电压驱动器电路的制作方法

技术特征：
1.一种电压驱动器，包括：驱动器输出；多个电路片，每个电路片包括：时间常数；一个或多个开关，所述一个或多个开关被配置为将所述驱动器输出可切换地连接到第一电压电平或高于所述第一电压电平的第二电压电平；其中：所述多个电路片中的开关被配置为将具有第一时间常数的至少第一电路片与所述第一电压电平断开并且将所述第一电路片连接到所述第二电压电平，以及将具有第二时间常数的至少第二电路片与所述第二电压电平断开并且将所述第二电路片连接到所述第一电压电平，使得所述驱动器输出处的输出波形中的上升沿具有峰化特性。2.根据权利要求1所述的电压驱动器，其中所述峰化特性是电压峰值的峰值量值。3.根据权利要求2所述的电压驱动器，其中：所述输出波形包括具有基于所述第一时间常数的第一时间速率的第一部分以及在所述第一部分之后的具有基于所述第二时间常数的第二时间速率的第二部分，所述第一部分和所述第二部分限定所述电压峰值。4.根据权利要求1所述的电压驱动器，其中所述第二可编程时间常数大于所述第一可编程时间常数。5.根据权利要求4所述的电压驱动器，其中：所述多个电路片中的开关被进一步配置为将所述第一电路片与所述第二电压电平断开并且将所述第一电路片连接到所述第一电压电平，以及将所述第二电路片与所述第一电压电平断开并且将所述第二电路片连接到所述第二电压电平，使得所述驱动器输出处的所述输出波形中的下降沿具有所述可编程峰化特性。6.根据权利要求1所述的电压驱动器，其中所述第二时间常数是可编程时间常数，并且所述第二电路片还包括：电阻器，所述电阻器具有第一电阻器端子和第二电阻器端子；片输出，所述片输出连接到所述第一电阻器端子和所述驱动器输出；电容器，所述电容器具有可编程电容并连接到所述第二电阻器端子；其中所述可编程时间常数基于所述电容器的所述可编程电容。7.根据权利要求6所述的电压驱动器，其中对于所述第二电路片：所述一个或多个开关被配置为将所述电阻器的所述第二电阻器端子可切换地连接到所述第一电压电平或所述第二电压电平，或者将所述第二电阻器端子与所述第一电压电平和所述第二电压电平可切换地断开，使得所述电压驱动器电路在所述驱动器输出处具有可编程输出阻抗。8.根据权利要求7所述的电压驱动器，其中对于所述第二电路片：所述一个或多个开关包括第一开关和第二开关，所述第一开关被配置为将所述第二电阻器端子选择性地连接到所述第一电压电平，所述第二开关被配置为将所述第二电阻器端子选择性地连接到所述第二电压电平，使得所述电压驱动器电路在所述驱动器输出处具有可编程输出电压。9.根据权利要求8所述的电压驱动器，其中所述第一开关和所述第二开关是硅金属氧
化物半导体(mos)晶体管。10.根据权利要求9所述的电压驱动器，其中每个电路片中的所述电阻器包括多晶硅。11.根据权利要求8所述的电压驱动器，其中：所述第一开关包括串联耦接在所述第一电压电平和所述第二电阻器端子之间的第一晶体管和第三晶体管，并且所述第二开关包括串联耦接在所述第二电压电平和所述第二电阻器端子之间的第二晶体管和第四晶体管。12.根据权利要求11所述的电压驱动器，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管是硅金属氧化物半导体(mos)晶体管，其中：所述第三晶体管具有比所述第一晶体管更高的特征操作电压，并且所述第四晶体管具有比所述第二晶体管更高的特征操作电压。13.根据权利要求1所述的电压驱动器，其中：所述多个电路片为第一组电路片；所述第一组电路片的每个片输出通过具有第一电阻的第一电路路径连接到所述驱动器输出；所述电压驱动器电路还包括第二组电路片；所述第二组电路片的每个片输出通过第二电路路径连接到所述驱动器输出，所述第二电路路径包括一个或多个电阻器以使得所述第二电路路径包括第二电阻；并且所述第二电阻大于所述第一电阻。14.一种电压驱动器，包括：驱动器输出；多个电路片，每个电路片包括：片输出，所述片输出连接到电阻器的第一电阻器端子和所述驱动器输出；一个或多个开关，所述一个或多个开关被配置为将所述电阻器的第二电阻器端子可切换地连接到第一电压电平或第二电压电平，或者将所述第二电阻器端子与所述第一电压电平和所述第二电压电平两者可切换地断开；可编程电容器，所述可编程电容器耦接到所述第二电阻器端子。15.根据权利要求14所述的电压驱动器，其中所述多个电路片包括：第一电路片，所述第一电路片具有连接到所述第一电压电平的第一可编程电容器，所述第一电路片具有第一时间常数；第二电路片，所述第二电路片具有连接到所述第二电压电平的第二可编程电容器，所述第二电路片具有与所述第一时间常数不同的第二时间常数；其中所述电压驱动器被配置为在所述驱动器输出处输出具有可编程峰化特性的信号波形，所述信号波形包括具有基于所述第一时间常数的第一时间速率的第一部分以及在所述第一部分之后的具有基于所述第二时间常数的第二时间速率的第二部分，所述第一部分和所述第二部分限定电压峰值，其中所述峰化特性是所述电压峰值的峰值量值。16.一种用于操作电压驱动器的方法，所述电压驱动器包括各自具有可编程时间常数的多个电路片，所述方法包括：
从控制器接收包括对目标时域特性的指示的第一数据；响应于接收到所述第一数据，在所述电压驱动器的驱动器输出处生成具有所述目标时域特性的信号波形，其中生成所述信号波形包括：调整一个或多个电路片的所述可编程时间常数。17.根据权利要求16所述的方法，其中所生成的信号波形包括具有第一时间速率的第一部分以及在所述第一部分之后的具有第二时间速率的第二部分，所述第一部分和所述第二部分限定电压峰值，其中所述目标时域特性是所述电压峰值的峰值量值，并且其中生成所述信号波形还包括：经由所述多个电路片中的至少第一电路片将第一电压电平连接到所述驱动器输出；经由所述多个电路片中的至少第二电路片将第二电压电平连接到所述驱动器输出；调整所述第一电路片的第一可编程时间常数，使得所述信号波形的所述第一部分的所述第一时间速率基于所述第一可编程时间常数；以及调整所述第二电路片的第二可编程时间常数，使得所述信号波形的所述第二部分的所述第二时间速率基于所述第二可编程时间常数。18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第二电压电平高于所述第一电压电平，其中所述信号波形的所述第一部分和所述第二部分限定上升沿，并且其中生成所述信号波形还包括：将所述第一电路片与所述第一电压电平断开并且将所述第一电路片连接到所述第二电压电平；将所述第二电路片与所述第二电压电平断开并且将所述第一电路片连接到所述第一电压电平。19.根据权利要求18所述的方法，其中所述第二可编程时间常数大于所述第一可编程时间常数。20.根据权利要求17所述的方法，其中：所述多个电路片中的每个电路片还包括经由电阻器连接到所述驱动器输出的可编程电容器，其中调整所述可编程时间常数包括调整所述可编程电容器。21.根据权利要求17所述的电压驱动器电路，其中所述多个电路片中的每个电路片包括连接到所述驱动器输出的电阻器，以及被配置为将所述电阻器可切换地连接到所述第一电压电平或所述第二电压电平的多个开关，其中所述开关是硅金属氧化物半导体(mos)晶体管。22.根据权利要求16所述的方法，还包括：从所述控制器接收包括对目标电压的指示的第二数据；通过将第一数量的电路片选择性地连接到所述第一电压电平，并且将第二数量的电路片选择性地连接到所述第二电压电平，将所述驱动器输出处的输出电压调整至所述目标电压。23.根据权利要求22所述的方法，还包括：从所述控制器接收包括对目标输出阻抗的指示的第三数据；通过经由所述多个电路片中的一个或多个电路片将所述第一电压电平或所述第二电压电平选择性地连接到所述驱动器输出来调整所述电压驱动器的驱动器输出处的可编程
输出阻抗以匹配所述目标输出阻抗，由此所述驱动器输出处的所述输出阻抗具有多个可编程输出阻抗值中的一者。24.根据权利要求22所述的方法，还包括：利用编码器接收所述第一数据和所述第二数据；利用所述编码器基于所接收的第一数据和第二数据来生成驱动器控制信号；向所述多个电路片中的开关的控制端子提供所述驱动器控制信号，使得所述一个或多个电路片连接到所述第一电压电平或所述第二电压电平。

技术总结
本文公开了电压驱动器电路及其操作方法。在一些实施方案中，多个电路片设置在电压驱动器电路中，每个电路片具有时间常数，并且被控制以将驱动器输出可切换地连接到高电压电平或低电压电平，或将驱动器输出与两个电压电平断开。该电路片可提供可调整的输出阻抗，该可调整的输出阻抗可被设置成匹配不同负载的阻抗。电路片还可提供具有低功耗的可调整电压，尤其是在高速应用中。电路片还可具有可编程电容器，该可编程电容器可被调整为提供输出电压波形的可编程时域行为，诸如可编程电压峰化特性。性。性。


技术研发人员：扬
受保护的技术使用者：泰瑞达公司
技术研发日：2020.04.23
技术公布日：2021/11/30