量子点组合物、包括量子点组合物的发光元件和显示装置的制作方法

量子点组合物、包括量子点组合物的发光元件和显示装置
1.本技术要求于2020年6月2日提交的第10
‑
2020
‑
0066724号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
2.本公开的实施例的一个或更多个方面在此涉及量子点组合物、包括由量子点组合物形成的发射层的发光元件以及包括其的显示装置。


背景技术：

3.正在开发用于多媒体设备(诸如电视机、移动电话、平板计算机、导航系统和/或游戏控制台)的各种显示装置。在这种显示装置中，使用自发光显示元件，其通过使含有机化合物的发光材料发射光来实现图像的显示。
4.此外，正在努力开发使用量子点作为发光材料的发光元件，以增强显示装置的颜色再现性，并且存在针对增加使用量子点的发光元件的发光效率和使用寿命的需求(或期望)。


技术实现要素：

5.本公开的实施例的一个或更多个方面涉及一种量子点组合物，其可以用在发光元件的发射层中以表现出改善的发光效率。
6.本公开的实施例的一个或更多个方面还涉及一种发光元件，该发光元件通过在发射层中包括量子点而具有改善的发光效率，该量子点具有具备改善的电荷注入性质的配体材料结合到其的表面。
7.本公开的实施例的一个或更多个方面还提供了一种显示装置，该显示装置通过包括发光元件而表现出改善的发光效率，该发光元件在发射层中包含量子点，该量子点具有具备改善的电荷注入性质的配体材料结合到其的表面。
8.本公开的实施例提供了一种量子点组合物，该量子点组合物包括量子点以及结合到量子点的表面的配体，其中，配体包括：头部，结合到量子点的表面；以及尾部，包含在配体的末端处的可交联官能团。
9.可交联官能团可以是热可交联官能团。
10.配体还可以包括将头部和尾部连接的链部。
11.链部可以包括2个至20个碳原子。
12.可交联官能团可以是乙烯基、羟基、羧基、环氧基、酰胺基、胺基、叠氮基、氧杂环丁烷基和/或异氰酸酯基。
13.配体可以是单齿配体或双齿配体。
14.头部可以包括硫醇基、二硫代酸基、膦基、邻苯二酚基、胺基和/或羧酸基。
15.链部还可以包括胺基、氧基、硫基、酯基、醚基、芳基和/或酰胺基。
16.配体可以由式a或式b表示。
17.式a
18.*
‑
x
‑
y
19.式b
[0020][0021]
在式a和式b中，x、x1和x2可以均独立地为s或nh，并且y可以由式1至式7之中的至少一个表示。
[0022]“＊
‑”
指示连接到量子点的位置。
[0023]
式1
[0024][0025]
式2
[0026][0027]
式3
[0028][0029]
式4
[0030][0031]
式5
[0032][0033]
式6
[0034]
[0035]
式7
[0036][0037]
在式1至式7中，指示连接到式a或式b的位置，并且r1和r2均独立地为具有1个至20个碳原子的烷基，其中，r1和r2的碳原子的总数量为20或更少。
[0038]
量子点组合物还可以包括有机溶剂，并且量子点可以分散在有机溶剂中。
[0039]
量子点可以是包括核和在核周围的壳的半导体纳米晶体。
[0040]
在本公开的一个或更多个实施例中，发光元件包括第一电极、面对第一电极的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的发射层，发射层包含具有配体的多个量子点配合物，其中，多个量子点配合物中的量子点配合物通过配体结合到至少两个其它量子点配合物。
[0041]
量子点配合物可以包括具有核和在核周围的壳的量子点以及具有结合到量子点的表面的亲水基团的配体。
[0042]
亲水基团可以是硫醇基、二硫代酸基、膦基、邻苯二酚基、胺基和/或羧酸基。
[0043]
配体可以包括2个至20个碳原子。
[0044]
在本公开的一个或更多个实施例中，显示装置包括：多个发光元件；以及光转换层，设置在多个发光元件上并具有光控制单元，光控制单元包含通过配体的结合彼此连接的多个量子点，其中，多个发光元件中的每个包括第一电极、面对第一电极的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的发射层。
[0045]
多个发光元件可以发射第一颜色光，并且光控制单元可以包括透射第一颜色光的第一光控制单元、将第一颜色光转换为第二颜色光的第二光控制单元以及将第一颜色光转换为第三颜色光的第三光控制单元。
[0046]
多个量子点中的每个可以包括核和在核周围的壳，并且配体中的配体可以包括结合到多个量子点中的对应量子点的表面的亲水基团。
[0047]
亲水基团可以是硫醇基、二硫代酸基、膦基、邻苯二酚基、胺基和/或羧酸基。
[0048]
显示装置还可以包括设置在多个发光元件上的滤色器层，其中，滤色器层可以包括透射第一颜色光的第一滤光器、透射第二颜色光的第二滤光器和透射第三颜色光的第三滤光器。
附图说明
[0049]
包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本公开的示例实施例，并且与描述一起用于解释本公开的原理。在附图中：
[0050]
图1是一个或更多个实施例的电子设备的组合透视图；
[0051]
图2是一个或更多个实施例的电子设备的分解透视图；
[0052]
图3是一个或更多个实施例的显示装置的剖视图；
[0053]
图4是一个或更多个实施例的发光元件的剖视图；
[0054]
图5是示出根据一个或更多个实施例的用于制造发光元件的方法的流程图；
[0055]
图6是示意性地示出在根据一个或更多个实施例的用于制造发光元件的方法中形成发射层的动作的剖视图；
[0056]
图7是更详细地示出图6中提供的量子点组合物的一部分的剖视图；
[0057]
图8是一个或更多个实施例的量子点配合物的示意图；
[0058]
图9是示出根据一个或更多个实施例的用于制造发光元件的方法的一部分的示意图；
[0059]
图10是示出根据一个或更多个实施例的发射层的剖视图；
[0060]
图11是示意性地示出根据一个或更多个实施例的量子点组合物的视图；
[0061]
图12是示出根据一个或更多个实施例的量子点组合物中的配体之间的反应的视图；
[0062]
图13是根据一个或更多个实施例的显示装置的平面图；
[0063]
图14是对应于图13的线ii
‑
ii'的显示装置的剖视图；
[0064]
图15是根据一个或更多个实施例的显示装置的剖视图；以及
[0065]
图16是示出示例和对比示例的分析结果的曲线图。
具体实施方式
[0066]
本公开可以以许多替换形式修改，因此将在附图中例示并更详细地描述特定实施例。然而，应该理解的是，并不旨在将本公开限制于所公开的具体形式，而是旨在覆盖落入发明的精神和范围内的所有修改、等同物和替换物。
[0067]
在本描述中，当元件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，其意味着该元件可以直接设置在所述另一元件上/直接连接到/直接结合到所述另一元件，或者第三元件可以设置在其之间。
[0068]
在本公开中，“直接设置”或“直接在
……
上”意味着在层、膜、区域和/或板等与另一元件之间没有添加层、膜、区域和/或板等。例如，“直接设置”可以意味着设置两个层或两个构件，而其之间没有附加构件(诸如粘合构件)。
[0069]
同样的附图标记指同样的元件。另外，在附图中，为了有效地描述技术内容，夸大了元件的厚度、比例和尺寸。
[0070]
术语“和/或”包括其相关的构造可以限定的一个或更多个的所有组合。当诸如
“……
中的至少一个(种/者)”、
“……
中的一个(种/者)”和“从
……
中选择”的表达在一列元件之后时，修饰整列元件(要素)，而不修饰列表中的各个元件(要素)。此外，当描述本公开的实施例时使用“可以(可)”指“本公开的一个或更多个实施例”。
[0071]
将理解的是，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的示例实施例的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，类似地，第二元件可以被称为第一元件。除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
[0072]
此外，诸如“在
……
下方”、“在
……
下(下部)”、“在
……
上方”、“在
……
上(上部)”等的术语用于描述附图中所示的构造的关系。术语用作相对概念，并且参照附图中指示的
方向进行描述。
[0073]
除非另外限定，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，常用词典中限定的术语应该被解释为具有与相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且它们将不以理想化或过于形式化的含义来解释，除非在此明确地限定。
[0074]
应该理解的是，在公开中，术语“包括(包含)”或“具有”旨在说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件或其组合，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件或其组合。
[0075]
如在此所使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。
[0076]
此外，术语“基本上(基本)”、“约(大约)”和类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且旨在说明由本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。
[0077]
此外，在此所叙述的任何数值范围旨在包括包含在所叙述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所叙述的最小值1.0与所叙述的最大值10.0之间(并且包括所叙述的最小值1.0和所叙述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值(诸如以2.4至7.6为例)。在此所叙述的任何最大数值限度旨在包括其中包含的所有较低数值限度，并且本说明书中所叙述的任何最小数值限度旨在包括其中包含的所有较高数值限度。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地叙述包含在在此明确地叙述的范围内的任何子范围。
[0078]
在下文中，将参照附图描述根据本公开的一个或更多个实施例的量子点组合物、发光元件和包括其的显示装置。
[0079]
图1是一个或更多个实施例的电子设备ea的透视图。图2是一个或更多个实施例的电子设备ea的分解透视图。图3是一个或更多个实施例的显示装置dd的剖视图。图4是一个或更多个实施例的发光元件ed的剖视图。
[0080]
在一个或更多个实施例中，电子设备ea可以是大型电子设备(诸如电视机、监视器和/或室外广告牌)。在一个或更多个实施例中，电子设备ea可以是小型和/或中型电子设备(诸如个人计算机、膝上型计算机、个人数字终端、汽车导航单元、游戏控制台、智能电话、平板电脑和/或相机)。然而，这些仅作为示例而呈现，并且在不脱离本公开的情况下，电子设备ea可以是另一合适的电子设备。在图1的实施例中，智能电话被示例性地示出为电子设备ea。
[0081]
电子设备ea可以通过前表面fs显示图像im。图像im可以包括静止图像以及动态图像。图1示出了前表面fs平行于由第一方向dr1和与第一方向dr1交叉的第二方向dr2限定的平面。然而，这是作为示例而呈现，并且在一个或更多个其它实施例中，电子设备ea的前表面fs可以具有弯曲的形状。
[0082]
在电子设备ea的前表面fs的法线方向(即，电子设备ea的厚度方向)之中，图像im沿其显示的方向由第三方向dr3指示。每个构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)可以沿着第三方向dr3分离。
[0083]
第四方向dr4(见图13)可以是第一方向dr1与第二方向dr2之间的方向。第四方向dr4可以位于与由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面平行的平面上。然而，由第一方向
dr1、第二方向dr2、第三方向dr3和第四方向dr4指示的方向是相对概念，并且因此可以改变为其它方向。
[0084]
在一个或更多个实施例中，电子设备ea可以包括具有折叠区域和非折叠区域的可折叠的显示装置和/或具有至少一个弯曲部分的弯曲的显示装置。
[0085]
电子设备ea可以包括显示装置dd和外壳hau。在电子设备ea中，前表面fs可以对应于显示装置dd的前表面，并且可以对应于窗wp的前表面。因此，针对电子设备ea的前表面、显示装置dd的前表面和窗wp的前表面给出(使用)同样的附图标记fs。
[0086]
外壳hau可以容纳显示装置dd。外壳hau可以设置为覆盖显示装置dd，使得作为显示装置dd的显示表面is的上表面被暴露。外壳hau可以覆盖显示装置dd的侧表面和底表面，并且暴露全部(例如，整个)上表面。然而，本公开的实施例不限于此，并且外壳hau可以覆盖显示装置dd的上表面的一部分以及侧表面和底表面。
[0087]
在一个或更多个实施例的电子设备ea中，窗wp可以包括光学透明绝缘材料。窗wp可以包括透射区域ta和边框区域bza。包括透射区域ta和边框区域bza的窗wp的前表面fs对应于电子设备ea的前表面fs。
[0088]
在图1和图2中，透射区域ta以具有圆形的顶点的矩形形状示出。然而，这被示例性地示出，并且透射区域ta可以具有各种合适的形状，并且不限于任何一个实施例。
[0089]
透射区域ta可以是光学透明区域。边框区域bza可以是具有比透射区域ta的透光率相对低的透光率的区域。边框区域bza可以具有预定(或设定)颜色。边框区域bza可以与透射区域ta相邻并且可以围绕透射区域ta。边框区域bza可以限定透射区域ta的形状。然而，本公开的实施例不限于所示出的实施例，并且边框区域bza可以仅与透射区域ta的一侧相邻地设置，并且可以省略边框区域bza的一部分。
[0090]
显示装置dd可以设置在窗wp下面。在本描述中，“在
……
下方”可以指示与显示装置dd沿其提供图像的方向或侧面相反的方向或侧面。
[0091]
在一个或更多个实施例中，显示装置dd可以基本上被构造为产生图像im。在显示装置dd中产生的图像im显示在显示表面is上，并且由用户从外部通过透射区域ta观看。显示装置dd包括显示区域da和非显示区域nda。显示区域da可以是根据电信号激活的区域。非显示区域nda可以是被边框区域bza覆盖的区域。非显示区域nda与显示区域da相邻。非显示区域nda可以围绕显示区域da。
[0092]
参照图3，显示装置dd可以包括显示面板dp和设置在显示面板dp上的光控制层pp。显示面板dp可以包括显示元件层dp
‑
el。显示元件层dp
‑
el包括发光元件ed(见图4)。
[0093]
光控制层pp可以设置在显示面板dp上，以控制由于外部光而从显示面板dp反射的光。光控制层pp可以包括例如偏振层和/或滤色器层。
[0094]
在一个或更多个实施例的显示装置dd中，显示面板dp可以是发光显示面板。例如，显示面板dp可以是包括量子点发光元件的量子点发光显示面板。然而，本公开的实施例不限于此。
[0095]
显示面板dp可以包括基体基底bs、设置在基体基底bs上的电路层dp
‑
cl和设置在电路层dp
‑
cl上的显示元件层dp
‑
el。
[0096]
基体基底bs可以是提供其上设置有显示元件层dp
‑
el的基体表面的构件。基体基底bs可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。然而，本公开的实施例不限于此，并且基体基
底bs可以是无机层、有机层或复合材料层(包括无机材料和有机材料)。基体基底bs可以是可以容易地弯曲和/或折叠的柔性基底。
[0097]
在一个或更多个实施例中，电路层dp
‑
cl可以设置在基体基底bs上，并且电路层dp
‑
cl可以包括多个晶体管。晶体管均可以包括控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层dp
‑
cl可以包括开关晶体管和驱动晶体管，以驱动显示元件层dp
‑
el的发光元件ed。
[0098]
图4是示出根据一个或更多个实施例的发光元件ed的视图，参照图4，根据一个或更多个实施例的发光元件ed包括第一电极el1、面对第一电极el1的第二电极el2以及设置在第一电极el1与第二电极el2之间并具有发射层eml的多个功能层。
[0099]
多个功能层可以包括设置在第一电极el1与发射层eml之间的空穴传输区域htr以及设置在发射层eml与第二电极el2之间的电子传输区域etr。在一个或更多个实施例中，盖层可以进一步设置在第二电极el2上。
[0100]
空穴传输区域htr和电子传输区域etr均可以包括多个子功能层。例如，空穴传输区域htr可以包括空穴注入层hil和空穴传输层htl作为子功能层，并且电子传输区域etr可以包括电子注入层eil和电子传输层etl作为子功能层。然而，本公开的实施例不限于此，并且空穴传输区域htr还可以包括电子阻挡层作为子功能层，并且电子传输区域etr还可以包括空穴阻挡层作为子功能层。
[0101]
在根据一个或更多个实施例的发光元件ed中，第一电极el1具有导电性。第一电极el1可以由金属合金或任何合适的导电化合物形成。第一电极el1可以是阳极。第一电极el1可以是像素电极。
[0102]
在根据一个或更多个实施例的发光元件ed中，第一电极el1可以是反射电极。然而，本公开的实施例不限于此。例如，第一电极el1可以是透射电极或透反射电极。当第一电极el1是透反射电极或反射电极时，第一电极el1可以包括ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif/ca、lif/al、mo、ti、它们的化合物或它们的混合物(例如，ag和mg的混合物)。在一个或更多个实施例中，第一电极el1可以具有包括由上面描述的材料中的任何材料形成的反射膜或透反射膜以及由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟锡锌(itzo)等形成的透明导电膜的多层结构。例如，第一电极el1可以是多层金属膜，并且可以具有ito/ag/ito的金属膜的堆叠结构。
[0103]
空穴传输区域htr可以设置在第一电极el1上。空穴传输区域htr可以包括空穴注入层hil、空穴传输层htl等。在一个或更多个实施例中，除了空穴注入层hil和空穴传输层htl之外，空穴传输区域htr还可以包括空穴缓冲层和电子阻挡层中的至少一个。空穴缓冲层可以根据从发射层eml发射的光的波长来补偿谐振距离，并且因此可以增大发光效率。可以包括在空穴传输区域htr中的材料可以用作包括在空穴缓冲层中的材料。电子阻挡层是用于防止或减少电子从电子传输区域etr注入到空穴传输区域htr中的层。
[0104]
空穴传输区域htr可以具有由单一材料形成(例如，由单一材料组成)的单个层、由多种不同的材料形成的单个层或包括由多种不同的材料形成的多个层的多层结构。例如，空穴传输区域htr可以具有由多种不同的材料形成的单层结构，或者其中空穴注入层hil/空穴传输层htl、空穴注入层hil/空穴传输层htl/空穴缓冲层、空穴注入层hil/空穴缓冲层、空穴传输层htl/空穴缓冲层或空穴注入层hil/空穴传输层htl/电子阻挡层从第一电极el1以所陈述的次序堆叠的结构，但是实施例不限于此。
[0105]
空穴传输区域htr可以使用一种或更多种合适的方法(诸如真空沉积方法、旋涂方法、浇铸方法、朗格缪尔
‑
布洛杰特(lb)方法、喷墨印刷方法、激光印刷方法和/或激光诱导热成像(liti)方法)形成。
[0106]
空穴注入层hil可以包括例如酞菁化合物(诸如铜酞菁)、n,n'
‑
二苯基
‑
n,n'
‑
双[4
‑
(二(间甲苯基)
‑
氨基)
‑
苯基]
‑
联苯
‑
4,4'
‑
二胺(dntpd)、4,4',4
”‑
[三(3
‑
甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m
‑
mtdata)、4,4',4
”‑
三(n,n
‑
二苯基氨基)三苯胺(tdata)、4,4',4
”‑
三[n
‑
(2
‑
萘基)
‑
n
‑
苯基氨基]
‑
三苯胺(2
‑
tnata)、聚(3,4
‑
乙撑二氧噻吩)/聚(4
‑
苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4
‑
苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)、n,n'
‑
二(萘
‑1‑
基)
‑
n,n'
‑
二苯基
‑
联苯胺(npb)、含三苯胺的聚醚酮(tpapek)、4
‑
异丙基
‑
4'
‑
甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐、二吡嗪并[2,3
‑
f:2',3'
‑
h]喹喔啉
‑
2,3,6,7,10,11
‑
六腈(hat
‑
cn)等。
[0107]
空穴传输层htl可以包括例如咔唑类衍生物(诸如n
‑
苯基咔唑和/或聚乙烯基咔唑)、芴类衍生物、n,n'
‑
双(3
‑
甲基苯基)
‑
n,n'
‑
二苯基
‑
[1,1'
‑
联苯]
‑
4,4'
‑
二胺(tpd)、三苯胺类衍生物(诸如4,4',4
”‑
三(n
‑
咔唑基)三苯胺(tcta))、n,n'
‑
二(萘
‑1‑
基)
‑
n,n'
‑
二苯基
‑
联苯胺(npb)、4,4'
‑
亚环己基
‑
双[n,n
‑
双(4
‑
甲基苯基)苯胺](tapc)、4,4'
‑
双[n,n'
‑
(3
‑
甲苯基)氨基]
‑
3,3'
‑
二甲基联苯(hmtpd)、1,3
‑
双(n
‑
咔唑基)苯(mcp)等。
[0108]
发射层eml可以设置在空穴传输区域htr上。在根据一个或更多个实施例的发光元件ed中，发射层eml可以由一个或更多个实施例的量子点组合物形成。发射层eml包括多个量子点配合物qd
‑
c。包括在发射层eml中的量子点配合物qd
‑
c可以处于结合到两个或更多个其它量子点配合物qd
‑
c的状态。将参照图7和图8更详细地描述量子点配合物qd
‑
c。
[0109]
在一个或更多个实施例的发光元件ed中，发射层eml可以包括主体和掺杂剂。在一个或更多个实施例中，发射层eml可以包括作为掺杂剂材料的量子点配合物qd
‑
c。在一个或更多个实施例中，发射层eml还可以包括主体材料。在一个或更多个实施例的发光元件ed中，发射层eml可以发射荧光。例如，量子点配合物qd
‑
c可以用作荧光掺杂剂材料。
[0110]
发射层eml可以例如具有约5nm至约20nm或约10nm至约20nm的厚度。
[0111]
发射层eml可以使用一种或更多种合适的方法(诸如真空沉积方法、旋涂方法、浇铸方法、朗格缪尔
‑
布洛杰特(lb)方法、喷墨印刷方法、激光印刷方法、激光诱导热成像(liti)方法等)形成。
[0112]
在一个或更多个实施例的发光元件ed中，电子传输区域etr可以设置在发射层eml上。电子传输区域etr可以包括空穴阻挡层、电子传输层etl和电子注入层eil之中的至少一个，但是本公开的实施例不限于此。
[0113]
电子传输区域etr可以具有由单一材料形成(例如，由单一材料组成)的单个层、由多种不同的材料形成的单个层或包括由多种不同的材料形成的多个层的多层结构。
[0114]
例如，电子传输区域etr可以具有电子注入层eil或电子传输层etl的单层结构，或者可以具有由电子注入材料和电子传输材料形成的单层结构。在一个或更多个实施例中，电子传输区域etr可以具有由多种不同的材料形成的单层结构，或者可以具有其中电子传输层etl/电子注入层eil和空穴阻挡层/电子传输层etl/电子注入层eil从发射层eml以所陈述的次序堆叠的结构，但是不限于此。电子传输区域etr的厚度可以是例如从约至
约
[0115]
电子传输区域etr可以使用一种或更多种合适的方法(诸如真空沉积方法、旋涂方法、浇铸方法、朗格缪尔
‑
布洛杰特(lb)方法、喷墨印刷方法、激光印刷方法、激光诱导热成像(liti)方法等)形成。
[0116]
当电子传输区域etr包括电子传输层etl时，电子传输层etl可以包括蒽类化合物。然而，本公开的实施例不限于此，并且电子传输区域etr可以包括例如三(8
‑
羟基喹啉)铝(alq3)、1,3,5
‑
三[(3
‑
吡啶基)
‑
苯
‑3‑
基]苯、2,4,6
‑
三(3'
‑
(吡啶
‑3‑
基)联苯
‑3‑
基)
‑
1,3,5
‑
三嗪、2
‑
(4
‑
(n
‑
苯基苯并咪唑
‑1‑
基)苯基)
‑
9,10
‑
二萘基蒽、1,3,5
‑
三(1
‑
苯基
‑
1h
‑
苯并[d]咪唑
‑2‑
基)苯(tpbi)、2,9
‑
二甲基
‑
4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲咯啉(bcp)、4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲咯啉(bphen)、3
‑
(4
‑
联苯基)
‑4‑
苯基
‑5‑
叔丁基苯基
‑
1,2,4
‑
三唑(taz)、4
‑
(萘
‑1‑
基)
‑
3,5
‑
二苯基
‑
4h
‑
1,2,4
‑
三唑(ntaz)、2
‑
(4
‑
联苯基)
‑5‑
(4
‑
叔丁基苯基)
‑
1,3,4
‑
噁二唑(tbu
‑
pbd)、双(2
‑
甲基
‑8‑
羟基喹啉
‑
n1,o8)
‑
(1,1'
‑
联苯
‑4‑
羟基)铝(balq)、双(苯并喹啉
‑
10
‑
羟基)铍(bebq2)、9,10
‑
二(萘
‑2‑
基)蒽(adn)或其混合物。电子传输层etl的厚度可以是从约至约并且可以是例如从约至约当电子传输层etl的厚度满足上面描述的范围时，可以获得令人满意的(或合适的)电子传输性质而不显著增加驱动电压。
[0117]
当电子传输区域etr包括电子注入层eil时，电子传输区域etr可以包括卤化金属、镧系金属或者卤化金属和镧系金属的共沉积材料。卤化金属可以是碱金属卤化物。例如，电子传输区域etr可以包括lif、羟基喹啉锂(liq)、li2o、bao、nacl、csf、yb、rbcl、rbi、ki和/或ki:yb，但是本公开的实施例不限于此。电子注入层eil也可以由电子注入材料和绝缘的有机金属盐的混合材料形成。有机金属盐可以选自于例如金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮酸盐和金属硬脂酸盐。电子注入层eil的厚度可以是从约至约和从约至约当电子注入层eil的厚度满足上面描述的范围时，可以获得令人满意的(或合适的)电子注入性质而不显著增加驱动电压。
[0118]
电子传输区域etr可以包括如上面描述的空穴阻挡层。空穴阻挡层可以包括例如2,9
‑
二甲基
‑
4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲咯啉(bcp)和4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲咯啉(bphen)中的至少一种，但不限于此。
[0119]
第二电极el2可以设置在电子传输区域etr上。第二电极el2可以是共电极或阴极。第二电极el2可以是透射电极、透反射电极或反射电极。当第二电极el2是透射电极时，第二电极el2可以由透明金属氧化物(例如，氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟锡锌(itzo)等)形成。
[0120]
当第二电极el2是透反射电极或反射电极时，第二电极el2可以包括ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif/ca、lif/al、mo、ti、yb、其化合物(例如，根据含量的agyb、agmg和/或mgag化合物等)或其混合物(例如，ag和mg的混合物、ag和yb的混合物等)。在一个或更多个实施例中，第二电极el2可以具有多层结构，该多层结构包括由上面描述的材料中的任何材料形成的反射膜或透反射膜以及由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟锡锌(itzo)等形成的透明导电膜。
[0121]
在一个或更多个实施例中，第二电极el2可以与辅助电极连接。当第二电极el2与辅助电极连接时，第二电极el2的电阻可以减小。
[0122]
图5是示出根据一个或更多个实施例的用于制造发光元件的方法的流程图。图6示意性地示出了在根据一个或更多个实施例的用于制造发光元件的方法中提供预备发射层的动作(s100)。图7更详细地示出了图6中提供的量子点组合物qcp的一部分(区域“aa”)。图8示意性地示出了量子点qd和结合到量子点qd的表面的配体ld。
[0123]
根据一个或更多个实施例的用于制造发光元件的方法可以包括提供预备发射层(s100)以及提供热以形成发射层(s200)。
[0124]
可以通过在空穴传输区域htr上提供量子点组合物qcp来执行提供预备发射层(s100)。可以通过喷嘴nz将量子点组合物qcp提供在像素限定膜pdl的部分之间。尽管在图6中，空穴传输区域htr被示出为公共层以与像素限定膜pdl叠置，但是本公开的实施例不限于此，并且空穴传输区域htr可以设置在像素限定膜pdl之间。例如，可以使用喷墨印刷方法将空穴传输区域htr提供在像素限定膜pdl之间。
[0125]
参照图7，一个或更多个实施例的量子点组合物qcp可以包括量子点qd和结合到量子点qd的表面的配体ld。量子点qd可以具有结合到其表面的配体ld以形成量子点配合物qd
‑
c。量子点配合物qd
‑
c具有结合到量子点qd的表面的配体ld，并且因此可以保持电荷注入性质，并且具有改善的分散性和封端性质。
[0126]
在一个或更多个实施例中，量子点组合物qcp还可以包括有机溶剂sv。例如，有机溶剂sv可以包括己烷、甲苯、氯仿、二甲基亚砜和/或二甲基甲酰胺。然而，本公开的实施例不限于此。
[0127]
量子点qd可以分散在有机溶剂sv中并被提供以形成发射层。当配体ld结合到量子点qd的表面时，量子点qd在有机溶剂sv中的分散性可能增大。在用于形成发射层的方法中，可以在提供量子点组合物qcp之后进一步包括蒸发有机溶剂sv。
[0128]
参照图8，量子点qd可以包括核cr和围绕核cr(或在核cr周围)的壳sl。然而，本公开的实施例不限于此，并且量子点qd可以具有仅具有核cr的单层结构。具有核/壳结构的量子点qd的壳sl可以用作防止或减少核cr的化学变形以保持半导体性质的保护层和/或用作赋予量子点qd电泳性质的充电层。壳sl可以是单个层或多个层。核cr与壳sl之间的界面可以具有其中存在于壳sl中的元素的浓度朝向中心变低的浓度梯度。
[0129]
一个或更多个实施例的量子点qd可以是半导体纳米晶体，该半导体纳米晶体可以选自于ii
‑
vi族化合物、iii
‑
v族化合物、iii
‑
vi族化合物、iv
‑
vi族化合物、iv族元素、iv族化合物和其组合(其多个组合)。
[0130]
ii
‑
vi族化合物可以选自于由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组，二元化合物选自于由cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs和其混合物(其多个混合物)组成的组，三元化合物选自于由cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns和其混合物组成的组，四元化合物选自于由cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste和其混合物组成的组。iii
‑
v族化合物可以进一步包括ii族金属(例如，inznp等)。
[0131]
iii
‑
vi族化合物可以包括：二元化合物(诸如in2s3和/或in2se3)；三元化合物(诸如ingas3和/或ingase3)；或者其任何组合。
[0132]
iii
‑
v族化合物可以选自于由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组，二
元化合物选自于由gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb和其混合物组成的组，三元化合物选自于由ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、inalp、innp、innas、innsb、inpas、inpsb和其混合物组成的组，四元化合物选自于由gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb和其混合物组成的组。
[0133]
iv
‑
vi族化合物可以选自于由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组，二元化合物选自于由sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte和其混合物组成的组，三元化合物选自于由snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte和其混合物组成的组，四元化合物选自于由snpbsse、snpbsete、snpbste和其混合物组成的组。iv族元素可以选自于由si、ge和其混合物组成的组。iv族化合物可以是选自于由sic、sige和其混合物组成的组中的二元化合物。
[0134]
i
‑
iii
‑
vi族化合物可以包括三元化合物(诸如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2、agalo2或其任何组合)。
[0135]
在这种情况下，二元化合物、三元化合物和/或四元化合物可以以均匀的浓度分布存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度分布存在于同一颗粒中。在一个或更多个实施例中，可以存在其中一个量子点围绕另一量子点的核/壳结构。核与壳之间的界面可以具有其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心变低的浓度梯度。
[0136]
在一个或更多个实施例的量子点qd中，壳sl可以由金属氧化物、非金属氧化物、半导体化合物或其组合形成。例如，金属氧化物或非金属氧化物可以是：二元化合物(诸如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4和/或nio)；或者三元化合物(诸如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4和/或comn2o4)，但是本公开的实施例不限于此。
[0137]
在一个或更多个实施例中，半导体化合物可以是例如cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb等，但是本公开的实施例不限于此。
[0138]
量子点qd可以具有约45nm或更小(例如，约40nm或更小，或约30nm或更小)的发光波长光谱的半峰全宽(fwhm)，并且可以在上面的范围中增强色纯度和/或颜色再现性。在一个或更多个实施例中，通过这种量子点qd发射的光在所有方向上发射，因此可以改善宽视角。
[0139]
在一个或更多个实施例中，尽管量子点qd的形式没有具体限制，只要其是合适的形式即可，但是可以使用呈球形、金字塔形、多臂和/或立方体的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米颗粒等的形式的量子点。
[0140]
量子点qd可以根据其颗粒尺寸控制发射的光的颜色，因此量子点qd可以具有各种发光颜色(诸如蓝色、红色、绿色等)。量子点qd的颗粒尺寸变得越小，可以发射的光的波长区域越短。例如，在具有相同核的量子点qd中，发射绿光的量子点的颗粒尺寸可以小于发射红光的量子点的颗粒尺寸。在一个或更多个实施例中，在具有相同核的量子点qd中，发射蓝光的量子点的颗粒尺寸可以小于发射绿光的量子点的颗粒尺寸。然而，本公开的实施例不限于此，并且即使在具有相同核的量子点qd中，也可以根据壳的厚度和形成材料来调节颗粒尺寸。
[0141]
当量子点qd具有诸如蓝色、红色、绿色等的各种发光颜色时，具有不同的发光颜色
的量子点qd可以具有不同的核材料。
[0142]
在一个或更多个实施例中，配体ld包括结合到量子点qd的表面的头部hd和暴露于外部的尾部tl。配体ld还可以包括将头部hd和尾部tl连接的链部cn。
[0143]
配体ld的头部hd是结合到量子点qd的表面的部分，并且可以包括结合到量子点qd的表面的官能团。头部hd可以包括亲水基团，例如硫醇基、二硫代酸基、膦基、邻苯二酚基、胺基和/或羧酸基。当头部hd包括结合到量子点qd的表面的单个官能团时，配体ld可以是单齿配体。当头部hd包括结合到量子点qd的表面的两个官能团时，配体ld可以是双齿配体。头部hd可以包括结合到量子点qd的壳sl的表面的官能团，因此配体ld可以有效地(或适当地)结合到量子点qd。
[0144]
配体ld的尾部tl可以与结合到另一量子点的配体结合，并且在末端处包括可交联官能团。可交联官能团没有具体限制，只要其是能够与另一官能团形成键的官能团即可，并且可以是例如热可交联官能团或光可交联官能团。在一个或更多个实施例中，可交联官能团可以是乙烯基、羟基、羧基、环氧基、酰胺基、胺基、叠氮基、氧杂环丁烷基和/或异氰酸酯基。
[0145]
配体ld的链部cn可以将头部hd和尾部tl连接，并调节配体ld的长度以控制量子点配合物qd
‑
c在量子点组合物qcp中的分散性。为此，链部cn可以包括2个至20个碳。例如，可以包括具有2个或更多个碳原子的烷基和具有1个或更多个碳原子的烷基，或者可以包括具有3个或更多个碳原子的烷基。当链部cn中的碳原子的数量小于2时，量子点qd之间的距离可能太小(例如，量子点qd可能彼此太近)，并且当碳原子的数量大于20时，量子点qd之间的距离可能太大(例如，量子点qd可能彼此太远)。链部cn还可以根据量子点配合物qd
‑
c分散在其中的有机溶剂sv的类型(或种类)包括官能团，例如还可以包括胺基、氧基、硫基、酯基、醚基、芳基和/或酰胺基。
[0146]
在一个或更多个实施例中，可以省略链部cn，并且配体ld的头部hd和尾部tl可以直接连接。
[0147]
在一个或更多个实施例中，配体ld可以由下面的式a或式b表示。
[0148]
式a
[0149]
*
‑
x
‑
y
[0150]
式b
[0151][0152]
在上面的式a和式b中，x、x1和x2可以均独立地为s或nh，并且y可以由下面的式1至式7中的至少一个(或任一个)表示。在本描述中，“＊
‑”
指示连接到量子点的位置(例如，与量子点的结合位)。然而，本公开的实施例不限于此。
[0153]
式1
[0154]
[0155]
式2
[0156][0157]
式3
[0158][0159]
式4
[0160][0161]
式5
[0162][0163]
式6
[0164][0165]
式7
[0166][0167]
在上面的式1至式7中，r1可以是具有1个(例如2个)至20个碳原子的烷基，r2可以是具有1个至20个碳原子的烷基，其中，r1和r2的碳原子的数量之和为20或更少。在上面的式1至式7中，指示连接到式a或式b的位置。
[0168]
图9是示意性地示出在根据一个或更多个实施例的用于制造发光元件的方法中提供热以形成发射层的动作(s200)的视图，图10是示意性地示出相应地形成的发射层eml的剖面的视图。图11示出了根据一个或更多个实施例的量子点组合物，图12示出了在图11的量子点组合物中执行的交联反应。
[0169]
根据一个或更多个实施例，可以通过向预备发射层p
‑
el施加50℃或更高、70℃或更高或者100℃或更高的热来执行向预备发射层p
‑
el提供热，以提供(例如，促进)烘焙。本公开的发射层可以在用于形成发射层的烘焙期间诱导量子点配合物qd
‑
c之间的结合，而无
需单独提供用于量子点配合物qd
‑
c之间的结合的热的附加工艺。在一个或更多个实施例中，烘焙可以去除包括在量子点组合物qcp中的有机溶剂sv等。
[0170]
参照图10，发射层eml包括彼此连接的多个量子点配合物qd
‑
c1和qd
‑
c1
‑
1。当将热提供到预备发射层p
‑
el时，结合到包括核cr1和在核cr1周围的壳sl1的量子点qd1的配体ld1与结合到包括核cr1
‑
1和在核cr1
‑
1周围的壳sl1
‑
1的另一量子点qd1
‑
1的配体ld1
‑
1之间发生交联反应，因此配体ld1和ld1
‑
1可以彼此形成键。配体ld1的尾部包括可交联官能团，该可交联官能团与结合到另一量子点qd1
‑
1的配体ld1
‑
1的尾部的可交联官能团结合。因此，量子点配合物qd
‑
c1可以结合到其它量子点配合物qd
‑
c1
‑
1。
[0171]
在图10中，量子点配合物qd
‑
c1示例性地示出为由近似三个层形成，但是本公开的实施例不限于此。例如，量子点配合物qd
‑
c1的布置可以根据发射层eml的厚度、包括在发射层eml中的量子点qd1的形状和量子点qd1的平均直径而变化。例如，在发射层eml中，量子点配合物qd
‑
c1中的每个可以结合到至少两个相邻的量子点配合物以形成单个层，或者可以形成两个或三个层。
[0172]
如图11和图12中仅以示例的方式所示出的，在量子点配合物qd
‑
c1中，由式c表示的化合物结合到量子点qd，并且壳sl包括zn。
[0173]
式c
[0174][0175]
在上面的式c中，r1和r2与式1至式7中所定义的相同。
[0176]
在图11中，配体ld的头部hd(硫醇基)结合到zn(壳sl中包括的金属离子)，因此配体ld有效地(或适当地)结合到量子点qd，从而形成量子点配合物。量子点qd可以具有结合的配体ld，以在有机溶剂中即使作为无机颗粒也表现出优异的分散性。
[0177]
参照图12，在烘焙中，图11的量子点配合物可以通过结合到第一量子点qd1的第一配体ld1的乙烯基与结合到相邻的1
‑
1(第一
‑
第一)量子点qd1
‑
1的1
‑
1(第一
‑
第一)配体ld1
‑
1的乙烯基之间的交联反应形成键。例如，量子点配合物可以通过配体ld1和ld1
‑
1之间的交联反应在发射层中定位为彼此靠近。
[0178]
图13是根据一个或更多个实施例的显示装置dd的平面图。图14是根据一个或更多个实施例的显示装置dd的剖视图。图14是对应于图13的线ii
‑
ii'的剖视图。
[0179]
一个或更多个实施例的显示装置dd可以包括多个发光元件ed
‑
1、ed
‑
2和ed
‑
3，并且发光元件ed
‑
1、ed
‑
2和ed
‑
3可以分别包括分别具有量子点配合物qd
‑
c1、qd
‑
c2和qd
‑
c3的发射层eml
‑
b、eml
‑
g和eml
‑
r。
[0180]
在一个或更多个实施例中，一个或更多个实施例的显示装置dd可以包括包含多个发光元件ed
‑
1、ed
‑
2和ed
‑
3的显示面板dp以及设置在显示面板dp上的光控制层pp。在一些实施例中，可以从一个或更多个实施例的显示装置dd省略光控制层pp。
[0181]
显示面板dp可以包括基体基底bs、电路层dp
‑
cl和设置在基体基底bs上的显示元件层dp
‑
el，并且显示元件层dp
‑
el可以包括像素限定膜pdl、设置在像素限定膜pdl的部分之间的发光元件ed
‑
1、ed
‑
2和ed
‑
3以及设置在发光元件ed
‑
1、ed
‑
2和ed
‑
3上的封装层tfe。
[0182]
参照图13和图14，显示装置dd可以包括非发光区域npxa和发光区域pxa
‑
b、pxa
‑
g和pxa
‑
r。发光区域pxa
‑
b、pxa
‑
g和pxa
‑
r中的每个可以是发射分别从发光元件ed
‑
1、ed
‑
2和ed
‑
3中的每个产生的光的区域。发光区域pxa
‑
b、pxa
‑
g和pxa
‑
r可以在平面上彼此间隔开。
[0183]
可以根据从发光元件ed
‑
1、ed
‑
2和ed
‑
3产生的光的颜色将发光区域pxa
‑
b、pxa
‑
g和pxa
‑
r划分为多个组。在图13和图14中所示出的一个或更多个实施例的显示装置dd中，示例性地示出分别发射蓝光、绿光和红光的三个发光区域pxa
‑
b、pxa
‑
g和pxa
‑
r。例如，一个或更多个实施例的显示装置dd可以包括彼此分离的蓝色发光区域pxa
‑
b、绿色发光区域pxa
‑
g和红色发光区域pxa
‑
r。
[0184]
多个发光元件ed
‑
1、ed
‑
2和ed
‑
3可以发射不同的波长区域中的光。例如，在一个或更多个实施例中，显示装置dd可以包括发射蓝光的第一发光元件ed
‑
1、发射绿光的第二发光元件ed
‑
2和发射红光的第三发光元件ed
‑
3。然而，本公开的实施例不限于此，并且第一发光元件ed
‑
1、第二发光元件ed
‑
2和第三发光元件ed
‑
3可以发射相同的波长区域中的光，或者发射至少一个不同的波长区域中的光。
[0185]
例如，显示装置dd的蓝色发光区域pxa
‑
b、绿色发光区域pxa
‑
g和红色发光区域pxa
‑
r可以分别对应于第一发光元件ed
‑
1、第二发光元件ed
‑
2和第三发光元件ed
‑
3。
[0186]
第一发光元件ed
‑
1的第一发射层eml
‑
b可以包括第一量子点配合物qd
‑
c1。第一量子点配合物qd
‑
c1可以发射作为第一光的蓝光。
[0187]
第二发光元件ed
‑
2的第二发射层eml
‑
g和第三发光元件ed
‑
3的第三发射层eml
‑
r可以分别包括第二量子点配合物qd
‑
c2和第三量子点配合物qd
‑
c3。第二量子点配合物qd
‑
c2和第三量子点配合物qd
‑
c3可以分别发射作为第二光的绿光和作为第三光的红光。
[0188]
第一量子点配合物qd
‑
c1、第二量子点配合物qd
‑
c2和第三量子点配合物qd
‑
c3中的每个可以具有量子点和结合到量子点表面的配体。例如，在一个或更多个实施例中，第一量子点配合物qd
‑
c1可以包括第一量子点和第一配体，第二量子点配合物qd
‑
c2可以包括第二量子点和第二配体，并且第三量子点配合物qd
‑
c3可以包括第三量子点和第三配体。针对第一量子点配合物(多个第一量子点配合物)qd
‑
c1、第二量子点配合物(多个第二量子点配合物)qd
‑
c2和第三量子点配合物(多个第三量子点配合物)qd
‑
c3中的每个，上面描述的一个或更多个实施例的发光元件中的量子点配合物的描述可以同样地适用。
[0189]
在一个或更多个实施例中，包括在发光元件ed
‑
1、ed
‑
2和ed
‑
3中的第一量子点配合物qd
‑
c1的第一量子点、第二量子点配合物qd
‑
c2的第二量子点和第三量子点配合物qd
‑
c3的第三量子点可以由不同的核材料形成。在一个或更多个实施例中，第一量子点配合物qd
‑
c1的第一量子点、第二量子点配合物qd
‑
c2的第二量子点和第三量子点配合物qd
‑
c3的第三量子点可以由相同的核材料形成，或者选自于第一量子点至第三量子点中的两个量子点可以由相同的核材料形成，并且剩余的量子点可以由不同的核材料形成。
[0190]
在一个或更多个实施例中，第一量子点配合物qd
‑
c1的第一量子点、第二量子点配合物qd
‑
c2的第二量子点和第三量子点配合物qd
‑
c3的第三量子点可以具有不同的直径。例如，在第一发光元件ed
‑
1中使用的发射(用来发射)相对短波长区域中的光的第一量子点可以具有比均发射(用来发射)相对长波长区域中的光的第二发光元件ed
‑
2的第二量子点的平均直径和第三发光元件ed
‑
3的第三量子点的平均直径相对小的平均直径。然而，本公开的实施例不限于此，并且第一量子点至第三量子点可以在尺寸上类似。在一个或更多个实
施例中，选自于第一量子点至第三量子点中的两个量子点的平均直径可以类似，并且剩余的量子点可以具有不同的平均直径。
[0191]
在一个或更多个实施例中，第一量子点配合物qd
‑
c1的第一配体、第二量子点配合物qd
‑
c2的第二配体和第三量子点配合物qd
‑
c3的第三配体可以彼此相同或不同。基于分别包括第一量子点配合物qd
‑
c1、第二量子点配合物qd
‑
c2和第三量子点配合物qd
‑
c3的发光元件ed
‑
1、ed
‑
2和ed
‑
3的发光波长，可以相应地选择第一配体至第三配体。
[0192]
在一个或更多个实施例的显示装置dd中，如图13和图14中所示，发光区域pxa
‑
b、pxa
‑
g和pxa
‑
r的面积各自可以彼此不同。在这种情况下，所述面积可以指当在由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面上观看时的面积。
[0193]
根据从发光元件ed
‑
1、ed
‑
2和ed
‑
3的发射层eml
‑
b、eml
‑
g和eml
‑
r发射的颜色，发光区域pxa
‑
b、pxa
‑
g和pxa
‑
r可以具有不同的面积。例如，参照图13和图14，在显示装置dd中，与发射(用来发射)蓝光的第一发光元件ed
‑
1对应的蓝色发光区域pxa
‑
b可以具有最大的面积，并且与产生(用来发射或产生)绿光的第二发光元件ed
‑
2对应的绿色发光区域pxa
‑
g可以具有最小的面积。然而，本公开的实施例不限于此，并且发光区域pxa
‑
b、pxa
‑
g和pxa
‑
r可以发射除蓝光、绿光和红光之外的光，或者发光区域pxa
‑
b、pxa
‑
g和pxa
‑
r可以具有相同的面积，或者发光区域pxa
‑
b、pxa
‑
g和pxa
‑
r可以以与图13中所示的面积比不同的面积比设置。
[0194]
发光区域pxa
‑
b、pxa
‑
g和pxa
‑
r中的每个可以是由像素限定膜pdl分离的区域。非发光区域npxa可以是邻近的发光区域pxa
‑
b、pxa
‑
g和pxa
‑
r之间的区域，并且可以对应于像素限定膜pdl。在本描述中，发光区域pxa
‑
b、pxa
‑
g和pxa
‑
r中的每个可以对应于像素。像素限定膜pdl可以使发光元件ed
‑
1、ed
‑
2和ed
‑
3分离。发光元件ed
‑
1、ed
‑
2和ed
‑
3的发射层eml
‑
b、eml
‑
g和eml
‑
r可以设置在由像素限定膜pdl限定的开口oh中，并且因此可以彼此分离。
[0195]
像素限定膜pdl可以由聚合物树脂形成。例如，像素限定膜pdl可以形成为包括聚丙烯酸酯类树脂和/或聚酰亚胺类树脂。在一个或更多个实施例中，除了聚合物树脂之外，像素限定膜pdl可以通过进一步包括无机材料来形成。在一个或更多个实施例中，像素限定膜pdl可以形成为包括光吸收材料，或者可以形成为包括黑色颜料和/或黑色染料。形成为包括黑色颜料和/或黑色染料的像素限定膜pdl可以实现黑色像素限定膜。当形成像素限定膜pdl时，可以使用炭黑作为黑色颜料和/或黑色染料，但是本公开的实施例不限于此。
[0196]
在一个或更多个实施例中，像素限定膜pdl可以由无机材料形成。例如，像素限定膜pdl可以形成为包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
n
y
)等。像素限定膜pdl可以限定发光区域pxa
‑
b、pxa
‑
g和pxa
‑
r。发光区域pxa
‑
b、pxa
‑
g和pxa
‑
r以及非发光区域npxa可以被像素限定膜pdl分离。
[0197]
发光元件ed
‑
1、ed
‑
2和ed
‑
3中的每个可以包括第一电极el1、空穴传输区域htr、对应的发射层eml
‑
b、eml
‑
g或eml
‑
r、电子传输区域etr和第二电极el2。在包括在一个或更多个实施例的显示装置dd中的发光元件ed
‑
1、ed
‑
2和ed
‑
3中，除了包括在发射层eml
‑
b、eml
‑
g和eml
‑
r中的第一量子点配合物qd
‑
c1、第二量子点配合物qd
‑
c2和第三量子点配合物qd
‑
c3彼此不同之外，结合图4提供的描述可以同样适用于第一电极el1、空穴传输区域htr、电子传输区域etr和第二电极el2。在一个或更多个实施例中，发光元件ed
‑
1、ed
‑
2和ed
‑
3中的每
个还可以包括在第二电极el2与封装层tfe之间的盖层。
[0198]
封装层tfe可以覆盖发光元件ed
‑
1、ed
‑
2和ed
‑
3。封装层tfe可以是单个层或多个层的层叠层。封装层tfe可以是薄膜封装层。封装层tfe保护发光元件ed
‑
1、ed
‑
2和ed
‑
3。封装层tfe可以覆盖设置在开口oh中的第二电极el2的上表面，并且可以填充开口oh。
[0199]
尽管在图14中，空穴传输区域htr和电子传输区域etr被示出为公共层同时覆盖像素限定膜pdl，但是本公开的实施例不限于此。在一个或更多个实施例中，空穴传输区域htr和电子传输区域etr可以设置在由像素限定膜pdl限定的开口oh中。
[0200]
例如，当除了发射层eml
‑
b、eml
‑
g和eml
‑
r之外，通过喷墨印刷方法提供空穴传输区域htr和电子传输区域etr时，可以对应于像素限定膜pdl的部分之间的所限定的开口oh提供空穴传输区域htr、发射层eml
‑
b、eml
‑
g和eml
‑
r、电子传输区域etr等。然而，实施例不限于此，并且如图14中所示，空穴传输区域htr和电子传输区域etr可以覆盖像素限定膜pdl而不被图案化，并且可以设置为一个公共层而与提供每个功能层的方法无关。
[0201]
在图14中所示出的一个或更多个实施例的显示装置dd中，尽管第一发光元件ed
‑
1、第二发光元件ed
‑
2和第三发光元件ed
‑
3的发射层eml
‑
b、eml
‑
g和eml
‑
r的厚度被示出为彼此类似，但是实施例不限于此。例如，在一个或更多个实施例中，第一发光元件ed
‑
1、第二发光元件ed
‑
2和第三发光元件ed
‑
3的发射层eml
‑
b、eml
‑
g和eml
‑
r的厚度可以彼此不同。
[0202]
参照图13，蓝色发光区域pxa
‑
b和红色发光区域pxa
‑
r可以在第一方向dr1上交替地布置以形成第一组pxg1。绿色发光区域pxa
‑
g可以在第一方向dr1上布置以形成第二组pxg2。
[0203]
第一组pxg1和第二组pxg2可以在第二方向dr2上间隔开。第一组pxg1和第二组pxg2中的每者可以设置为多个。第一组pxg1和第二组pxg2可以在第二方向dr2上交替地布置。
[0204]
一个绿色发光区域pxa
‑
g可以在第四方向dr4上设置为与一个蓝色发光区域pxa
‑
b或一个红色发光区域pxa
‑
r间隔开。第四方向dr4可以是第一方向dr1与第二方向dr2之间的方向。
[0205]
图13中所示的发光区域pxa
‑
b、pxa
‑
g和pxa
‑
r的布置结构可以具有结构或图案(是由三星显示有限公司(samsung display co.,ltd.)拥有的注册商标)。然而，根据一个或更多个实施例的显示装置dd中的发光区域pxa
‑
b、pxa
‑
g和pxa
‑
r的布置结构不限于图13中所示的布置结构。例如，在一个或更多个实施例中，发光区域pxa
‑
b、pxa
‑
g和pxa
‑
r可以具有条纹结构(或图案)，其中蓝色发光区域pxa
‑
b、绿色发光区域pxa
‑
g和红色发光区域pxa
‑
r可以沿着第一方向dr1交替地布置。
[0206]
参照图14，一个或更多个实施例的显示装置dd还包括光控制层pp。光控制层pp可以阻挡或减少从显示装置dd外部入射到显示面板dp的外部光。光控制层pp可以阻挡或减少一部分外部光。光控制层pp可以执行使由于外部光引起的反射最少化(或减少由于外部光引起的反射)的反射防止(或反射减少)功能。
[0207]
在图14中所示出的一个或更多个实施例中，光控制层pp可以包括滤色器层cfl。例如，一个或更多个实施例的显示装置dd还可以包括设置在显示面板dp的发光元件ed
‑
1、ed
‑
2和ed
‑
3上的滤色器层cfl。
[0208]
在一个或更多个实施例的显示装置dd中，光控制层pp可以包括基体层bl和滤色器层cfl。
[0209]
基体层bl可以是提供其上设置有滤色器层cfl的基体表面的构件。基体层bl可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。然而，本公开的实施例不限于此，并且基体层bl可以是无机层、有机层或复合材料层(例如，包括无机材料和有机材料)。
[0210]
滤色器层cfl可以包括阻光单元bm和滤色器cf。滤色器cf可以包括多个滤光器cf
‑
b、cf
‑
g和cf
‑
r。例如，滤色器层cfl可以包括透射第一颜色光的第一滤光器cf
‑
b、透射第二颜色光的第二滤光器cf
‑
g以及透射第三颜色光的第三滤光器cf
‑
r。例如，第一滤光器cf
‑
b可以是蓝色滤光器，第二滤光器cf
‑
g可以是绿色滤光器，并且第三滤光器cf
‑
r可以是红色滤光器。
[0211]
滤光器cf
‑
b、cf
‑
g和cf
‑
r中的每个可以包括聚合物光敏树脂和颜料和/或染料。第一滤光器cf
‑
b可以包括蓝色颜料和/或蓝色染料，第二滤光器cf
‑
g可以包括绿色颜料和/或绿色染料，并且第三滤光器cf
‑
r可以包括红色颜料和/或红色染料。
[0212]
然而，本公开的实施例不限于此，并且第一滤光器cf
‑
b可以不包括颜料或染料。第一滤光器cf
‑
b可以包括聚合物光敏树脂，但不包括颜料或染料。第一滤光器cf
‑
b可以是透明的。第一滤光器cf
‑
b可以由透明光敏树脂形成。
[0213]
阻光单元bm可以是黑色矩阵。阻光单元bm可以形成为包括有机阻光材料或无机阻光材料，有机阻光材料或无机阻光材料都包括黑色颜料和/或黑色染料。阻光单元bm可以防止或减少漏光，并且分离(例如，限定)相邻的滤光器cf
‑
b、cf
‑
g和cf
‑
r之间的边界。
[0214]
滤色器层cfl还可以包括缓冲层bfl。例如，缓冲层bfl可以是保护滤光器cf
‑
b、cf
‑
g和cf
‑
r的保护层。缓冲层bfl可以是包括在氮化硅、氧化硅和氮氧化硅之中的至少一种无机材料(选自于氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种无机材料)的无机材料层。缓冲层bfl可以由单个层或多个层形成。
[0215]
在图14中所示的一个或更多个实施例中，滤色器层cfl的第一滤光器cf
‑
b被示出为与第二滤光器cf
‑
g和第三滤光器cf
‑
r叠置，但是本公开的实施例不限于此。例如，第一滤光器cf
‑
b、第二滤光器cf
‑
g和第三滤光器cf
‑
r可以被阻光单元bm分离，并且可以彼此不叠置。在一个或更多个实施例中，第一滤光器cf
‑
b、第二滤光器cf
‑
g和第三滤光器cf
‑
r可以分别对应于蓝色发光区域pxa
‑
b、绿色发光区域pxa
‑
g和红色发光区域pxa
‑
r设置。
[0216]
在一个或更多个实施例中，显示装置dd可以包括偏振层代替滤色器层cfl作为光控制层pp。偏振层可以阻挡或减少从外部提供到显示面板dp的外部光。偏振层可以阻挡或减少一部分外部光。
[0217]
在一个或更多个实施例中，偏振层可以减少因外部光在显示面板dp中产生的反射光。例如，偏振层可以起到阻挡或减少从显示装置dd外部提供的光入射到显示面板dp而再次出射的反射光的功能。偏振层可以是具有反射防止(或反射减少)功能的圆偏振器，或者偏振层可以包括线偏振器和λ/4相位延迟器。偏振层可以设置在待暴露的基体层bl上，或者偏振层可以设置在基体层bl下面。
[0218]
图15是本公开的一个或更多个其它实施例的显示装置dd
‑
1的剖视图。在根据一个或更多个实施例的显示装置dd
‑
1的描述中，将不再描述与上面参照图1至图14描述的内容重叠的内容，并且将主要描述差异。
[0219]
参照图15，一个或更多个实施例的显示装置dd
‑
1可以包括设置在显示面板dp
‑
1上的光转换层ccl。在一个或更多个实施例中，显示装置dd
‑
1还可以包括滤色器层cfl。滤色器层cfl可以设置在基体层bl与光转换层ccl之间。
[0220]
显示面板dp
‑
1可以是发光显示面板。例如，显示面板dp
‑
1可以是有机电致发光显示面板或量子点发光显示面板。
[0221]
显示面板dp
‑
1可以包括基体基底bs、设置在基体基底bs上的电路层dp
‑
cl以及显示元件层dp
‑
el1。
[0222]
显示元件层dp
‑
el1包括发光元件ed
‑
a，并且发光元件ed
‑
a可以包括彼此面对的第一电极el1和第二电极el2以及设置在第一电极el1与第二电极el2之间的多个层ol。多个层ol可以包括空穴传输区域htr(图4)、发射层eml(图4)和电子传输区域etr(图4)。封装层tfe可以设置在发光元件ed
‑
a上。
[0223]
在发光元件ed
‑
a中，可以将与参照图4描述的内容相同的内容应用到第一电极el1、空穴传输区域htr、电子传输区域etr和第二电极el2。然而，在一个或更多个实施例的包括在显示面板dp
‑
1中的发光元件ed
‑
a中，发射层可以包括作为有机电致发光材料的主体和掺杂剂，或者可以包括参照图1至图13描述的量子点配合物。在一个或更多个实施例的显示面板dp
‑
1中，发光元件ed
‑
a可以发射蓝光。
[0224]
光转换层ccl可以包括彼此间隔开设置的多个分隔壁bk以及设置在分隔壁bk之间的光控制单元ccp
‑
b、ccp
‑
g和ccp
‑
r。分隔壁bk可以形成为包括聚合物树脂和着色添加剂。分隔壁bk可以形成为包括光吸收材料，或者形成为包括颜料和/或染料。例如，分隔壁bk可以包括黑色颜料和/或黑色染料以实现黑色分隔壁。当形成黑色分隔壁时，可以使用炭黑等作为黑色颜料和/或黑色染料，但是本公开的实施例不限于此。
[0225]
光转换层ccl可以包括透射第一光的第一光控制单元ccp
‑
b、将第一光转换为第二光的包括第四量子点配合物qd
‑
c4的第二光控制单元ccp
‑
g以及将第一光转换为第三光的包括第五量子点配合物qd
‑
c5的第三光控制单元ccp
‑
r。第二光可以是比第一光的波长区域长的波长区域的光，并且第三光可以是比第一光和第二光的波长区域长的波长区域的光。例如，第一光可以是蓝光，第二光可以是绿光，并且第三光可以是红光。关于包括在光控制单元ccp
‑
g和ccp
‑
r中的量子点配合物(或多个量子点配合物)qd
‑
c4和qd
‑
c5，可以应用与针对图14中所示出的发射层中使用的量子点配合物的内容相同的内容。
[0226]
光转换层ccl还可以包括盖层cpl。盖层cpl可以设置在光控制单元ccp
‑
b、ccp
‑
g和ccp
‑
r以及分隔壁bk上。盖层cpl可以用于防止或减少湿气和/或氧(在下文中，被称为“湿气/氧”)的渗透。盖层cpl可以设置在光控制单元ccp
‑
b、ccp
‑
g和ccp
‑
r上，以防止或减少光控制单元ccp
‑
b、ccp
‑
g和ccp
‑
r暴露于湿气/氧。盖层cpl可以包括至少一个无机层。
[0227]
一个或更多个实施例的显示装置dd
‑
1可以包括设置在光转换层ccl上的滤色器层cfl，并且图14的描述可以同样适用于滤色器层cfl和基体层bl。
[0228]
图16是测量示例1和示例2以及对比示例1和对比示例2的电子跃迁时间的曲线图。通过测量使用时间分辨光致发光(time resolved photoluminescence)测量的强度的相对变化来执行电子跃迁时间分析。示例1是针对包括由式5
‑
1表示的配体结合到其的量子点的量子点组合物的评价，并且示例2是针对通过烘焙示例1的量子点组合物形成的发射层的评价。对比示例1是针对包括由对比示例式表示的油酸配体结合到其的量子点的量子点组合
物的评价，并且对比示例2是针对通过烘焙对比示例1的量子点组合物形成的发射层的评价。除了不同的配体之外，示例和对比示例的条件全部相同。
[0229]
式5
‑1[0230][0231]
对比示例式
[0232][0233]
在本公开中，电子跃迁时间指电子从激发态转变为基态所花费的时间，并且在该时间期间强度越低，电子跃迁时间越短。参照图16，可以看出的是，与示例1以及对比示例1和对比示例2相比，示例2在整个时间上具有最短的电子跃迁时间。因为当量子点彼此靠得越近时电子跃迁时间变得越短，所以可以相信的是，示例2的量子点之间的距离最近。因此，根据本公开的量子点组合物在尾部的末端处包括可交联官能团，并且可以有效地(或适当地)结合到与另一量子点结合的配体，从而减小发射层中的量子点之间的距离，以增加量子点的堆叠密度并减少空间，因此可以预期改善的发光效率。
[0234]
根据本公开的一个或更多个实施例的量子点组合物包括其中配体结合到量子点的表面的量子点配合物，并且配体在其尾部中包括可交联官能团以增加量子点组合物中的量子点配合物的分散性和封端性质，并且当应用于发光元件时表现出优异的发光效率。
[0235]
在相关技术中，当配体结合到量子点的表面时，可以改善量子点在有机溶剂中的分散性和封端性质，但是当应用于发光元件时，结合到量子点的配体抑制电荷注入性质并且可能降低发光元件的发光效率。然而，根据本公开的一个或更多个实施例的量子点配合物包括在配体的尾部中的可交联官能团，并且这些官能团在发射层中发生交联反应并减小量子点之间的距离。因此，通过配体连接的量子点配合物增加了发射层中的量子点的堆叠密度并减少了空间，因此防止或减少电荷注入性质的劣化，并改善发光元件的发光效率。
[0236]
因为结合到量子点的表面的配体包括电荷注入性质部分来防止或减少电荷注入性质的劣化，所以一个或更多个实施例的量子点组合物即使在施加到发射层时也可以用作能够表现出改善的发光效率的发射层材料。
[0237]
一个或更多个实施例的发光元件和显示装置可以通过包括可以防止或减少发射层中电荷注入性质的劣化的量子点而表现出改善的发光效率和使用寿命。
[0238]
尽管已经参照本公开的示例实施例描述了本公开，但是将理解的是，本公开不应该限于这些示例实施例，而是在不脱离本公开的精神和范围的情况下，本领域技术人员可以进行各种改变和修改。
[0239]
因此，本公开的技术范围不旨在限于说明书的具体实施方式中阐述的内容，而是旨在由所附权利要求及其等同物限定。