用于在300mm绝缘体上硅平台中制备底切的方法与流程

技术特征：
1.一种用于在绝缘体上硅soi结构(11)的绝缘体层(11b)下的硅基材(11a)中制造一个或多个腔室(12)的方法(10)，所述方法(10)包括：对硅基材(11a)进行第一干法蚀刻(10a)以在绝缘体层(11b)下产生一个或多个腔室(12)；对硅基材(11a)进行第一湿法蚀刻(10b)以使一个或多个腔室(12)扩张；对硅基材(11a)进行第二干湿法蚀刻(10c)以使一个或多个腔室(12)进一步扩张，并且破坏由第一湿法蚀刻产生的硅琢面(13)；以及进行第二湿法蚀刻(10d)以使一个或多个腔室(12)扩张。2.如权利要求1所述的方法(10)，所述方法(10)还包括：对硅基材(11a)交替进行一个或多个其它干法蚀刻和一个或多个其它湿法蚀刻；其中，各其它干法蚀刻使一个或多个腔室(12)进一步扩张，并且破坏由前序湿法蚀刻产生的硅琢面(13)；以及各其它湿法蚀刻使一个或多个腔室(12)进一步扩张。3.如权利要求1或2所述的方法(10)，所述方法还包括在进行第一干法蚀刻(10a)之前：蚀刻一个或多个沟槽(15)穿过绝缘体层(11b)并进入soi结构(11)的硅基材(11a)中；通过所述一个或多个沟槽(40)进行第一干法蚀刻(10a)，以在绝缘体层(11b)下形成一个或多个腔室(12)。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法(10)，其中，在硅基材(11a)中形成至少两个相邻腔室(12)，并进行干法蚀刻和湿法蚀刻(10a
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10d)，直至至少两个相邻腔室(12)合并。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法(10)，其中，进行干法蚀刻和湿法蚀刻(10a
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10d)，直至一个或多个腔室(12)的顶侧(70)到达绝缘体层(11b)。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法(10)，其中，干法蚀刻(10a，10c)是选择性体硅蚀刻和/或各向同性蚀刻。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法(10)，其中，干法蚀刻(10a，10c)各自包括包含氟的蚀刻步骤。8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法(10)，其中，干法蚀刻(10a，10c)各自包括使用六氟化硫或二氟化氙与氩或氦组合的蚀刻步骤。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法(10)，其中，干法蚀刻(10a，10c)在80℃至120℃的温度下各自进行1000秒至1400秒。10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法(10)，其中，湿法蚀刻(10b，10d)是各向异性湿法蚀刻。11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法(10)，其中，湿法蚀刻(10b，10d)各自包括使用氢氧化四甲基铵和/或氢氧化钾的蚀刻步骤。12.如权利要求11所述的方法(10)，其中，湿法蚀刻(10b，10d)各自包括使用氟化氢以去除原生氧化物的蚀刻步骤。13.如权利要求12所述的方法(10)，其中，湿法蚀刻(10b，10d)各自包括使用0.2％至0.4％的氟化氢进行10秒至20秒的蚀刻步
骤，随后使用2％至8％的氢氧化四甲基铵在75℃至85℃的温度下进行400秒至800秒的蚀刻步骤。14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法(10)，所述方法还包括：在各干法蚀刻(10a，10c)和后续湿法蚀刻(10b，10d)之间进行剥离和/或清洗步骤。15.一种在绝缘体soi结构(14)上的半导体，其包括：硅基材(11a)、绝缘体层(11b)、以及在绝缘体层(11b)下形成的一个或多个腔室(12)；其中，soi结构(14)是使用如权利要求1至14中任一项所述的方法(10)制备的。

技术总结
本公开涉及一种用于在绝缘体上硅(SOI)结构中产生底切(UCUT)的方法，具体涉及一种用于300mm SOI平台的方法。为此，本公开提供了一种用于在SOI结构的绝缘体层下的硅基材中制造一个或多个腔室的方法。该方法包括：对硅基材进行第一干法蚀刻以产生一个或多个腔室，对硅基材进行第一湿法蚀刻以使一个或多个腔室扩张，对硅基材进行第二干湿法蚀刻以使一个或多个腔室进一步扩张，并且破坏由第一湿法蚀刻产生的硅琢面，以及进行第二湿法蚀刻以使一个或多个腔室扩张。个腔室扩张。个腔室扩张。


技术研发人员：D
受保护的技术使用者：IMEC非营利协会
技术研发日：2021.05.27
技术公布日：2021/12/3