防伪结构、防伪结构的制备方法和芯片与流程

技术特征：
1.一种防伪结构，其特征在于，包括：基底层；多个凸起结构，形成于所述基底层上，其中，用于制备所述凸起结构的材料的折射率大于1.4。2.根据权利要求1所述的防伪结构，其特征在于，所述基底层的材料和用于制备所述凸起结构的材料相同。3.根据权利要求1所述的防伪结构，其特征在于，制备所述凸起结构的材料包括硅、二氧化钛、氧化铝和氧化铪中的至少一种。4.根据权利要求1所述的防伪结构，其特征在于，所述凸起结构沿高度方向的截面为椭圆形；所述凸起结构的高度为140纳米至240纳米。5.根据权利要求4所述的防伪结构，其特征在于，所述椭圆形的短轴直径为80纳米至240纳米；所述椭圆形的长轴直径为80纳米至240纳米，所述长轴直径的取值大于所述短轴直径的取值。6.根据权利要求1所述的防伪结构，其特征在于，多个所述凸起结构在所述基底层上呈矩形阵列排布；其中，矩形阵列排布的x轴排布周期与y轴排布周期相同，所述x轴排布周期和所述y轴排布周期的取值为290纳米至310纳米。7.根据权利要求1至5中任一项所述的防伪结构，其特征在于，还包括：金属层，覆盖在所述凸起结构背离于所述基底的一侧；所述金属层的厚度为25纳米至35纳米。8.根据权利要求7所述的防伪结构，其特征在于，制备所述金属层的材料包括金、银、铝和铬中的至少一种。9.一种防伪结构的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1至8中任一项所述的防伪结构，所述制备方法包括：提供基底，用于制备所述基底的材料的折射率大于1.4；对所述基底进行刻蚀，以在所述基底上形成多个凸起结构。10.根据权利要求9所述的防伪结构，其特征在于，所述对所述基底进行刻蚀，以在所述基底上形成多个凸起结构的步骤包括：在所述基底上设置金属掩膜层；通过电子束光刻工艺刻蚀所述基底，以在所述基底上形成多个凸起结构。11.根据权利要求9所述的防伪结构，其特征在于，制备所述基底的材料包括硅、二氧化钛、氧化铝和氧化铪中的至少一种。12.一种防伪结构的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1至8中任一项所述的防伪结构，所述制备方法包括：提供基底；在所述基底上形成薄膜结构，用于制备所述薄膜结构的材料的折射率大于1.4；对所述薄膜结构进行刻蚀，以在所述基底上形成多个凸起结构。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述对所述薄膜结构进行刻蚀，以在所述基底上形成多个凸起结构的步骤包括：在所述薄膜结构上设置金属掩膜层；通过电子束光刻工艺刻蚀所述薄膜结构，以在所述基底上形成多个凸起结构。14.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，制备所述薄膜结构的材料包括pmma胶、硅、二氧化钛、氧化铝和氧化铪中的至少一种。15.一种芯片，其特征在于，包括：如权利要求1至8中任一项所述的防伪结构。

技术总结
本申请实施例公开了一种防伪结构、防伪结构的制备方法和芯片，其中防伪结构包括：基底层；多个凸起结构，形成于所述基底层上，其中，用于制备所述凸起结构的材料的折射率大于1.4。当入射光照射在防伪结构上时，入射光会与多个凸起结构产生米氏共振现象，使得防伪结构的凸起结构上不同角度反射的光线不同，进而使得经由不同的角度看向防伪结构时会呈现不同的颜色，基于此即可实现防伪作用，本申请实施例提供的防伪结构基于结构色进行显色，无需依赖于颜料，分辨率高，使得防伪结构难以被仿制，且本申请实施例提供的防伪结构无需依赖于化学染料，能够降低对环境的污染。能够降低对环境的污染。能够降低对环境的污染。


技术研发人员：史丽娜 尚潇 李龙杰 陈生琼 谢常青 李泠
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2021.09.08
技术公布日：2021/12/6