一种热中子束流整形装置的制作方法

技术特征：
1.一种热中子束流整形装置，包括质子通道和装置主体，其特征在于：所述的装置主体设置在质子通道的后端，所述质子通道是具有直线内腔通道的，且所述质子通道内设置有靶体；所述的装置主体包括反射体和慢化体，所述慢化体设置在质子通道的末端，所述质子通道和慢化体的外周设置有反射体；所述慢化体内开设有环形槽，所述环形槽内设置有圆锥体，所述环形槽与圆锥体形成一锥形槽。2.一种热中子束流整形装置，包括质子通道和装置主体，其特征在于：所述的装置主体设置在质子通道的后端，所述质子通道是具有直线内腔通道的，且所述质子通道内设置有靶体；所述的装置主体包括反射体和慢化体，所述慢化体设置在质子通道的末端，所述质子通道和慢化体的外周设置有反射体。3.根据权利要求2所述的一种热中子束流整形装置，其特征在于：所述慢化体包括中部慢化体和后部慢化体，所述中部慢化体设置在质子通道的后端，且所述中部慢化体的后表面与后部慢化体的前表面相抵连接。4.根据权利要求3所述的一种热中子束流整形装置，其特征在于：所述慢化体还包括前部慢化体，所述前部慢化体设置在质子通道的末端，且所述前部慢化体设置在中部慢化体的前表面，并设置在中部慢化体与靶体之间。5.根据权利要求3所述的一种热中子束流整形装置，其特征在于：所述后部慢化体内开设有环形槽，所述环形槽内设置有圆锥体，所述后部慢化体内的环形槽与圆锥体形成一锥形槽。6.根据权利要求5所述的一种热中子束流整形装置，其特征在于：所述锥形槽的两侧壁厚范围为30～50mm。7.根据权利要求5所述的一种热中子束流整形装置，其特征在于：所述圆锥体轴截面的圆锥顶角角度范围为70
°
～90
°
。8.根据权利要求5所述的一种热中子束流整形装置，其特征在于：所述圆锥体的轴线长度范围为100～120mm。9.根据权利要求3或4或5任一项所述的一种热中子束流整形装置，其特征在于：所述后部慢化体后表面设置有屏蔽体，所述屏蔽体的厚度范围为130～150mm。10.根据权利要求9所述的一种热中子束流整形装置，其特征在于：所述屏蔽体的后表面上设置有碱金属卤化物薄层，所述碱金属卤化物薄层的厚度范围为1～3mm。11.根据权利要求1或2所述的一种热中子束流整形装置，其特征在于：所述反射体是聚乙烯，并设置在质子通道和慢化体的外侧。12.根据权利要求1所述的一种热中子束流整形装置，其特征在于：所述慢化体是聚乙烯，并设置在质子通道的末端。13.根据权利要求1或2所述的一种热中子束流整形装置，其特征在于：所述反射体包括外反射体和内反射体，所述内反射体设置在质子通道的外侧，所述外反射体设置在内反射体和慢化体的外侧。14.根据权利要求13所述的一种热中子束流整形装置，其特征在于：所述内反射体是聚
乙烯，所述外反射体是碳。15.根据权利要求4所述的一种热中子束流整形装置，其特征在于：所述前部慢化体是聚乙烯，其厚度范围为20～40mm。16.根据权利要求3或4所述的一种热中子束流整形装置，其特征在于：所述中部慢化体是氟化铝，其厚度范围为80～100mm，宽度范围为120～140mm。17.根据权利要求3所述的一种热中子束流整形装置，其特征在于：所述后部慢化体是聚乙烯，其厚度范围为100～120mm。18.根据权利要求1所述的一种热中子束流整形装置，其特征在于：所述反射体与慢化体是一体成型的。19.根据权利要求14或17所述的一种热中子束流整形装置，其特征在于：所述内反射体与后部慢化体是一体成型的。20.根据权利要求1或2所述的一种热中子束流整形装置，其特征在于：所述靶体设置在装置主体的内部。

技术总结
本发明公开的一种热中子束流整形装置，其包括质子通道和装置主体，所述的装置主体设置在质子通道的后端，所述质子通道是具有直线内腔通道的，且所述质子通道内设置有靶体；所述的装置主体包括反射体和慢化体，所述慢化体设置在质子通道的末端，所述质子通道和慢化体的外周设置有反射体；所述慢化体包括中部慢化体和后部慢化体，所述中部慢化体设置在质子通道的后端，且所述中部慢化体的后表面与后部慢化体的前表面相抵连接。本发明通过采用中部慢化体，使中子进入到后部慢化体部分的时候，大部分中子的能量都是处于10keV附近或者低于10keV，从而减少高于10keV的高能中子含量。从而减少高于10keV的高能中子含量。从而减少高于10keV的高能中子含量。


技术研发人员：梁天骄 陈俊阳 胡志良 童剑飞 周斌 傅世年 张锐强 赵崇光 徐俊
受保护的技术使用者：中国科学院高能物理研究所
技术研发日：2021.08.11
技术公布日：2021/11/30