阵列基板及其制备方法、显示面板与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。


背景技术：

2.随着液晶显示技术的快速发展，相应的阵列基板的制作工艺也在快速发展。相较于传统阵列基板的5道光罩制程，目前的阵列基板主要采用4道光罩(4mask)制备得到，以达到节省成本的目的。
3.在4mask工艺中，由于有源层和源漏极采用同一道光罩制得，因此，在制备得到的有源层中，不可避免地会出现有源层相对于上方的源漏极外凸长度较大的现象。其中，有源层相较于源漏极凸出的部分称为非晶硅尾纤(amorphous silion tail,as tail)，当as tail长度过大时，会影响阵列基板中驱动信号的稳定性。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以减小as tail的长度。
5.本技术实施例提供一种阵列基板，其包括：
6.衬底；
7.有源层，设置在所述衬底上，所述有源层具有一沟道区；
8.源极，设置在所述有源层上；以及
9.漏极，设置在所述有源层上，所述源极和所述漏极位于所述沟道区的相对两侧，所述源极和所述漏极均包括依次设置在所述有源层上的金属阻挡层和导电金属层；
10.其中，在所述源极和/或所述漏极远离所述沟道区的一端，所述金属阻挡层包括第一凸部，所述第一凸部自所述导电金属层的端部向远离所述沟道区的方向延伸。
11.可选的，在本技术的一些实施例中，在所述沟道区朝向所述源极和/或所述漏极的方向上，所述第一凸部的长度为0.05μm
‑
1.5μm。
12.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一凸部的长度为1.0μm
‑
1.5μm。
13.可选的，在本技术的一些实施例中，所述有源层包括第二凸部，所述第二凸部自所述第一凸部的端部向远离所述沟道区的方向延伸。
14.可选的，在本技术的一些实施例中，所述有源层包括非晶硅层和欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述非晶硅层靠近所述金属阻挡层的一侧，所述第二凸部包括第一子凸部和第二子凸部，所述第一子凸部位于所述非晶硅层中，所述第二子凸部位于所述欧姆接触层中；
15.在所述源极和/或所述漏极远离所述沟道区的一端，所述第一子凸部和所述第二子凸部均自所述第一凸部的端部向远离所述沟道区的方向延伸。
16.可选的，在本技术的一些实施例中，所述有源层包括非晶硅层和欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述非晶硅层靠近所述金属阻挡层的一侧，所述第二凸部位于所述非晶硅
层中；
17.在所述源极和/或所述漏极远离所述沟道区的一端，所述欧姆接触层的侧面与所述第一凸部的侧面齐平。
18.可选的，在本技术的一些实施例中，在所述沟道区朝向所述源极和/或所述漏极的方向上，所述第二凸部的长度处于0μm至2μm的范围内。
19.可选的，在本技术的一些实施例中，所述金属阻挡层的材料包括钼或钼合金中的至少一种，所述导电金属层的材料包括铜。
20.本技术实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括前述任一实施例所述的阵列基板。
21.本技术实施例提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：
22.提供衬底；
23.在所述衬底上依次形成有源基层、第一金属基层和第二金属基层；
24.蚀刻所述第一金属基层和所述第二金属基层，以分别形成第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层构成源漏极图案；
25.蚀刻所述有源基层，以形成有源层图案；
26.利用蚀刻液对所述第一金属层和所述第二金属层进行蚀刻，以分别形成金属阻挡层和导电金属层，所述源漏极图案形成为源极和漏极，所述第一金属层在所述蚀刻液中的蚀刻速率小于所述第二金属层在所述蚀刻液中的蚀刻速率；
27.蚀刻所述有源层图案，以形成有源层；
28.其中，在所述源极和/或所述漏极远离所述有源层的沟道区的一端，所述金属阻挡层包括第一凸部，所述第一凸部自所述导电金属层的端部向远离所述沟道区的方向延伸。
29.可选的，在本技术的一些实施例中，所述利用蚀刻液对所述第一金属层和所述第二金属层进行蚀刻的步骤中，所述蚀刻液包括酸性氧化剂和金属蚀刻剂，所述酸性氧化剂在所述蚀刻液中的质量含量为5％
‑
6％，所述金属蚀刻剂在所述蚀刻液中的质量含量为0.01％
‑
0.05％。
30.可选的，在本技术的一些实施例中，所述有源基层包括依次形成的非晶硅基层和欧姆接触基层，所述有源层图案包括非晶硅层和欧姆接触层图案，所述蚀刻所述有源层图案的步骤，包括：
31.蚀刻所述欧姆接触层图案，以形成欧姆接触层，所述非晶硅层和所述欧姆接触层构成所述有源层；其中，所述非晶硅层具有第一子凸部，所述欧姆接触层具有第二子凸部，在所述源极和/或所述漏极远离所述沟道区的一端，所述第一子凸部和所述第二子凸部均自所述第一凸部的端部向远离所述沟道区的方向延伸。
32.本技术实施例还提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：
33.提供衬底；
34.在所述衬底上依次形成有源基层、第一金属基层和第二金属基层；
35.蚀刻所述第一金属基层和所述第二金属基层，以分别形成第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层构成源漏极图案；
36.蚀刻所述有源基层，以形成有源层图案；
37.利用蚀刻液对所述第二金属层进行蚀刻，以形成导电金属层；
38.蚀刻所述第一金属层和所述有源层图案，以分别形成金属阻挡层和有源层，所述源漏极图案形成为所述源极和所述漏极；
39.其中，在所述源极和/或所述漏极远离所述有源层的沟道区的一端，所述金属阻挡层包括第一凸部，所述第一凸部自所述导电金属层的端部向远离所述沟道区的方向延伸。
40.可选的，在本技术的一些实施例中，所述有源基层包括依次形成的非晶硅基层和欧姆接触基层，所述有源层图案包括非晶硅层和欧姆接触层图案，所述蚀刻所述第一金属层和所述有源层图案的步骤，包括：
41.蚀刻所述第一金属层和所述欧姆接触层图案，以分别形成金属阻挡层和欧姆接触层，所述非晶硅层和所述欧姆接触层构成所述有源层；其中，在所述源极和/或所述漏极远离所述沟道区的一端，所述欧姆接触层的侧面与所述第一凸部的侧面齐平，所述非晶硅层具有第二凸部，所述第二凸部自所述第一凸部的端部向远离所述沟道区的方向延伸。
42.相较于现有技术中的阵列基板，在本技术提供的阵列基板中，源极和漏极均包括依次设置在有源层上的金属阻挡层和导电金属层，本技术通过在源极和/或漏极远离沟道区的一端，使得金属阻挡层具有第一凸部，且第一凸部自导电金属层的端部向远离沟道区的端部延伸。由于第一凸部位于有源层的上方，因此，第一凸部的设置可以覆盖部分有源层，进而能够减小有源层相较于金属阻挡层的外凸长度，也即，减小了有源层相较于源极和/或漏极的外凸长度，从而能够提高阵列基板中驱动信号的稳定性。
附图说明
43.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
44.图1是本技术第一实施例提供的阵列基板的制备方法的流程示意图。
45.图2a至图2h是图1所示的阵列基板的制备方法中各阶段依次得到的结构示意图。
46.图3是本技术第二实施例提供的阵列基板的制备方法的流程示意图。
47.图4a至图4h是图3所示的阵列基板的制备方法中各阶段依次得到的结构示意图。
48.图5是本技术第一实施例提供的阵列基板的结构示意图。
49.图6是本技术第二实施例提供的阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
50.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
51.本技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
52.请参照图1，本技术第一实施例提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：
53.b11：提供衬底；
54.b12：在所述衬底上依次形成有源基层、第一金属基层和第二金属基层；
55.b13：蚀刻所述第一金属基层和所述第二金属基层，以分别形成第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层构成源漏极图案；
56.b14：蚀刻所述有源基层，以形成有源层图案；
57.b15：利用蚀刻液对所述第一金属层和所述第二金属层进行蚀刻，以分别形成金属阻挡层和导电金属层，所述源漏极图案形成为源极和漏极，所述第一金属层在所述蚀刻液中的蚀刻速率小于所述第二金属层在所述蚀刻液中的蚀刻速率；
58.b16：蚀刻所述有源层图案，以形成有源层；其中，在所述源极和/或所述漏极远离所述有源层的沟道区的一端，所述金属阻挡层包括第一凸部，所述第一凸部自所述导电金属层的端部向远离所述沟道区的方向延伸。
59.由此，在本技术第一实施例提供的阵列基板的制备方法中，通过在第一金属层和第二金属层的蚀刻过程中，使第一金属层在蚀刻液中的蚀刻速率小于第二金属层在蚀刻液中的蚀刻速率，进而使得第一金属层蚀刻后形成的金属阻挡层中形成有相较于导电金属层外凸的第一凸部。由于第一凸部位于有源层的上方，因此，第一凸部的形成能够减小有源层相较于金属阻挡层的外凸长度，也即，减小了有源层相较于源极和/或漏极的外凸长度，进而能够降低栅极和源极/漏极形成的寄生电容在光照和非光照条件下的差异，有利于提高阵列基板中驱动信号的稳定性。
60.下面对本技术第一实施例提供的阵列基板制备方法进行详细的阐述。
61.需要说明的是，本实施例中的阵列基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管可以为顶栅型结构，也可以为底栅型结构，本实施例仅以底栅型结构的薄膜晶体管为例进行说明，但并不限于此。
62.请一并参照图1、图2a至图2h，本技术第一实施例提供的阵列基板100的制备方法包括以下步骤：
63.b11：提供衬底10。
64.衬底10可以为硬质基板，如可以为玻璃基板；或者，衬底10也可以为柔性基板，如可以为聚酰亚胺基板，本技术对衬底10的材质不作具体限定。
65.在步骤b11之后，还包括：在衬底10上依次形成栅极11和栅极绝缘层12。其中，栅极11和栅极绝缘层12的材料及形成工艺均可以参照现有技术，在此不再赘述。
66.b12：在衬底10上依次形成有源基层13a、第一金属基层14a和第二金属基层15a，形成如图2a所示的结构。
67.b12具体包括以下步骤：
68.b121：在衬底10上依次形成非晶硅基层131a和欧姆接触基层132a，非晶硅基层131a和欧姆接触基层132a构成有源基层13a；
69.非晶硅基层131a的材料可以为非晶硅。欧姆接触基层132a的材料可以为掺杂的非晶硅，如可以为n型或p型掺杂的非晶硅。本实施例中，欧姆接触基层132a的材料为n型掺杂的非晶硅。
70.其中，在形成栅极绝缘层12之后，可以采用化学气相沉积法依次形成非晶硅基层
131a和欧姆接触基层132a。
71.b122：在欧姆接触基层132a上形成第一金属基层14a；
72.第一金属基层14a的材料可以选自钼或钼合金中的至少一种。其中，所述钼合金可以为钼的二元合金，所述二元合金可以包括除钼之外的钛、铬、镍或铝中的一者；或者，所述钼合金还可以为钼的三元合金，所述三元合金可以包括除钼之外的钛、铬、镍和铝中的任意两者。
73.其中，在形成有源基层13a之后，可以采用溅射、热蒸发、电镀等成膜方式形成第一金属基层14a。
74.b123：在第一金属基层14a上形成第二金属基层15a。
75.第二金属基层15a的材料可以包括铜。在一些实施例中，第二金属基层15a的材料还可以包括钼、钛、铝、铬或镍中的一种或多种。
76.其中，在形成第一金属基层14a之后，可以采用溅射、热蒸发、电镀等成膜方式形成第二金属基层15a。
77.在步骤b12之后，还包括步骤：
78.在第二金属基层15a上涂覆一层光阻层16，如图2b所示；
79.利用半色调掩膜板或灰阶色调掩膜板对光阻层16进行曝光显影，以形成第一光阻图案161，第一光阻图案161两侧部分的厚度大于中间部分的厚度，如图2c所示。
80.b13：蚀刻第一金属基层14a和第二金属基层15a，以分别形成第一金属层141a和第二金属层151a，第一金属层141a和第二金属层151a构成源漏极图案14a，如图2d所示。
81.第一次湿法蚀刻：以第一光阻图案161为掩膜，采用湿法蚀刻工艺对第一金属基层14a和第二金属基层15a进行蚀刻处理。
82.具体的，利用蚀刻液蚀刻掉第一金属基层14a和第二金属基层15a未被第一光阻图案161覆盖的部分。由于湿法蚀刻对材料的蚀刻为各向同性，因此，蚀刻后形成的第一金属层141a和第二金属层151a在第一光阻图案161下方存在过刻区(图中未标识)。
83.需要说明的是，第一次湿法蚀刻中所用蚀刻液的具体成分可以参照现有技术，在此不再赘述。
84.b14：蚀刻有源基层13a，以形成有源层图案13a，如图2e所示。
85.第一次干法蚀刻：采用干法蚀刻工艺对第一光阻图案161和有源基层13a进行蚀刻处理。
86.所述干法蚀刻工艺可以在氧气气氛中进行。具体的，通过对第一光阻图案161进行灰化处理，以减薄第一光阻图案161的厚度，并去除第一光阻图案161中间区域的部分，以形成第二光阻图案162。与此同时，有源基层13a蚀刻形成为有源层图案13a。有源层图案13a包括非晶硅层131和欧姆接触层图案132b，非晶硅层131由非晶硅基层131a蚀刻形成，欧姆接触层图案132b由欧姆接触基层132a蚀刻形成。
87.b15：利用蚀刻液对第一金属层141a和第二金属层151a进行蚀刻，以分别形成金属阻挡层141和导电金属层151，源漏极图案14a形成为源极14和漏极15，如图2f所示，其中，第一金属层141a在蚀刻液中的蚀刻速率小于第二金属层151a在蚀刻液中的蚀刻速率。
88.第二次湿法蚀刻：以第二光阻图案162为掩膜，采用湿法蚀刻工艺对第一金属层141a和第二金属层151a进行蚀刻处理。
89.具体的，采用蚀刻液蚀刻掉第一金属层141a和第二金属层151a未被第二光阻图案162覆盖的部分。由于湿法蚀刻对材料的蚀刻为各向同性，因此，金属阻挡层141和导电金属层151在第二光阻图案162下方会存在过刻区(图中未标识)。
90.进一步的，第一金属层141a和第二金属层151a蚀刻过程中所用的蚀刻液包括酸性氧化剂和金属蚀刻剂，金属蚀刻剂用于控制第二金属层151a的蚀刻速率。其中，所述酸性氧化剂可以为过氧化氢。所述金属蚀刻剂可以为钼蚀刻剂。
91.在本实施例中，为了确保第一金属层141a在蚀刻液中的蚀刻速率小于第二金属层151a在蚀刻液中的蚀刻速率，将酸性氧化剂在蚀刻液中的质量含量设为5％
‑
6％，金属蚀刻剂在蚀刻液中的质量含量设为0.01％
‑
0.05％。在上述范围内，可以大大降低第一金属层141a在蚀刻液中的蚀刻速率，从而使得蚀刻之后形成的金属阻挡层141相较于导电金属层151外凸。
92.在一些具体实施方式中，酸性氧化剂在蚀刻液中的质量含量可以为5％、5.1％、5.2％、5.3％、5.4％、5.5％、5.6％、5.7％、5.8％、5.9％或6％。在另一些具体实施方式中，金属蚀刻剂在蚀刻液中的质量含量可以为0.01％、0.015％、0.02％、0.025％、0.03％、0.035％、0.04％、0.045％或0.05％。
93.如图2f所示，在源极14远离漏极15的一端以及漏极15远离源极14的一端，金属阻挡层141相较于导电金属层151外凸的部分为第一凸部1411。在源极14中，第一凸部1411自漏极15朝向源极14的方向延伸，在漏极15中，第一凸部1411自源极14朝向漏极15的方向延伸。需要说明的是，本实施例对应附图中仅对源极14中的第一凸部1411进行了标识，但并不能理解为对本技术的限制。
94.其中，采用本实施例的制备方法得到的第一凸部1411的长度n可达0.05μm
‑
1.0μm。在一些具体实施方式中，第一凸部1411的长度n可以为0.05μm、0.08μm、0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.5μm、0.8μm或1.0μm。
95.需要说明的是，在一些实施例中，第二次湿法蚀刻所用的蚀刻液还可以包括酸性稳定剂、ph调节剂、蚀刻抑制剂、金属离子稳定剂以及调节剂等成分，所述蚀刻液的具体成分可以根据实际应用需求进行选择，本技术对此不作限定。
96.b16：蚀刻有源层图案13a，以形成有源层13，有源层13位于源极14和漏极15之间的区域为沟道区17；其中，在源极14和/或漏极15远离沟道区17的一端，金属阻挡层141包括第一凸部1411，第一凸部1411自导电金属层151的端部向远离沟道区17的方向延伸，如图2g所示。
97.第二次干法蚀刻：以第二光阻图案162为掩膜，采用干法蚀刻工艺对有源层图案13a进行蚀刻处理。
98.具体的，以第二光阻图案162为掩膜，对有源层图案13a中的欧姆接触层图案132b进行蚀刻，以形成欧姆接触层132，欧姆接触层132和非晶硅层131构成有源层13，且欧姆接触层132分别与对应的源极14/漏极15相接触。其中，非晶硅层131具有第一子凸部1311。欧姆接触层132具有第二子凸部1321。在源极14远离沟道区17的一端以及漏极15远离沟道区17的一端，第一子凸部1311和第二子凸部1321均自第一凸部1411的端部向远离沟道区17的方向延伸。第一子凸部1311和第二子凸部1321构成有源层13的第二凸部13b。
99.在本实施例的第二次湿法蚀刻工艺中，由于金属阻挡层141中形成了第一凸部
1411，相较于现有技术中金属阻挡层未形成有外凸部分的情况，本实施例能够减小第二次干法蚀刻之后得到的第二凸部13b的长度。也即，本实施例通过使金属阻挡层141相较于导电金属层151外凸，减小了有源层13相较于源极14和漏极15的外凸长度，进而能够降低栅极11和源极14/漏极15形成的寄生电容在光照和非光照条件下的差异，有利于提高阵列基板100中驱动信号的稳定性。
100.在本实施例中，在沟道区17朝向源极14的方向上，第二凸部13b的长度m处于0μm至2μm的范围内。也即，本实施例通过在金属阻挡层141中设置第一凸部1411，能够将第二凸部13b的长度m减小至2μm及以下。在一些具体实施例中，第二凸部13b的长度m可以为0.05μm、0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.5μm、0.6μm、0.8μm、1.0μm、1.2μm、1.5μm、1.8μm或2μm。
101.在步骤b16之后，还包括：剥离第二光阻图案162，以形成如图2h所示的结构。
102.需要说明的是，在剥离第二光阻图案162之后，本实施例的阵列基板100的制备方法还包括在导电金属层151上形成钝化层、在钝化层上形成裸露出源极14/漏极15的过孔、以及在钝化层上形成通过上述过孔电连接源极14/漏极15的像素电极等步骤，相关技术可以参照现有技术，在此不再赘述。
103.由此，便完成了本技术第一实施例提供的阵列基板100的制备方法。
104.请参照图3，本技术第二实施例提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：
105.b21：提供衬底；
106.b22：在所述衬底上依次形成有源基层、第一金属基层和第二金属基层；
107.b23：蚀刻所述第一金属基层和所述第二金属基层，以分别形成第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层构成源漏极图案；
108.b24：蚀刻所述有源基层，以形成有源层图案；
109.b25：利用蚀刻液对所述第二金属层进行蚀刻，以形成导电金属层；
110.b26：蚀刻所述第一金属层和所述有源层图案，以分别形成金属阻挡层和有源层，所述源漏极图案形成为所述源极和所述漏极；其中，在所述源极和/或所述漏极远离所述有源层的沟道区的一端，所述金属阻挡层包括第一凸部，所述第一凸部自所述导电金属层的端部向远离所述沟道区的方向延伸。
111.由此，在本技术第二实施例提供的阵列基板的制备方法中，在蚀刻第二金属层的步骤中并未蚀刻第一金属层，在第二金属层蚀刻形成导电金属层之后，再同时对第一金属层和有源层图案进行蚀刻，以分别形成金属阻挡层和有源层，使得最终形成的金属阻挡层中形成有相较于导电金属层外凸的第一凸部。由于第一凸部位于有源层的上方，因此，第一凸部的形成能够减小有源层相较于金属阻挡层的外凸长度，也即，减小了有源层相较于源极和/或漏极的外凸长度，进而能够降低栅极和源极/漏极形成的寄生电容在光照和非光照条件下的差异，有利于提高阵列基板中驱动信号的稳定性。
112.下面对本技术第二实施例提供的阵列基板的制备方法进行详细的阐述。
113.需要说明的是，本实施例中的阵列基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管可以为顶栅型结构，也可以为底栅型结构，本实施例仅以底栅型结构的薄膜晶体管为例进行说明，但并不限于此。
114.请一并参照图3、图4a至图4h，本技术第二实施例提供的阵列基板100的制备方法包括以下步骤：
115.b21：提供衬底10。
116.b22：在衬底10上依次形成有源基层13a、第一金属基层14a和第二金属基层15a。
117.b23：蚀刻第一金属基层14a和第二金属基层15a，以分别形成第一金属层141a和第二金属层151a，第一金属层141a和第二金属层151a构成源漏极图案14a。
118.b24：蚀刻有源基层13a，以形成有源层图案13a。
119.结合图4a至图4e，步骤b21
‑
b24的具体工艺流程可以参照前述实施例中对步骤b11
‑
b14的描述，在此不再赘述。
120.b25：利用蚀刻液对第二金属层151a进行蚀刻，以形成导电金属层151，如图4f所示。
121.第二次湿法蚀刻：以第二光阻图案162为掩膜，采用湿法蚀刻工艺对第二金属层151a进行蚀刻处理。
122.具体的，采用蚀刻液蚀刻掉第二金属层151a未被第二光阻图案162覆盖的部分。由于湿法蚀刻对材料的蚀刻为各向同性，因此，导电金属层151在第二光阻图案162下方会存在过刻区(图中未标识)。
123.步骤b25中所用的蚀刻液与前述实施例的步骤b15中所用蚀刻液的不同之处在于：本实施例中的蚀刻液未使用钼蚀刻剂，以确保第一金属层141a在第二次湿刻蚀刻中不被蚀刻掉。
124.b26：蚀刻第一金属层141a和有源层图案13a，以分别形成金属阻挡层141和有源层13，源漏极图案14a形成为源极14和漏极15，有源层13位于源极14和漏极15之间的区域为沟道区17；其中，在源极14和/或漏极15远离沟道区17的一端，金属阻挡层141包括第一凸部1411，第一凸部1411自导电金属层151的端部向远离沟道区17的方向延伸，如图4g所示。
125.第二次干法蚀刻：以第二光阻图案162为掩膜，采用干法蚀刻工艺对第一金属层141a和有源层图案13a进行蚀刻处理。
126.具体的，以第二光阻图案162为掩膜，对第一金属层141a和有源层图案13a中的欧姆接触层图案132b进行蚀刻，以分别形成金属阻挡层141和欧姆接触层132，欧姆接触层132和非晶硅层131构成有源层13，且欧姆接触层132分别与对应的源极14和漏极15相接触。其中，在源极14远离漏极15的一端以及漏极15远离源极14的一端，金属阻挡层141相较于导电金属层151形成第一凸部1411，在源极14中，第一凸部1411自漏极15朝向源极14的方向延伸，在漏极15中，第一凸部1411自源极14朝向漏极15的方向延伸。需要说明的是，本实施例对应附图中仅对源极14中的第一凸部1411进行了标识，但并不能理解为对本技术的限制。
127.在本实施例中，在源极14远离沟道区17的一端以及漏极15远离沟道的一端，欧姆接触层132的侧面与第一凸部1411的侧面齐平。非晶硅层131中形成有第二凸部13b。第二凸部13b自第一凸部1411的端部向远离沟道区17的方向延伸。
128.由于本实施例在第二次湿法蚀刻中并未蚀刻第一金属层141a，而是在第二次干法蚀刻中同时蚀刻第一金属层141a和有源层图案13a，上述蚀刻方式能够进一步增大金属阻挡层141中第一凸部1411的长度n。另外，由于第一凸部1411与欧姆接触层132同时形成，欧姆接触层132的侧面与第一凸部1411的侧面齐平，因而欧姆接触层132并不会遮挡下方的非晶硅层131，从而能够进一步减小非晶硅层131相较于第一凸部1411的外凸长度，也即，进一步减小了有源层13中第二凸部13b的长度。故而，本实施例通过使金属阻挡层141相较于导
电金属层151外凸，能够进一步减小有源层13相较于源极14和漏极15的外凸长度，进而能够降低栅极11和源极14/漏极15形成的寄生电容在光照和非光照条件下的差异，有利于提高阵列基板100中驱动信号的稳定性。
129.其中，采用本实施例的制备方法得到的第一凸部1411的长度n可达0.05μm
‑
1.5μm。在一些具体实施方式中，第一凸部1411的长度n可以为0.05μm、0.08μm、0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.5μm、0.8μm、1.0μm、1.1μm、1.2μm、1.3μm、1.4μm或1.5μm。
130.相应的，第二凸部13b的长度为m处于0μm至2μm的范围内。也即，本实施例通过在金属阻挡层141中设置第一凸部1411，能够将第二凸部13b的长度m减小至2μm及以下。在一些具体实施例中，第二凸部13b的长度m可以为0.05μm、0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.5μm、0.6μm、0.8μm、1.0μm、1.2μm、1.5μm、1.8μm或2μm。
131.在步骤b26之后，还包括：剥离第二光阻图案162，以形成如图4h所示的结构。
132.需要说明的是，在剥离第二光阻图案162之后，本实施例的阵列基板100的制备方法还包括在导电金属层151上形成钝化层、在钝化层上形成裸露出源极14/漏极15的过孔、以及在钝化层上形成通过上述过孔电连接源极14/漏极15的像素电极等步骤，相关技术可以参照现有技术，在此不再赘述。
133.由此，便完成了本技术第二实施例提供的阵列基板100的制备方法。
134.请参照图5，本技术第一实施例提供一种阵列基板100。阵列基板100包括衬底10、有源层13、源极14以及漏极15。有源层13设置在衬底10上。有源层13具有一沟道区17。源极14和漏极15设置在有源层13上。源极14和漏极15位于沟道区17的相对两侧。源极14和漏极15均包括依次设置在有源层13上的金属阻挡层141和导电金属层151。在源极14和/或漏极15远离沟道区17的一端，金属阻挡层141包括第一凸部1411。第一凸部1411自导电金属层151的端部向远离沟道区17的方向延伸。
135.其中，衬底10可以为硬质基板，如可以为玻璃基板；或者，衬底10也可以为柔性基板，如可以为聚酰亚胺基板，本技术对衬底10的材质不作具体限定。
136.阵列基板100还包括依次设置在衬底10上的栅极11和栅极绝缘层12。栅极绝缘层12位于栅极11靠近有源层13的一侧。其中，有源层13、栅极11、源极14以及漏极15构成薄膜晶体管(图中未标识)。需要说明的是，本技术中的薄膜晶体管可以为顶栅型结构，也可以为底栅型结构，本实施例仅以底栅型结构的薄膜晶体管为例进行说明，但并不限于此。
137.在本实施例中，导电金属层151的材料包括铜。在一些实施例中，导电金属层151的材料还可以包括钼、钛、铝、铬或镍中的一种或多种。
138.金属阻挡层141的材料包括钼或钼合金中的至少一种。其中，所述钼合金可以为钼的二元合金，所述二元合金可以包括除钼之外的钛、铬、镍或铝中的一者；或者，所述钼合金还可以为钼的三元合金，所述三元合金可以包括除钼之外的钛、铬、镍和铝中的任意两者。
139.在本实施例中，在源极14和漏极15远离沟道的一端，金属阻挡层141均可以包括第一凸部1411。在一些实施例中，还可以将第一凸部1411设置在源极14和漏极15中任意一者远离沟道的一端，在此不再赘述。
140.其中，第一凸部1411的长度n为0.05μm
‑
1.0μm。具体的，第一凸部1411的长度n可以为0.05μm、0.08μm、0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.5μm、0.8μm或1.0μm。
141.需要说明的是，本实施例对应附图中仅对源极14中的第一凸部1411进行了标识，
但并不限于此。
142.在本实施例中，有源层13包括第二凸部13b。第二凸部13b自第一凸部1411的端部向远离沟道区17的方向延伸。由于第一凸部1411位于有源层13的上方，因此，相较于现有技术中未在金属阻挡层中设置外凸部分的情况，本实施例中第一凸部1411的设置可以覆盖部分有源层13，进而能够减小有源层13相较于源极14/漏极15外凸的长度，也即，减小了第二凸部13b的长度。
143.在沟道区17朝向源极14的方向上，第二凸部13b的长度为m处于0μm至2μm的范围内。也即，本实施例通过在金属阻挡层141中设置第一凸部1411，能够将第二凸部13b的长度减小至2μm及以下。在一些具体实施例中，第二凸部13b的长度m可以为0.05μm、0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.5μm、0.6μm、0.8μm、1.0μm、1.2μm、1.5μm、1.8μm或2μm。
144.在本实施例中，有源层13包括非晶硅层131和欧姆接触层132。欧姆接触层132位于非晶硅层131靠近金属阻挡层141的一侧。在一些实施例中，有源层13也可以仅包括非晶硅层131，在此不再赘述。
145.第二凸部13b包括第一子凸部1311和第二子凸部1321。第一子凸部1311位于非晶硅层131中。第二子凸部1321位于欧姆接触层132中。在源极14远离沟道区17的一端以及漏极15远离沟道区17的一端，第一子凸部1311和第二子凸部1321均自第一凸部1411的端部向远离沟道区17的方向延伸。其中，第二凸部13b的长度m即为第一子凸部1311的长度(图中未标识)。
146.由于阵列基板100中的栅极11、源极14/漏极15以及存储电容(图中未示出)之间会产生寄生电容。本实施例通过将第二凸部13b的长度m减小至2μm及以下，能够降低阵列基板100中的寄生电容在光照和非光照条件下的差异，从而有利于提高阵列基板100中驱动信号的稳定性。
147.需要说明的是，本实施例中的阵列基板100可以采用前述第一实施例提供的阵列基板100的制备方法制备得到，相关制备方法可以参照前述第一实施例的描述，在此不再赘述。
148.请参照图6，本技术第二实施例提供一种阵列基板100，本技术第二实施例提供的阵列基板100与第一实施例的不同之处在于：第二凸部13b位于非晶硅层131中。在源极14和/或漏极15远离沟道区17的一端，欧姆接触层132的侧面与第一凸部1411的侧面齐平。第一凸部1411的长度n为0.05μm
‑
1.5μm。
149.在本实施例中，在源极14远离沟道区17的一端以及漏极15远离沟道区17的一端，欧姆接触层132的侧面均与第一凸部1411的侧面齐平。在一些实施例中，也可以在源极14远离沟道区17的一端和漏极15远离沟道区17的一端的一者中，将欧姆接触层132的侧面设置为与第一凸部1411的侧面齐平。
150.在一些具体实施方式中，第一凸部1411的长度n可以为0.05μm、0.08μm、0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.5μm、0.8μm、1.0μm、1.1μm、1.2μm、1.3μm、1.4μm或1.5μm。
151.一方面，本实施例通过将第一凸部1411的长度n设置在0.05μm
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1.5μm，使得第一凸部1411覆盖了部分非晶硅层131，进而能够减小非晶硅层131相较于金属阻挡层141外凸的长度；另一方面，由于欧姆接触层132的侧面与第一凸部1411的侧面齐平，也即，欧姆接触层132并不会覆盖下方的非晶硅层131。因此，本实施例可以大大减小非晶硅层131相较于金属
阻挡层141的外凸长度，进而能够减小有源层13相较于源极14和漏极15外凸的长度，也即，减小了第二凸部13b的长度。
152.在沟道区17朝向源极14的方向上，第二凸部13b的长度为m处于0μm至2μm的范围内。也即，本实施例通过在金属阻挡层141中设置第一凸部1411，并使欧姆接触层132的侧面与第一凸部1411的侧面齐平，能够将第二凸部13b的长度减小至2μm及以下。在一些具体实施例中，第二凸部13b的长度m可以为0.05μm、0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.5μm、0.6μm、0.8μm、1.0μm、1.2μm、1.5μm、1.8μm或2μm。
153.需要说明的是，本实施例中的阵列基板100可以采用前述第二实施例提供的阵列基板100的制备方法制备得到，相关制备方法可以参照前述第二实施例的描述，在此不再赘述。
154.本技术实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板100，所述阵列基板100可以为前述任一实施例所述的阵列基板100，阵列基板100的具体结构可以参照前述实施例的描述，在此不再赘述。
155.其中，在本实施例中，所述显示面板为液晶显示面板。在一些实施例中，所述显示面板也可以为有机发光二极管显示面板，在此不再赘述。
156.当将前述实施例中的阵列基板100应用至显示面板中时，在显示面板的驱动过程中，能够降低正负半帧条件下寄生电容的差异，进而显示面板在电场下发生横向串扰的几率，有利于改善显示产品的显示品味。
157.以上对本技术实施例所提供的一种阵列基板及其制备方法、显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。