一种反射率可调节的半导体激光器腔面膜的制备方法与流程

技术特征：
1.一种反射率可调节的半导体激光器腔面膜的制备方法，其特征在于，包括：s1，将多个半导体激光器放置于真空环境中，并对所述多个半导体激光器的衬底进行加热处理后保持恒温；s2，采用磁控溅射设备在预置参数下对经过所述s1步骤处理后的每个半导体激光器的两端腔面上分别生长增透膜和高反膜，所述增透膜为氮化硅层，所述高反膜由二氧化硅层和氮化硅层交替生长形成；其中，所述预置参数包括单材料硅靶源的溅射功率为50w～200w，所述氮化硅层的生长条件：氮气流量为5sccm～200sccm、压强为0.05pa～10.00pa，所述二氧化硅层的生长条件：氧气流量为5sccm～200sccm、压强为0.05pa～10.00pa；通过调节所述氮气流量的大小以使生成不同折射率的所述氮化硅层，得到反射率可调节的所述增透膜和所述高反膜。2.根据权利要求1所述的反射率可调节的半导体激光器腔面膜的制备方法，其特征在于，交替生长的所述二氧化硅层和所述氮化硅层的对数与其形成的所述高反膜的反射率呈正相关。3.根据权利要求1所述的反射率可调节的半导体激光器腔面膜的制备方法，其特征在于，所述二氧化硅层和所述氮化硅层的层厚d满足以下关系：其中，λ表示每个半导体激光器的激射波长；n表示每个半导体激光器的等效折射率。4.根据权利要求1所述的反射率可调节的半导体激光器腔面膜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射设备还包括离子源，所述离子源用于增强反应离子的能量和方向性。5.根据权利要求1所述的反射率可调节的半导体激光器腔面膜的制备方法，其特征在于，所述将多个半导体激光器放置于真空环境中，包括：将所述多个半导体激光器排列整齐地装入镀膜夹具中，并水平置于所述磁控溅射设备中；将所述磁控溅射设备进行抽真空处理，以使所述多个半导体激光器放置于真空环境中。6.根据权利要求5所述的反射率可调节的半导体激光器腔面膜的制备方法，其特征在于，所述真空环境的真空度小于1
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‑1帕斯卡。7.根据权利要求1所述的反射率可调节的半导体激光器腔面膜的制备方法，其特征在于，所述恒温为25℃～300℃。8.根据权利要求1所述的反射率可调节的半导体激光器腔面膜的制备方法，其特征在于，在膜层沉积过程中，所述氮气还可以为氮气和氩气的混合气体。9.根据权利要求1所述的反射率可调节的半导体激光器腔面膜的制备方法，其特征在于，所述将多个半导体激光器放置于真空环境中之前，该方法还包括：将周期性的半导体激光器进行解理处理，得到所述多个半导体激光器。10.根据权利要求1所述的反射率可调节的半导体激光器腔面膜的制备方法，其特征在于，所述每个半导体激光器的两端腔面为激光器的出光面和位于所述出光面对面的反射面，在所述出光面上生长所述增透膜，在所述反射面上生长所述高反膜。

技术总结
本公开提供了一种反射率可调节的半导体激光器腔面膜的制备方法，包括：S1，将多个半导体激光器放置于真空环境中，并对多个半导体激光器的衬底进行加热处理后保持恒温；S2，采用磁控溅射设备在预置参数下对经过S1步骤处理后的每个半导体激光器的两端腔面上分别生长增透膜和高反膜，增透膜为氮化硅层，高反膜由二氧化硅层和氮化硅层交替生长形成；其中，预置参数包括单材料硅靶源的溅射功率为50W～200W，氮化硅层的生长条件：氮气流量为5sccm～200sccm、压强为0.05Pa～10.00Pa，二氧化硅层的生长条件：氧气流量为5sccm～200sccm、压强为0.05Pa～10.00Pa；通过调节氮气流量的大小以使生成不同折射率的氮化硅层，得到反射率可调节的增透膜和高反膜。调节的增透膜和高反膜。调节的增透膜和高反膜。


技术研发人员：周代兵 赵玲娟 梁松 王圩
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
技术研发日：2021.09.03
技术公布日：2021/12/3