一种植物根系刺激素的制作方法

1.本发明涉及一种植物根系刺激素。


背景技术：

2.植物根系作为植物重要的营养器官，主要作用为从土壤中吸收水分和矿物质元素、固定支撑地上部分、合成、运输和储存营养物质。植物根系的发育对植株的生长和作物的产量有着至关重要的影响。为了追求作物高产从而盲目的增加化肥的投入，导致了资源浪费、土壤板结、环境污染。如果作物根系发育不良，施加再多的肥料都是无用的。这就要求我们要提高作物根系的发育能力，从而提高肥料的吸收利用率。


技术实现要素：

3.本发明的目的是提供一种有效刺激植物根系发育，改善根系拓扑结构的植物根系刺激素。
4.本发明采用如下技术方案：一种植物根系刺激素，其包括如下重量份的组分：n
‑
乙酰基
‑5‑
甲氧基色胺0.2~0.4份、微生物菌剂1~2份、尿素50~100份、过磷酸钙50~100份、氯化钾30~50份、磷酸二氢钾50~80份、硫酸镁1~5份、硫酸锌1~5份、腐植酸肥料200~400份以及蒙脱石400~600份。
5.其中，所述微生物菌剂为枯草芽孢杆菌菌剂，所述菌剂中枯草芽孢杆菌的数量为1000亿/克以上。
6.其中，所述尿素、过磷酸钙、氯化钾、磷酸二氢钾、硫酸镁、硫酸锌、腐植酸肥料、蒙脱石为粉末，颗粒直径0.1~0.15mm。
7.其中，所述腐殖酸肥料中腐殖酸的含量≥50%，水分≤20%。
8.其中，所述植物根系刺激素的ph为5.0~8.0。
9.其中，植物根系刺激素的施用量为2
‑
10kg。
10.本发明的有益效果在于：本发明的植物根系刺激素能够有效刺激植物根系发育，改善根系拓扑结构，提高作物对土壤中肥料的吸收利用率，改善作物生长状态，提高作物产量。
附图说明
11.图1为水稻施用植物根系刺激素育苗期表现。
12.图2为水稻施用植物根系刺激素苗期根系情况。
13.图3为水稻施用植物根系刺激素移栽后表现。
14.图4为4日龄拟南芥生长情况。
15.图5为4日龄拟南芥根系长度统计图。
16.图6为4日龄拟南芥根系ipt2基因表达情况。
17.图7为5日龄拟南芥根尖hoechst染色图。
18.图8为5日龄拟南芥根尖分裂期细胞与细胞总数比值。
19.图9为14日龄拟南芥根系扫描图。
具体实施方式
20.为了更好地理解本发明，下面用实例对本发明进行详尽的叙述，但本发明不局限于所给出的实施例。
21.实施例1一种植物根系刺激素，按以下重量份成分组成：n
‑
乙酰基
‑5‑
甲氧基色胺0.3g、微生物菌剂1.5g、尿素70g、过磷酸钙70g、氯化钾40g、磷酸二氢钾60g、硫酸镁3g、硫酸锌3g、腐植酸300g、蒙脱石500g。ph为5.48。
22.所述微生物菌剂为枯草芽孢杆菌，含有枯草芽孢杆菌1000亿/克。所述腐植酸含量为50%、水分20%。
23.所述尿素、过磷酸钙、氯化钾、磷酸二氢钾、硫酸镁、硫酸锌、腐植酸、蒙脱石为粉末，颗粒直径为0.1
‑
0.15mm。
24.所述原料需充分混合后制成粉剂。
25.实施例2一种植物根系刺激素，按以下重量份成分组成：n
‑
乙酰基
‑5‑
甲氧基色胺0.2g、微生物菌剂1g、尿素50g、过磷酸钙50g、氯化钾30g、磷酸二氢钾50g、硫酸镁1g、硫酸锌1g、腐植酸200g、蒙脱石400g。ph为5.33。
26.所述微生物菌剂为枯草芽孢杆菌，含有枯草芽孢杆菌1000亿/克。所述腐植酸含量为50%、水分20%。
27.所述尿素、过磷酸钙、氯化钾、磷酸二氢钾、硫酸镁、硫酸锌、腐植酸、蒙脱石为粉末，颗粒直径为0.1
‑
0.15mm。
28.所述原料需充分混合后制成粉剂。
29.实施例3一种植物根系刺激素，按以下重量份成分组成：n
‑
乙酰基
‑5‑
甲氧基色胺0.4g、微生物菌剂2g、尿素100g、过磷酸钙100g、氯化钾50g、磷酸二氢钾80g、硫酸镁5g、硫酸锌5g、腐植酸400g、蒙脱石600g。ph为5.56。
30.所述微生物菌剂为枯草芽孢杆菌，含有枯草芽孢杆菌1000亿/克。所述腐植酸含量为50%、水分20%。
31.所述尿素、过磷酸钙、氯化钾、磷酸二氢钾、硫酸镁、硫酸锌、腐植酸、蒙脱石为粉末，颗粒直径为0.1
‑
0.15mm。
32.所述原料需充分混合后制成粉剂。
33.实施例4试验基本情况：试验地点为哈尔滨市道外区民主乡黑龙江省农科院民主园区水田实验基地，采用单因素实验设计，设置常规处理为对照，施用植物根系刺激素为处理试验，实验本田2.5亩，试验田在同一地块进行，处理组和实验组面积均为1.25亩，采用田间大区试验，未设重复。土质为黑土，在水稻插秧前驶入底肥尿素100kg/hm2，同时各处理施入磷酸二铵150kg/hm2，硫酸钾100kg/hm2，全部做基肥，基肥结合整地一次性施入，返青期施入硫酸
铵150kg/hm2，在分蘖期施入硫酸铵150kg/hm2，孕穗期施入硫酸钾35kg/hm2。采用机器插秧，栽插密度为30cm*13.3cm，每穴5
‑
7株，其他田间管理同常规大田。
34.表1 植物根系刺激素水稻育苗栽培田间区域试验设计。
35.植物根系刺激素施用方法：将植物根系刺激素（实施例2制得）按400克/平方米用量，将植物根系刺激素干粉与苗床土一起搅拌均匀。其他苗床管理方法和程序完全按照常规方法操作。
36.施用植物根系刺激素秧苗在苗期表现如图1、图2所示，图中左侧为施加植物根系刺激素植株。移栽后田间表现如图3所示。
37.施用植物根系刺激素的植株根系发达，植株较高，叶色深绿，分蘖多，抽穗早。
38.表2 植物根系刺激素大田区域试验实际测产结果。
39.注：实际产量为根据鲜稻谷含水率折算干稻谷重量（粳稻标准含水量14.5%）实施例5试验基本情况：试验采用大区比对法，分五个处理，不设重复。试验地点为黑龙江省海伦市长发乡长建村4组，试验面积12.38亩，试验地块地势平坦，肥力均匀，秋季灭茬整地，冬备营养土，大中棚育苗，底肥为市售普通水稻专用肥，公顷追肥250kg，水稻品种为垦稻12号，机械插秧，密度9cm*4cm。
40.试验组处理：在水稻幼苗一叶一心时，按500克/平方米用量，将植物根系刺激素（实施例3制得）均匀施撒在苗床上，适量浇水洗苗使植物根系刺激素干粉落到苗床上。
41.试验处理如下：处理1：对照处理，试验面积2.28亩，公顷施底肥400kg。
42.处理2：试验处理，试验面积2.35亩，公顷施底肥400kg。
43.处理3：试验处理，试验面积2.97亩，公顷施底肥350kg。
44.处理4：试验处理，试验面积2.84亩，公顷施底肥300kg。
45.处理5：试验处理，试验面积2.38亩，公顷施底肥275kg。
46.样方测产结果如下：处理1：平均亩产473.57kg。
47.处理2：平均亩产546.94kg，亩增产水稻73.37kg，对比增产15.49%。
48.处理3：平均亩产506.92kg，亩增产水稻33.35kg，对比增产7.04%。
49.处理4：平均亩产500.25kg，亩增产水稻26.68kg，对比增产5.63%。
50.处理2：平均亩产466.90kg，亩减产水稻6.67kg，对比增产
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1.41%。
51.实施例6试验基本情况：试验采用大区比对法，分五个处理，不设重复。试验地点为黑龙江省海伦市永和乡海旺村三组，试验面积19.11亩，试验地块地势平坦，秋季深松整地起垄，前茬大豆茬。大豆品种为东升3号，肥料为磷酸二铵、硫酸钾和尿素。公顷保苗30万株。垄宽65cm，垄长350米，每个处理八垄区，面积2.73亩，试验面积13.65亩，保护区16垄，面积5.46亩。
52.试验处理如下（植物根系刺激素为实施例3制得）：处理1：对照处理，公顷施底肥350kg。
53.处理2：试验处理，公顷施底肥350公斤 植物根系刺激素颗粒40kg。
54.处理3：试验处理，公顷施底肥325kg 植物根系刺激素颗粒40kg。
55.处理4：试验处理，公顷施底肥300kg 植物根系刺激素颗粒40kg。
56.处理5：试验处理，公顷施底肥275kg 植物根系刺激素颗粒40kg。
57.样方测产结果如下：处理1：平均亩产183.34kg。
58.处理2：平均亩产202.01kg，亩增产大豆18.67kg，对比增产10.18%。
59.处理3：平均亩产200.01kg，亩增产大豆16.67kg，对比增产9.09%。
60.处理4：平均亩产193.34kg，亩增产大豆10.00kg，对比增产5.45%。
61.处理2：平均亩产186.68kg，亩增产大豆3.34kg，对比增产1.82%。
62.实施例7以ms培养基为基础培养基（ms4.43g/l，蔗糖15g/l，植物凝胶7g/l），实验组为ms培养基基础上添加0.5g/l植物根系刺激素（实施例1制得），调节ph至5.8，121℃灭菌15分钟，倒平板备用。
63.野生型拟南芥种子首先无菌水清洗一遍，75%酒精消毒1分钟，吸去酒精再无菌水清洗一遍，10%naclo溶液消毒8分钟，吸去naclo溶液，无菌水清洗五遍。将消毒的拟南芥种子用无菌蓝吸头点播于培养基上。将含有种子的培养皿用封口膜封口后，置于4℃冰箱春化72小时。
64.春化后的拟南芥置于植物光照培养室中垂直培养，培养室温度为22℃，光照为长日照（16小时光照，8小时黑暗），光照强度为2000lux。
65.4日龄拟南芥根系生长情况如图4所示，统计结果如图5所示，相比与对照组植物根系刺激素处理，主根长度增加了37.4%。
66.图6所示，4日龄拟南芥根系细胞分裂素合成限速基因ipt2表达上调。图7、图8所示，5日龄拟南芥根尖分生区分裂期细胞数目增多。
67.14日龄拟南芥根系生长情况如图9所示，可以看出处理组根系发育明显优于处理组。
68.以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。