非易失性存储器的形成方法与流程

技术特征：
1.一种非易失性存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底内依次形成低压阱区、高压阱区和cell区，所述低压阱区、高压阱区和cell区之间均使用浅沟槽隔离结构隔开；在所述高压阱区和cell区的衬底上形成图案化的第一多晶硅层，所述图案化的第一多晶硅层露出所述高压阱区和cell区之间的浅沟槽隔离结构；在所述图案化的第一多晶硅层上形成ono层，所述ono层还覆盖所述高压阱区和cell区之间的浅沟槽隔离结构；在所述低压阱区的衬底上和所述ono层上形成第二多晶硅层；依次刻蚀所述第二多晶硅层、ono层和第一多晶硅层，以在所述高压阱区和cell区的衬底上均形成第二栅极、栅间介质层和第一栅极，所述第二栅极、栅间介质层和第一栅极均为柱状结构并均对齐，所述第二栅极、栅间介质层和第一栅极的横截面积均相同；刻蚀所述低压阱区的第二多晶硅层形成第三栅极，同时，去除所述高压阱区上的第二栅极和栅间介质层露出所述第一栅极；在所述第三栅极、第一栅极和第二栅极上均形成接触孔。2.如权利要求1所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于， 在提供衬底之后，还包括在所述衬底上形成栅氧化层。3.如权利要求2所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，形成所述浅沟槽隔离结构的方法包括：刻蚀所述栅氧化层和所述衬底形成沟槽，填充所述沟槽形成浅沟槽隔离结构。4.如权利要求2所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，形成图案化的第一多晶硅层的方法包括：在所述栅氧化层上形成第一多晶硅层，刻蚀去除所述低压阱区的第一多晶硅层，以露出所述低压阱区的衬底。5.如权利要求4所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，所述第一多晶硅层为掺杂多晶硅，所述第二多晶硅层为非掺杂多晶硅。6.如权利要求1所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，形成所述高压阱区和cell区的ono层的方法包括：在所述低压阱区的衬底的表面和所述图案化的第一多晶硅层上形成ono层；刻蚀去除所述低压阱区的衬底的表面的ono层，以露出所述低压阱区的衬底。7.如权利要求1所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，所述低压阱区包括低压p型阱区和低压n型阱区，所述低压p型阱区和低压n型阱区之间使用浅沟槽隔离结构隔开。8.如权利要求7所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，所述低压p型阱区和低压n型阱区的衬底上均具有第三栅极。9.如权利要求1所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，所述高压阱区包括高压p型阱区和高压n型阱区，所述高压p型阱区和高压n型阱区之间使用浅沟槽隔离结构隔开。10.如权利要求9所述的非易失性存储器的形成方法，其特征在于，所述高压p型阱区和
高压n型阱区的衬底上均具有第一栅极。

技术总结
本发明提供了一种非易失性存储器的形成方法，包括：在衬底内依次形成低压阱区、高压阱区和cell区；在高压阱区和cell区的衬底上形成图案化的第一多晶硅层；在图案化的第一多晶硅层上形成ONO层；在低压阱区的衬底上和ONO层上形成第二多晶硅层；依次刻蚀高压阱区和cell区上的第二多晶硅层、ONO层和图案化的第一多晶硅层，以形成第二栅极、栅间介质层和第一栅极，第二栅极、栅间介质层和第一栅极均为柱状结构并均对齐，且横截面积均相同；刻蚀低压阱区的衬底上的第二多晶硅层形成第三栅极，去除高压阱区上的第二栅极和栅间介质层露出第一栅极；在第三栅极的表面、第一栅极的表面和第二栅极的表面均形成接触孔。的表面均形成接触孔。的表面均形成接触孔。


技术研发人员：郭伟 曹秉霞
受保护的技术使用者：广州粤芯半导体技术有限公司
技术研发日：2021.11.15
技术公布日：2021/12/13