转速恒定，调节所述晶体提拉速度，进而使得所述变化速度在预设时间内保持在第一速度均匀减小。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述直径信息、所述直径缩放比例、所述变化速度以及拉晶所处的阶段，控制单晶生长，包括：在放肩阶段，控制晶体提拉速度使得所述变化速度保持在第一速度范围内；当所述真实直径与所述直线距离的差值为第一预设值时，调整所述晶体提拉速度使得所述变化速度保持在第二速度范围内，所述第一预设值根据所述目标直径和所述直径缩放比例确定，所述第二速度范围的最大速度小于所述第一速度范围的最小速度。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述直径信息、所述直径缩放比例、所述变化速度以及拉晶所处的阶段，控制单晶生长，包括：在转肩阶段，当所述真实直径与所述直线距离的差值为第二预设值时，调整晶体提拉速度使得所述变化速度保持在第三速度范围内，进而使得在真实直径与所述直线距离的差值为第三预设值时，所述变化速度降为0；所述第二预设值和所述第三预设值为根据所述目标直径和所述直径缩放比例确定，所述第二预设值与所述第三预设值不同。7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述直径信息、所述直径缩放比
例、所述变化速度以及拉晶所处的阶段，控制单晶生长，包括：在等径阶段，保持晶体提拉速度恒定，调整晶转速度和坩埚转速，使得所述直线距离的数值保持为预设数值。8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述直径信息、所述直径缩放比例、所述变化速度以及拉晶所处的阶段，控制单晶生长，包括：在收尾阶段，保持晶转速度和坩埚转速恒定，提升热场温度并增大晶体提拉速度使得所述直线距离增大；当所述真实直径与所述直线距离的差值为第四预设值时，降低晶体提拉速度，并提高晶转速度和坩埚转速，所述第四预设值为根据所述目标直径和所述直径缩放比例确定。9.一种单晶生长控制装置，其特征在于，所述装置包括存储器和处理器，所述存储器中存储有至少一条程序指令，所述处理器通过加载并执行所述至少一条程序指令以实现如权利要求1至8任一所述的方法。10.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质中存储有至少一条程序指令，所述至少一条程序指令被处理器加载并执行以实现如权利要求1至8任一所述的方法。

技术总结
本申请公开了一种单晶生长控制方法、装置和存储介质，涉及单晶制造技术领域，所述方法包括：在拉晶前获取直径信息，所述直径信息包括测量得到的坩埚内壁的真实直径、单晶生产规格所需的目标直径以及通过视觉采集系统采集到的所述坩埚的采集直径；在拉晶过程中，通过所述视觉采集系统定时采集单晶生长图像，根据所述单晶生长图像获取单晶生长光圈与所述坩埚内壁的直线距离；根据在预设周期内定时获取到的各个直线距离，计算在所述预设周期内所述直线距离的变化速度；根据所述直径信息和所述变化速度控制单晶生长。解决了现有技术中单晶生长控制存在滞后的问题，达到了可以灵活快速的实时控制单晶生长的效果。的实时控制单晶生长的效果。的实时控制单晶生长的效果。


技术研发人员：刘义俊 丛培强
受保护的技术使用者：无锡唯因特数据技术有限公司
技术研发日：2021.09.18
技术公布日：2021/12/14